Tunable Graphene Single Electron Transistor
我们报告了石墨烯单电子晶体管的电子输运实验。该器件由通过两个窄的石墨烯收缩连接到源极和漏极的石墨烯岛组成。它是静电可调的三个横向石墨烯栅极和一个额外的背栅。隧道耦合是栅电压的强非单调函数，表明势垒中存在局域态。我们研究了隧道能隙的能量尺度、收缩区的共振和库仑阻塞共振。从库仑金刚石测量在不同的设备配置（即障碍配置），我们提取的充电能量为3.4毫电子伏，并估计一个特征的能量尺度为10毫电子伏的收缩共振。
2008-06-09 cond-mat.mes-hall
Disorder suppression and precise conductance quantization in constrictions of PbTe quantum wells
电导量子化在PbTe的亚微米收缩中测量，该PbTe被图案化成沉积在Pb $_{0.92}$ Eu $_{0.08}$ Te势垒之间的窄的、12 nm宽的量子阱。由于势垒所施加的量子限制比横向强得多，因此一维电子能级结构与AlGaAs/GaAs异质结构的收缩非常相似。然而，与迄今为止研究的任何其他系统相比，我们观察到以$2e^2/h$为单位的精确电导量子化，{ \it，尽管在收缩附近存在大量的带电缺陷}。我们表明，这种非凡的结果是一个后果的顺电性质的碲化铅，即，由于巨大的介电常数的库仑电位的长程尾巴的抑制。
2005-06-29 cond-mat.mes-hall
Constriction-induced modulation of charging energy in a quantum Hall cavity
École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院）；Weizmann Institute of Science（魏茨曼科学研究所）
通过门控量子霍尔腔实验，发现充电能量在弱夹断点接触下被磁场强烈非单调调制（变化达60%），归因于收缩区不可压缩分数量子霍尔态引起的局域压缩性和静电屏蔽变化。
2026-06-18 cond-mat.mes-hall
Tunable Coulomb blockade in nanostructured graphene
我们报告了在蚀刻的、可调谐的单层石墨烯量子点上的库仑阻塞和库仑金刚石测量。由通过两个窄石墨烯收缩连接的石墨烯岛组成的器件通过三个横向石墨烯栅极完全可调。观察到库仑阻塞共振，并从库仑金刚石测量中提取~3.5 meV的充电能量。随着温度的升高，我们检测到纳米结构石墨烯屏障的峰加宽和透射率增加。
2007-09-24 cond-mat.mes-hall
Transport through a strongly coupled graphene quantum dot in perpendicular magnetic field
我们测量了强耦合石墨烯量子点在垂直磁场中的输运。该器件由蚀刻的单层石墨烯薄片组成，具有将140 nm直径的岛与源极和漏极石墨烯接触分开的两个狭窄收缩部。横向石墨烯栅极用于静电调谐器件。库仑共振的测量，包括收缩共振和库仑金刚石证明了石墨烯量子点的功能性，其充电能量约为4.5 meV。我们展示了库仑共振作为垂直磁场的函数的演化，这提供了石墨烯特定的第0朗道能级的形成的迹象。最后，我们证明了叠加在量子点能谱上的复杂图案是由于随着磁场的增加而形成额外的局域态。
2011-05-02 cond-mat.mes-hall
Imaging Localized States in Graphene Nanostructures
具有空间分辨率的探测技术有可能导致更好地理解微观物理过程和操纵纳米结构的新途径。我们提出了一个石墨烯量子点，它是耦合到源极和漏极通过两个收缩的扫描门图像。我们的图像和定位的量子点在库仑阻塞制度的电导共振，以及在实空间中的压缩局域态的共振。
2010-05-12 cond-mat.mes-hall
Gate defined zero- and one-dimensional confinement in bilayer graphene
我们报道了基于双层石墨烯夹在六方氮化硼底部和顶部栅极之间的纳米级器件的制造和测量。对顶栅进行图案化，使得可以通过向栅施加适当的电压来静电感应收缩和岛。从低温下收缩处的电导量子化可以明显看出器件的高质量。这些岛显示出明显的库仑阻塞和单电子输运。
2012-05-25 cond-mat.mes-hall
Geometrically Induced Multiple Coulomb Blockade Gaps
我们从理论上研究了一个环形阵列的小隧道结，这是弱耦合到漏极的输运性质。我们发现，长程相互作用和阵列的半隔离一起导致了稳定的电子站立位形的形成。稳定的配置打破了从奇数到偶数的被困电子的每个过渡期间，导致多个库仑阻塞间隙的$I-V$的系统特性。
1998-06-27 cond-mat.mes-hall
Magneto-oscillations, nonlinearity, and nonreciprocity of Coulomb drag in quantum circuits
University of Wisconsin-Madison（威斯康星大学麦迪逊分校）；University of Florida（佛罗里达大学）
本文研究量子电路中库仑拖拽的磁振荡、非线性与非互易性，推导线性拖拽电导闭式表达式，分析非线性拖拽及耗散诱导非互易性，阐明各机制对拖拽振荡的影响。
2026-10-20 cond-mat.mes-hall quant-ph
Transport in a three-terminal graphene quantum dot in the multi-level regime
我们研究了三端石墨烯量子点中的输运。电导矩阵的所有九个元素都被独立测量。在库仑阻塞状态下，对各个电导共振的精确测量揭示了根据哪对引线用于探测而略微不同的共振能量。由于收缩中的局部状态导致的引线和点之间的隧穿耦合的快速变化已经通过使用优先耦合到单个收缩的面内栅极来调谐共振能量的差异而被排除。不同的共振能量的解释，然后基于在点的能量间隔的数量级的测量温度的顺序的存在。在这种多级传输机制中，三端子设备提供了感测各个级是否以不同强度耦合到不同引线的机会。这反过来又给出了相应的量子点波函数的空间分布的定性洞察。
2012-02-23 cond-mat.mes-hall
Large conduction band and Fermi velocity spin splittings due to Coulomb interactions in single-layer MoS_{2}
利用有效低能模型研究了库仑相互作用对单层过渡金属二硫族化物半导体低能能带结构的影响。我们展示了如何在MoS $_2$中产生大的导带自旋分裂和自旋相关的费米速度，作为自旋轨道相互作用引起的两个自旋投影的间隙之间的差异的结果。导带和费米速度自旋分裂的结果与实验测量的激子峰A、B的光吸收能一致。
2014-12-24 cond-mat.mes-hall
Excitation-induced transition to indirect band gaps in atomically thin transition metal dichalcogenide semiconductors
过渡金属二硫属化合物（TMDC）的单分子膜由于与弱介电屏蔽有关的二维载流子限制而在载流子之间表现出异常强的库仑相互作用。高密度的激发态载流子在不同的能带结构谷引起强烈的多体重正化，影响材料的电子性质和光学响应。通过求解全布里渊区上的半导体Bloch方程，研究了典型单层TMDCs MoS $_2$，MoSe $_2$，WS $_2$和WSe $_2$在激发载流子存在下的电子和光学性质.随着载流子密度的增加，我们系统地发现由于库仑屏蔽和泡利阻塞的激子结合能的减少。与激发诱导的带隙收缩一起，这导致激子共振的红移直至激子的解离。作为一个中心的结果，我们预测所有调查的单层TMDC的$Σ$ -谷移动强于K-谷。两种材料在载流子激发下经历了从直接带隙到间接带隙的转变，类似于众所周知的应变诱导效应。我们的研究结果有很强的影响与激发载流子的导电带谷的填充和相关的运输和光学应用，以及声子驱动的超导性的出现。
2018-04-23 cond-mat.mes-hall
Quasiparticle Energies and Band Gaps of Graphene Nanoribbons
我们提出了计算的准粒子的能量和带隙的石墨烯纳米带（GNRs）进行了使用第一性原理的多电子格林函数方法内的GW近似。由于GNR的准一维性质，由于增强的屏蔽库仑相互作用和限制几何的电子-电子相互作用效应极大地影响准粒子带隙。与以前的紧束缚和密度泛函理论的研究相比，我们计算的准粒子带隙显示出显着的自能修正扶手椅和锯齿形GNRs，在0.5-3.0 eV的宽度为2.4-0.4 nm的带。这里发现的准粒子带隙表明，在环境条件下使用GNRs的电子设备组件可能是可行的。
2007-06-11 cond-mat.mes-hall
Coulomb interactions, Dirac sea polarization and $SU(4)$ symmetry breaking of the integer quantum Hall states of graphene
研究了充满狄拉克海对具有长程库仑相互作用的石墨烯整数量子霍尔态的$SU(4)$对称性破缺的影响.我们的模型还包括哈伯德和最近邻排斥相互作用的强度分别为$U$和$V$。我们发现，$n=0$朗道能级的对称性破缺导致狄拉克海的$SU(4)$极化。这将导致在几个阶段，是缺席时，狄拉克海的影响被忽略。我们在$U$ - $V$空间中计算相图。我们还计算了所有相位在倾斜磁场中的激励间隙。我们比较我们的模型结果与实验，并找到一个范围内的$U$和$V$是与他们一致的。
2015-11-12 cond-mat.mes-hall
Superfluidity of dipole excitons in two layers of gapped graphene
激子的形成作为一个问题的两个狄拉克粒子被限制在两层石墨烯片由电介质分开时，间隙是开放的，它们通过库仑势相互作用的研究。我们提出了在带隙存在的双层石墨烯中观察准二维偶极激子的玻色-爱因斯坦凝聚和超流性。集体激发的能谱、声谱和有效激子质量是能隙、密度和层间间距的函数。超流密度ns和无Kosterlitz相变温度Tc是能隙和层间分离的减函数，因此，可以由这些参数控制。
2011-11-17 cond-mat.mes-hall
Proximity effect in the presence of Coulomb interaction and magnetic field
我们考虑一个小的金属颗粒耦合到超导体的隧道接触。我们研究了在外部磁场存在下邻近效应和充电效应之间的相互作用。采用绝热近似，我们开发了一个自洽的理论有效的任意比例的接近和库仑强度。磁场以一种不寻常的方式抑制邻近诱导的小间隙。在荷电能量-磁场平面上得到了晶粒的相图。两种不同的状态存在不同的值和磁场依赖的minigap。一阶相变发生在这两个小间隙状态之间。取决于充电能量，可以通过一阶或二阶机制发生到无间隙状态的转变。我们还计算了晶粒中的隧穿态密度。这个量的能量依赖性展示了对应于库仑效应和邻近效应的两个不同的间隙。这些间隙可以在足够高的磁场中分离。
2006-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Helical gaps in interacting Rashba wires at low electron densities
Rashba自旋轨道耦合和垂直于Rashba轴的磁场已经被预测在非相互作用或弱相互作用的一维量子线的能谱中打开部分能隙（“螺旋能隙”）。通过比较动能和库仑能，我们表明，这种间隙开放通常发生在低电子密度的库仑能占主导地位。为了解决这个强相关的限制，我们调查Rashba线使用维格纳晶体理论。我们发现即使在强相互作用的极限下也存在螺旋能隙，但它对电子密度的依赖性与弱相互作用的情况有很大的不同。特别地，我们发现打开间隙的临界磁场成为电子密度的振荡函数。这强烈地改变了电导测量中螺旋间隙的预期特征。
2016-09-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Excitation gaps in fractional quantum Hall states: An exact diagonalization study
我们利用精确对角化的方法计算了自旋极化分数量子霍尔态在最低朗道能级下填充分数nu=1/3，2/5，3/7和4/9时的能隙，系统的粒子数最多可达16个，并外推到无限大系统尺寸极限.在忽略有限宽度效应、无序效应和LL混合效应的情况下，计算的纯库仑相互作用能隙与复合费米子理论的预测一致，但需考虑有效质量的对数修正。这与以前的估计相反，如我们所示，在nu=2/5和3/7处高估了约15%的差距。我们还研究了由于2D层的非零宽度而导致的间隙的减少。我们表明，这些影响准确地占使用高斯或z* 高斯'（zG）试验波函数，我们表明，显着更好的变分波函数比方霍华德波函数。对于典型的异质结构样品的量子阱参数，我们发现间隙减少约20%。实验的差距，在解释了无序之后，仍然比计算的差距小40%左右。然而，对于金属-绝缘体-半导体（MIS）器件中并四苯层的情况，我们发现测量的激活间隙与我们计算的接近。我们讨论了可能的原因，计算和测量的激活间隙之间的差异是较大的GaAs异质结比MIS设备。最后，我们提出了新的计算使用系统的间隙高达18个电子在nu=5/2，包括宽度校正。
2002-05-24 cond-mat.mes-hall
Substrate effects on quasiparticles and excitons in graphene nanoflakes
采用超越双激发的组态相互作用方法，研究了衬底对扶手椅型三角形和六边形石墨烯纳米片的电学和光学性质的影响.准粒子校正的能隙和激子结合能被发现是由长程库仑相互作用和表现出类似的依赖于衬底的介电常数，这导致取消它们的贡献的光学间隙。其结果是，光学间隙被证明是不敏感的介电环境和意外地接近单粒子间隙。
2013-08-22 cond-mat.mes-hall
Fate of surface gaps in magnetic topological insulators
本文研究了磁性拓扑绝缘体中表面能隙的机制，发现磁子介导的电子-电子相互作用具有长程特性，能显著增强垂直表面的带隙，并在平行表面诱导出类似无质量能隙的特征，从而主导表面多体性质。
2024-11-19 cond-mat.mes-hall
Nearly flat bands in twisted triple bilayer graphene
我们研究了交替扭曲三重Bernal堆叠双层石墨烯（t3 BG）的电子结构作为层间耦合$ω$、扭曲角$θ$、层间电势差$Δ$和上下双层滑动矢量$\boldsymbolτ$的函数，其中包括三种可能的构型AB/AB/AB、AB/BA/AB和AB/AB/BA。在Bernal堆叠双层中的抛物线低能带色散和通过有限的层间电势差$Δ$的间隙开放允许在t3 BG中的带平坦化到$\sim 20$ ~meV，对于扭转角$θ\lesssim 2^{\circ}$，无论堆叠类型如何。当与电场下扭曲三层石墨烯的金属相相比时，由于有限$Δ$的双层石墨烯的固有间隙，平带的更容易隔离和库仑屏蔽的相关减少促进了相关驱动间隙的形成。在$θ$和$Δ$参数空间中，我们得到了与堆积相关的库仑能量与带宽$U/W \gtrsim 1$的比值。我们还提出了预期的$K$谷陈数的最低能量近平坦带。
2022-06-20 cond-mat.mes-hall
Coulomb gap triptych in a periodic array of metal nanocrystals
单粒子态密度（DOS）中的库仑能隙是具有局域电子态的无序系统中电子-电子相互作用的普遍结果。在这里，我们表明，在单分散金属纳米晶体阵列，有不是一个，而是三个相同的相邻库仑间隙，它们共同形成一个结构，我们称之为“库仑间隙三联画。“我们使用计算机模拟计算二维和三维阵列中的DOS和电导率。与传统的库仑玻璃模型不同，在无序阵列中，DOS在大无序的极限下具有固定的宽度。库仑能隙三联体可以通过隧穿实验来研究。
2012-04-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Excitations in a superconducting Coulombic energy gap
库珀配对和库仑排斥是对立的，在超导体和莫特绝缘体中产生不同的能隙。当超导体与量子点交换未成对电子时，它的能隙被一对电子-空穴对称的Yu-Shiba-Rusinov多体激发占据。在超导体中存在强库仑排斥时，这些激发的命运是未知的，但在拓扑超导量子比特和多通道杂质模型等应用中很重要。在这里，我们耦合一个量子点到超导岛与可调库仑排斥。我们发现，一个强大的库仑排斥改变了单重多体状态到两体状态。它也破坏了激发的电子-空穴能量对称性，从而失去了它们的Yu-Shiba-Rusinov特征。
2022-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Stacking and gate tunable topological flat bands, gaps and anisotropic strip patterns in twisted trilayer graphene
具有扭曲中间层的三层石墨烯最近作为一种新的平台出现，在其魔角附近表现出相关相和超导性。其电子结构在扭转角$θ$、层间电势差$Δ$和顶-底层堆叠$τ$的参数空间中的详细表征揭示，对于$θ\simeq1.5^{\circ}$顶-底层堆叠，在$τ_{\rm AB}$堆叠的较宽的$1^{\circ} \sim 1.7^{\circ}$范围之间，由于在存在有限$Δ$的情况下初级和次级带隙的打开，其频带通常具有有限的谷陈数，并且对于所考虑的所有$τ$，其谷陈数低于$θ\lesssim 0.6^{\circ}$。最大的$U/W$比预计在魔角$\sim 1.5^{\circ}$时，$|Δ| \sim 0$ ~meV的AA，并略低于附近的$\sim 1.4^{\circ}$有限$|Δ| \sim 25$ ~meV的AB堆叠，和附近的$θ\sim 0.4^{\circ}$的两个堆叠。当$τ$是AB和BA之间的鞍点堆叠矢量时，我们观察到明显的各向异性局域态密度（LDOS）条带图案，具有破缺的三角旋转对称性。我们提出的光学电导率的计算，反映了电子结构的变化所引入的堆叠和门可调系统参数。
2021-04-04 cond-mat.mes-hall
Local Compressibility Measurements of Correlated States in Suspended Bilayer Graphene
由于多体效应的重要作用，特别是在低能量下，双层石墨烯吸引了相当大的兴趣。在这里，我们报告的悬浮石墨烯双层的局部可压缩性测量。我们发现，在填充因子v = 4的能隙不消失，在低场，而是合并成一个不可压缩的区域附近的电荷中性点在零电场和磁场。这些结果表明存在零场有序态，并与反常量子霍尔态或旋转对称性破缺的非对称相的形成相一致。在更高的磁场下，我们测量了v = 0，1和2时对称性破缺态的本征能隙，发现它们与磁场成线性比例，这是双层石墨烯中强库仑相互作用的另一种表现。
2010-09-10 cond-mat.mes-hall
Terahertz Spectroscopy of Semiconductor Microcavity Lasers I: Photon Lasers
半导体微腔可以表现出各种宏观量子现象，包括极化激元的玻色-爱因斯坦凝聚、极化激元的Bardeen-Cooper-Schrieffer（BCS）态和光子激光（具有可忽略的库仑激子效应的激光）。这些状态的可能的实验识别的一个重要方面是激发光谱中的间隙（在极化激元BCS状态的情况下的BCS间隙）。类似于极化激子BCS间隙，光致间隙可以存在于光子激光器中。虽然极化激元BCS状态已被观察到的基础上，在激光频率附近的光谱，使用光谱中心或周围的发射频率的光的极化激元BCS间隙的直接观察尚未实现。已经证实，低频（太赫兹）光谱学应该能够识别这种差距。在这两项研究的第一个，旨在确定光子激光器的线性太赫兹光谱的光致间隙的功能的理论开发和数值评估。结果表明，在带内电导率的光谱特征，因此在系统的透射率和吸收率可以与光诱导间隙。对于足够小的Drude阻尼，这包括太赫兹增益的光谱区域。未来的研究将概括目前的形式主义，包括库仑效应。
2021-08-09 cond-mat.mes-hall physics.optics
Coulomb interaction and magnetic catalysis in the quantum Hall effect in graphene
在考虑库仑相互作用的低能模型下，研究了石墨烯中整数量子霍尔效应中朗道能级简并度提升的对称性破缺动力学.狄拉克准粒子的间隙方程进行了分析的最低和更高的朗道能级，考虑到朗道能级混合。结果表明，长程库仑相互作用的特征是带隙参数随朗道能级指数$n$的增大而减小（“运行”带隙）。研究了费米速度作为$n$函数的重整化（运行）。能隙方程的解正确地再现了实验观察到的石墨烯在强磁场中的整数量子霍尔平台。
2012-02-01 cond-mat.mes-hall hep-ph hep-th
Large Band Gap Quantum Anomalous Hall Phase in Hexagonal Organometallic Frameworks
非平凡带隙在量子反常霍尔绝缘体中起着关键作用。在这项工作中，我们提出，具有相当大的带隙高达367毫电子伏的内在QAH相实现在二维六方有机金属框架（HOMF）。基于第一性原理计算和有效模型分析，我们发现这些大的带隙在过渡金属基HOMF中是由局域4d或5d电子的强自旋轨道耦合打开的.重要的是，我们发现，库仑关联可以进一步显着提高非平凡的带隙。此外，我们提出了一种可能的途径，在半导体SiC（111）衬底上生长这些有机金属QAH绝缘体，由于范德华相互作用，拓扑特征得到了完美的保留。我们的工作表明，相关性显着提高了非平凡的带隙，提供奇异的候选人，实现QAH状态在高温下。
2018-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous Transport Gaps of Fractional Quantum Hall Phases in Graphene Landau Levels are Induced by Spin-Valley Entangled Ground States
该研究通过考虑库仑相互作用、晶格各向异性和单粒子项，评估了石墨烯n=0和n=1朗道能级中分数量子霍尔态的输运能隙，发现n=0为键有序相、n=1为自旋-谷纠缠相，解决了实验谜题并对各向异性耦合值施加约束。
2025-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin and valley quantum Hall ferromagnetism in graphene
在石墨烯的朗道能级（LL）中，强库仑相互作用和四重自旋/谷简并导致近似SU（4）同位旋对称性。在部分填充，交换相互作用可以自发地打破这种对称性，表现为额外的整数量子霍尔高原以外的正常序列。在这里，我们报告了大量的这些量子霍尔同位旋铁磁（QHIFM）状态，我们根据它们的真实自旋结构使用温度相关的倾斜场磁输运进行分类的观察。大的激活能隙证实了对称性破缺态的库仑起源，但其阶数强烈依赖于LL指数。在高能量的LL，塞曼效应是主导的对齐字段，导致真正的自旋铁磁体与Skyrmionic激发在半填充，而在“相对论”零能量LL，晶格尺度各向异性驱动系统的自旋非极化状态，可能是一个电荷或自旋密度波。
2012-01-19 cond-mat.mes-hall
Bias Free Gap Creation in Bilayer Graphene
对于要在数字电子工业中使用的石墨烯，挑战是尽可能简单地产生1 eV量级的带隙。在石墨烯中产生间隙的最成功的方法是（a）将电子限制在纳米带中，这在技术上是困难的，或者（b）在双层石墨烯上放置电势差，对于合理大小的电场，其限于约300 meV的间隙。在这里，我们提出，电子带隙可以创建不施加外部电场，通过使用时形成的电子-声子相互作用的双层石墨烯夹在高度极化的离子材料。我们推导并求解了自洽方程，发现中间电子-声子耦合可以形成一个大的能隙。间隙起源于由于相邻平面中的碳原子的接近而导致的本征库仑相互作用的放大。
2014-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coulomb gap triptychs, $\sqrt{2}$ effective charge, and hopping transport in periodic arrays of superconductor grains
在颗粒超导体中，单个颗粒可以包含束缚的库珀对，而整个系统是强绝缘的。在这种情况下，电导率由单个晶粒中局域态之间的电子跳跃决定。在这里，我们研究一个模型的跳跃导电性在这样一个绝缘的颗粒超导体，其中无序被假定为提供嵌入在晶粒之间的绝缘间隙的随机电荷。我们使用计算机模拟计算的单电子和电子对的状态密度在不同的值的超导能隙$Δ$，我们确定“三联画”的对称性和它们之间的标度关系。在$Δ$的特定临界值处，可以定义表征态密度和跳跃输运的有效电荷$\sqrt{2}e$。我们讨论了我们的结果的影响，磁电阻和隧穿实验。
2012-06-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Effective mass of the composite fermions and energy gaps of quantum Hall states
根据Stern和Halperin在Phys. Rev. B { \bf 52}，5890（1995）中的工作，对电子-电子相互作用$V(r)\sim r^{x-2}$和$0<x<3/2$计算了半填充时量子霍尔态的费米子-陈-西蒙斯描述中准粒子的有效质量。具有$p\gg 1$的填充因子$ν=\frac{p}{2p+1}$的量子霍尔态的能隙可以从半填充时的有效质量获得，如Halperin，Lee和Read，Phys. Rev. B { \bf 47}，7312（1993）所提出的，或者直接从存在剩余磁场的系统的自能计算;两个结果都显示为$p\to \infty$。然后，能隙由自洽方程给出，$p\gg 1$和短程相互作用的渐近解为$E_g(p)\sim (2p+1)^{-\frac{3-x}{2}}$，与Kim，Lee和Wen，Phys. Rev. B { \bf 52}，17275（1995）的先前结果一致。能隙的幂律似乎对微扰展开中的所有阶都是{ \it精确}的。此外，在$x\to 1$极限下，还恢复了库仑相互作用系统的能隙.
2007-05-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Dynamical Coulomb Blockade as a Signature of the Sign-Reversing Cooper Pairing Potential
本研究通过测量高Tc超导体上非磁性纳米岛的动力学库仑阻塞，揭示了符号反转库珀配对势的特征，为探测非常规超导体的符号反转有序参数提供了局域可调探针。
2024-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
