Laser-controlled local magnetic field with semiconductor quantum rings
本文从理论上分析了半导体量子环中N电子在红外锁相激光脉冲训练下的动力学行为。脉冲序列被设计成控制电子的总角动量。量子环可以被置于以强电流为特征的状态。由这些电流产生的局部磁场可用于半导体系统中单个自旋的选择性量子控制。
2005-01-31 cond-mat.mes-hall
Wave Functions and Energies of Magnetopolarons in Semiconductor Quantum Wells
介绍了半导体量子阱中磁极化子的分类。磁极化子的出现是由于约翰逊-拉森效应。通过对薛定谔方程的双曲化，得到了通常磁极化子和组合磁极化子的波函数。
2004-11-27 cond-mat.mes-hall
Optimal quantum gates for semiconductor qubits
我们利用最优控制理论来设计受退相干影响的固态量子比特的优化量子门。以栅控半导体量子点分子为例，我们证明了声子耦合引起的退相干可以得到很强的抑制。我们的研究结果表明，在固体中的量子控制策略更广泛的类。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
Cyclotron resonance and inelastic light scattering in semiconductor quantum dots
综述了半导体量子点中光的红外吸收和非弹性（拉曼）光的散射的一组理论结果。当它是可能的，与最近的实验结果的定性比较。
2004-06-01 cond-mat.mes-hall
Polarons in semiconductor quantum-dots and their role in the quantum kinetics of carrier relaxation
虽然含时微扰理论表明在半导体量子点中载流子-声子散射效率低，但我们证明了载流子-声子相互作用的量子动力学描述预测了快速载流子捕获和弛豫。所考虑的过程在自由载流子能量方面不满足能量守恒，因为局域量子点态的极性耦合强烈地改变了这一图像。
2005-01-20 cond-mat.mes-hall
Optically induced Kondo effect in semiconductor quantum wells
从理论上证明了二维电子系统的圆极化辐照可以诱导出局域电子态，这些电子态与传导电子发生反铁磁相互作用，从而产生近藤效应。讨论了半导体量子阱中观察到这种效应的实验条件。
2021-10-04 cond-mat.mes-hall
Optical absorption in semiconductor quantum dots: Nonlocal effects
考虑光场与半导体极化率之间的非局域耦合，研究了电场中单个球形半导体量子点的光吸收。这些非局域效应导致小尺寸和场相关的位移和激子共振的加宽，这可能是在未来的高精度实验的兴趣。
2001-11-09 cond-mat.mes-hall
Description of interface between semiconductor electrostatic qubit and Josephson junction in tight binding model
描述了超导约瑟夫森结与耦合半导体量子点中基于位置的量子比特之间的界面，为超导量子计算机与半导体量子计算机之间的静电界面奠定了基础。利用最小紧束缚模型研究了约瑟夫森结中的Andreev束缚态在半导体量子位的存在及其与超导量子位的静电相互作用下的变化.所获得的分析结果允许在半导体量子计算机和超导量子计算机之间创建接口。他们打开了构建QISKIT的前景，就像软件一样，将描述两种类型的量子计算机及其接口。关键词：静电纠缠，半导体-超导量子计算机接口，紧束缚BdGe方程，解析解，拓扑态，混合量子计算机
2020-05-07 cond-mat.mes-hall
Spin switching in semiconductor quantum dots through spin-orbit coupling
自旋轨道耦合影响半导体量子点的总自旋。我们分析了自旋轨道耦合，弱垂直磁场和变形的点的综合效应的理论预测。我们的研究结果允许表征的量子点作为自旋开关，可控的电子门。
2002-06-21 cond-mat.mes-hall
Quantum control of polaron states in semiconductor quantum dots
本文在独立玻色子模型和最优控制的框架下研究了光激发半导体量子点中声子辅助的退相。通过对量子点态和声子耦合的真实描述，我们证明了这种退相对相干光学响应有着巨大的影响。我们采用最优控制理论来寻找控制策略，允许打击退相干，并表明，适当的剪裁激光脉冲允许一个完整的控制的光激发，尽管声子退相。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
A conjecture on a quantum limit of semiconductor lasers
给出了半导体激光器的最高工作温度与发射波长的关系。这一猜想得到了各种现有实验数据的支持，这些数据包括可见光和红外双异质结和量子阱激光器、量子级联激光器以及更深奥的器件，如基于II型锑化物的中红外和p-Ge以及基于杂质的太赫兹器件。发展的关系可能使最终性能的中红外和远红外，以及太赫兹半导体激光器被预测。
2004-08-27 cond-mat.mes-hall
The Origin of Stokes Shift in Semiconductor Quantum Dots
通过计算半导体量子点中激子态的能量，研究了半导体量子点中斯托克斯位移的产生机制。我们考虑了所有可能对点中总电子能量的贡献，即点与周围介质的介电失配、有限势垒高度的影响以及电子-空穴交换相互作用。计算了斯托克斯位移随量子点半径的变化，并与两种不同半导体基量子点的实验数据进行了比较。这些结果为作为量子点中Stokes位移机制的激子态的交换劈裂提供了证据
2005-03-25 cond-mat.mes-hall
Four-wave mixing in coupled semiconductor quantum dots
本文从理论上分析了非均匀加宽耦合量子点中的四波混频。对于双激子跃迁，光谱中出现了明显的点间耦合特征。讨论了实验观测的可能性。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Coherent defect-assisted multiphonon intraband carrier relaxation in semiconductor quantum dots
提出了半导体量子点中多声子带内载流子弛豫的一种新的缺陷辅助机制，其中载流子是在初始态、终态和缺陷态的相干叠加中发现的。结果表明，这一机制是能够解释所观察到的趋势的PbSe和CdSe胶体量子点的带内弛豫速率的温度依赖性。
2007-05-18 cond-mat.mes-hall
Formation of Strain-Induced Quantum Dots in Gated Semiconductor Nanostructures
弹性应变改变半导体中的导带的能量，这将影响通过半导体纳米结构的输运。我们表明，在半导体纳米结构中，来自金属栅极的典型应变足够大，可以产生应变诱导量子点（QD）。我们模拟了一个常用的量子点器件架构，体硅上的金属栅极，并显示应变诱导量子点的形成。应变诱导量子点可以通过用多晶硅栅极代替金属栅极来消除。因此，应变对于QD装置操作可与静电一样重要。
2014-09-11 cond-mat.mes-hall
Intrinsic spin dynamics in semiconductor quantum dots
我们在多带包络函数近似下研究了半导体量子点的特征自旋动力学。通过数值求解一个$8\times8$ $k\cdot p$哈密顿量，我们处理基于不同的III-V族半导体材料的系统，它表明，即使在没有施加磁场，这些系统显示出内在的自旋动力学带内和带间跃迁导致的特征自旋频率范围从太赫兹到光学频率。
2005-09-22 cond-mat.mes-hall
The Theory of Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots. Semiclassical Method Using Retarded Potentials
提出了半导体量子点的弹性光散射理论。采用半经典方法，应用延迟势避免了电场和磁场的边界条件问题。得到了量子点远距离指向矢量的精确结果，以及单色光和脉冲光散射的微分截面公式。
2007-03-02 cond-mat.mes-hall
Quantum effects in the thermoelectric power factor of low-dimensional semiconductors
我们从理论上研究了半导体材料的热功率因数与限制长度$L$和热德布罗意波长$Λ$之间的相互作用。基于非简并半导体的单带模型，导出了功率因数的解析公式，用以描述低维半导体功率因数的量子效应。当$L$小于半导体的$Λ$时，一维和二维半导体的功率因数增强。在这种情况下，具有比它们的$Λ$小的$L$的低维半导体与它们的体对应物相比将给出更好的热电性能。另一方面，当$L$大于$Λ$时，与较低维度的半导体相比，体半导体可以给出更高的功率因数。
2016-06-30 cond-mat.mes-hall
Photoconductive gain in semiconductor quantum wires
本文报道了利用浅腐蚀技术在AlGaAs/GaAs量子阱中光刻出的半导体量子线的光电导增益。该效应允许将量子线的一维子带解析为跨量子线的光响应中的最大值。我们解释的结果，在量子阱的价带的光诱导空穴移动的量子线的一维子带。在这里，我们证明了这种效应持续到大约17开尔文的温度。
2008-10-06 cond-mat.mes-hall
Optical near-field mapping of excitons and biexcitons in naturally occurring semiconductor quantum dots
我们计算了半导体量子点中的激子和双激子的近场光谱自然发生在GaAs基量子阱中的界面波动，使用的响应函数的空间调制的电-磁场的非局部描述。最低的，远场禁止激子态的相对强度进行预测，地面双激子状态的空间扩展被发现与最近发表的实验。
2004-03-19 cond-mat.mes-hall
Correlated coherent oscillations in coupled semiconductor charge qubits
设计相干过程是发展量子信息技术的关键。研究了耦合半导体双量子点（DQD）中两个空间分离电子的相干动力学，通过调节DQD的栅极电压，实现了不同的双量子比特操作.特别是二阶关联相干振荡为分离粒子的量子关联提供了功能量子过程。这一结果对电子器件中量子纠缠的研究具有启发意义。
2009-05-09 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling effects on quantum transport in lateral semiconductor dots
本文分析了自旋轨道耦合和塞曼分裂之间的相互作用对横向半导体量子点中弱局域化和普遍电导涨落的影响：列出了相应随机矩阵理论的所有可能的对称类，并描述了通过扫描磁场和改变量子点参数可实现的它们之间的交叉。我们还建议实验测量自旋-轨道耦合常数。
2001-07-18 cond-mat.mes-hall
Integrated superconducting detectors on semiconductors for quantum optics applications
半导体量子光子电路可以有效地产生、操纵、路由和利用光的非经典态，用于基于分布式光子的量子信息技术。在这篇文章中，我们回顾了我们最近取得的成就，高品质的，超导氮化铌薄膜的光学活性，半导体GaAs衬底上的生长，纳米加工和集成和图案化，实现高效和超快的超导探测器的半导体纳米材料含有量子点。我们的最先进的探测器达到外部检测量子效率高达20%的~ 4 nm的薄膜和单光子定时分辨率<72 ps。我们讨论了这种探测器集成到量子点加载，半导体脊波导，导致在芯片上，时间分辨检测的量子点发光。此外，一个原型量子光学电路被证明，使芯片上产生的共振荧光从一个单独的InGaAs量子点，与线宽度<15 $μ$ eV的位移从超导检测器在同一个半导体芯片。因此，在同一芯片上的源，光学元件和检测器的原型量子光子电路所需的所有关键组件的报告。
2016-01-22 cond-mat.mes-hall
All-optical control of excitons in semiconductor quantum wells
应用Floquet理论，我们发展了用高频电磁场控制半导体量子阱激子性质的方法。结果表明，特别是，电场诱导量子阱激子发射的蓝移和相应的谱线的宽度变窄。因此，场强烈地改变量子阱的光学性质，并且因此可以用于调谐基于量子阱的光电子器件的特性。
2022-04-02 cond-mat.mes-hall
Quantum properties of spherical semiconductor quantum dots
纳米级的量子效应已经在许多受限结构中观察到，特别是在半导体量子点（QD）中。在这项工作中，我们提出了一个理论上的改进，所谓的有效质量近似的有效赝势的引入。这有利地允许在很大程度上进行分析计算，并导致与实验数据更好的一致性。我们已经得到了，作为一个功能的量子点半径，在精确的域的有效性，量子点的基态的能量，其斯塔克和兰姆位移。一个可观察到的兰姆位移是值得注意的预测明智地选择半导体和半径。尽管量子点能谱具有固有的非简并性，我们还是提出了一个基于Casimir效应的Gedanken实验来测试其可观测性。最后，还考虑了电磁腔对半导体量子点的影响，并计算了其Purcell因子。这最后的结果提高了具有在可见光范围内发射的QD激光器的可能性。
2012-02-29 cond-mat.mes-hall
Quantum diffusion due to scattering non-locality in nanoscale semiconductors
鉴于其局域性，半经典或玻尔兹曼理论本质上无法描述超短时空尺度上的输运现象，为此，真正的量子输运方法是必不可少的。通过采用最近提出的密度矩阵模拟策略，我们将展示其在描述纳米半导体中的量子扩散现象的能力和灵活性。特别是，对于光激发半导体中载流子-载流子弛豫的情况，我们的分析将显示简化的失相模型在描述声子诱导的散射非局域性时的失败，指出这种限制对于准弹性耗散过程的情况特别严重。
2014-02-12 cond-mat.mes-hall
Majorana excitons in a Kitaev chain of semiconductor quantum dots in a nanowire
本文提出Majorana激子理论，研究光激发电子-空穴对与纳米线量子点Kitaev链中Majorana费米子的相互作用，并通过解析与精确对角化方法在吸收光谱中证实Majorana零模的存在。
2023-06-30 cond-mat.mes-hall
Analytical approach for type-II semiconductor spherical core-shell quantum dots heterostructures with wide band gaps
采用有效质量近似下的单带模型，研究了II型半导体球形核壳量子点的能量结构和振子强度。采用弹性连续体方法模拟了核壳异质结构的异质外延应变。该模型被应用到ZnTe/ZnSe核壳，一个宽的带隙II型异质结。模拟的吸收光谱与现有的实验结果相当一致。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall
Thermal rectification effects of multiple semiconductor quantum dot junctions
基于多能级Anderson模型，从理论上研究了半导体量子点在非线性响应区的热电效应。利用Keldysh格林函数方法计算了连续隧穿过程中的电荷流和热流。结果表明，在多量子点结系统中可以观察到热整流效应，而量子点的隧穿率、尺寸起伏和位置分布对整流效率有显著影响。
2010-04-18 cond-mat.mes-hall
Lateral spatial switching of excitons using vertical electric fields in semiconductor quantum rings
利用路径积分量子蒙特卡罗模拟研究了半导体量子环中激子复合物对垂直电场的响应。垂直施加的场和具有强相关激子复合物的环的压电场的相互作用在环内的两个不同的横向位置之间切换激子。这种控制应通过极化率和偶极测量观察到的，并且，对于双激子，超出正常斯塔克位移的能量位移。
2010-07-22 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit-assisted electron-phonon interaction and the magnetophonon resonance in semiconductor quantum wells
本文介绍了半导体量子阱中载流子的自旋轨道辅助的电子-声子耦合机制，并定性地预言了回旋共振（CR）声子与光学（LO和TO）声子之间的反交叉形式和形状。由于这种e-ph相互作用涉及电子自旋，因此预测的TO-CR反交叉依赖于填充因子，因此依赖于量子阱中2D电子气的极化。
2007-07-21 cond-mat.mes-hall
Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: quantum dot anisotropy and lateral electric field
介绍了半导体量子点中激子精细结构的理论及其与量子点各向异性和外横向电场的关系。在k*p有效质量近似下，导出了包含长程电子-空穴交换作用的有效激子哈密顿量。交换矩阵元素的哈密顿量明确表示在电子和空穴的包络函数。负责的矩阵元素的“明亮”激子分裂的识别和分析。分析了具有准二维各向异性谐振子（2DLAHO）限制势的模型量子点的激子精细结构随形状各向异性、尺寸和外加横向电场的变化.
2009-10-22 cond-mat.mes-hall
Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots
自组装半导体量子点是一种人工设计和生长的新型功能材料，具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧道-库仑阻塞效应和非线性光学效应。该材料具有晶体缺陷少、制备工艺相对简单等优点，在未来的纳米电子器件研究中具有重要的应用价值。本文按垂直输运、横向输运和电荷存储的顺序，简要介绍了该材料的电子性质的最新进展，并分析了存在的问题和发展前景。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Two-Dimensional Optical Spectroscopy of Excitons in Semiconductor Quantum Wells: Liouville-space pathway analysis
我们演示了如何动态关联的重空穴和轻空穴激子在半导体量子阱中可以通过二维相关光谱（2DCS）的研究。三个飞秒光脉冲的相干响应预测产生交叉（非对角）峰，包含多体两激子关联的直接签名。比较在各个相位匹配方向上产生的信号。
2007-01-17 cond-mat.mes-hall
Fano resonances in optical spectra of semiconductor quantum wells driven by an oscillating field
从理论上研究了半导体量子阱在非共振振荡场驱动下的光谱。由于动力学稳定效应，场诱导出的准定态电子被限制在排斥散射体中，并陷入传导电子的连续态中。结果表明，带间光跃迁谱中的Fano共振出现在准定态能量附近。
2020-12-22 cond-mat.mes-hall
Elastic Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots
从理论上研究了低维半导体目标的弹性光散射。计算了量子点中激子的共振光散射微分截面。如果光波长大大超过量子点的尺寸，散射光的偏振和角分布不依赖于量子点的形式，尺寸和潜在的配置。在这种情况下，总光散射截面的大小不取决于量子点尺寸。如果激子辐射展宽超过非辐射展宽，则共振总光散射截面约为光波长的平方。计算了辐射增宽。
2006-05-26 cond-mat.mes-hall
Binding energies of trions and biexcitons in two-dimensional semiconductors from diffusion quantum Monte Carlo calculations
激子效应在二维（2D）半导体的光电行为中起着特别重要的作用。为了便于解释实验的光吸收和光致发光光谱，我们提供了统计上精确的扩散量子Monte Carlo结合能数据Mott-Wannier模型的激子，trions，和双激子在二维半导体。我们还提供接触对密度，允许使用一阶微扰理论的载流子之间的接触（交换）的相互作用的描述。我们的数据表明，在二维半导体中，三电子的结合能通常大于双激子的结合能。我们提供的插值公式给出的结合能和接触密度的二维半导体作为电子和空穴的有效质量和面内极化率的函数。
2017-01-25 cond-mat.mes-hall
Magneto-gyrotropic effects in semiconductor quantum wells (review)
综述了量子阱中的磁旋光电流效应。我们讨论了这些影响的实验数据，现象学分析和微观模型的结果。在低维结构的旋向性介质中，电流是由自旋相关散射驱动的，导致光激发和弛豫过程的不对称性。几个应用的影响也被认为是。
2008-03-06 cond-mat.mes-hall
Massive creation of entangled exciton states in semiconductor quantum dots
强激光脉冲在非均匀加宽的量子点介质中传播，大量产生纠缠激子态。脉冲通过后，所有的单激子状态保持未填充（自诱导透明），而双激子相干（激子纠缠）是通过双光子跃迁产生的。我们提出了几个实验技术，观察这种意想不到的行为。
2002-11-05 cond-mat.mes-hall
Electronic spin precession in semiconductor quantum dots with spin-orbit coupling
半导体量子点中的电子自旋旋进受到自旋轨道耦合的强烈影响。我们提出了一个在低磁场下的电子自旋共振理论，该理论预测了对点占据、磁场和自旋轨道耦合强度的强烈依赖性。库仑相互作用的影响也被考虑在一个数值方法。
2002-08-22 cond-mat.mes-hall
Effect of many-body quantum fluctuations on matrix Berry phases of a two-dimensional n-type semiconductor quantum dot
在自旋轨道耦合和横向约束势的反转对称性的存在下，准二维半导体量子点中的单个电子不呈现矩阵Berry相。在这样的系统中，我们调查是否多体相关效应可以导致有限矩阵Berry相位。我们发现，二维反演操作下的多电子波函数的变换性质不允许有限矩阵Berry相位。这种效应是精确的，并且与电子-电子相互作用的形式无关。另一方面，具有侧向限制势且不具有反转对称性的准二维半导体量子点可以具有有限的矩阵Berry相。我们发现，多体量子涨落可以改变矩阵Berry相位显着在这样的系统。
2008-10-02 cond-mat.mes-hall
Charge State Hysteresis in Semiconductor Quantum Dots
半导体量子点提供了真实原子的二维类比，并显示出实现可扩展量子计算机的前景。在这里，我们研究了硅金属氧化物半导体双量子点隧道耦合到一个单一的电子库的电荷配置。通过在少电子区操作系统，稳定性图显示了滞后隧穿事件，其取决于点电荷占据的历史。我们提出了一个模型，该模型解释了所观察到的滞后行为，通过扩展已建立的描述耦合到两个水库的双点运输。我们证明，这种类型的设备像一个单电子存储器锁存器。
2014-07-07 cond-mat.mes-hall
Macroscopic quantum state in a semiconductor device
我们展示了场效应晶体管（FET）上金属栅极的纳米结构如何在FET的电子沟道中导致宏观的、鲁棒的和电压控制的量子态。通过栅结构产生的三重量子点分子链实现了自旋-自旋相互作用在铁磁和反铁磁之间交替的自旋-半海森堡链。量子态是一个自旋为1的反铁磁海森堡链的半导体实现，它具有唯一的相关基态和有限的能隙，最初由Halfman提出。
2010-03-16 cond-mat.mes-hall
Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots
研究了非对称单量子点中激子自旋的弛豫（纵向弛豫时间$T_{1}$），这是由于短程交换作用和声学声子形变的相互作用引起的。计算的弛豫速率强烈依赖于点的大小，磁场和温度。对于典型的量子点和低于100 K的温度，零磁场弛豫时间是长的激子寿命相比，但他们强烈减少高磁场。本文详细讨论了基于（In，Ga）As和（Cd，Zn）Se半导体化合物的量子点。
2003-04-23 cond-mat.mes-hall
Plasmon-enhanced second harmonic generation in semiconductor quantum dots close to metal nanoparticles
我们报道了非中心对称半导体CdS量子点与孤立的银纳米颗粒紧密接触时，其光学二次谐波信号的增强。强度增强约为1000。我们还表明，当入射激光频率$ω$朝向银等离子体激元在$2ω$的光谱位置调谐时，增强增加，证明银纳米颗粒修改非线性发射。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall
Hybrid metal-semiconductor quantum dots in InAs as a platform for quantum simulation
本文提出混合金属-半导体量子点阵列作为量子模拟平台，利用金属组分的准连续谱实现位点均匀性，并保留半导体组分的栅极可调耦合，实验展示了高度均匀的库仑峰及向动态库仑阻塞的演化。
2025-08-05 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Quantum derivatives and high-frequency gain in semiconductor superlattices
推导了微波泵浦下半导体超晶格对太赫兹波场小信号吸收的差分公式。我们给出了一个透明的几何解释，这些公式，允许搜索的最佳条件的增益只采用一个简单的定性分析。我们的理论方法提供了一个强有力的工具，在交流驱动的半导体超晶格中找到准静态和动态制度之间的对应关系。
2006-02-23 cond-mat.mes-hall
Selective Spin Injection Controlled by Electrical way in Ferromagnet/Quantum Dot/Semiconductor system
在铁磁（FM）/量子点（QD）/半导体（SC）系统中，通过改变近藤温度以上的栅压，预测了注入半导体（SC）的电流的选择性和大极化.此外，在低于近藤温度时，还发现了自旋相关的近藤效应。研究发现，随着FM引线的极化度P的增加，上自旋态的近藤共振被抑制。而下一个是增强的。上旋的近藤峰在P=1时消失。
2008-01-18 cond-mat.mes-hall
Phase measurements using Two-Channel Fano Interference in a Semiconductor Quantum Dot
我们研究了半开放Fano体系中含有大量电子的横向半导体量子点。在输运测量中，我们观察到三个稳定的系列Fano共振具有相似的线型。我们提出了一个简单的模型解释的温度和V_{SD}依赖的共振。Fano机制允许研究电子波函数的相位和相干性，并且令人惊讶的是，我们在我们的系统中没有发现退相干的迹象。
2003-07-23 cond-mat.mes-hall
Satellite structures in the spectral functions of semiconductor quantum well two-dimensional electron gases: a GW plus cumulant study
本文用GW+累积量方法计算了不同电子密度下半导体量子阱中二维电子气的谱函数和单粒子态密度。我们比较我们的结果GW只计算，并发现显着差异的卫星之间的两个理论的描述：而GW理论预测的等离子体激发的存在，没有这样的激发被发现在GW+累积量理论。我们比较我们的结果从半导体量子阱的实验隧穿光谱，并找到很好的协议的卫星属性。
2014-02-18 cond-mat.mes-hall
Fine structure and optical pumping of spins in individual semiconductor quantum dots
本文综述了半导体量子点的自旋性质及其对光谱的影响。光致发光和其他类型的光谱学被用于以高光谱和空间分辨率探测单个量子点中的中性和带电激子。光谱精细结构和极化揭示了量子点自旋如何相互作用以及与环境的相互作用。利用光学选择规则的选择性和自旋弛豫，实现了对基态电子和核自旋的光学自旋泵浦。通过这种机制，光可以用来处理自旋，用作信息的载体。
2008-09-10 cond-mat.mes-hall
Quantum oscillations of spin current through a III-V semiconductor loop
我们研究了自旋极化通过具有强Rashba自旋轨道相互作用的经典混沌半导体环的输运。我们发现，当粒子的逃逸时间足够长时，组态平均自旋电导随几何自旋相位的变化而剧烈振荡。我们预测了一个相当大的旋转自旋极化沿其流动路径的循环从注射器到收集器。我们还发现了一个量子化的普遍自旋弛豫在一个二维水库连接到这样的半导体环。
2001-12-13 cond-mat.mes-hall
Propagation of edge magnetoplasmons in semiconductor quantum-well structures
从理论上研究了半导体量子阱结构中沿二维电子层边缘的边缘磁等离激元的波长和传播长度随频率、磁场、电子密度、迁移率和结构几何形状的变化规律。这些结果将用于分析和优化最近发明的在液氮温度下工作的量子阱微波光谱仪的操作（I。V. Kukushkin { \em等人}，Appl. Phys. Lett. { \bf 86}，044101（2005））。
2006-07-11 cond-mat.mes-hall
