Quantum Dot Version of Berry's Phase: Half-Integer Orbital Angular Momenta
我们证明了具有奇数个电子的圆形量子点的Berry几何（拓扑）相位等于π，并且轨道角动量的本征值超过半整数值。Berry相位的非零值由系统的轴对称性和二维性提供。它的特定值（π）由泡利不相容原理确定。我们的结论与T. Schmidt { \it at el}，\PR B { \bf 51}，5570（1995），这可以被认为是在圆形量子点中的奇数电子系统中存在Berry相位和轨道角动量的半整数值的新实现的第一个实验证据。
2007-07-13 cond-mat.mes-hall
Gate control of Berry phase in III-V semiconductor quantum dots
半导体量子点中的Berry相可以通过在横向施加畸变势使量子点在闭环中作往复运动来诱导。我们发现，Berry相是高度敏感的电场之间的相互作用所产生的Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合。我们发现，相同自旋态的不同量子数仅相差一个量子数的量子态可以诱导出累积Berry相.由于布洛赫波函数渗透到势垒材料中而引起的g因子的符号变化可以反映在Berry相中。通过求解含时Schr $\mathrm{\ddot{o}}$ dinger方程，研究了量子点在二维平面内绝热运动过程中自旋动力学的演化.我们的研究结果可能会打开一个拓扑量子点量子计算机的可能性，其中的Berry相位可以被设计，并可以通过门控电场的自旋轨道耦合的应用程序进行操纵。
2014-07-13 cond-mat.mes-hall
Ballistic Quantum Dots with Disorder and Interactions: A numerical study on the Robnik-Berry billiard
在以前的工作中，我们已经发现了一个制度，在弹道量子点，电子间的相互作用可以渐近地处理，正是由于无量纲数$g$的点变得非常大。然而，这项工作依赖于一些假设有关的重整化群和各种性质的点服从随机矩阵理论预测的尺度上的顺序的无量纲能量。在这项工作中，我们测试这些假设的有效性，考虑一个特定的弹道点，Robnik-Berry台球，数值。我们发现，几乎所有我们的预测的基础上，早期的工作是证实了，除了某些矩阵元素的相互作用算子的波动。我们的结论是，至少在Robnik-Berry台球，人们可以相信我们以前的工作在定性和半定量水平的结果。
2004-11-10 cond-mat.mes-hall
Direct probing of band-structure Berry phase in diluted magnetic semiconductors
我们报告的实验证据的Berry相积累的载流子波函数在单畴纳米线（Ga，Mn）（As，P）稀释铁磁半导体层。它的签名介观输运测量显示为不寻常的模式，在磁导，这是明确区分于普遍的电导波动。我们发现，这些图案出现在磁场区域中的磁化旋转相干，并与能带结构贝里相位的变化，作为磁化方向的变化。因此，它们应被视为动量空间中有效磁单极子的能带结构Berry相位指纹。我们认为，这是一种有效的方法，改变能带结构在一个控制的方式，并直接探测它。因此，（Ga，Mn）As似乎是一个非常有趣的测试台，新概念的基础上，这个几何相位。
2015-06-12 cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall effect in a 2D magnetic semiconductor hetereostructure: Evidence of Berry phase effects in the hopping-transport regime
研究了Mn δ掺杂半导体杂质半导体中二维空穴气与Mn层相互作用的反常霍尔效应（AHE）随温度和磁场的变化.实验数据的分析揭示了四个不同的温度范围内不同的AHE的行为。Mn层诱导空穴气的不均匀性，导致跳跃和漂移电导率之间的相互作用。结果表明，在足够低的温度下，跳跃电导率有利于AHE相关的几何（Berry-Pancharatnam）相的机制。
2015-07-02 cond-mat.mes-hall
Sign-reversible valley-dependent Berry phase effects in 2D valley-half-semiconductors
操纵谷依赖的Berry相位效应为基础研究和实际应用提供了显着的机会。在这里，通过参考有效的模型分析，我们提出了一个实现拓扑磁谷相变的一般方案。更重要的是，通过使用谷半导体VSi 2N4作为一个突出的例子，我们研究的符号变化的谷依赖的Berry相位效应驱动的符号变化的谷异常输运特性通过外部手段，如双轴应变，电场，和相关效应。因此，这就产生了谷异常传输现象的量子化版本。我们的研究结果不仅揭示了一个一般的框架，以控制谷自由度，但也激发了进一步的研究方向的多功能量子器件的谷电子学和自旋电子学。
2021-10-05 cond-mat.mes-hall
Side jump contribution to spin-orbit mediated Hall effects and Berry curvature
反常霍尔效应和自旋霍尔效应起源于自旋轨道耦合，在Kohn-Luttinger ${\bf k}\cdot{\bf p}$形式中，自旋轨道耦合由坐标和速度算符中的反常项表示。给出了GaAs型半导体中电子的动量空间中这些算符与Berry曲率的关系。对于中心对称半导体，讨论了Berry曲率的变换性质。
2008-04-25 cond-mat.mes-hall
Interplay of Aharonov-Bohm and Berry phases in gate-defined graphene quantum dots
我们研究了磁通量管对石墨烯量子点中静电约束电子的可能性的影响。在没有磁通量管的情况下，石墨烯赝自旋负责将总角动量量子化为半整数值。另一方面，在一个含有半个通量量子的通量管中，Aharonov-Bohm相和Berry相精确地抵消了，我们发现了一个角动量为零的状态，不能被静电限制。在这种情况下，真正的束缚态只存在于规则几何中，其中不存在零角动量分量的状态，而不可积几何则缺乏限制。我们支持这些论点与栅极定义的石墨烯量子点的两端电导的计算，这表明共振的盘形几何形状和体育场形状的几何形状没有通量管，但没有共振的体育场形状的量子点与$π$通量管。
2013-04-03 cond-mat.mes-hall
Generation and detection of non-Abelian matrix Berry phases through manipulation of electric confinement potential of a semiconductor quantum dot
在II-VI或III-V族n型半导体量子点中，通过改变限制势的形状，可以用{ \it all electrical means}产生并检测到矩阵Berry相。这是由于在存在自旋-轨道耦合项时的一般对称性考虑。由此产生的2 × 2矩阵Berry相位可以由两个几何原点数来表征。我们研究这些参数如何依赖于封闭绝热路径的形状和面积。我们建议如何在传输测量矩阵Berry相位可能被检测到。
2007-08-07 cond-mat.mes-hall quant-ph
Geometrical pumping in spin coupled double quantum dots
基于量子主方程（QME），解析地研究了双量子点系统的非平衡泵浦，其中双量子点通过自旋耦合与两个外引线相连.每个引线都有两个可调参数，温度和化学势。利用QME方法，我们得到了QME本征态的类Berry-like相位在参数空间中的解析表达式。我们证明了Berry-like曲率在参数空间的整个区域内都是非零的。我们还证明了在单个量子点和两个孤立量子点的情况下，类Berry曲率为零。
2013-02-27 cond-mat.mes-hall
Pumping in quantum dots and non-Abelian matrix Berry phases
通过精确求解含时薛定谔方程，从非阿贝尔（矩阵）Berry相位的角度研究了量子点中的泵浦。我们的研究结果表明，泵浦电荷是有限矩阵Berry相的存在。当进行连续的绝热循环时，每个循环的泵浦电荷与前一个循环不同。
2008-02-14 cond-mat.mes-hall quant-ph
Berry phase in superconducting multiterminal quantum dots
我们报道了在对称电压下超导多端量子点中的非平凡Berry相的研究。从时间周期的Bogoliubov-de Gennes方程出发，得到了Floquet空间中的紧束缚模型，并在半经典极限下求解了该方程。我们观察到由接触双折射和四重态相位定义的参数空间分裂成两个分量，其中一个分量具有非平凡的Berry相位。我们使用Bohr-Sommerfeld量子化来计算Berry相位。我们发现，如果量子点能级处于零能量，则Berry相位取值$φ_B=0$或$φ_B=π$。我们证明，这种非平凡的Berry相可以观察到的Floquet光谱中的隧道光谱。结果表明，超导多端量子点的Floquet-Wannier-Stark梯形谱在$φ_B=π$的作用下发生了半个周期的位移。我们基于Keldysh Green函数的数值计算表明，这种Berry相位谱移动可以从量子点的隧穿态密度中观察到。
2020-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Single electron control in n-type semiconductor quantum dots using non-Abelian holonomies generated by spin orbit coupling
我们提出利用具有Rashba和Dresselhaus自旋轨道相互作用的n型半导体量子点，通过简并态之间的绝热变换实现单电子操控.量子点中所有的能级都是离散的，并且由于Rashba和/或Dresselhaus自旋轨道耦合项的存在，时间反演导致了双简并.我们发现双简并的存在并不一定会产生有限的非阿贝尔（矩阵）Berry相。我们表明，一个扭曲的二维谐波势可能会产生非阿贝尔Berry相位。非阿贝尔贝瑞相的存在可以通过测量光学偶极跃迁来实验测试。
2006-02-22 cond-mat.mes-hall
Continuously Tunable Berry Phase and Valley-Polarized Energy Spectra in Bilayer Graphene Quantum Dots
Berry相位在决定量子系统的许多物理性质中起着重要的作用。然而，量子系统的Berry相变能谱是比较罕见的。在这里，我们报告了一个不寻常的可调谷极化的能量谱连续可调贝里相伯纳尔堆叠的双层石墨烯量子点。在我们的实验中，电子轨道态的Berry相位被垂直的磁场从π到2 π连续地调谐。当Berry相位等于π或2 π时，两个不等价谷中的电子态是能量简并的。通过改变Berry相位为π的非整数倍，在我们的实验中检测到大的和连续可调谐的谷偏振能谱。所观察到的Berry相位诱导的谷分裂，在1 T的磁场下约为10 meV，比自旋的塞曼分裂大约100倍，从而揭示了基于石墨烯的谷电子学。
2021-08-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor quantum dot arrays embedded in semiconductors
为了研究半导体中的稀磁半导体（DMS）量子点阵列的铁磁性，提出了一种考虑局域自旋与量子点中受限空穴交换耦合的Anderson型模型哈密顿量. DMS量子点中的量子限制空穴与半导体价带中的巡游空穴之间的杂化作用使得量子点之间发生空穴转移，从而诱导局域自旋的长程铁磁有序。此外，它使DMS量子点和半导体中的载流子自旋极化。利用Weiss平均场近似和自洽自旋波近似计算了局域自旋的自发磁化强度和空穴的自旋极化。
2002-10-29 cond-mat.mes-hall
The Origin of Stokes Shift in Semiconductor Quantum Dots
通过计算半导体量子点中激子态的能量，研究了半导体量子点中斯托克斯位移的产生机制。我们考虑了所有可能对点中总电子能量的贡献，即点与周围介质的介电失配、有限势垒高度的影响以及电子-空穴交换相互作用。计算了斯托克斯位移随量子点半径的变化，并与两种不同半导体基量子点的实验数据进行了比较。这些结果为作为量子点中Stokes位移机制的激子态的交换劈裂提供了证据
2005-03-25 cond-mat.mes-hall
Representative longitudinal optical phonon modes in polar semiconductor quantum dots
从理论上讨论了极性半导体圆柱形量子点嵌入半导体基体中时代表性纵光学（LO）声子模的存在性。该方法是在考虑电子和受限LO声子之间的Fröhlich相互作用的介电连续模型内开发的。该理论适用于圆柱形GaAs/AlAs量子点内的绝热处理。
2012-04-11 cond-mat.mes-hall
Spin switching in semiconductor quantum dots through spin-orbit coupling
自旋轨道耦合影响半导体量子点的总自旋。我们分析了自旋轨道耦合，弱垂直磁场和变形的点的综合效应的理论预测。我们的研究结果允许表征的量子点作为自旋开关，可控的电子门。
2002-06-21 cond-mat.mes-hall
Cyclotron resonance and inelastic light scattering in semiconductor quantum dots
综述了半导体量子点中光的红外吸收和非弹性（拉曼）光的散射的一组理论结果。当它是可能的，与最近的实验结果的定性比较。
2004-06-01 cond-mat.mes-hall
Four-wave mixing in coupled semiconductor quantum dots
本文从理论上分析了非均匀加宽耦合量子点中的四波混频。对于双激子跃迁，光谱中出现了明显的点间耦合特征。讨论了实验观测的可能性。
2002-07-25 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling effects on quantum transport in lateral semiconductor dots
本文分析了自旋轨道耦合和塞曼分裂之间的相互作用对横向半导体量子点中弱局域化和普遍电导涨落的影响：列出了相应随机矩阵理论的所有可能的对称类，并描述了通过扫描磁场和改变量子点参数可实现的它们之间的交叉。我们还建议实验测量自旋-轨道耦合常数。
2001-07-18 cond-mat.mes-hall
Quantum-information processing in semiconductor quantum dots
我们提出了一种在半导体量子点中进行量子信息处理的全光学实现方案，其中电子空穴激发（激子）作为计算自由度（量子比特）。强点限制导致激子态的强重整化，其类似于量子信息处理的基于NMR的实现，可以用于执行有条件和无条件量子位操作。
2001-04-09 cond-mat.mes-hall
Optical absorption in semiconductor quantum dots: Nonlocal effects
考虑光场与半导体极化率之间的非局域耦合，研究了电场中单个球形半导体量子点的光吸收。这些非局域效应导致小尺寸和场相关的位移和激子共振的加宽，这可能是在未来的高精度实验的兴趣。
2001-11-09 cond-mat.mes-hall
Coherent defect-assisted multiphonon intraband carrier relaxation in semiconductor quantum dots
提出了半导体量子点中多声子带内载流子弛豫的一种新的缺陷辅助机制，其中载流子是在初始态、终态和缺陷态的相干叠加中发现的。结果表明，这一机制是能够解释所观察到的趋势的PbSe和CdSe胶体量子点的带内弛豫速率的温度依赖性。
2007-05-18 cond-mat.mes-hall
Electronic spin precession in semiconductor quantum dots with spin-orbit coupling
半导体量子点中的电子自旋旋进受到自旋轨道耦合的强烈影响。我们提出了一个在低磁场下的电子自旋共振理论，该理论预测了对点占据、磁场和自旋轨道耦合强度的强烈依赖性。库仑相互作用的影响也被考虑在一个数值方法。
2002-08-22 cond-mat.mes-hall
The Theory of Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots. Semiclassical Method Using Retarded Potentials
提出了半导体量子点的弹性光散射理论。采用半经典方法，应用延迟势避免了电场和磁场的边界条件问题。得到了量子点远距离指向矢量的精确结果，以及单色光和脉冲光散射的微分截面公式。
2007-03-02 cond-mat.mes-hall
Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: quantum dot anisotropy and lateral electric field
介绍了半导体量子点中激子精细结构的理论及其与量子点各向异性和外横向电场的关系。在k*p有效质量近似下，导出了包含长程电子-空穴交换作用的有效激子哈密顿量。交换矩阵元素的哈密顿量明确表示在电子和空穴的包络函数。负责的矩阵元素的“明亮”激子分裂的识别和分析。分析了具有准二维各向异性谐振子（2DLAHO）限制势的模型量子点的激子精细结构随形状各向异性、尺寸和外加横向电场的变化.
2009-10-22 cond-mat.mes-hall
Polarons in semiconductor quantum-dots and their role in the quantum kinetics of carrier relaxation
虽然含时微扰理论表明在半导体量子点中载流子-声子散射效率低，但我们证明了载流子-声子相互作用的量子动力学描述预测了快速载流子捕获和弛豫。所考虑的过程在自由载流子能量方面不满足能量守恒，因为局域量子点态的极性耦合强烈地改变了这一图像。
2005-01-20 cond-mat.mes-hall
Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots
研究了非对称单量子点中激子自旋的弛豫（纵向弛豫时间$T_{1}$），这是由于短程交换作用和声学声子形变的相互作用引起的。计算的弛豫速率强烈依赖于点的大小，磁场和温度。对于典型的量子点和低于100 K的温度，零磁场弛豫时间是长的激子寿命相比，但他们强烈减少高磁场。本文详细讨论了基于（In，Ga）As和（Cd，Zn）Se半导体化合物的量子点。
2003-04-23 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Intrinsic spin dynamics in semiconductor quantum dots
我们在多带包络函数近似下研究了半导体量子点的特征自旋动力学。通过数值求解一个$8\times8$ $k\cdot p$哈密顿量，我们处理基于不同的III-V族半导体材料的系统，它表明，即使在没有施加磁场，这些系统显示出内在的自旋动力学带内和带间跃迁导致的特征自旋频率范围从太赫兹到光学频率。
2005-09-22 cond-mat.mes-hall
Elastic Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots
从理论上研究了低维半导体目标的弹性光散射。计算了量子点中激子的共振光散射微分截面。如果光波长大大超过量子点的尺寸，散射光的偏振和角分布不依赖于量子点的形式，尺寸和潜在的配置。在这种情况下，总光散射截面的大小不取决于量子点尺寸。如果激子辐射展宽超过非辐射展宽，则共振总光散射截面约为光波长的平方。计算了辐射增宽。
2006-05-26 cond-mat.mes-hall
Quantum control of polaron states in semiconductor quantum dots
本文在独立玻色子模型和最优控制的框架下研究了光激发半导体量子点中声子辅助的退相。通过对量子点态和声子耦合的真实描述，我们证明了这种退相对相干光学响应有着巨大的影响。我们采用最优控制理论来寻找控制策略，允许打击退相干，并表明，适当的剪裁激光脉冲允许一个完整的控制的光激发，尽管声子退相。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
Charge State Hysteresis in Semiconductor Quantum Dots
半导体量子点提供了真实原子的二维类比，并显示出实现可扩展量子计算机的前景。在这里，我们研究了硅金属氧化物半导体双量子点隧道耦合到一个单一的电子库的电荷配置。通过在少电子区操作系统，稳定性图显示了滞后隧穿事件，其取决于点电荷占据的历史。我们提出了一个模型，该模型解释了所观察到的滞后行为，通过扩展已建立的描述耦合到两个水库的双点运输。我们证明，这种类型的设备像一个单电子存储器锁存器。
2014-07-07 cond-mat.mes-hall
Formation of Strain-Induced Quantum Dots in Gated Semiconductor Nanostructures
弹性应变改变半导体中的导带的能量，这将影响通过半导体纳米结构的输运。我们表明，在半导体纳米结构中，来自金属栅极的典型应变足够大，可以产生应变诱导量子点（QD）。我们模拟了一个常用的量子点器件架构，体硅上的金属栅极，并显示应变诱导量子点的形成。应变诱导量子点可以通过用多晶硅栅极代替金属栅极来消除。因此，应变对于QD装置操作可与静电一样重要。
2014-09-11 cond-mat.mes-hall
Optical near-field mapping of excitons and biexcitons in naturally occurring semiconductor quantum dots
我们计算了半导体量子点中的激子和双激子的近场光谱自然发生在GaAs基量子阱中的界面波动，使用的响应函数的空间调制的电-磁场的非局部描述。最低的，远场禁止激子态的相对强度进行预测，地面双激子状态的空间扩展被发现与最近发表的实验。
2004-03-19 cond-mat.mes-hall
Massive creation of entangled exciton states in semiconductor quantum dots
强激光脉冲在非均匀加宽的量子点介质中传播，大量产生纠缠激子态。脉冲通过后，所有的单激子状态保持未填充（自诱导透明），而双激子相干（激子纠缠）是通过双光子跃迁产生的。我们提出了几个实验技术，观察这种意想不到的行为。
2002-11-05 cond-mat.mes-hall
Fine structure and optical pumping of spins in individual semiconductor quantum dots
本文综述了半导体量子点的自旋性质及其对光谱的影响。光致发光和其他类型的光谱学被用于以高光谱和空间分辨率探测单个量子点中的中性和带电激子。光谱精细结构和极化揭示了量子点自旋如何相互作用以及与环境的相互作用。利用光学选择规则的选择性和自旋弛豫，实现了对基态电子和核自旋的光学自旋泵浦。通过这种机制，光可以用来处理自旋，用作信息的载体。
2008-09-10 cond-mat.mes-hall
Majorana excitons in a Kitaev chain of semiconductor quantum dots in a nanowire
本文提出Majorana激子理论，研究光激发电子-空穴对与纳米线量子点Kitaev链中Majorana费米子的相互作用，并通过解析与精确对角化方法在吸收光谱中证实Majorana零模的存在。
2023-06-30 cond-mat.mes-hall
Analytical approach for type-II semiconductor spherical core-shell quantum dots heterostructures with wide band gaps
采用有效质量近似下的单带模型，研究了II型半导体球形核壳量子点的能量结构和振子强度。采用弹性连续体方法模拟了核壳异质结构的异质外延应变。该模型被应用到ZnTe/ZnSe核壳，一个宽的带隙II型异质结。模拟的吸收光谱与现有的实验结果相当一致。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall
Thermal rectification effects of multiple semiconductor quantum dot junctions
基于多能级Anderson模型，从理论上研究了半导体量子点在非线性响应区的热电效应。利用Keldysh格林函数方法计算了连续隧穿过程中的电荷流和热流。结果表明，在多量子点结系统中可以观察到热整流效应，而量子点的隧穿率、尺寸起伏和位置分布对整流效率有显著影响。
2010-04-18 cond-mat.mes-hall
Single Hole Transport in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Quantum Dot
我们描述了一个平面硅金属氧化物半导体（MOS）为基础的单孔晶体管，这是与传统的硅CMOS制造兼容。多层栅极设计可独立控制点和储层中的载流子密度。清晰的库仑阻塞振荡被观察到，和源漏偏置测量表明，它是可能的耗尽点下降到几个空穴制度，与激发态清晰可见。该架构是足够通用的，第二个孔点可以被诱导邻近第一个。
2013-04-11 cond-mat.mes-hall
Semiconductor quantum dots in high magnetic fields: The composite-fermion view
本文回顾和推广了强磁场中半导体量子点的复合费米子理论。复合费米子的平均场模型不能满足高角动量下的定性物理。大量的数值计算表明，微观CF理论，其中包括复合费米子之间的相互作用，提供了一个很好的定性和定量的量子点基态的最大角动量的研究，并允许系统的改进，包括复合费米子朗道能级（称为$Λ$水平）之间的混合。
2006-11-13 cond-mat.mes-hall
Plasmon-enhanced second harmonic generation in semiconductor quantum dots close to metal nanoparticles
我们报道了非中心对称半导体CdS量子点与孤立的银纳米颗粒紧密接触时，其光学二次谐波信号的增强。强度增强约为1000。我们还表明，当入射激光频率$ω$朝向银等离子体激元在$2ω$的光谱位置调谐时，增强增加，证明银纳米颗粒修改非线性发射。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall
Long-range radiative interaction between semiconductor quantum dots
为了描述半导体量子点之间的辐射相互作用机制，我们发展了Maxwell-Schroedinger形式。我们求解了电磁场与极化场通过线性非局域极化率耦合的量子点系综的麦克斯韦方程组，计算了系统的极化激元共振。由辐射和表面光子模式介导的辐射耦合导致集体模式的出现，集体模式的寿命与非相互作用点的寿命相比更长或更短。耦合的大小和集体模能量取决于失谐量和相互的量子点距离。这种耦合机制的空间范围是波长的量级。因此，当考虑将量子点作为用于量子信息处理的集成系统的构建块时，应该考虑这种耦合。
2004-11-03 cond-mat.mes-hall
Selective Spin Injection Controlled by Electrical way in Ferromagnet/Quantum Dot/Semiconductor system
在铁磁（FM）/量子点（QD）/半导体（SC）系统中，通过改变近藤温度以上的栅压，预测了注入半导体（SC）的电流的选择性和大极化.此外，在低于近藤温度时，还发现了自旋相关的近藤效应。研究发现，随着FM引线的极化度P的增加，上自旋态的近藤共振被抑制。而下一个是增强的。上旋的近藤峰在P=1时消失。
2008-01-18 cond-mat.mes-hall
Phase measurements using Two-Channel Fano Interference in a Semiconductor Quantum Dot
我们研究了半开放Fano体系中含有大量电子的横向半导体量子点。在输运测量中，我们观察到三个稳定的系列Fano共振具有相似的线型。我们提出了一个简单的模型解释的温度和V_{SD}依赖的共振。Fano机制允许研究电子波函数的相位和相干性，并且令人惊讶的是，我们在我们的系统中没有发现退相干的迹象。
2003-07-23 cond-mat.mes-hall
Cavity quantum electrodynamics with semiconductor double-dot molecules on a chip
本文描述了一种将半导体双点分子的电子自旋态耦合到微波带状线谐振器的相干控制技术。我们确定了一个新的制度的操作中，分子和谐振腔之间的强相互作用可以实现最小的退相干，达到所谓的强耦合制度的腔QED。我们描述了这种系统的潜在应用，包括低噪声相干电控制，自旋态的快速QND测量，和远程自旋耦合。
2006-05-05 cond-mat.mes-hall
Circuit QED using a semiconductor double quantum dot
在由GaAs双量子点和共面波导谐振腔组成的耦合量子比特谐振腔系统中观察到真空拉比分裂。导出的量子位-谐振腔耦合强度和退相干率的值表明强耦合，这保证了系统中的明显真空拉比振荡。退相干的幅度是合理的解释在GaAs中的压电声学声子的电子耦合。
2012-06-04 cond-mat.mes-hall
Parametric amplification of magnetoplasmons in semiconductor quantum dots
我们发现，磁等离子体激元集体模式在准二维半导体量子点可以参数放大周期性调制的磁场垂直于纳米结构。这两种磁等离子体激元模式同时被激发和放大，导致系统中玻色子激发的数量呈指数增长。我们进一步证明，阻尼机制以及非谐性的限制的量子点导致饱和的参量放大。这项工作构成了第一步参数放大的集体模式在多体费米子系统超越一维。
2011-10-03 cond-mat.mes-hall
Instabilities in the optical response of a semiconductor quantum dot - metal nanoparticle heterodimer: self - oscillations and chaos
我们从理论上研究了由半导体量子点与金属纳米颗粒强耦合构成的异质二聚体的非线性光学响应。该量子点被认为是一个具有基态、单激子态和双激子态的三能级梯形系统。与二能级量子点模型的情况相比，加入第三态（双激子）在混合系统的光学响应中产生了迷人的效果。具体地说，我们证明了该系统可以表现出皮秒和亚皮秒自振荡和准混沌行为下{ \it单}频连续波激励。孤立的半导体量子点不显示这样的特征。这些效应源自半导体量子点中的竞争性单激子和双激子跃迁，其由量子点经由金属纳米颗粒的自作用触发。控制上述现象的关键参数是自作用强度和双激子位移的比值。自振荡机制可以在实践中实现，特别是在由紧密间隔的ZnS/ZnSe核-壳量子点和球形银纳米颗粒组成的异二聚体中。这些结果可能在产生超短光脉冲串的纳米器件中有应用。
2016-12-15 cond-mat.mes-hall
Berry Phase and Traversal Time in Asymmetric Graphene Structures
已经计算了非对称非接触或接触石墨烯结构的Berry相和基于群速度的遍历时间，并且与半导体异质结构相比已经观察到显著差异。这些差异与石墨烯中载流子的特定的、类似狄拉克的演化规律有关，这引入了一种新型的不对称性。当与电极接触时，狄拉克方程的对称性被接触中的薛定谔型电子破坏，使得接触和非接触石墨烯中的Berry相和遍历时间行为显著不同。
2011-05-27 cond-mat.mes-hall
Few-photons model of the optical emission of semiconductor quantum dots
Jaynes-Cummings模型为辐射场中的单电子二能级系统提供了一个完善的理论框架。对于半导体发光体，例如由许多粒子相互作用主导的量子点，类似的精确可解模型是未知的。我们访问这些系统的广义集群扩展，光子概率集群扩展：一个可靠的方法，在许多身体电子系统的光子动力学。作为第一个应用程序，我们讨论真空拉比flopping和表明，它们的振幅决定了电子的数量在量子点。
2009-07-10 cond-mat.mes-hall
Indirect coupling between spins in semiconductor quantum dots
从理论上研究了两个量子点中自旋之间的光诱导间接交换相互作用。我们提出了一个微观制定的本地化自旋和巡回运营商之间的相互作用，包括相关的影响，使用一组正则变换。相关效应被认为是可比的直接交换的幅度。我们给出了现实的量子点几何形状的定量结果，并找到了一维系统的最大耦合。
2004-12-04 cond-mat.mes-hall
