Si（001）表面低温分子束外延生长Ge Hut团簇的分类

Ge量子点在Si（001）表面的成核

Nucleation of Ge quantum dots on the Si(001) surface

本文首次报道了用双真空分子束外延技术直接观察到的Ge原子簇成核过程。在润湿层块体上观察到锥状和楔状团簇的核，发现它们具有不同的结构。这两个物种的集群的增长继续以下不同的情况：楔形集群的第二个原子层的形成导致其第一层的重排。它的脊状结构并不复制核的结构。锥状团簇的生长没有发生相变。它的顶点的结构复制了原子核的结构。楔状团簇在三角面上含有点缺陷，并且沿脊具有优先生长方向。{105}面的导出结构对应于PD模型。临界外核化现象可能是hut形成的原因。

Ge（100）表面金辅助分子束外延生长Ge纳米结构

Gold assisted molecular beam epitaxy of Ge nanostructures on Ge(100) Surface

我们报道了在超高真空（UHV）条件下（\approx 3 \times 10-10 mbar）在干净的Ge（100）表面上金辅助外延生长Ge纳米结构。对于这项研究，\approx 2.0 nm厚的金样品生长在衬底表面上的分子束外延（MBE）。在温度\approx 500°C下在UHV室内进行热退火，然后形成置于基座Ge上的有序金纳米结构。在上述表面上进一步沉积\approx 2 nm Ge膜，同时将衬底保持在\approx 500 ℃的温度下。随着小Ge岛的形成，Ge（基座）在黄金下面的高度增加。详细讨论了衬底温度和金的作用对上述结构形成的影响。利用电子显微镜（TEM，SEM）研究了Au - Ge纳米体系的结构.

分子束外延中熟化过程形成的对称InAs/InGaAlAs/InP量子点的光学和电子性质：宽范围单光子电信发射器的有前景系统

Optical and electronic properties of symmetric InAs/InGaAlAs/InP quantum dots formed by a ripening process in molecular beam epitaxy: a promising system for broad-range single-photon telecom emitters

本研究通过实验和理论，展示了分子束外延熟化法生长的对称InAs/InGaAlAs/InP量子点具有宽谱发射和长寿命，是宽范围单光子电信发射器的理想系统。

动力学限制是Ge金字塔形成的控制因素的证据：室温Ge沉积600 °C退火Ge/Si（001）润湿层结构特征的研究

Evidence for Kinetic Limitations as a Controlling Factor of Ge Pyramid Formation: a Study of Structural Features of Ge/Si(001) Wetting Layer Formed by Ge Deposition at Room Temperature Followed by Annealing at 600 °C

本文对Si（001）表面Ge量子点阵列的形成是一个平衡过程还是动力学控制的问题进行了实验研究。我们在室温下将Ge沉积在Si（001）上，并探索了作为600 °C退火结果的无序Ge膜的结晶。实验表明，在孤立系条件下形成的Ge/Si（001）薄膜由标准的补丁状润湿层和大滴状Ge团簇组成，而不是Ge原子流到达薄膜表面时所形成的小屋或圆顶。我们的结论是，在温度高于600 °C时出现的金字塔的生长是由动力学而不是热力学平衡控制的，而润湿层是平衡结构。

分子束外延在双层石墨烯上生长拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜

Topological insulator Bi2Se3 thin films grown on double-layer graphene by molecular beam epitaxy

采用分子束外延技术在6 H-SiC（0001）衬底上制备了双层石墨烯，在石墨烯上生长了原子级平坦的拓扑绝缘体Bi 2Se 3薄膜。通过反射式高能电子衍射和扫描隧道显微镜的结合研究，确定了Bi_2Se_3外延薄膜逐层生长的富Se条件和温度判据。原位角分辨光电子能谱测量表明，未掺杂的薄膜具有1.0 \pm 0.2 × 10 ~（11）/cm ~ 2的低缺陷密度，在10个五层厚的薄膜中形成块状绝缘体.

Ab Initio Study of the Early Stage of Si Epitaxy on the Chlorinated Si(100) Surface

The homoepitaxial growth of Si on Si(100) covered by a resist mask is a necessary technological step for the fabrication of donor-based quantum devices with scanning tunneling microscope lithography. In the present work, the chlorine monolayer is selected as the resist. Using density functional theory, we investigated the adsorption of a single silicon atom on Si(100)-2$\times$1-Cl as the starting process of Si epitaxy. The incorporation of a silicon atom under a Cl monolayer proved to be the most energetically favorable process. Our results show that chlorine segregates on the surface during …

Absence of quantum-confined Stark effect in GaN quantum disks embedded in (Al,Ga)N nanowires grown by molecular beam epitaxy

Several of the key issues of planar (Al,Ga)N-based deep-ultraviolet light emitting diodes could potentially be overcome by utilizing nanowire heterostructures, exhibiting high structural perfection and improved light extraction. Here, we study the spontaneous emission of GaN/(Al,Ga)N nanowire ensembles grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. The nanowires contain single GaN quantum disks embedded in long (Al,Ga)N nanowire segments essential for efficient light extraction. These quantum disks are found to exhibit intense emission at unexpectedly high energies, namely, signif…

Si（001）表面Ge量子点阵列的缺陷

Defects of Ge quantum dot arrays on the Si(001) surface

Ge量子点阵列的缺陷会影响Ge/Si异质结构的电物理、光电或光学性质以及在其基础上制备的器件的功能。用超高真空扫描隧道显微镜和分子束外延室研究了Si（001）表面中温生长Ge量子点阵列的缺陷。对缺陷进行了初步分类。对缺陷的形态特征进行了研究。测定了不同类型缺陷的表面密度。

MBE在高指数Si（5 5 12）表面生长Si $_{1-x}$ Ge $_{x}$结构的形状演变：温度依赖性研究

Shape evolution of MBE grown Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ structures on high index Si(5 5 12) surfaces: A temperature dependent study

在室温（RT）~ 800 $^\circ$ C温度范围内，研究了分子束外延生长的Ge-Si岛在Si（5 5 12）表面上的形貌演化以及生长温度对Ge-Si岛的尺寸、取向和成分的影响。已经使用了两种模式的衬底加热，即辐射加热（RH）和直流加热（DH）。通过扫描电子显微镜（SEM）、截面透射电子显微镜（X-TEM）和卢瑟福背散射光谱（RBS）对生长后的样品进行了非原位表征。在RH的情况下，我们发现在600 $^\circ$ C的球形岛状结构具有双峰分布，并且随着温度的升高，该结构在700 $^\circ$ C得到刻面。在800 $^\circ$ C厚（$\sim$ 122 nm）下，形成由刻面界定的圆顶状结构。而在DC加热的情况下，在最佳临界温度600 $^\circ$ C之后，具有梯度成分的良好对准的梯形Si $_{1-x}$ Ge $_x$结构开始沿着台阶边缘形成。有趣的是，这些排列结构仅在600 $^\circ$ C左右发现，既不是在低温下也不是在高温下。

ZnSe纳米线中的CdSe量子点作为高达220 K的单光子的有效源

CdSe quantum dots in ZnSe nanowires as efficient source for single photons up to 220 K

采用分子束外延技术，在金催化剂辅助下，以气-液-固生长模式生长了ZnSe纳米线异质结构。尺寸，形状和晶体结构被发现强烈依赖于生长条件。用透射电子显微镜观察了锌尖晶石和纤锌矿晶体结构。在较低的生长温度下，形成锥形纳米针。对于更高的生长温度，纳米线是均匀的，并具有高的纵横比，如通过扫描电子显微镜观察到的，长度为1-2 $μ$ m，宽度为20-50 nm。在纳米针的顶部生长纳米线使我们能够获得直径小于10 nm的非常窄的纳米棒和低密度的堆垛层错缺陷。这些结果使我们能够在ZnSe纳米线中插入CdSe量子点。在220 K温度下观察到了有效的光子反聚束现象，证明了这是一种高温单光子源。

Si（100）衬底上Au薄膜的变温电镜研究

Temperature-dependent electron microscopy study of Au thin films on Si (100) with and without native oxide layer as barrier at the interface

用电子显微镜实时观察了沉积在Si（100）表面的金纳米结构的形貌随退火温度的变化。在金薄膜沉积之前，使用与衬底硅的两种类型的界面：（i）没有原生氧化物并且在超清洁重建的Si表面上，以及（ii）具有原生氧化物覆盖的Si表面。在超高真空条件下，用分子束外延方法在重构Si（100）表面上沉积了\approx 2.0 nm厚的Au薄膜，在相对较低的温度下（与在界面处具有自然氧化物的情况相比）形成了四重对称的纳米金硅化物结构。对于该体系，发现82%的纳米结构是纳米矩形状结构，其平均长度为\approx 27 nm，在\approx 700°C下纵横比为1.13。对于沉积在Si（100）表面上的\approx 5.0 nm厚的Au膜，在较高温度（\approx 850° C）下观察到矩形结构的形成。在这些高温下，硅化金的解吸遵循衬底的对称性。在界面处的原生氧化物被认为是像一个障碍的相互扩散现象。使用先进的电子显微镜方法进行结构表征。