Possible high-Tc superconductivity at 45 K in the Ge-doped cluster Mott insulator GaNb4Se8
Institute of Physics and Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所与北京凝聚态物理国家实验室）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
研究通过Ge掺杂GaNb4Se8发现45 K高临界温度超导性，揭示了掺杂Mott绝缘体可能成为新型Nb基高临界温度超导体的潜力。
2025-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Anisotropy of superconductivity of as-grown MgB$_2$ thin films by molecular beam epitaxy
采用分子束外延（MBE）方法，在超高真空低沉积速率共蒸发条件下，在MgO（001）衬底上制备了二硼化镁（MgB $_2$）超导薄膜。采用RHEED、XRD、XPS、SEM、XRD等测试手段对薄膜的结构和物理性能进行了研究，所有的膜都表现出超导性，而不使用任何后退火工艺。最高的{ \it T}通过电阻率测量确定了样品的$_{c,onset}$为33 K，通过电阻率和磁测量评价了样品的各向异性超导性能，并讨论了样品的各向异性$_2$薄膜超导性研究
2004-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity at ambient pressure in hole-doped LuH$_3$
基于密度泛函理论计算，发现通过0.15-0.30 holes/cell的空穴掺杂可稳定LuH$_3$并实现常压超导，最高转变温度接近54 K，证实了常压空穴掺杂超导的可行性。
2023-06-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Prediction of High Tc Superconductivity in Hole-doped LiBC
层状硼化锂LiBC，与超导体MgB 2等价且结构上类似，由于六方层内的调制（BC对B2）而成为绝缘体。我们发现，空穴掺杂的LiBC的结果在费米表面的B-C p西格玛字符，耦合非常强烈的B-C键拉伸模式，正是导致超导性在Tc = 40 K的MgB 2的功能。Li{0.5}BC与MgB 2的比较表明，前者在比MgB 2高得多的温度下是电子-声子耦合超导性的主要候选者。
2001-11-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Hall resistivity correlations in disordered electron-doped Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$ films
研究了电子掺杂Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜在反铁磁（AF）-超导（SC）相变附近和具有不同无序度（$δ$）的电阻率张量随混合态磁场的变化关系$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $[ρ_{xx}(B)]^β$. $β$从$x$ = 0.14时的1.2 $\pm$ 0.2降低到$x$ = 0.15时的0.6 $\pm$ 0.1，这表明在从欠掺杂到最佳掺杂区域的过渡处，在外部磁场中从各向异性$s$波到$d$波配对对称性的变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖性的特性可以与层状电子掺杂超导体中的非化学计量无序的某些特征相联系。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Three-dimensional MgB$_{2}$-type superconductivity in hole-doped diamond
我们证实，最近发现的超导性低于4 K的3%的硼掺杂的金刚石是由电子-声子耦合的相同类型的MgB $_2$，虽然在3维计算。空穴在带中心的顶部，简并的$σ$键合价带强烈耦合到光学键伸缩模式。从2维到3维的增加降低了对$T_{c}$至关重要的模式软化，在$_{2}.$中达到40 K。即使金刚石具有与MgBPDMATHABMR相同的\emph{bare}耦合常数（可以用10%掺杂实现），$T_{c}$也将仅为25 K。Si（Ge）中高于1 K的超导性需要空穴掺杂超过5%（10%）。
2004-11-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Strain Enhanced Superconductivity in Li-Doped Graphene
我们提出了一种新的方法来提高电子-声子耦合常数和临界超导温度的石墨烯，显着超过所有报道的值。利用密度泛函理论，探讨了拉伸双轴应变对锂嵌入石墨烯的应用效应。与非应变锂插层石墨烯相比，吸附原子和应变的存在这两种效应一起触发临界温度的增强，高达300\%。
2014-12-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Enhanced superconductivity, Kondo behavior and negative-curvature resistivity of oxygen-irradiated thin films of aluminium
我们跟踪了在环境温度下，在各种连续的氧照射的每个会话后，Al薄膜的正常和超导性质的演变。这种辐照薄膜，类似于颗粒的，表现出增强的超导性，近藤行为和负曲率电阻率。氧的两个不同的角色被确定为：作为一个造成损害的抛射体和作为一个植入的氧化剂。前者引起涉及常规回收阶段的过程。后者，被认为是在Cabrera-莫特模型的背景下，产生了一个多步骤的过程，其中涉及电荷转移和创建稳定的空位和带电缺陷。基于这个多步过程的结果，我们认为（i）负曲率电阻率是热辅助释放俘获电荷的表现，（ii）近藤贡献是顺磁性色心型缺陷的自旋翻转散射，以及（iii）由于稳定的缺陷和空位促进了晶格软化，因此增强了T_{c}。颗粒状和辐照薄膜的相图以及老化效应的相似性沿着相同的推理路线进行了讨论。
2017-02-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Prediction of Superconductivity in Potassium-Doped Benzene
为了探索最近发现的芳烃超导相的基本机制，我们进行了第一性原理计算的苯，该系列的基本和最简单的单元，并检查的结构和相稳定性时，掺杂钾，K $_x$ C $_6$ H $_6$（$x=1,2,3$）。发现空间群为$Pbca$的KPDMATHABMP C $_6$ H $_6$是最稳定的相，其超导转变温度在6.2 K左右。此外，我们认为，所有现有的碳氢化合物应该有一个统一的超导相在相同的温度范围内的5 $-$ 7 K，当掺杂两个钾原子。我们的结果表明，电子-声子相互作用足以解释这种统一的超导相的超导电性。
2015-01-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Origin of Superconductivity in Boron-doped Diamond
利用硼掺杂金刚石的电子和振动性质与MgB 2的相似性，研究了最近报道的掺硼金刚石在T_c= 4K时的超导电性。由C-C键拉伸模式产生的空穴态的变形势比驱动其高Tc的MgB 2中的相应量大60%，导致非常大的电子-声子矩阵元素。计算得到的耦合强度λ~ 0.5导致T_c在5-10 K范围内，并使声子耦合成为可能的机制。较高的掺杂应该会使T_c有所增加，但主要是三维性对态密度的影响使掺杂金刚石的T_c不能接近MgB_2。
2004-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Sign-reversal of the in-plane resistivity anisotropy in hole-doped iron pnictides
在母体和电子掺杂的化合物中，已经广泛地研究了铁磷属元素化物的耦合正交和磁性转变的电阻率的面内各向异性。所有这些研究普遍表明，在低于磁转变温度时自旋沿其反铁磁耦合的长斜方轴$a_{O}$上的电阻率$ρ_{a}$小于短斜方轴$b_{O}$的电阻率$ρ_{b}$，即。e. $ρ_{a}<ρ_{b}$。本文报道了在空穴掺杂化合物Ba $_{1-x}$ K $_{x}$ Fe $_{2}$ As $_{2}$中，随着掺杂量的增加，电阻率各向异性开始变得非常小，当掺杂量足够大时，电阻率各向异性最终改变符号，即：e. $ρ_{b}<ρ_{a}$。这一观察结果与最近的理论预测一致，该理论预测考虑了正交/斜方晶态中自旋波动对电子的各向异性散射。
2013-04-11 cond-mat.supr-con
Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd2-xCexCuO4
本文研究了电子掺杂Nd_（2-x）Ce_xCuO_4（x = 0.135 ~ 0.15）的面内和面外磁电阻率随温度的变化规律，分析了从欠掺杂区的反铁磁（AF）序到最佳掺杂区的超导（SC）序演化过程中的电输运各向异性。
2018-12-18 cond-mat.supr-con
Superconductivity mediated by a soft phonon mode: specific heat, resistivity, thermal expansion and magnetization of YB6
超导体YB 6在硼化物族MBn中具有第二高的临界温度Tc。我们报告的比热，电阻率，磁化率和热膨胀从2至300 K的测量，使用一个单晶与Tc = 7.2 K。超导能隙具有中强耦合的特征。对比热、电阻率和膨胀率曲线进行去卷积，得到声子态密度、光谱电子-声子散射函数和声子态密度的近似值，并分别用频率依赖的Grueneisen参数进行加权.晶格振动扩展到>100 meV的高频，但在~8 meV处的主导类爱因斯坦模式，与超大硼笼中的钇离子的振动有关，似乎提供了大部分超导耦合，并引起了几个可观察到的量的不寻常的温度行为。还观察到表面临界场Hc 3。
2005-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Bulk superconductivity induced by Se substitution in self-doped BiCh2-based compound CeOBiS2-xSex
本文报道了Se取代对自掺杂BiCH_2基化合物CeOBiS_（2-x）Sex的晶体结构、超导性能和价态的影响。合成了x = 0-1.0的CeOBiS_（2-x）Sex多晶样品。对于x = 0.4和0.6，体超导转变与一个大的屏蔽体积分数观察磁化率测量;最高的转变温度（Tc）为3.0 K x = 0.6。基于由电阻率和磁化强度测量估算的Tc，建立了CeOBiS_（2-x）Sex的超导相图。超导电性的出现在CeOBiS 2-xSex的解释与两个基本参数的面内化学压力和载流子浓度，这系统地随着硒浓度的增加而变化。
2020-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity in electron-doped arsenene
基于第一性原理密度泛函理论的电子结构计算，研究了电子掺杂下砷烯（一种二维弯曲的砷原子片）中声子介导的超导电性.发现砷原子的类$p_z$电子和$K$点附近的$A_1$声子模是产生强超导对相互作用的主要原因，在单胞掺杂电子数为0.2，双轴拉伸应变为12%时，砷烯的超导转变温度可达30.8 K.该转变温度比高压下本体砷的转变温度高约10倍。它也是电子掺杂二维元素超导体（包括石墨烯、硅烯、磷烯和硼氢化物）的最高转变温度。
2018-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Flux flow resistivity in the two-gap superconductivity
研究了两个费米面上存在两个振幅不同的s波带隙的双能隙超导体中的磁通流态。根据Bardeen-Stephen关系得到了磁通流电阻率，其结果与最近在双能隙超导体MgB_2中观察到的磁通流电阻率的反常场依赖性一致.文中还讨论了该系统中涡旋的一些典型性质。
2005-03-11 cond-mat.supr-con
Resistivity effects in surface superconductivity of thin films in strong magnetic fields
研究了边缘超导薄膜在垂直磁场中的相位滑移。这些中心是由于低于超导转变温度时序参量的热激活导致超导性被抑制。计算相应的电阻。研究了在破坏表面超导电性的临界磁场以上对电导率的Alsamazov- Larkin修正.这种结构可以作为一种新的系统用于研究一维超导导线中的相位滑移现象。
2007-06-21 cond-mat.supr-con
Experimental search for anisotropic flux flow resistivity in the a-b plane of optimally doped epitaxial thin films of YBCO
本文报道了最佳掺杂和外延的YBCO薄膜在a-b平面上沿结点和反结点方向的输运测量结果。在T_c附近和T_c以下的低偏置磁电阻测量表明，沿节点和反节点方向的磁通流电阻率随磁场的变化是不可区分的。这一结果表明，在我们的测量的实验误差，没有对应的磁通钉扎性能之间的YBCO和d波性质的序参量。
2005-08-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity at 15.6 K in Calcium-doped Tb_{1-x}Ca_xFeAsO: the structure requirement for achieving superconductivity in the hole-doped 1111 phase
通过在标称掺杂区x = 0.40 \sim 0.50中用Ca^{2+}部分取代Tb^{3+}，在Tb_{1-x} Ca_xFeAsO中实现了约15.6 K的超导电性。在掺杂水平为x = 0.44的典型样品中进行了详细的研究。根据取决于磁场的电阻率数据，该样本的上临界场估计为77特斯拉。通过霍尔效应测量证实了在低温区类空穴载流子占主导地位。通过对掺钙样品Pr_{1-x} Ca_xFeAsO（未掺杂）和掺锶样品Pr_{1-x} Sr_xFeAsO（未掺杂）的比较表明，掺杂碱土元素的离子半径大于稀土元素的离子半径可能是空穴掺杂1111相实现超导电性的必要条件。
2009-09-30 cond-mat.supr-con
Resistivity tensor correlations in the mixed state of electron-doped superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+δ}$
研究了电子掺杂化合物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$在欠掺杂区（$x$ =0.14）和不同无序度（$δ$）的纵向电阻和霍尔电阻随磁场的变化关系。通过实验建立了纵向电阻率和霍尔电阻率之间的相关性，可以基于比例关系进行分析：$ρ_{xy}$（$B$）$\sim$ $ρ^β_{xx}$（$B$）。对于所研究的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4+δ}$ /SrTiO $_3$单晶薄膜的总体，发现普适值$β$ =1.5 $\pm$ 0.4。波配对对称性和一个相当强的钉扎由于在所研究的样品中的基本程度的无序。
2016-01-19 cond-mat.supr-con
Evidence for a quantum phase transition in the electron-doped cuprate Pr2-xCexCuO4+d from Hall and resistivity measurements
本文报道了电子掺杂高Tc超导体Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4 +d）取向薄膜的霍尔系数、相对湿度和ab面电阻率随掺杂和温度的变化关系。b（r= r 0 +AT^b）和R_sub_H（在350 mK）的掺杂依赖性表明在x=0.165附近的临界掺杂处存在量子相变。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex glass scaling in Pb-doped Bi2223 single crystal
本文报道了在垂直于CuO面的磁场作用下，用面内电阻率测量方法研究了掺Pb Bi-2223单晶中的涡旋液体。在超导转变的上部，在低于Tc时，我们发现了类似Arrhenius的电阻率行为。随着温度的进一步降低，电阻率开始接近电阻率，电阻率显示幂律依赖于温度信号接近涡旋玻璃化转变。临界指数nu（z-1）=4.6 ± 0.5在实验误差范围内与场无关。给出了确定掺Pb Bi-2223单晶临界电流非零区的磁相图。
2009-09-03 cond-mat.supr-con
Asymmetric doping dependence of superconductivity between hole- and electron-doped triangular-lattice superconductors
在动能驱动的超导框架下，研究了空穴和电子掺杂的三角晶格超导体的非对称掺杂依赖性。结果表明，虽然空穴掺杂和电子掺杂的三角晶格超导体的超导转变温度都具有圆顶形的掺杂依赖性，但在空穴掺杂的情况下，超导性出现在很宽的掺杂范围内，而在电子掺杂侧，超导性只存在于很窄的掺杂范围内.此外，电子掺杂的三角晶格超导体在最佳掺杂附近的最高超导转变温度低于空穴掺杂的对应物。理论还表明，空穴掺杂和电子掺杂情况下的超导性的非对称掺杂依赖性可能是掺杂莫特绝缘体的共同特征。
2018-03-26 cond-mat.supr-con
Signature of Unconventional Superconductivity in the High Temperature Normal State Resistivity
Washington University in St. Louis（华盛顿大学圣路易斯分校）
研究利用机器学习揭示铁基超导体中正常态电阻率与超导性之间的强关联，发现预测信息存在于150-300K范围内，远高于超导临界温度，需进一步理论探讨。
2026-04-06 cond-mat.supr-con
Room-temperature annealing effects on the basal-plane resistivity of optimally doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ single crystals
我们揭示了最佳掺杂的$_2$ O $_{7-δ}$单晶的基面正常态电阻的温度依赖性可以在s-d电子-声子散射模型的框架内得到很高的精度近似。这需要考虑波动电导率，其贡献随温度降低呈指数增加，并随缺氧增加而减少。室温退火改善了样品，从而提高了超导转变温度。2D-3D交叉的温度在退火期间降低。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Log-T divergence and Insulator-to-Metal Crossover in the normal state resistivity of fluorine doped SmFeAsO1-xFx
本文报道了一系列掺氟SmFeAsO_（1-x）Fx多晶超导体在高达60 T的磁场中的电阻率。对于欠掺杂样品（x < 0.15），低温电阻状态的特征在于显著的磁阻和低温下的电阻上转。“绝缘行为”的特征在于在十年的温度下观察到的log-T发散。相比之下，掺杂x > 0.15的样品的正常状态显示具有小磁阻的金属行为，其中强磁场加宽超导转变而不是抑制Tc。绝缘体到金属交叉的位置与SmFeAsO 1-xFx系列相图中的结构相变（SPT）的抑制相一致。
2008-06-25 cond-mat.supr-con
Fermi Surface reconstruction and anomalous low temperature resistivity in electron-doped La2-xCexCuO4
在磁场高达14 T，温度低至1.8 K的条件下，测量了La_（2-x）Ce_xCuO_4薄膜的ab面霍尔效应和磁阻效应。在低温（1.8 K）正常态霍尔系数的一个显着的变化被发现附近的掺杂Ce=0.14。这与作为磁场的函数的非线性霍尔电阻一起表明费米表面在Ce= 0.14的临界掺杂下重构。一个竞争性的反铁磁相可能是费米面重构的原因。低温线性T电阻率在Ce=0.14处被发现，但不幸的是，在更高的掺杂下也是如此。我们将我们的数据与空穴掺杂铜氧化物中发现的类似行为进行比较，掺杂在赝能隙结束的地方
2017-06-23 cond-mat.supr-con
Effect of doping on the magnetostructural ordered phase of iron arsenides: A comparative study of the resistivity anisotropy in the doped BaFe$_2$As$_2$ with doping into three different sites
为了揭示掺杂在铁基超导体中的作用，我们研究了BaFe $_2$ As $_2$在三个不同晶格位置中的任意一个上掺杂的面内电阻率，Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$，BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$和Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$，重点研究了低温反铁磁/斜方晶（AFO）相的掺杂效应。已知高温顺磁/四磁（PT）相中掺杂的主要作用是通过提供载流子或通过施加化学压力来改变费米表面。在AFO阶段，我们发现了一个明确的剩余电阻率和电阻率各向异性的大小之间的相关性。这表明电阻率各向异性源于掺杂原子的各向异性杂质散射。剩余电阻率的大小也是控制AFO有序化温度$T_s$抑制率的参数。因此，AFO相中掺杂的主要作用是向体系引入无序，这与PT相中的无序不同。
2013-05-16 cond-mat.supr-con
Importance of Fermi Surface Topology for In-Plane Resistivity Anisotropy in Hole- and Electron-Doped Ba(Fe$_{1-x}$TM$_{x}$)$_2$As$_2$ (TM=Cr, Mn and Co)
研究了Ba（Fe $_{1-x}$ TM $_{x}$）$_2$ As $_2$（TM-Ba 122，TM $=$ Cr，Mn和Co）的电阻率的面内各向异性，其中对于不同的TM元素，替代位置相同，但掺杂载流子不同。霍尔系数的测量结果表明，空穴载流子有效地掺杂的Cr替代，但不是由Mn替代。结果表明，Cr-Ba_（122）的反铁磁-正交（AFO）相的电阻率差$Δρ=ρ_{\rm b}-ρ_{\rm a}$最初为正，但随着Cr含量的增加而变为负，而Mn-Ba_（122）中正的电阻率差$Δρ$随着Mn的替代而单调增加。在顺磁-四方晶系中，$Δρ$始终为正，但与电子掺杂的情况相反，在Cr-Ba 122中随着取代而减小。这些结果表明，电阻率各向异性表现出电子-空穴不对称性在AFO和α相，它取决于费米表面的拓扑结构，无论是在一个积极的或消极的$Δρ$的载流子散射结果。
2015-08-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nonadiabatic high-$T_c$ superconductivity in FET doped fullerenes
2002年9月贝尔实验室委员会发布的报告对该论文所依据的一些实验数据的有效性提出了质疑。
2003-05-06 cond-mat.supr-con
Abrupt Emergence of Pressure-Induced Superconductivity of 34 K in SrFe2As2: A Resistivity Study under Pressure
本文报道了铁基超导体的母体材料之一SrFe_2As_2单晶体在压力下的电阻率测量。常压下T0 = 198 K的结构和反铁磁（AFM）转变在压力下被抑制，在Pc ~ 3.6-3.7 GPa范围内有序相消失。伴随着AFM态的抑制，出现了具有急剧转变的超导电性。T_c最大值为34.1K，在P_c处的相界附近达到最大值。该超导体的T_c是化学计量比Fe基超导体中最高的。
2008-11-19 cond-mat.supr-con
On the nature of filamentary superconductivity in metal-doped hydrocarbon organic materials
最近报道了K掺杂的1，2：8，9-二苯并五苯（C30 H18）的高温超导性[1]，其Tc = 33 K，是常压下有机超导体中最高的。在这里，我们报告了我们的研究在K，Ba和Ca掺杂的烃有机材料的超导性。我们发现Ba-蒽（C_（14）H_（10））和K-云杉（C_（22）H_（14））具有超导态的特征，虽然很弱。结果表明，Ba-蒽可能是一种新的有机超导体，其Tc ~ 35 K。
2015-05-05 cond-mat.supr-con
Different resistivity response to spin density wave and superconductivity at 20 K in $Ca_{1-x}Na_xFe_2As_2$
本文报道了高质量单晶$CaFe_2As_2$的内禀输运性质、磁性及其各向异性。电阻率各向异性（$ρ_c/ρ_{ab}$）为$\sim 50 $，并且小于$BaFe_2As_2$的150，这是由于与$BaFe_2As_2$相比约0.13 nm的表观收缩而引起的沿c轴的强耦合。与温度无关的各向异性表明，ab平面和沿c轴方向的输运具有相同的散射机制。与母体化合物$ROFeAs$（R=稀土）和$MFe_2As_2$（M=Ba和Sr）的情况形成鲜明对比，自旋密度波（SDW）有序化（或结构转变）导致$CaFe_2As_2$的电阻率急剧增加。这种对SDW有序化的不同电阻率响应有助于理解SDW有序化在Fe基高$T_c$超导体中所起的作用。磁化率行为与在单晶$BaFe_2As_2$中观察到的非常相似。在165K左右的SDW转变温度以上，磁化率与温度呈线性关系. Na部分取代Ca抑制了SWD有序化（电阻率异常）并诱导了$\sim 20$ K下的超导电性的发生。
2008-06-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nematic superconductivity in doped Bi2Se3 topological superconductors
向列超导是一类新的超导体，其特征是超导能隙振幅和/或库珀对自旋相对于晶格对称性的自发旋转对称性破缺。掺杂Bi 2Se 3超导体，如CuxBi 2Se 3，SrxBi 2Se 3和NbxBi 2Se 3，被认为是超导体的候选者，除了预期的拓扑超导性。最近，各种散装探针，如核磁共振，比热，磁输运，磁矩，磁化强度，一直揭示了双重对称行为在其面内磁场方向的依赖性，虽然底层的晶格具有三重旋转对称性。最近，超导电性直接可视化使用扫描隧道显微镜和光谱学。本文综述了Bi_2Se_3超导体系的超导行为研究现状，并讨论了存在的问题和发展前景。
2018-12-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
First-principles study on superconductivity of P- and Cl-doped H$_3$S
近年来，有关压缩硫化氢（H $_3$ S）203 K超导性的报道引起了人们对高压下硫-氢体系的极大兴趣。本文采用基于超原胞方法的第一性原理计算，研究了P掺杂和Cl掺杂H $_3$ S的超导电性，得到了比以前报道的基于虚晶近似的计算更可靠的掺杂体系超导电性的结果.在200 GPa下，立方相$Im\bar{3}m$的超导临界温度在6.25%P掺杂下从189 K提高到212 K，而在6.25%Cl掺杂下则降低到161 K。虽然Cl的掺杂削弱了超导电性，但它使$Im\bar{3}m$相稳定在比未掺杂的H $_3$ S更低的压力区域。
2018-08-29 cond-mat.supr-con
Noncentrosymmetric High-Temperature Superconductivity in doped $d^9$ Multiferroics
本研究受对称性破缺、强关联与非常规超导的关联启发，提出通过化学掺杂人工构建的$d^9$多铁材料来设计非中心对称高温超导体的策略，衔接了关联绝缘体中铁电反铁磁共存与掺杂体系超导涌现两类现象。
2025-06-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Editorial on Research Topic: High-Tc Superconductivity in Electron-Doped Iron Selenide and Related Compounds
在这篇社论中，我们首先简要介绍了铁硒化物超导电性领域，无论是在体FeSe的情况下，其特征在于超导性和超有序共存，并在电子掺杂的FeSe的情况下，其特征在于高温超导性。接下来，我们将回顾对物理学前沿研究课题“电子掺杂硒化铁及相关化合物的高温超导性”的8项贡献。
2022-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Inter-plane resistivity of isovalent doped BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$
测量了铁基超导体BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$在从$x$ =0到$x$ =0.60的宽等电子磷取代范围内，从非超导母体化合物到重掺杂$T_c\approx 10 K$的超导组合物的随温度变化的面间电阻率$ρ_c(T)$。由于结构和磁性转变的功能，清楚地解决了在$ρ_c(T)$的欠掺杂晶体。在$ρ_c(T)$的特征最大值，发现在母体BaFe $_2$作为$_2$在200 K左右，迅速移动与磷替代高温。在最佳掺杂下，面间电阻率显示$T$ -线性温度依赖性，没有任何交叉异常，类似于先前报道的面内电阻率。该观察结果与在电子掺杂的Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$中在最佳掺杂时发现的不同温度依赖性形成鲜明对比。我们的发现表明，尽管电阻率和各向异性的值相似，温度依赖的正常状态下的传输是非常不同的电子和等电子掺杂的化合物。面内和面间折射率的温度依赖性相似，其中主要贡献来自费米表面的不同部分，表明散射在整个费米表面上是相同的。由于在准嵌套层上的磁涨落预计要强得多，这一观测结果可能指向不同层之间轨道间散射的重要性。
2013-02-26 cond-mat.supr-con
Origin of the anomalous low temperature upturn in resistivity in the electron-doped cuprates
本文报道了Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4-delta）薄膜的磁电阻（MR）随温度、掺杂和场的变化。我们区分轨道MR，发现当磁场施加垂直于ab平面，和近各向同性的自旋MR。后者，在超导样品中的主要MR效应，出现在该区域的掺杂温度相图中的d（ρ）/dT<0，或出现在电阻率的上升。我们的结论是，上升起源于自旋散射过程。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity of hexagonal heavily-boron doped silicon carbide
2004年，重掺硼金刚石（C：B）超导性的发现引起了人们对宽禁带半导体超导相的兴趣。随后，在重掺硼的立方硅（Si：B）中发现了超导性，最近在重掺硼的碳化硅（SiC：B）的化学计量“混合物”中发现了超导性。与II型超导体C：B和Si：B相比，后者系统令人惊讶地表现出I型超导性。在这里，我们将集中在两个不同的超导样品的硼掺杂SiC的比热。其中之一包含立方和六方SiC，而另一个主要由六方SiC没有任何可检测的立方相分数。两种样品SiC：B超导态的电子比热可以通过假设BCS型指数温度依赖性或幂律行为来描述。
2008-08-02 cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped Weyl semimetal Mo$_{0.9}$Ir$_{0.1}$Te$_{2}$ with broken inversion symmetry
本文报道了在反转对称性破缺的Ir掺杂Weyl半金属$_d$ $_{2}$中出现的超导电性.手征反常引起的平面霍尔效应和各向异性磁电阻证实了Mo $_{1-x}$ Ir $_{x}$ Te $_{2}$的拓扑半金属性质。在T $_d$ -Mo $_{1-x}$ Ir $_{x}$ Te $_{2}$中观察到的弱各向异性、中等耦合的II型超导性使其成为一种有希望的拓扑超导体候选者。
2021-08-23 cond-mat.supr-con
Nodeless superconductivity arising from strong (pi,pi) antiferromagnetism in the infinite-layer electron-doped cuprate Sr1-xLaxCuO2
电子和空穴掺杂之间的不对称性仍然是高温铜氧化物超导性的核心问题之一，但我们对电子掺杂的铜氧化物的理解受到两个已知家族之间明显差异的阻碍：Re 2-xCexCuO 4和A1-xLaxCuO 2。在这里，我们报告在原位角分辨光电子能谱测量的外延稳定膜的Sr 1-xLaxCuO 2氧化物分子束外延合成。我们的研究结果揭示了电子和（π，π）反铁磁性之间的强耦合，诱导费米表面重建，推动节点状态低于费米能级。这消除了（π/2，π/2）附近的空穴袋，实现无节点超导性，而不需要改变序参量的对称性，并提供了一个普遍的理解所有的电子掺杂的铜氧化物。
2012-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spatially-Correlated Microstructure and Superconductivity in Polycrystalline Boron-Doped Diamond
在低于100 mK的温度下对掺硼金刚石纳米晶薄膜进行了扫描隧道谱研究，并通过透射电子显微镜和输运测量对其进行了表征。我们证明了强的局部超导强度和薄膜的颗粒结构之间的相关性。的超导间隙的光谱形状，振幅和温度依赖性的研究使我们能够区分本质上超导晶粒遵循BCS模型，从晶粒显示出不同的行为，涉及超导邻近效应。
2010-09-24 cond-mat.supr-con
Pressure-induced Superconductivity in Sulfur-doped SnSe Single Crystal Using Boron-doped Diamond Electrode-prefabricated Diamond Anvil Cell
采用熔融缓冷法成功合成了硫掺杂SnSe单晶。用X射线光电子能谱学分析了样品的化学组成和价态。使用纳米多晶金刚石压砧将具有硼掺杂金刚石电极的金刚石压砧单元的压力范围升级到104 GPa，以研究样品的压力效应。电阻率测量的硫掺杂的SnSe单晶显示的绝缘体-金属-超导体的转变，通过施加高压高达75.9 GPa。
2018-07-23 cond-mat.supr-con
Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide
2004年在重掺硼金刚石（C：B）和2006年在硅（Si：B）中发现的超导性重新引起了人们对半导体超导态的兴趣。宽禁带半导体的电荷载流子掺杂导致金属相，在进一步掺杂时可以出现超导性。最近，我们在一个密切相关的系统中发现了超导性：重硼掺杂碳化硅（SiC：B）。用于该研究的样品由立方和六方SiC相组成，因此这导致了它们中哪一个参与超导性的问题。在这里，我们专注于一个样品，主要由六方SiC没有任何迹象的立方修改通过X射线衍射，电阻率和交流磁化率。
2008-10-01 cond-mat.supr-con
Observation of Double-Dome Superconductivity in Potassium-Doped FeSe Thin Films
本文报道了在石墨化SiC（0001）衬底上生长的掺碱金属钾（K）的FeSe超薄膜中出现的两个不连续的超导圆顶。超导电性表现出超敏性K剂量在较低的Tc圆顶，而在重电子掺杂的较高的Tc圆顶，它成为空间均匀和强大的对无序，支持传统的库珀配对机制。此外，重K掺杂的多层FeSe膜都显示出~ 14 meV的大的超导能隙，与膜厚度无关，仅在最顶部的FeSe层中验证了较高的Tc超导性。双圆顶超导相的不寻常的发现已经朝着FeSe衍生超导体中超导性的机理理解迈进了一步。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
C-axis resistivity and high Tc superconductivity
最近，我们提出了一种高T $_c$层状铜氧化物正常状态C轴电阻率的机制，该机制涉及通过强平面内电子-电子散射来阻止弱耦合平面之间的单粒子隧穿。这给出了C轴电阻率，其跟踪ab平面T线性电阻率，如在高温极限中观察到的。在这项工作中，这一机制进一步审查其影响的基态能量和层状铜酸盐的超导性。现在有人认为，与单粒子隧穿不同，在BCS型相干试验态中制备的平面之间的类玻色子对的隧穿保持畅通，因为后者是通过构建对湮灭算符的本征态。由此产生的对离域沿C轴提供了积极的比较优势，成对的试验状态，从而稳定超导性。在该方案中，分层系统的强相关性质仅通过阻挡效应进入，即给定的电子被作为环境的其他电子在比平面间隧穿时间短的时间尺度上有效地重复监测（平面内散射）。可能的关系，在该领域的几个工作人员提出的其他层间配对机制也进行了简要讨论。
1998-01-23 cond-mat.supr-con
Comment on arXiv:1810.04634v1 [cond-mat.str-el], "Hole-pocket-driven superconductivity and its universal features in the electron-doped cuprates"
下面的信，题为“电子超导氧化物？”，于1989年3月2日提交给《自然》[科学通讯组]，这是在1989年1月26日《自然》杂志上宣布的掺杂电子的铜酸盐的实验发现之后不久。它预测了最近由Yangmu Li，W. Tabis，Y.唐，G. Yu，J. Jaroszynski，N. Barisic和M. Greven“明确指出这些名义上的电子掺杂材料中的空穴袋驱动的超导性”，“经过三十年的大量科学调查”，“揭示了电子掺杂高温超导体中的空穴超导性“，并指出“无论名义上的载流子类型如何，铜酸盐中的超导性都存在一种与空穴相关的单一机制”。F. Marsiglio和作者在随后的30年里，从1989年到现在。arXiv：1810.04634没有提到任何这些理论著作，这是一个误导性的画面。
2018-10-24 cond-mat.supr-con
The charge asymmetry in superconductivity of hole- and electron-doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，研究了空穴和电子掺杂铜氧化物超导中的电荷不对称性。结果表明，电子掺杂铜氧化物在较窄的掺杂范围内表现出超导电性，其超导转变温度与空穴掺杂铜氧化物具有相同的掺杂控制行为。然而，在电子掺杂的铜氧化物的最佳掺杂的最高可实现的超导转变温度是远远低于空穴掺杂的情况下，由于电子-空穴的不对称性。
2005-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for Coexistence of Superconductivity and Magnetism in Single Crystals of Co-doped SrFe$_2$As$_2$
为了研究Co掺杂SrFe $_2$ As $_2$中磁性和超导电性是否共存，我们制备了SrFe $_{2-x}$ Co $_x$ As $_2$，$x$ = 0和0.4的单晶，并通过X射线衍射、零场和外加场（最高达9 T）以及常压和外加压力（最高达1.6 GPa）下的电阻率和磁化率对其进行了表征。当$x$ = 0.4时，在120 K下存在自旋密度波跃迁的磁性和电阻证据，而$T_c$ = 19.5 K -表明磁性和超导性共存。讨论这些结果如何与报道的结果相比，无论是在SrFe $_{2-x}$ Co $_x$作为$_2$和其他掺杂122化合物，给出。
2008-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped cubic silicon: an ab initio study
用第一性原理方法研究了掺硼、铝和磷的金刚石硅单晶的能带结构、振动模式和电子-声子耦合。我们的结果提供了证据，最近发现的超导转变在掺硼立方硅可以解释在一个标准的声子介导的机制。强调了晶格压缩和掺杂相关的伸缩模的重要性。我们发现采用铝掺杂代替硼掺杂可以使T $_C$提高一个数量级。
2007-01-10 cond-mat.supr-con
Effect of controlled point-like disorder induced by 2.5 MeV electron irradiation on nematic resistivity anisotropy of hole-doped (Ba,K)Fe$_2$As$_2$
研究了空穴掺杂Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$样品在各向异性改变符号的组成范围$0.21 \leq x \leq 0.26$内的电阻率的面内各向异性。用相对论性2.5 MeV电子低温（$\sim$ 20 K）辐照来控制样品的无序水平和剩余电阻率。修改的应力去孪晶技术，使相同的样品照射前后的测量，主要是非弹性散射过程的各向异性特征的结论。我们的主要发现是，电阻率各向异性是相同的符号，而不管剩余电阻率，并保持相同的正交$C_2$阶段以上的重入tetraorbital过渡。不寻常的$T$ -在$x=$ 0.213和$x=$ 0.219的原始样品中发现各向异性$Δρ\equiv ρ_a(T)-ρ_b(T)$的线性依赖性，在$ρ_a(T)$或$ρ_b(T)$中没有类似的特征。我们证明了这一特征可以用R.~的唯象模型来再现。M.~ Fernandes { \it等}物理修订版信函{ \bf 107}，217002（2011）.我们推测，发病的波动接近的不稳定性对重入tetraxide相的顺序有助于这种不寻常的依赖。
2020-09-14 cond-mat.supr-con
Strong suppression of the resistivity near the transition to superconductivity in narrow micro-bridges in external magnetic fields
我们研究了一系列基于均匀非晶WSi和MoSi薄膜的超导桥，桥宽w从2 μ m到1000 μ m，膜厚d ~ 4-6 nm和100 nm。当桥宽减小到各自的珍珠长度以下时，我们在所有情况下都观察到电阻转变到超导性的特性的明显变化。对于每个膜，电阻率曲线R（B，T）随着温度的降低而在明确定义的和场依赖的温度T*（B）处分离，导致电阻率的显著抑制和过渡的锐化，随着桥宽度w的减小。所有桥中的相关过量电导率按1/w的比例缩放，这可能表明存在高导电区域，该区域主导窄桥中的电传输。我们认为，这种效应只能在涡旋钉扎足够弱的材料中观察到。
2020-02-21 cond-mat.supr-con
