Three-dimensional MgB$_{2}$-type superconductivity in hole-doped diamond
我们证实，最近发现的超导性低于4 K的3%的硼掺杂的金刚石是由电子-声子耦合的相同类型的MgB $_2$，虽然在3维计算。空穴在带中心的顶部，简并的$σ$键合价带强烈耦合到光学键伸缩模式。从2维到3维的增加降低了对$T_{c}$至关重要的模式软化，在$_{2}.$中达到40 K。即使金刚石具有与MgBPDMATHABMR相同的\emph{bare}耦合常数（可以用10%掺杂实现），$T_{c}$也将仅为25 K。Si（Ge）中高于1 K的超导性需要空穴掺杂超过5%（10%）。
2004-11-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Prediction of Superconductivity in Potassium-Doped Benzene
为了探索最近发现的芳烃超导相的基本机制，我们进行了第一性原理计算的苯，该系列的基本和最简单的单元，并检查的结构和相稳定性时，掺杂钾，K $_x$ C $_6$ H $_6$（$x=1,2,3$）。发现空间群为$Pbca$的KPDMATHABMP C $_6$ H $_6$是最稳定的相，其超导转变温度在6.2 K左右。此外，我们认为，所有现有的碳氢化合物应该有一个统一的超导相在相同的温度范围内的5 $-$ 7 K，当掺杂两个钾原子。我们的结果表明，电子-声子相互作用足以解释这种统一的超导相的超导电性。
2015-01-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Origin of Superconductivity in Boron-doped Diamond
利用硼掺杂金刚石的电子和振动性质与MgB 2的相似性，研究了最近报道的掺硼金刚石在T_c= 4K时的超导电性。由C-C键拉伸模式产生的空穴态的变形势比驱动其高Tc的MgB 2中的相应量大60%，导致非常大的电子-声子矩阵元素。计算得到的耦合强度λ~ 0.5导致T_c在5-10 K范围内，并使声子耦合成为可能的机制。较高的掺杂应该会使T_c有所增加，但主要是三维性对态密度的影响使掺杂金刚石的T_c不能接近MgB_2。
2004-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of lattice strain and defects on the superconductivity of MgB2
研究了晶格应变和Mg空位对MgB_2超导性能的影响。合成了具有尖锐超导转变的高质量样品。通过改变合成条件，得到晶格应变和Mg空位浓度的变化。发现高应变（~1%）和Mg空位（~ 5%）的存在导致Tc仅降低2K。
2001-10-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Bulk superconductivity induced by Se substitution in self-doped BiCh2-based compound CeOBiS2-xSex
本文报道了Se取代对自掺杂BiCH_2基化合物CeOBiS_（2-x）Sex的晶体结构、超导性能和价态的影响。合成了x = 0-1.0的CeOBiS_（2-x）Sex多晶样品。对于x = 0.4和0.6，体超导转变与一个大的屏蔽体积分数观察磁化率测量;最高的转变温度（Tc）为3.0 K x = 0.6。基于由电阻率和磁化强度测量估算的Tc，建立了CeOBiS_（2-x）Sex的超导相图。超导电性的出现在CeOBiS 2-xSex的解释与两个基本参数的面内化学压力和载流子浓度，这系统地随着硒浓度的增加而变化。
2020-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity in electron-doped arsenene
基于第一性原理密度泛函理论的电子结构计算，研究了电子掺杂下砷烯（一种二维弯曲的砷原子片）中声子介导的超导电性.发现砷原子的类$p_z$电子和$K$点附近的$A_1$声子模是产生强超导对相互作用的主要原因，在单胞掺杂电子数为0.2，双轴拉伸应变为12%时，砷烯的超导转变温度可达30.8 K.该转变温度比高压下本体砷的转变温度高约10倍。它也是电子掺杂二维元素超导体（包括石墨烯、硅烯、磷烯和硼氢化物）的最高转变温度。
2018-01-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity in Ti-doped Iron-Arsenide Compound Sr4Cr0.8Ti1.2O6Fe2As2
Ti掺杂的铁砷化合物Sr4Cr0.8Ti1.2O6Fe2As2（简称Cr-FeAs-42622）实现了超导电性。X射线衍射分析表明，该材料具有层状结构，空间群为\emph{P4/nmm}，晶格常数a = b = 3.9003 A，c = 15.8376 A。在交流磁化率数据和电阻率数据中的零电阻的明确的抗磁信号被检测到在约6 K，确认体超导的发生。同时我们观察到一个超导转变的电阻数据的起始转变温度为29.2 K，这可能是由于在FeAs-42622相的Cr/Ti含量的不均匀分布，或由于一些其他少数相。
2009-04-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by oxygen deficiency in Sr-doped LaOFeAs
合成了单相Sr掺杂的$La_{0.85}Sr_{0.15}OFeAs$样品，并系统研究了氧缺陷对Sr掺杂LaOFeAs体系的影响。结果表明，Sr取代La确实诱导了空穴载流子的产生，其热电功率为正，但没有观察到体超导电性。在真空中退火生长的样品，产生氧缺陷，可以实现超导性。随着氧缺陷的增加，超导转变温度（$T_c$）升高，最大值$T_c$达到26 K，与La（O，F）FeAs相同。在非超导的生长态样品和缺氧的超导样品中，TEP从正到负发生了显著的变化。而$R_H$对于所有样品（甚至对于Sr掺杂的生长样品）总是负的。这表明$La_{0.85}Sr_{0.15}O_{1-δ}FeAs$仍是电子型超导体。
2008-06-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
p-wave triggered superconductivity in single layer graphene on an electron-doped oxide superconductor
绝大多数超导体中的电子配对遵循巴丁-库珀-施里弗超导理论，该理论描述了电子在具有s波对称性的单线态中凝聚成具有反平行自旋的电子对。在单层石墨烯中预测了非常规的超导性，其中电子对具有p波或手性d波对称性，这取决于费米能量相对于狄拉克点的位置。通过将单层石墨烯放置在电子掺杂的（非手性）d波超导体上，并进行局部扫描隧道显微镜和光谱学，在这里，我们展示了单层石墨烯中p波触发超导态密度的证据。在单层石墨烯中实现非常规超导性为使用转变温度高于4.2 K的二维材料开发p波超导性提供了一条令人兴奋的新路线。
2017-02-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Investigation of superconducting properties and possible nematic superconductivity in self-doped BiCh2-based superconductor CeOBiS1.7Se0.3
通过测量面内磁电阻各向异性，研究了自掺杂BiCh_2基（Ch：S，Se）超导体CeOBiS_（1.7）Se_（0.3）的超导性质和可能的超导电性. CeOBiS1.7Se0.3的单晶使用助熔剂法生长。单晶结构分析表明，室温下的晶体结构为四氢呋喃（P4/nmm）。体超导转变温度为3.3 K，观察到通过电阻率和磁化强度测量。上临界场的各向异性的调查建议相对较低的各向异性的晶体相比，其他BiCh 2为基础的超导体。在CeOBiS_（1.7）Se_（0.3）的超导态中，观察到了二重对称的面内磁电阻各向异性，这表明了CeOBiS_（1.7）Se_（0.3）的面内旋转对称性破缺，从而表明了CeOBiS_（1.7）Se_（0.3）的面内旋转对称性的可能性.
2020-11-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Emergent superconductivity in doped ferroelectric hafnia
本研究通过第一性原理计算，在电子掺杂铁电相Pca2₁ HfO₂中实现类铁电金属态，借由非极性光学声子的强电声耦合诱导常规超导，建立铁电性与超导性的关联，获得10-30K可调超导温度，为硅基兼容的高性能量子集成系统提供新方向。
2023-06-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconductivity at 15.6 K in Calcium-doped Tb_{1-x}Ca_xFeAsO: the structure requirement for achieving superconductivity in the hole-doped 1111 phase
通过在标称掺杂区x = 0.40 \sim 0.50中用Ca^{2+}部分取代Tb^{3+}，在Tb_{1-x} Ca_xFeAsO中实现了约15.6 K的超导电性。在掺杂水平为x = 0.44的典型样品中进行了详细的研究。根据取决于磁场的电阻率数据，该样本的上临界场估计为77特斯拉。通过霍尔效应测量证实了在低温区类空穴载流子占主导地位。通过对掺钙样品Pr_{1-x} Ca_xFeAsO（未掺杂）和掺锶样品Pr_{1-x} Sr_xFeAsO（未掺杂）的比较表明，掺杂碱土元素的离子半径大于稀土元素的离子半径可能是空穴掺杂1111相实现超导电性的必要条件。
2009-09-30 cond-mat.supr-con
Asymmetric doping dependence of superconductivity between hole- and electron-doped triangular-lattice superconductors
在动能驱动的超导框架下，研究了空穴和电子掺杂的三角晶格超导体的非对称掺杂依赖性。结果表明，虽然空穴掺杂和电子掺杂的三角晶格超导体的超导转变温度都具有圆顶形的掺杂依赖性，但在空穴掺杂的情况下，超导性出现在很宽的掺杂范围内，而在电子掺杂侧，超导性只存在于很窄的掺杂范围内.此外，电子掺杂的三角晶格超导体在最佳掺杂附近的最高超导转变温度低于空穴掺杂的对应物。理论还表明，空穴掺杂和电子掺杂情况下的超导性的非对称掺杂依赖性可能是掺杂莫特绝缘体的共同特征。
2018-03-26 cond-mat.supr-con
Nonadiabatic high-$T_c$ superconductivity in FET doped fullerenes
2002年9月贝尔实验室委员会发布的报告对该论文所依据的一些实验数据的有效性提出了质疑。
2003-05-06 cond-mat.supr-con
On the nature of filamentary superconductivity in metal-doped hydrocarbon organic materials
最近报道了K掺杂的1，2：8，9-二苯并五苯（C30 H18）的高温超导性[1]，其Tc = 33 K，是常压下有机超导体中最高的。在这里，我们报告了我们的研究在K，Ba和Ca掺杂的烃有机材料的超导性。我们发现Ba-蒽（C_（14）H_（10））和K-云杉（C_（22）H_（14））具有超导态的特征，虽然很弱。结果表明，Ba-蒽可能是一种新的有机超导体，其Tc ~ 35 K。
2015-05-05 cond-mat.supr-con
First-principles study on superconductivity of P- and Cl-doped H$_3$S
近年来，有关压缩硫化氢（H $_3$ S）203 K超导性的报道引起了人们对高压下硫-氢体系的极大兴趣。本文采用基于超原胞方法的第一性原理计算，研究了P掺杂和Cl掺杂H $_3$ S的超导电性，得到了比以前报道的基于虚晶近似的计算更可靠的掺杂体系超导电性的结果.在200 GPa下，立方相$Im\bar{3}m$的超导临界温度在6.25%P掺杂下从189 K提高到212 K，而在6.25%Cl掺杂下则降低到161 K。虽然Cl的掺杂削弱了超导电性，但它使$Im\bar{3}m$相稳定在比未掺杂的H $_3$ S更低的压力区域。
2018-08-29 cond-mat.supr-con
Nematic superconductivity in doped Bi2Se3 topological superconductors
向列超导是一类新的超导体，其特征是超导能隙振幅和/或库珀对自旋相对于晶格对称性的自发旋转对称性破缺。掺杂Bi 2Se 3超导体，如CuxBi 2Se 3，SrxBi 2Se 3和NbxBi 2Se 3，被认为是超导体的候选者，除了预期的拓扑超导性。最近，各种散装探针，如核磁共振，比热，磁输运，磁矩，磁化强度，一直揭示了双重对称行为在其面内磁场方向的依赖性，虽然底层的晶格具有三重旋转对称性。最近，超导电性直接可视化使用扫描隧道显微镜和光谱学。本文综述了Bi_2Se_3超导体系的超导行为研究现状，并讨论了存在的问题和发展前景。
2018-12-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Editorial on Research Topic: High-Tc Superconductivity in Electron-Doped Iron Selenide and Related Compounds
在这篇社论中，我们首先简要介绍了铁硒化物超导电性领域，无论是在体FeSe的情况下，其特征在于超导性和超有序共存，并在电子掺杂的FeSe的情况下，其特征在于高温超导性。接下来，我们将回顾对物理学前沿研究课题“电子掺杂硒化铁及相关化合物的高温超导性”的8项贡献。
2022-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Noncentrosymmetric High-Temperature Superconductivity in doped $d^9$ Multiferroics
本研究受对称性破缺、强关联与非常规超导的关联启发，提出通过化学掺杂人工构建的$d^9$多铁材料来设计非中心对称高温超导体的策略，衔接了关联绝缘体中铁电反铁磁共存与掺杂体系超导涌现两类现象。
2025-06-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strain-tuning of nematicity and superconductivity in single crystals of FeSe
应变是探索新的电子态和理解非常规超导性的有力实验工具。在这里，我们调查的影响，单轴应变的超导和超导相的单晶FeSe使用磁输运测量。我们发现，应变的电阻率响应是强烈的温度依赖性，它与霍尔系数的符号变化被驱动的散射，耦合与晶格和多带现象。能带结构的计算表明，在应变下的电子口袋开发一个大的面内各向异性相比，空穴口袋。在低温下的磁输运研究表明，占主导地位的载流子的迁移率增加与拉伸应变。接近临界温度时，所有电阻率曲线在恒定应变下在一个点交叉，表明与应变诱导相变相关的普遍临界指数。我们的研究结果表明，超导状态下的压缩应变和抑制下的拉伸应变，在协议中观察到的趋势FeSe薄膜和过掺杂的磷属元素化物，而超导相似乎是以相反的方式由单轴应变的影响。通过比较不同体系在应变下的超导电性增强，我们的结果表明，应变本身不能解释FeSe体系高$T_c$超导电性的增强。
2021-02-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity of hexagonal heavily-boron doped silicon carbide
2004年，重掺硼金刚石（C：B）超导性的发现引起了人们对宽禁带半导体超导相的兴趣。随后，在重掺硼的立方硅（Si：B）中发现了超导性，最近在重掺硼的碳化硅（SiC：B）的化学计量“混合物”中发现了超导性。与II型超导体C：B和Si：B相比，后者系统令人惊讶地表现出I型超导性。在这里，我们将集中在两个不同的超导样品的硼掺杂SiC的比热。其中之一包含立方和六方SiC，而另一个主要由六方SiC没有任何可检测的立方相分数。两种样品SiC：B超导态的电子比热可以通过假设BCS型指数温度依赖性或幂律行为来描述。
2008-08-02 cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped Weyl semimetal Mo$_{0.9}$Ir$_{0.1}$Te$_{2}$ with broken inversion symmetry
本文报道了在反转对称性破缺的Ir掺杂Weyl半金属$_d$ $_{2}$中出现的超导电性.手征反常引起的平面霍尔效应和各向异性磁电阻证实了Mo $_{1-x}$ Ir $_{x}$ Te $_{2}$的拓扑半金属性质。在T $_d$ -Mo $_{1-x}$ Ir $_{x}$ Te $_{2}$中观察到的弱各向异性、中等耦合的II型超导性使其成为一种有希望的拓扑超导体候选者。
2021-08-23 cond-mat.supr-con
Spatially-Correlated Microstructure and Superconductivity in Polycrystalline Boron-Doped Diamond
在低于100 mK的温度下对掺硼金刚石纳米晶薄膜进行了扫描隧道谱研究，并通过透射电子显微镜和输运测量对其进行了表征。我们证明了强的局部超导强度和薄膜的颗粒结构之间的相关性。的超导间隙的光谱形状，振幅和温度依赖性的研究使我们能够区分本质上超导晶粒遵循BCS模型，从晶粒显示出不同的行为，涉及超导邻近效应。
2010-09-24 cond-mat.supr-con
Nodeless superconductivity arising from strong (pi,pi) antiferromagnetism in the infinite-layer electron-doped cuprate Sr1-xLaxCuO2
电子和空穴掺杂之间的不对称性仍然是高温铜氧化物超导性的核心问题之一，但我们对电子掺杂的铜氧化物的理解受到两个已知家族之间明显差异的阻碍：Re 2-xCexCuO 4和A1-xLaxCuO 2。在这里，我们报告在原位角分辨光电子能谱测量的外延稳定膜的Sr 1-xLaxCuO 2氧化物分子束外延合成。我们的研究结果揭示了电子和（π，π）反铁磁性之间的强耦合，诱导费米表面重建，推动节点状态低于费米能级。这消除了（π/2，π/2）附近的空穴袋，实现无节点超导性，而不需要改变序参量的对称性，并提供了一个普遍的理解所有的电子掺杂的铜氧化物。
2012-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced Superconductivity in Sulfur-doped SnSe Single Crystal Using Boron-doped Diamond Electrode-prefabricated Diamond Anvil Cell
采用熔融缓冷法成功合成了硫掺杂SnSe单晶。用X射线光电子能谱学分析了样品的化学组成和价态。使用纳米多晶金刚石压砧将具有硼掺杂金刚石电极的金刚石压砧单元的压力范围升级到104 GPa，以研究样品的压力效应。电阻率测量的硫掺杂的SnSe单晶显示的绝缘体-金属-超导体的转变，通过施加高压高达75.9 GPa。
2018-07-23 cond-mat.supr-con
Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide
2004年在重掺硼金刚石（C：B）和2006年在硅（Si：B）中发现的超导性重新引起了人们对半导体超导态的兴趣。宽禁带半导体的电荷载流子掺杂导致金属相，在进一步掺杂时可以出现超导性。最近，我们在一个密切相关的系统中发现了超导性：重硼掺杂碳化硅（SiC：B）。用于该研究的样品由立方和六方SiC相组成，因此这导致了它们中哪一个参与超导性的问题。在这里，我们专注于一个样品，主要由六方SiC没有任何迹象的立方修改通过X射线衍射，电阻率和交流磁化率。
2008-10-01 cond-mat.supr-con
Observation of Double-Dome Superconductivity in Potassium-Doped FeSe Thin Films
本文报道了在石墨化SiC（0001）衬底上生长的掺碱金属钾（K）的FeSe超薄膜中出现的两个不连续的超导圆顶。超导电性表现出超敏性K剂量在较低的Tc圆顶，而在重电子掺杂的较高的Tc圆顶，它成为空间均匀和强大的对无序，支持传统的库珀配对机制。此外，重K掺杂的多层FeSe膜都显示出~ 14 meV的大的超导能隙，与膜厚度无关，仅在最顶部的FeSe层中验证了较高的Tc超导性。双圆顶超导相的不寻常的发现已经朝着FeSe衍生超导体中超导性的机理理解迈进了一步。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
The charge asymmetry in superconductivity of hole- and electron-doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，研究了空穴和电子掺杂铜氧化物超导中的电荷不对称性。结果表明，电子掺杂铜氧化物在较窄的掺杂范围内表现出超导电性，其超导转变温度与空穴掺杂铜氧化物具有相同的掺杂控制行为。然而，在电子掺杂的铜氧化物的最佳掺杂的最高可实现的超导转变温度是远远低于空穴掺杂的情况下，由于电子-空穴的不对称性。
2005-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comment on arXiv:1810.04634v1 [cond-mat.str-el], "Hole-pocket-driven superconductivity and its universal features in the electron-doped cuprates"
下面的信，题为“电子超导氧化物？”，于1989年3月2日提交给《自然》[科学通讯组]，这是在1989年1月26日《自然》杂志上宣布的掺杂电子的铜酸盐的实验发现之后不久。它预测了最近由Yangmu Li，W. Tabis，Y.唐，G. Yu，J. Jaroszynski，N. Barisic和M. Greven“明确指出这些名义上的电子掺杂材料中的空穴袋驱动的超导性”，“经过三十年的大量科学调查”，“揭示了电子掺杂高温超导体中的空穴超导性“，并指出“无论名义上的载流子类型如何，铜酸盐中的超导性都存在一种与空穴相关的单一机制”。F. Marsiglio和作者在随后的30年里，从1989年到现在。arXiv：1810.04634没有提到任何这些理论著作，这是一个误导性的画面。
2018-10-24 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Uniquely Strained RuO$_{2}$ Films
本研究通过在不同衬底上外延生长RuO$_2$单晶薄膜开展应变工程研究，发现特定钌-氧键缩短是超导薄膜共同特征，结合从头算揭示软声子模对超导出现的重要性，为通过外延应变调控声子模探索过渡金属氧化物超导电性提供了新思路。
2020-08-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for Coexistence of Superconductivity and Magnetism in Single Crystals of Co-doped SrFe$_2$As$_2$
为了研究Co掺杂SrFe $_2$ As $_2$中磁性和超导电性是否共存，我们制备了SrFe $_{2-x}$ Co $_x$ As $_2$，$x$ = 0和0.4的单晶，并通过X射线衍射、零场和外加场（最高达9 T）以及常压和外加压力（最高达1.6 GPa）下的电阻率和磁化率对其进行了表征。当$x$ = 0.4时，在120 K下存在自旋密度波跃迁的磁性和电阻证据，而$T_c$ = 19.5 K -表明磁性和超导性共存。讨论这些结果如何与报道的结果相比，无论是在SrFe $_{2-x}$ Co $_x$作为$_2$和其他掺杂122化合物，给出。
2008-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped cubic silicon: an ab initio study
用第一性原理方法研究了掺硼、铝和磷的金刚石硅单晶的能带结构、振动模式和电子-声子耦合。我们的结果提供了证据，最近发现的超导转变在掺硼立方硅可以解释在一个标准的声子介导的机制。强调了晶格压缩和掺杂相关的伸缩模的重要性。我们发现采用铝掺杂代替硼掺杂可以使T $_C$提高一个数量级。
2007-01-10 cond-mat.supr-con
Localization and Superconductivity in Doped Semiconductors
受掺硼金刚石超导电性发现的启发，我们研究了重掺杂半导体杂质半导体中的局域化和超导电性。从微观角度研究了安德森局域化与s波超导之间的竞争。利用超导涨落的自洽单圈阶理论，考虑了超导中微观不均匀性和热涨落的影响。本文在无序三维吸引哈伯德模型的基础上，描述了从主带超导到杂质带超导的过渡。我们发现，超导体-绝缘体转变（SIT）伴随着交叉。我们指出了增强库珀配对的交叉制度。电子波函数的进一步局域化导致非相干库珀对和T_c以上的赝能隙。绘制了主带超导、杂质带超导、安德森局域化、费米液态和赝能隙态的全局相图。对掺杂金刚石、SiC和Si的超导电性提出了理论解释。
2009-01-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0-0.5)
采用高压合成法合成了Sn_（1-x）Ag_xTe，Ag掺杂的拓扑晶体绝缘体SnTe（x = 0-0.5）的单相多晶样品。室温下Sn_（1-x）Ag_xTe的晶体结构为NaCl型立方结构，不随Ag的取代而改变。在x = 0.15-0.25范围内观察到体相超导电性，转变温度为2.4K，最佳Ag含量为x = 0.2。Sn_（1-x）Ag_xTe超导相的存在将有助于理解载流子掺杂SnTe系统的超导性质和机制。
2016-02-28 cond-mat.supr-con
Superconductivity in bundles of a mixture of doped carbon nanotubes
使用非均匀Bogoliubov-de Gennes形式主义，我们研究了单壁碳纳米管束的超导性质，由金属和半导体纳米管的混合物组成，具有不同的临界转变温度。我们研究了平均超导序参量和临界转变温度如何依赖于束中半导体碳纳米管的分数。
2011-09-13 cond-mat.supr-con
The effect of Cr impurity to superconductivity in electron-doped BaFe2-xNixAs2
利用输运和磁化强度测量研究了Cr掺杂对电子掺杂BaFe_（2-x）Ni_xAs_2铁磷属化合物超导相图的影响。原则上，向电子掺杂的BaFe 2-xNixAs 2中添加Cr应等同于空穴掺杂的效果。然而，我们发现Cr掺杂通过杂质效应抑制超导电性，而在100 K以上不影响正常态电阻率。我们建立了Cr掺杂BaFe_（2-x）-yNi_xCryAs_2铁磷属元素化合物的相图，证明了Cr掺杂近最佳超导电性恢复了被超导电性抑制的长程反铁磁有序。
2014-09-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity-Induced Ferromagnetism and Weyl Superconductivity in Nb-doped Bi$_2$Se$_3$
最近的实验表明，零场磁化出现在超导转变温度以下的Nb掺杂的Bi_2Se_3。这证明超导态自发地打破了时间反演对称性，并可能处于手征拓扑相。这与Cu掺杂的情况形成鲜明对比，Cu掺杂的情况可能处于非晶相并且自发地破坏旋转对称性。通过从微观模型导出系统的自由能，我们发现Nb原子的磁矩可以被手征库珀对极化，从而扩大了手征拓扑相的相空间.我们进一步表明，手征拓扑相是一个外尔超导相与体节点，连接的表面马约拉纳弧。
2016-08-26 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Sm-doped 1,3,5-triphenylbenzene
本文报道了钐掺杂的1，3，5-三苯基苯在4.3K附近的超导电性。采用固相反应法成功地合成了钐掺杂的1，3，5-三苯基苯样品。通过磁化强度、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和能量色散谱（EDS）测量对这些样品进行了表征。X射线衍射分析表明，样品属于空间群$P2/m$。磁化强度的测量揭示了在4.3K左右的超导转变。然而，超导屏蔽分数仅为1%左右，这与以前报道的其他芳烃的超导性相似。样品的磁滞回线（MHLs）表明它是一个典型的第二类超导体。
2020-05-09 cond-mat.supr-con
Why do stripes form in doped antiferromagnets and what is their relationship to superconductivity?
实验表明在欠掺杂的铜氧化物中形成条纹的证据。在这里，我们讨论最近的数值计算的t-J模型告诉我们的机制负责条纹的形成和条纹和超导电性之间的关系。
2000-06-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity-insensitive order at $q$~1/4 in electron doped cuprates
铜氧化物研究的中心问题之一是发展成高温超导（HTSC）的“正常态”的性质。在空穴掺杂铜氧化物的正常状态下，电荷密度波（CDW）的存在有望揭示高温超导的机理。随着电子掺杂铜酸盐中CDW有序的证据的出现，CDW将被认为是高$T_c$铜酸盐中的普遍现象。然而，电子掺杂铜氧化物中的CDW现象与空穴掺杂铜氧化物中的CDW现象有很大不同。在这里，我们研究了假定的CDW在电子掺杂的铜酸盐的性质，通过直接比较生长和退火后的Nd $_{1.86}$ Ce $_{0.14}$ CuO $_4$（NCCO）单晶使用铜$L_3$ -边缘共振软X射线散射（RSXS）和角分辨光电子能谱（ARPES）。RSXS结果表明，非超导NCCO在波矢（~1/4，0，$l$）处具有与超导NCCO相同的反射。这种对超导性不敏感的信号与空穴掺杂铜氧化物中的CDW反射的特性完全不同。此外，ARPES的结果表明，费米学不能解释这样的波矢。这些结果对铜氧化物中CDW现象的普遍性提出了质疑。
2017-12-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The MCS Model of the Superconductivity in Hole-Doped Cuprates: an Experimental Evidence
我们提出了通过不同的技术获得的实验数据。其中一些是不容易解释的任何理论模型在文献中提出的。然而，在我们以前的工作中提出的空穴掺杂铜氧化物的超导性的MCS模型，能够解释它们。因此，我们提出了支持MCS模型的证据。
1999-04-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Materials and mechanisms of hole superconductivity
空穴超导理论提出存在适用于所有超导材料的单一超导机制。本文讨论了几种出现超导性的材料家族，以及如何在这个理论中理解它们。讨论的材料包括元素、过渡金属合金、空穴掺杂和电子掺杂的高$T_c$铜酸盐、$MgB_2$、铁磷属元素化物、杂质半导体和高压下的元素。
2012-01-22 cond-mat.supr-con
Tunable superconductivity in electron- and hole-doped Bernal bilayer graphene
本研究在电子和空穴掺杂的BBG/WSe₂器件中观测到可调超导性与味对称破缺相，明确了WSe₂层的关键作用，揭示了两类掺杂超导的不同泡利极限行为，为晶体石墨烯超导研究与器件开发提供了新方向。
2024-05-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Latent Superconductivity in doped manganites
我们分析了掺杂锰氧化物铁磁半金属相的有效哈密顿量，发现了潜在的d波自旋三重态超导电性。d波对的自旋三重态由轨道自由度实现。然而，这种高Tc超导性是由一些内在的强库珀对打破过程保持休眠。对锰氧化物中的长距离超导邻近效应、隧道效应中的赝能隙、双层锰氧化物中的结状准粒子以及双层锰氧化物中的双层分裂现象等低T异常现象给出了自然和定性的解释。指出了我们的轨道配对超导性的一些结果。
2006-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidences of Superconductivity without Direct Relation to Valence Electron Density in Metal Doped Y123 Cuprates
本文通过X射线衍射、超导电性测试、氧含量测试、正电子湮没技术和模拟计算等手段对YBa_2Cu_（3-x）（Fe，Co，Al，Zn）_xO_（7-δ）（x=0.0 \sim 0.5）铜酸盐进行了系统的研究。实验结果和理论计算支持了Tc与样品中价电子密度不直接相关的结论。此外，无论是否暗示铁氧化物超导体和铜酸盐之间存在某种联系，Fe掺杂的Y_（123）样品都表现出一些独特的特性。
2011-10-10 cond-mat.supr-con
Possible structural origin of superconductivity in Sr-doped Bi2Se3
用铜和锶（Sr）等元素掺杂硒化铋（Bi2Se3）可以诱导超导性，使掺杂材料成为探索潜在拓扑超导行为的有趣候选者。认为掺杂Bi_2Se_3的超导电性是由掺杂原子嵌入范德华能隙引起的。然而，几个实验已经表明，掺杂剂原子的嵌入可能不一定使掺杂的Bi 2Se 3超导。因此，在掺杂的Bi_2Se_3超导性的结构起源仍然是一个悬而未决的问题。本文结合材料合成与表征、高分辨透射电子显微镜和第一性原理计算对Sr掺杂Bi2Se3的掺杂结构进行了研究。我们发现超导电性的出现与n型掺杂原子密切相关。原子级能量色散X射线映射揭示了各种n型Sr掺杂剂，占据插层和间隙的位置。第一性原理计算结果表明，Sr的掺杂浓度对Sr的形成能有很大的影响。该位置从低Sr掺杂水平下的亚稳位置变化到高Sr掺杂水平下的稳定位置。计算结果解释了为什么淬火是必要的，以获得超导样品时，Sr掺杂水平低，也为什么慢炉冷却时，Sr掺杂水平高，可以产生超导样品。我们的研究结果表明，Sr原子掺杂在间隙的位置，而不是那些插入在范德华间隙，是最有可能负责的出现在Sr掺杂Bi2Se3的超导电性。
2018-03-08 cond-mat.supr-con
Computational Materials Design for High Critical Temperature Superconductivity in Hole-Doped Delafossite CuAlO$_2$: Transparent Superconductors
基于第一性原理计算了空穴掺杂铜铁矿CuAlO $_2$的超导临界温度$T_c$。根据我们的计算，$0.2\sim0.3$空穴掺杂CuAlO $_2$可以成为声子介导的高$T_c$超导体，其$T_c\sim50$ K。在空穴掺杂的CuAlO $_2$中，拉伸O-Cu-O哑铃的A $_1$ L $_1$声子模与Cu 3d $_{3z^2-r^2}$的平带和O 2 p $_z$的反键$π$ -带的电子有很强的电子-声子相互作用.
2011-11-11 cond-mat.supr-con
Highly reproducible superconductivity in potassium-doped triphenylbismuth
采用一种新的两步合成方法-超声处理和低温退火，我们探索了钾掺杂三苯基铋的超导电性，它由一个铋原子和三个苯环组成。直流和交流磁测量的组合表明，百分之百的合成样品在3.5 K和/或7.2 K在环境压力下表现出超导性。磁滞回线提供了第二类超导体的有力证据，其上临界磁场高达1.0特斯拉。电子结构的计算和Raman光谱的测量都表明超导电性是通过钾原子向碳原子的电子转移实现的。我们的研究为在有机金属分子中寻找有机超导体打开了一扇令人鼓舞的窗口。
2018-02-09 cond-mat.supr-con
Superconductivity at high Tc in neodymium-doped 1111-SrFeAsF system
多晶Sr 1-xNdxFeAsF样品制备在不同的Nd掺杂水平，使用化学计量的混合物的起始材料，并在轻微过量的FeAs。磁化率和电阻率的样品进行了研究，到4 K揭示了超导性和磁有序的可能共存。所有的Nd掺杂样品的电阻率的温度依赖性表明存在的过渡低于15 K最有可能起源于磁有序的Nd时刻，而在175 K的自旋密度波异常生存高达0.35 Nd掺杂。超导性仅发生在0.40 Nd掺杂以上，起始最大Tc高达52 K。
2010-03-30 cond-mat.supr-con
Suppression of superconductivity in FeSe films under tensile strain
研究了张应变对FeSe薄膜超导电性的影响。通过使用脉冲激光沉积技术在MgO、SrTiO $_3$和LaAlO $_3$衬底上生长50 nm、100 nm和200 nm的FeSe膜。X射线衍射分析表明，在我们所有的FeSe薄膜中，四方晶相占主导地位。MgO和SrTiO $_3$上的50 nm FeSe薄膜处于拉伸应变下，而LaAlO $_3$上的50 nm FeSe薄膜和其它厚FeSe薄膜处于未应变下。在T $_{onset}$ $\approx$ 8 K的无应变FeSe薄膜中观察到超导转变，这接近于体值。然而，没有迹象表明超导性已被观察到在FeSe薄膜拉伸应变下下降到5 K。有证据表明，张应变抑制FeSe薄膜的超导电性。
2009-06-02 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Sulfur-Doped Amorphous Carbon Films
根据我们以前的研究在非晶碳（aC）为基础的系统的超导性，我们已经制备了薄的复合aC-W薄膜，使用电子束诱导沉积。薄膜在5 K以上没有表现出任何超导性的迹象。然而，局部的，非超导性，超导性出现在Tc = 34.4 K后，用硫在250 ℃处理24小时。磁化曲线中的超导特征比我们以前的结果尖锐得多，屏蔽分数增加了大约一个数量级。我们的数据表明，配对和本地化的超导发生在aC-S区域，而相位相干性，辅助W夹杂物，增强相比，我们以前的样品，但仍然没有达到实现全球相位相干性和超导电性的程度。
2013-01-23 cond-mat.supr-con
Coexistence of Antiferromagnetism and Superconductivity in Electron-doped High-Tc Superconductors
我们提出了电子掺杂铜氧化物Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$薄膜中反铁磁性的磁输运证据。我们的研究结果表明，静态反铁磁性的最佳掺杂x=0.15，与量子相变接近x=0.16，和静态反铁磁性和超导性的共存0.12 $\le$ x $\le$ 0.15的明确签名。
2007-05-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-dimensional time-reversal-invariant topological superconductivity in a doped quantum spin Hall insulator
时间反演不变拓扑超导体在体块中具有完全的配对能隙，并且在边缘或表面上具有无能隙的马约拉纳态。在这里，我们从理论上提出了掺杂量子自旋霍尔绝缘体的拓扑超导性。在双轨道模型下研究了掺杂Sn $X$薄膜的对对称性，发现当轨道内吸引力大于轨道间吸引力时，掺杂Sn薄膜实现拓扑超导，这对于自旋轨道耦合较强的掺杂量子自旋霍尔绝缘体是普遍的.在紧束缚模型中对边缘通道进行了数值研究。最后，通过与体Sn中的$3d$超导性的比较，讨论了Sn $X$薄膜中可能的拓扑超导电性。
2014-08-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconductivity in the doped polymerized fullerite clathrate from first principles
用密度泛函理论研究了简单金属掺杂的C60富勒烯笼形聚合物的超导电性。声子色散曲线进行了系统计算的笼形结构，包含客体掺杂剂（Li，Na，K，Be，Mg，Ca，Al，Ga，Ge）的两个不同的笼，富勒烯类C60和方钠石类C24中的一个，表现出这种结构。其中只有Li@C24、Na@C24、Ga@C24和Be@C60四种结构在谐波近似下是动态稳定的。它们都表现出超导行为，虽然它们的临界温度被预测为低于2 K。
2023-02-20 cond-mat.supr-con
