Electronic Transport in Dual-gated Bilayer Graphene at Large Displacement Fields
我们研究了双栅双层石墨烯器件的电子输运性质。我们专注于制度的低温和高电位移场，在那里我们观察到一个明确的指数依赖的电阻作为位移场和密度的函数，伴随着强非线性行为的传输特性。有效传输带隙通常比红外光谱研究报告的光学带隙小两个数量级。详细的温度依赖性测量揭示了不同的温度制度下的不同的传输机制。
2010-09-03 cond-mat.mes-hall
Dimensionality effects on non-equilibrium electronic transport in Cu nanobridges
我们报告非平衡电子输运通过正常的金属（铜）纳米桥耦合到大型水库在低温下。我们观察到的零偏压电导的对数温度依赖性，以及一个普遍的标度行为的微分电导。我们的结果解释了在零维极限的扩散金属中的电子-电子相互作用。
2004-08-19 cond-mat.mes-hall
Phenomenological study of the electronic transport coefficients of graphene
使用半经典的方法和输入的石墨烯的导电性的实验，我们确定的电子传输系数-导电性，导热性和热电性-掺杂的石墨烯的电子密度依赖性。还得到了电导率的电子密度依赖性。最后，我们表明，经典的霍尔效应（低场）在石墨烯中具有相同的形式为独立的电子的情况下，其特征在于由抛物线色散，只要弛豫时间是成比例的动量。
2007-10-11 cond-mat.mes-hall
Nonequilibrium electronic transport through a polymer chain: Role of solitons
用散射态算符方法研究了电子在高分子链中的非平衡输运。高分子链采用电子-晶格耦合模型描述，两端连接不同化学势的金属电极。散射态是系统处于非平衡稳态时电子的一组完整本征态。利用该方法，我们证明了非平衡Peierls跃迁（NEPT）不能在晶格弛豫和孤子-反孤子对激发下存活。此外，通过链的电子输运示出通过孤子晶格能带完成。
2012-06-14 cond-mat.mes-hall
Electronic transport and scattering times in tungsten-decorated graphene
研究了单层石墨烯表面沉积钨原子稀释涂层前后的电子输运性质。对于覆盖率高达2.5\%的单层，我们发现钨吸附原子同时捐赠电子给石墨烯，降低载流子迁移率，影响零场和有限场输运性质。两个独立的运输分析表明吸附原子位于近1 nm以上的表面。吸附原子的存在也被认为会影响低场磁电阻，改变弱本地化的签名。
2016-10-31 cond-mat.mes-hall
Transport in Two Dimensional Electronic Micro-emulsions
在具有库仑或偶极相互作用的二维电子系统中，禁止从液体到结晶状态的直接跃迁，无论是一阶还是二阶。因此，在这些相之间必须存在其他（微乳液）相，其可以被视为液相和结晶相的介观尺度混合物。我们调查这些新的电子相的传输特性，并提出的论点，他们是负责的各种运输异常，已经看到在实验中的强相关的2DEG在高迁移率半导体器件与低电子密度。
2005-10-18 cond-mat.mes-hall
Electronic band gap and transport in Fibonacci quasi-periodic graphene superlattice
我们研究了Fibonacci准周期石墨烯超晶格中的电子带隙和输运。发现这种结构可以具有一个零-$\bar{k}$缺口，这在所有Fibonacci序列中都存在。与布拉格带隙不同，与狄拉克点相关的零$\bar{k}$带隙对入射角和晶格常数不太敏感。在零-$\bar{k}$间隙中出现的缺陷模对透射率、电导和散粒噪声有很大的影响，可以用来控制电子输运。
2011-11-07 cond-mat.mes-hall
The effect of bilayer domains on electronic transport properties of epitaxial graphene on SiC
对在碳化硅上的纯单层外延石墨烯（SiC/G）上制造的霍尔条器件的磁输运测量显示出载流子浓度和迁移率在晶片尺寸维度上的非常紧密的分布。相比之下，含有双层石墨烯域的SiC/G器件显示出与双层含量的量相关的电子性质的变化。
2015-02-06 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in metallic carbon nanotubes with mixed defects within the strong localization regime
我们研究了金属碳纳米管（CNTs）中的电子输运与不同类型的实际缺陷。我们专注于在介观范围内具有许多缺陷的大型CNT。在最近的一篇论文中，我们证明了这些缺陷的碳纳米管中的电子输运是在强本地化的制度。我们验证了量子输运模拟的本地化长度的碳纳米管的缺陷的混合类型可以与本地化长度的碳纳米管相同的缺陷采取加权谐波平均。其次，我们展示了如何使用这个结果来估计任意缺陷碳纳米管的电导，避免了耗时的运输计算。
2018-11-22 cond-mat.mes-hall
Electronic Structure and Transport in Graphene/Haeckelite Hybrids: An {\em Ab Initio} Study
我们结合{ \em ab initio}密度泛函理论（DFT）的结构研究与DFT为基础的非平衡格林函数计算，探讨非六方环的存在如何影响石墨结构中的电子输运。我们发现，无限的单层，有限宽度的纳米带和纳米管形成的5-8 haeckelite只有5-和8-元环通常比他们的石墨烯为基础的同行更导电。完美的石墨结构中存在的海克石缺陷线，CVD生长的石墨烯中的晶界的模型，增加了电子导电性，并使其高度各向异性。
2015-02-25 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in Si:P delta-doped wires
尽管Si：P δ掺杂线对于现代纳米电子学的重要性，但是目前在这些器件中没有电子输运的计算模型。在本文中，我们提出了一个非平衡格林函数模型的电子输运在δ掺杂的导线，这是一个紧束缚的哈密顿矩阵内的单带有效质量近似。我们使用这个输运模型计算了一些δ掺杂的线的电流-电压特性，取得了很好的协议与实验。为了激发我们的输运模型，我们进行了密度泛函计算的各种δ掺杂的电线，每个具有不同的施主配置。这些计算还使我们能够准确地定义δ掺杂导线的电子范围，我们发现至少为4.6 nm。
2015-07-15 cond-mat.mes-hall
Electronic and spin transport properties of zigzag graphene nanoribbon mediated by metal adatom: A study by QUAMBO-NEGF approach
采用基于密度泛函理论的第一性原理紧束缚理论（TB）的准原子最小基轨道（QUAMBO）方法，结合非平衡格林函数，研究了锯齿形石墨烯纳米颗粒（ZGNR）的结构和电子性质，包括形变、磁矩、Mulliken布居、键级和电子输运性质.对于电子输运，在费米能级以下，由于Co吸附原子的磁性作用，电子输运受到强烈的抑制，且与自旋相关;而在费米能级以上，电子输运略有畸变，且与自旋无关。由于QUAMBOS-TB参数具有局域环境依赖性，我们采用分治法构造了ZGNR铅和空心位置吸附Co原子的ZGNR的QUAMBOS-TB参数，较好地再现了电子的传输行为.我们的QUAMBO-NEGF方法是一种新的和有前途的大规模系统中的电子输运的方法。
2013-02-17 cond-mat.mes-hall
Importance of Initial Electronic State in Two-Dimensional Electron System for Electron Transport from Two-Dimensional Electron Gas to Quantum Dot
从理论上研究了二维电子系统（2DES）到量子点（QD）的电子输运随时间的演化。我们清楚地表明，相干电子输运显着修改依赖于初始电子状态的2DES。当2DES中的电子初始态位于量子点下方时，从2DES到量子点的电子输运被强烈增强。我们指出，这些功能应获得在其他纳米结构-电极耦合系统，和电子输运系统之间具有完全不同的几何条件显着影响的初始空间分布的电子密度。
2008-12-11 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in torsional strained Weyl semimetals
在最近的一篇论文（JPCM 29，445302（2017））中，我们研究了机械应变和磁场对石墨烯中电子输运性质的影响。在这篇文章中，我们扩展了我们的工作外尔半金属（WSM）。我们表明，虽然WSM是3D材料，但可以进行对石墨烯（2D材料）的大部分分析。具体地，我们研究了在扭转应变和外加磁场作用下电子在圆柱形区域中的输运。给出了散射截面和透射电流的精确解析表达式。此外，我们显示了节点极化对电流的影响，并提出了一个配方，以测量从传输实验的扭转角。
2018-03-27 cond-mat.mes-hall
Interplay of magneto-elastic and polaronic effects in electronic transport through suspended carbon-nanotube quantum dots
研究了悬浮碳纳米管量子点中的电子输运。在垂直于纳米管的磁场和附近的金属栅极的存在下，两种力作用于电子：拉普拉斯力和静电力。它们都诱导电子和机械横向振荡模式之间的耦合。我们发现，这两种机制之间的差异出现在共隧穿电流。
2012-02-10 cond-mat.mes-hall
Electronic transport properties of ternary Cd1-xZnxS nanowire network
本文研究了三元合金Cd 1-xZnxS纳米线网络在黑暗和白光照射下的电子输运特性。与可忽略的暗电流相比，我们观察到在460 mW/cm 2的强度下光电流增强高达4个数量级。动态光响应的时间常数约为5秒。不同强度下的电流-电压特性在低偏压下表现为欧姆行为，在高偏压下表现为空间电荷限制导电（SCLC）。SCLC行为和缓慢的时间响应表明，电荷输运是由隧道在互连纳米线结。
2009-09-18 cond-mat.mes-hall
Double-periodic quasi-periodic graphene superlattice: non-Bragg band gap and electronic transport
研究了双周期序列的准周期石墨烯超晶格中的电子带隙和输运性质。发现这种准周期结构可以具有零平均波数（零- $\bar{k}$）带隙，它与一个不寻常的狄拉克点有关.与布喇格带隙不同，零$\bar{k}$带隙对入射角不敏感，对晶格常数具有鲁棒性。比较了不同序列的石墨烯超晶格中Dirac点和多Dirac点的位置。在石墨烯超晶格中的零- $\bar{k}$带隙上的电子输运的控制可以促进许多石墨烯基电子器件的开发。
2012-09-26 cond-mat.mes-hall
Electronic States and Transport Phenomena in Quantum Dot Systems
从理论上研究了半导体量子点中的电子态和输运现象。在考虑电子-电子库仑相互作用的情况下，用精确对角化方法计算了基态和低激发态激发态随磁场的变化。利用所得到的多体态，我们讨论了库仑振荡中电导峰的温度依赖性。在库仑阻塞区，在有限的偏压下，弹性和非弹性共隧穿电流进行了评估。近藤效应显著增强了共隧穿电导。在耦合量子点中，分子轨道和电子关联影响输运性质。
2001-01-23 cond-mat.mes-hall
Disorder and Electronic Transport in Graphene
在这篇综述中，我们提供了一个帐户的最新进展，了解无序石墨烯系统中的电子输运。从理论上的描述，强调所发挥的作用，由能带结构属性和晶格对称性，我们描述了这些系统中的无序的性质及其与传输特性的关系。虽然重点主要是在理论和概念方面，连接到实验也包括在内。问题，如短期与长期的障碍，本地化（强和弱），载流子密度依赖的电导率，电导波动被认为是一些开放的问题，指出。
2010-06-29 cond-mat.mes-hall
Evidence for Phonon-Assisted Intertube Electronic Transport in an Armchair Carbon Nanotube Film
本研究通过实验和理论计算证明，在扶手椅型碳纳米管薄膜中，声子辅助的相干管间电子输运是高温电导的主导机制，该薄膜有望用于室温相干电子器件。
2022-01-18 cond-mat.mes-hall
Hierarchical Quantum Master Equation Approach to Electronic-Vibrational Coupling in Nonequilibrium Transport through Nanosystems
在分级量子主方程（HQME）框架内，提出了一种方法，它允许在数值上精确描述具有强电子-振动耦合的纳米系统中的非平衡电荷输运。该方法被施加到一个通用模型的振动耦合运输考虑广泛的参数范围从非绝热制度，包括共振和非共振运输。我们表明，非平衡效应是重要的，在所有这些制度。特别是在非共振输运制度，非弹性共隧穿信号进行了分析，在完全非平衡的振动模式，揭示了复杂的相互作用，不同的运输过程和偏离常用的$G_0/2$拇指规则。此外，HQME方法被用来基准近似主方程和非平衡格林函数方法。
2016-09-16 cond-mat.mes-hall
Transport spectroscopy of singlet-triplet quantum dot states coupled to electronic cavities
最近已经证明了电子腔和量子点之间的强耦合[Phys. Rev. Lett. 115，166603（2015）]，并在综合理论框架中进行了描述[Phys.Rev.B96，235431（2017）]。在这里，我们专注于签名，证明了腔的影响，非弹性单三重态运输通过点。我们在实验中发现了与描述耦合点-腔系统的模型所预测的相同的输运特征。有趣的是，一个最低阶的耦合到电子引线上的点腔系统的精确对角化是足以突出腔和高阶非弹性单重态-三重态cotunneling之间的相互作用。
2018-01-19 cond-mat.mes-hall
Electronic transport across linear defects in graphene
我们研究了低能电子在石墨烯带和无限薄片中的晶界输运。利用递归格林函数方法，计算了石墨烯带中不同类型晶界的电子透射率。我们显示的电荷密度分布和电流沿带的流动的结果。我们研究线性缺陷在不同的角度与带状方向，以及重叠的两个单层带状域形成一个双层区域。针对一类周期为3的扩展缺陷线，发展了一种研究无限薄片中输运的解析方法。由于$K$和$K'$狄拉克点是重叠的，这类扩展晶界特别有趣。
2015-04-03 cond-mat.mes-hall
Electronic transport properties of topological insulator films and low dimensional superconductors
本文综述了近年来拓扑绝缘体和超导纳米线及超导薄膜的研究进展。本文报道了用输运测量方法在TI薄膜中发现的电子-电子相互作用（EEI）、弱反局域化（WAL）和各向异性磁电阻（AMR）效应。然后，介绍了超导薄膜、桥和纳米线的输运性质以及非超导纳米线中的邻近效应。最后，TI和超导体（SC）之间的相互作用进行了讨论。
2013-10-28 cond-mat.mes-hall
Geometric effects in the electronic transport of deformed nanotubes
准二维系统可能存在曲率，这给它们的内部性质增加了三维影响。如da Costa \cite{dacosta}所示，在曲面上运动的带电粒子经历曲率依赖的电势，这极大地影响它们的动力学。本文研究了变形纳米管中的电子弹道输运。单电子薛定谔方程与开放的边界条件数值求解与灵活的MAPLE代码作为补充数据。我们发现，弯曲的变形确实有强烈的影响，电子动力学，建议其使用在基于纳米管的电子器件的设计。
2016-01-07 cond-mat.mes-hall
Electronic band gaps and transport in aperiodic graphene superlattices of Thue-Morse sequence
研究了Thue-Morse序列非周期石墨烯超晶格的电子性质。虽然该结构是非周期性的，但确实存在一个不寻常的狄拉克点（DP），其位置正好在零平均波数（零- $\bar{k})$）的位置。此外，与DP相关联的零$\bar{k}$带隙对晶格常数和入射角是稳健的，并且在适当的条件下可以出现多DP。预测了Thue-Morse序列中电子输运的可控性，这可能有助于许多石墨烯基电子学的发展。
2012-05-30 cond-mat.mes-hall
Kondo-Dicke resonances in electronic transport through triple quantum dots
从理论上研究了三重量子点体系中的电子输运，其中只有一个量子点直接与外部引线耦合。该模型包括库仑相关的中心点，而这种相关性在两侧耦合点被省略。利用无限U平均场从玻色子方法得到了近藤区的基本输运特性。当调节侧面耦合点能级的位置时，在光谱函数中发现了从次辐射到类超辐射的跃迁（反之亦然），类似于原子物理学中的Dicke效应。还分析了微分电导和零频散粒噪声的偏置依赖性。
2008-03-28 cond-mat.mes-hall
Dark versus blocking states in electronic transport: a Lee-Yang zero analysis of full counting statistics
该研究探讨了纳米结构电子输运中暗态与阻塞态的区分问题，以碳纳米管为例，通过 Lee-Yang 零点和阶乘累积量分析全计数统计，成功识别出可区分这两种输运抑制情形的参数区间。
2024-09-27 cond-mat.mes-hall
Electronic structure and transport in graphene: quasi-relativistic Dirac--Hartry--Fock self-consistent field approximation
应用二次量子化自洽Dirac-Hartree- Fock方法考虑单层石墨烯的电子性质，考虑自旋极化态，可以相干地解释石墨烯能带小间隙和载流子不对称性的实验结果，提出了价区和传导区位移的描述，并给出了电子和空穴回旋质量的很好的理论估计，与已知的实验数据一致。
2013-09-07 cond-mat.mes-hall
Non-Kondo zero bias anomaly in electronic transport through an ultra-small Si quantum dot
我们研究了超小硅量子点的低温单电子输运。我们发现，在低温下，库仑阻塞是部分解除在某些栅极电压。此外，我们观察到零偏压下的微分电导的增强。这种零偏置异常的磁场依赖性与GaAs量子点中报道的非常不同，与近藤效应的预测不一致。
1999-08-09 cond-mat.mes-hall
Position-dependent mass effects in the electronic transport of two-dimensional quantum systems
在本工作中，我们研究了具有位置依赖质量（PDM）的弯曲二维量子系统的电子输运性质。我们发现薛定谔方程的一般表面的da Costa方法，获得系统的PDM的几何潜力。我们得到了一般回转曲面的透射率和反射率的表达式。作为这里得到的一般结果的第一个应用，我们研究了变形纳米管的输运性质，因为在这个系统的以前的研究中已经忽略了有效质量随纳米管半径的变化，并且在实验上观察到不同半径的有效质量的变化。我们发现，包括位置相关的质量，特别是质量分布的径向变化，可以引起系统的输运性质的显着变化，这表明，二维量子系统的输运性质是敏感的PDM和建模时，在表面的电子输运这种影响应该考虑。
2018-09-12 cond-mat.mes-hall
Electronic-vibrational coupling in single-molecule devices
研究振动对单分子电子输运的影响的实验观察到了几种看似不一致的行为，从一个实验中振动频率的高达30个谐波到另一个实验中没有更高谐波的峰值。研究了单分子非弹性和弹性电子输运中电子-振动耦合的不同表现。对于非弹性输运的情况，高次谐波被电子振动耦合常数$λ$的幂之外的附加小因素所阻尼。有两种机制大大增加了非弹性输运中次级峰的大小：电子输运和分子空间运动之间的耦合，以及当电子跃迁之间的振动激发没有完全弛豫时分子较高振动模式的"泵浦“。
2003-03-10 cond-mat.mes-hall
Ballistic spin transport through electronic stub tuners: spin precession, selection, and square-wave transmission
弹道自旋输运研究通过电子调谐器与双短截线连接到他们。由于自旋-轨道相互作用，自旋进动。注入的极化自旋可以以相反方向极化离开结构。近似方波自旋传输，值为1和0，可以使用对称短截线的周期系统并改变它们的长度或宽度。可以使用非对称短截线来加宽传输中的间隙。当结合具有不同自旋轨道强度值的短截线结构时，获得额外的调制。
2002-04-18 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in ferromagnetic conductors with inhomogeneous magnetic order parameter -- domain-wall resistance
本文从微观上推导了非均匀磁化分布铁磁材料中传导电子的输运方程。我们的量子动力学方法包括磁性杂质的弹性散射和各向异性自旋翻转散射。在扩散极限下，我们计算了畴壁的电阻，发现畴壁电阻可以是正的，也可以是负的。在长畴壁的限制下，我们推导出解析表达式，并与现有的工作，其中使用较少的一般模型或不同的理论框架进行比较。
2009-03-17 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of mesoscopic graphene structures: charge confinement and control of spin and charge transport
这篇简短的综述讨论了介观石墨烯基结构的电子性质。这些允许控制电荷和自旋的限制和传输;因此，它们不仅对基础研究感兴趣，而且对应用感兴趣。这里涉及的石墨烯相关主题是：边缘，纳米带，量子点，$pn$ -结，$pnp$ -结构，量子势垒和波导。这篇评论的部分目的是作为一个简短的介绍石墨烯介观。
2011-04-12 cond-mat.mes-hall
Quantum electronic transport of topological surface states in beta-Ag2Se nanowire
采用化学气相传输法合成了一类新型三维拓扑绝缘体（TI）--β-Ag 2Se单晶纳米结构。通过测量电子输运性质，包括弱反定域效应，Aharonov-Bohm振荡和Shubnikov-de Haas振荡，验证了拓扑表面态。第一性原理能带计算表明，\b{eta} -Ag 2Se体系的能带反转是由强自旋轨道耦合和Ag-Se键杂化引起的.这些广泛的调查提供了新的有意义的信息银硫族化物TI具有各向异性狄拉克锥，这可能是有用的自旋电子学应用。
2016-01-07 cond-mat.mes-hall
Nonlinear electronic transport in nanoscopic devices: Nonequilibrium Green's functions versus scattering approach
本文利用非平衡格林函数方法研究了纳米器件的非线性弹性量子电子输运性质。格林函数方法允许我们将给定器件的$I-V$特性扩展到所施加电压的任意幂。通过这样做，我们能够将NEGF方法与散射方法联系起来，显示它们的相似性和差异性，并计算任意阶的电导系数。我们证明了由NEGF给出的电子电流是规范不变性的所有订单的$V$的权力，并讨论了规范不变性的标准密度泛函理论（DFT）在分子电子学实现的要求。我们还分析了非线性电导系数的对称性相对于一个磁场反转和违反的Onsager互易关系与增加源漏偏置。
2009-07-12 cond-mat.mes-hall
Electronic and spin transport in Bismuthene with magnetic impurities
本研究通过ab initio计算模拟磁性吸附原子与拓扑绝缘体的相互作用，探索磁性杂质对拓扑绝缘体边缘态电导率及大样品输运性质的影响。
2023-09-13 cond-mat.mes-hall
Electronic Transport Properties of Carbon NanoBuds
富勒烯功能化碳纳米管- NanoBuds -形成一类新型的杂化碳材料，与原始组分相比具有许多优点。在这里，我们报告了这些化合物的电子输运性质的理论研究。我们使用从头算技术和紧束缚计算来说明这些材料的传输特性，并给出物理参数来解释数值结果。具体而言，在费米能量以上，我们发现由于在结构的某些区域中的局域态而导致电子透射的强烈减少，而在费米能量以下，所有考虑的结构都表现出具有几何形状依赖宽度的高透射能带。
2009-05-07 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in graphene with out-of-plane disorder
研究石墨烯面外无序缺陷对电子输运的影响，通过紧束缚和密度泛函计算发现晶格共格性是决定背散射抑制的关键，为控制石墨烯输运性质提供指导。
2022-11-02 cond-mat.mes-hall
Electronic structure and Magneto-transport in MoS$_2$/Phosphorene van der Waals heterostructure
在格林函数支持的密度泛函理论框架下，利用散射理论研究了含时自旋电流介导的自旋转移矩行为.在半导体模型MoS $_2$ /磷烯范德华异质结中揭示了量子磁输运特性。研究了自旋电流通道化异质层输运随磁化角旋转变化的动力学。据观察，随时间变化的自旋输运矩保持不变，无论磁化角方向。极化自旋电流是持久的外部磁场的潜在适用性对自旋电子学。
2019-06-17 cond-mat.mes-hall
Nonequilibrium mesoscopic transport: a genealogy
非平衡量子输运模型支撑着所有现代电子设备，从最大到最小。过去的简化，如粗粒化和散装自平均服务以及了解电子材料。这些特殊的概念在介观维度上变得不适用，逐渐接近真正的量子体系。尽管如此，一条统一的线索继续贯穿于传输物理学，使小规模电子技术的设计充满活力：微观守恒和非平衡耗散。这些基本原理是量子输运所固有的，在通往原子大小的装置的过程中，它们具有更大、更明确的实验意义。我们回顾了它们的起源，它们的理论背景，以及它们在介观和纳米系统的电子响应中的主导作用。
2012-04-22 cond-mat.mes-hall
Beating in electronic transport through quantum dot based devices
从理论上研究了在外加电场驱动下，耦合到（磁性或非磁性）电子库的二能级系统中的电子输运。在弱耦合近似下，利用速率方程结合格林函数方法和从玻色子方法计算了电流和隧道磁电阻（TMR）等基本输运特性。在梯度展开近似中考虑了时间相关现象。结果表明，在电流和TMR中都可以观察到相干拍频模式。所提出的系统由两个量子点连接到外部引线组成，其中量子点的能级可以独立地调节，可以通过实验实现以测试这一众所周知的物理现象。最后，我们还指出了这种设备可能的实际应用。
2011-03-15 cond-mat.mes-hall
Electronic transport properties of indolyl spirooxazine/merooxazine-based light-driven molecular switch: The effect of amino/nitro substituents
应用非平衡格林函数和第一性原理密度泛函理论，研究了吲哚啉螺萘并恶嗪（SO）/吲哚啉甲基萘并恶嗪（MO）体系的电子输运性质.结果表明，MO体系的电子输运电流远大于SO体系，取代基的引入引起了体系能级的移动，较高的ON/通过在萘上引入氨基或硝基取代基，可以得到关断电流比，表明此类分子线一般都能显示出良好的开关功能，并且可以通过引入取代基灵活调节开关效率到分子。
2013-08-07 cond-mat.mes-hall
Unified Theoretical Approach to Electronic Transport from Diffusive to Ballistic Regimes
我们表明，通过整合出的电场，并结合适当的边界条件，半经典玻尔兹曼方程可以描述电子输运性能，连续从扩散弹道制度。得到了$D=1,2,3$维电导的一般解析公式，分别在扩散和弹道极限下恢复了Boltzmann-Drude公式和Landauer-Büttiker公式.这种直观和有效的方法可以应用于调查各种电荷和自旋输运现象的系统尺寸和杂质散射的相互作用。
2016-01-14 cond-mat.mes-hall
Spin Orbit Interaction and Isotropic Electronic Transport in Graphene
石墨烯中的对称性破坏影响了其载流子的无质量性质。我们提出了一个分析的散射缺陷在石墨烯中存在的自旋轨道相互作用（SOI）。无质量电子的输运时间与弹性时间的特征常数比（$\simeq 2$）表示散射的各向异性。我们发现，SOI导致这个比例急剧下降，特别是在低载流子浓度，而散射变得越来越各向同性。由于SOI的强度决定了这种下降更明显的能量（载流子浓度），因此这种效应可以帮助通过传输测量来评估这些相互作用。
2013-11-06 cond-mat.mes-hall
Transport properties of copper phthalocyanine based organic electronic devices
在场效应管和金属-绝缘体-半导体二极管中，实验研究了酞菁铜（CuPc）中双极性载流子输运特性。采用密度泛函理论和散射理论，在非平衡格林函数水平上计算了CuPc与铅的电子结构和输运性质.我们讨论，特别是，在不同的几何形状连接到金链的铜酞菁分子的电子结构，以模仿不同的实验设置。结合实验和理论分析解释了迁移率和透射系数对载流子类型（电子或空穴）和接触几何形状的依赖性。我们证明了我们的厚膜上的实验结果和我们的单分子接触的理论研究之间的对应关系。氟化铜酞菁的初步结果进行了讨论。
2010-03-31 cond-mat.mes-hall
Noise insights into electronic transport
典型的实验测量被设置为研究系统对平稳外部激励的响应。该方法将信号的任何随机波动视为杂散贡献，其将通过时间平均或等效地带宽减小来消除。除此之外，还有一个概念上不同的范式--测量系统的自发波动。这篇概述文章的目的是演示如何通过电流噪声测量深入了解各种介观导体中电子输运的隐藏特征，从2D拓扑绝缘体到单个碳纳米管。
2018-06-06 cond-mat.mes-hall
Electronic Transport in Single-Molecule Magnets on Metallic Surfaces
研究了扫描隧道显微镜-单分子磁体-金属体系中的电子输运。由于单分子磁体中磁化强度的量子隧穿效应，线性响应电导随纵向场的增加呈现阶梯式变化，且每一阶梯在一定的场扫描速度下达到最大值。在每一步的电导振荡作为沿难磁化轴的附加横向磁场的函数。严格的理论相结合的交换模型与朗道-齐纳模型。
2004-04-07 cond-mat.mes-hall
Structural, electronic, and transport properties of silicon nanowires
本文对硅纳米线的理论进行了综述。我们专注于直径小于10 nm的纳米线，其中量子效应变得重要，并且其性质与体硅的性质显著不同。这些线可以有效地处理内的电子结构模拟方法，并将在未来的纳米电子器件的最重要的功能块。首先，我们回顾了硅纳米线的结构特性，强调了硅纳米线的生长取向、截面和边界面之间的密切联系。其次，我们讨论了原始和掺杂纳米线的电子结构，这是它们在新型电子器件中应用的最终关键。最后，我们审查运输性能的一些最重要的限制，在性能的基于MEMS的设备可以奠定。这些系统的许多独特性质同时无视巨大技术进步的挑战和机会。
2009-10-14 cond-mat.mes-hall
Ballistic electronic transport in Quantum Cables
我们从理论上研究了一种介观结构-量子电缆中的弹道电子输运。我们的研究结果表明，量子电缆是一个独特的结构，介观输运的研究。弹道电导作为费米能的函数，呈现出有趣的阶跃特征。除了一个或两个量子电导单元（$2e^2/h$）的台阶之外，由于子带的偶然简并（交叉），还可以预期两个以上量子电导单元的电导平台。当结构参数变化时，电导宽度呈现振荡特性，这是由于相邻横向子带间能量差的不均匀变化引起的。在弱耦合极限下，对于具有相同宽度的两个圆柱线的量子电缆，高度为$2e^2/h$的电导台阶成为第一平台和第二平台。
2001-04-24 cond-mat.mes-hall
Correlating transmission and local electronic structure in planar junctions: A tool for analyzing spin-dependent transport calculations
我们建议将平面结的透射率图和光谱密度图关联起来，以便定量地详细分析自旋相关输运计算。由于光谱密度图可以相对于原子、角动量和自旋进行解析，因此得到的相关系数明确地揭示了，例如，哪些层或哪些轨道决定隧道电导。我们的方法可用于传输计算内的Landauer-Büttiker形式主义。本文将用纯体心立方Fe（001）铅和广泛研究的Fe（001）/MgO/Fe（001）平面隧道结讨论其特性和特点。
2010-12-22 cond-mat.mes-hall
Electronic and Transport Property of Phosphorene Nanoribbon
结合密度泛函理论和非平衡格林函数，研究了单层黑磷纳米带的电子性质和输运性质。首先，我们研究了PNR的带隙以及带宽和外加横向电场对带隙的调制。我们的计算表明，PNR中存在巨大的斯塔克效应，它可以在低偏压下打开半导体PNR的输运通道，诱导绝缘体-金属-转变。接下来，我们通过计算电流密度和局域电子传输路径来研究PNR中的传输通道。与石墨烯和MoS_2纳米带相比，低偏压下的载流子输运通道主要位于扶手椅型和锯齿型PNR的内部，并且不受少量边缘缺陷的影响。最后，基于巨电场调谐效应，提出了一种具有10^3高开关比的PNR基双栅双极晶体管器件。
2015-07-28 cond-mat.mes-hall
Magnon transport through a quantum dot: Conversion to electronic spin and charge currents
我们考虑一个单能级量子点耦合到磁性绝缘体（磁子库）和磁性金属（电子库）。整个系统处于外部磁场中。在一般情况下，该系统包括两个磁振子和两个电子水库，但我们也提出了一些特定的情况下，只有两个或三个水库有效地连接到点的结果。主要目的是分析磁振子电流到电子自旋和电荷电流的转换以及{ \it到电子自旋和电荷电流的转换}。我们考虑了点中库仑能大的极限情况（库仑阻塞），以及库仑能有限且允许双占据的情况。
2017-06-19 cond-mat.mes-hall
