Non-monotonic resistance noise in the charge density wave pinned state in single nanoribbons of CDW conductor NbSe$_{3}$
电输运和宽带电阻噪声测量在超低频窗口（30 mHz - 8 Hz）的电荷密度波（CDW）导体NbSe $_{3}$的单纳米器件进行。在温度和电场范围内，预计CDW将被残余杂质完全钉扎，观察到迄今未见的噪声幅度与电场的非单调行为。这种行为可以归因于热激活的相位滑移事件的扩散，并且这种想法由Dutta-Horn关系描述的涂抹激活行为的观察所支持。噪声幅度的温度依赖性的某些特征不遵循指向CDW系统中的波动的复杂起源的激活行为。
2014-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electron transport in a mesoscopic superconducting / ferromagnetic hybrid conductor
我们目前的电输运实验上进行的亚微米混合装置制成的铁磁导体（Co）和超导（Al）电极。为了分离Co导体和Co-Al界面的贡献，对样品进行图案化。我们观察到的Al电极的超导电性的Co导体的电阻的强烈影响。只有当界面高度透明时，这种效果才会很大。我们的特点是所观察到的电阻下降温度，偏置电流和磁场的依赖关系。由于铁磁体的微分电阻表现出非平凡的不对称性，我们认为磁畴结构在超导/铁磁导体的电子输运性质中起着重要的作用。
2003-02-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Nanometer-Scale Metallic Grains Connected with Atomic-Scale Conductors
我们描述了一种技术，用于连接纳米级的金颗粒的原子级的黄金点接触的铅。这些器件与以前的金属量子点的不同之处在于导电通道相对良好地传输。我们研究了接触电阻对库仑阻塞的影响。高电阻器件显示库仑阻塞，低电阻器件显示零偏压电导下降，两者都与理论定量一致。我们发现，在中间制度，样品电阻接近$h/e^2$，I-V曲线显示库仑阶梯与对称的接触电容。
2002-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
One-channel conductor coupled to a quantum of resistance: exact ac conductance and finite-frequency noise
我们考虑一个嵌入欧姆环境中的单通道相干导体，它具有良好的传输特性，其阻抗等于RC频率以下的电阻量子R_q=h/e^2。这种选择的动机是映射的Tomonaga-Luttinger液体与一个杂质的相互作用参数对应于特定的值K=1/2，允许一个cumbermionization程序的这个问题。“新”费米子具有与能量相关的传输幅度，该幅度结合了强相关效应，并通过与散射方法类似的表达式产生精确的直流电流和零频率噪声。我们回顾和讨论这些结果，为我们目前的目的。然后，我们计算，第一次，有限频率微分电导和有限频率非对称噪声。与直观的预期相反，这两个都不能在新费米子的散射方法中表达，即使它们仍然由传输幅度决定。更重要的是，有限频率电导服从一个确切的直流电流的关系，这是类似的微扰推导相对于弱隧道内的Tien-Gordon理论，并扩展到最近的任意强相互作用系统耦合最终到一个环境或/和分数电荷。我们还表明，排放过量噪声消失正是电子伏特以上，即使底层Tomonaga-Luttinger液体模型对应于一个多体相关系统。我们的结果适用于所有范围的温度，电压和频率低于RC频率，他们允许充分探索量子制度。
2012-03-17 cond-mat.mes-hall
Topological phonons in an inhomogeneously strained silicon-5: Inhomogeneous magnetoelectronic effect in a conductor
磁性晶体中的空间不均匀性会引起电极化的强度，这就是所谓的非均匀磁电效应。类似地，由于载流子浓度的空间不均匀性，导电多铁性材料中的非均匀磁电效应引起空间不均匀的磁矩和自旋分布。在这项研究中，我们提出了实验证据的非均匀磁电效应在Py/p-Si层状结构。Py/p-Si层状结构由于挠曲电子载流子掺杂和拓扑声子的叠加而表现出电子多铁性。它引起自旋密度和磁矩的空间调制，这是使用霍尔效应测量发现的。发现载流子密度和载流子类型是空间坐标和磁场方向的函数。观测到的调制也可以解释为波长为~142 μ m的无公度SDW。非均匀的磁电子效应也会引起磁热效应，在磁阻测量中利用热滞效应揭示了这一现象。这是第一个实验证据的非均匀磁电效应，这是电子对应的磁电效应。
2021-10-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nonlocal magnetolectric effects in diffusive conductors with spatially inhomogeneous spin-orbit coupling
我们提出了一个理论研究的非局域磁电效应的扩散混合结构与一个内在的线性动量自旋轨道耦合（SOC），这是假定为空间非均匀的。我们的分析是基于SU（2）-协变漂移扩散方程，我们推导出BC在混合界面。在这个公式中，自旋电流是协变守恒时，自旋弛豫只是由于本征SOC。这种守恒导致自旋霍尔（SH）电流在均匀系统中的情况下。我们还考虑了非本征弛豫源（ESR），作为磁性杂质，它打破了协变自旋守恒，并可能导致SH电流。我们应用我们的模型来描述一个系统中的非局域输运，该系统具有分离两个区域的界面：一个没有本征SOC的正常区域和一个具有Rashba SOC的正常区域。由电场引起的自旋极化。我们演示了如何的空间行为，这样的自旋密度取决于这两个，电场的方向和强度的ESR率。我们还研究了自旋-电荷转换，计算了自旋电流注入正常区引起的Rashba区的电荷电流和电化学势分布。在一个空间方向上变化的非均匀SOC的系统中，我们发现一个有趣的非本地之间的相互作用的自旋密度诱导的电荷电流在空间中的一个给定的点，和空间积分电流诱导的自旋密度注入在同一点。
2019-12-13 cond-mat.mes-hall
Spin polarization oscillations in a magnetically inhomogeneous conducting ring
研究了具有沿导体变化的磁特性的一维导电环的电导实部。分析了外电动势在环中激发一种新型自旋极化振荡的可能性。
2013-10-18 cond-mat.mes-hall
Complex impedance of a spin injecting junction
发展了铁磁电极通过隧道或肖特基接触向正常导体注入交流自旋的理论。非平衡自旋的扩散和弛豫导致由自旋弛豫速率和所涉及的电阻控制的频率依赖性复阻抗。给出了阻抗的显式表达式。阻抗的频率依赖性的实验研究应该允许测量两个导体中的自旋弛豫时间、它们的有效电阻以及控制自旋注入的接触的参数。
2002-02-14 cond-mat.mes-hall
Ferromagnetic- and superconducting-like behavior of the electrical resistance of inhomogeneous graphite flake
我们测量了几微米长、厚度不均匀的石墨样品的电阻率随磁场和温度的变化。磁电阻的结果施加几乎平行于石墨烯平面的领域显示了颗粒超导行为以及在样品中的磁秩序的存在。
2009-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Strong localization of electrons in quasi-one-dimensional conductors
本文报道了用Si $δ$掺杂GaAs制作的亚微米宽“线"中电子输运的实验研究。这些准一维（Q1 D）导体表现出从弱到强的局部化与温度降低的交叉。在交叉的绝缘侧上，电阻已被测量为温度、磁场和施加电压的函数，对于不同的电子浓度值，其通过施加栅极电压而变化。电阻的激活温度依赖性已被观察到与激活能接近的平均能量间距的电子状态内的本地化域。的电流-电压特性的非线性的研究提供了信息的关键跳管Q1 D导体在强本地化（SL）制度的电阻之间的距离。我们观察到指数强的负磁阻，这种轨道磁阻是由于在Q1 D导体的本地化长度的普遍磁场依赖性。提出了测量SL区单粒子态密度的方法。我们的数据表明，由于长程库仑相互作用，在费米能级上有一个最小的DoS。
1998-06-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Coulomb Effects and Electron Transport Through a Coherent Conductor
我们分析了在库仑相互作用存在下，电子输运通过相对较短的相干导体。我们考虑到外部环境的影响，这样的导体的电流-电压特性进行评估。在我们的模型中，在大电导和低$T$的电导被抑制的一个通用的因素，这只取决于类型的导体。我们还认为，在T=0的系统"散射体+分流“可以是绝缘体或金属取决于它的总电阻是大于或小于$R_Q=h/e^2\approx 25.8$ k $Ω$。在金属相中，库仑能隙被量子涨落完全抑制。
2001-05-07 cond-mat.mes-hall
Non-Ohmic variable-range hopping transport in one-dimensional conductors
本文从理论上研究了有限电场对一维无序系统变程跳跃区电阻率的影响。我们发现，在低场的运输是抑制罕见的波动，在随机分布的本地化的状态，创建高电阻的跳跃网络中的“突破”。随着电场的增加，断口的电阻变小。在强电场中，破缺被超越，电子分布函数被驱动远离平衡。电阻的对数最初显示出一个简单的指数下降与字段，其次是对数依赖性，最后，由平方根反比定律。
2005-10-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Charge Relaxation in the Presence of Shot Noise in Coulomb Coupled Mesoscopic Systems
在存在散粒噪声的情况下，介观导体上的电荷会发生波动。我们感兴趣的是，如果导体是在附近的一个门，它是由长程库仑力耦合的电荷波动。具体地说，我们考虑一个门耦合到霍尔条的边缘受到一个量子化磁场，其中包含一个量子点接触。栅极远离量子点接触。我们评估这种几何形状的电荷弛豫电阻。电荷弛豫电阻决定了引入栅极的电流波动和电势波动。如果只有一个边缘沟道，则电荷弛豫电阻仅由透射和反射概率确定，但是在存在许多沟道的情况下，所有边缘状态的状态密度确定该电阻。
1999-06-25 cond-mat.mes-hall
Superconductive proximity effect in interacting disordered conductors
基于最近发展的Keldysh作用量方法，我们提出了无序正常超导（N-S）结构中的邻近效应的一般理论。在正常导体中不存在相互作用的情况下，我们再现了界面电阻R_T与扩散电阻R_D之间任意关系下Andreev电导G_A的已知结果。在二维N-S系统中，正常导体Cooper沟道中的电子-电子相互作用强烈地影响G_A的值以及它对温度、电压和磁场的依赖性.特别地，在一定的参数R_D和R_T范围内，预测了G_A作为温度和/或磁场的函数的异常极大值。Keldysh作用量方法使得计算这种结构中电荷转移的完整统计成为可能。作为该方法的一个应用，我们计算了正常金属中任意Cooper排斥和任意R_D/R_T比值时N-S接触噪声功率随电压、温度、磁场和频率的变化。
2000-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Resistivity of inhomogeneous quantum wires
研究了非均匀量子线中电子-电子相互作用对输运的影响。我们表明，相反的著名的Luttinger液体的结果，非均匀的相互作用，大大有助于线的电阻。在弱相互作用的电子和适度低的温度下，我们发现一个线性的T电阻率引起的相互作用。然后，我们使用玻色化技术推广到任意强相互作用的情况下，这一结果。
2007-10-24 cond-mat.mes-hall
A Coherent RC Circuit
我们回顾了第一个相位相干量子导体中的动态输运实验。在我们的讨论中，我们强调使用的时间依赖性运输作为一种手段，深入了解电荷弛豫的介观尺度。为此，我们研究了一个量子导体模型，即量子RC电路的交流电导。在我们的实验工作之前，M。Büttiker，H. Thomas和A. Prêtre在20世纪90年代首次研究动态介观输运。他们预测，介观RC电路可以用与电容器中的态密度相关的量子电容和等于电阻量子h/2e^2的一半的恒定电荷弛豫电阻值来描述，当单模在电容和储存器之间传输时。通过施加微波激励的一个门位于一个相干的亚微米量子点，耦合到一个水库的顶部，我们验证了量子RC电路的交流电导的理论预测。我们的研究表明，交流电导是直接相关的电子在电容器中的停留时间。因此，我们观察到量子起源的一个违反直觉的行为：随着单传导模式的传输减少，量子RC电路的电阻保持恒定，而电容振荡。
2012-10-10 cond-mat.mes-hall
"Creeping conductance" in nonstationary granular systems and artificial arrays
我们考虑一个非稳态阵列的导体，连接的电阻随时间波动。一对特定导体之间的电荷转移被认为是由“电击穿”所主导的--当相应的电阻接近于零的时候。在特定击穿期间转移的电荷量由系统的静电能量的最小值条件控制。我们发现电导率，弛豫速率，和波动的“经典近似”，有效的，如果典型的转移电荷是大相比，$e$这样的系统。我们讨论了可能实现的胶体系统和阵列的聚合物连接颗粒的模型。
2015-09-29 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Manifestations of classical size effect and electronic viscosity in the magnetoresistance of narrow two-dimensional conductors: Theory and experiment
我们开发了一个经典的动力学理论的磁输运的二维电子在窄通道与部分扩散边界散射，并将其应用于描述的磁阻测量的温度区间4.2-30 K的长细观棒制作的高纯GaAs量子阱结构。实验和理论都证明了由于运输的高弹道性而引起的二维尺寸效应在纵向和霍尔电阻中的一些特征。除了前面描述的功能，我们还揭示了一个变化的斜率的一阶导数的磁阻时，回旋轨道直径等于一半的通道宽度。由于电子-电子相互作用引起的电子粘性，这些特征随着温度的升高而被抑制。通过理论与实验的比较，确定了电子-电子散射引起的电子角分布弛豫的特征时间。
2020-06-22 cond-mat.mes-hall
Zero differential resistance state of two dimensional electron systems in strong magnetic fields
在强磁场和低温条件下，对二维电子系统施加直流电，发现了零微分电阻态。到该状态的转变伴随着负微分电阻的急剧下降，其发生在直流电流的阈值$I_{th}$以上。状态很大程度上取决于温度，并且在几个开尔文以上是不可观察的。另外的分析表明，在$I>I_{th}$处的2D电子系统缺乏线性稳定性，并且在零微分电阻状态下电流的图案不均匀、不稳定。我们认为直流偏置引起的二维电子在能量空间中的重新分布是导致新电子态的主要机制。
2007-03-04 cond-mat.mes-hall
Transport in partially equilibrated inhomogeneous quantum wires
我们研究了弱相互作用一维电子系统的输运性质，包括由于三粒子碰撞和大尺度不均匀性的影响，在平等的基础上的热平衡。我们表明，在一个非均匀的量子线的平衡的特点是相互作用过程的竞争，减少电子的总动量和这样的改变的数量的右和左移动的电子。我们发现，相互作用和不均匀性的组合效应可以显着增加的电阻的线。此外，我们发现，相互作用强烈影响的热电性能的非均匀线，并计算其热导，热电势，和珀尔帖系数。
2010-09-08 cond-mat.mes-hall
Conduction of Ultracold Fermions Through a Mesoscopic Channel
在介观导体中，即使器件没有缺陷，也可以检测到电阻。我们设计并研究了一种介观导体的冷原子模拟物。它由一个狭窄的通道连接两个宏观的费米子库，可以从弹道转换到扩散。我们诱导电流通过通道，并找到欧姆传导，即使是弹道通道。原位密度分布的分析表明，在弹道的情况下，在通道的入口和出口处发生的化学势下降，揭示了接触电阻的存在。相反，具有无序的扩散通道显示在整个通道上扩散的化学势降。我们的方法开辟了通往量子模拟的介观器件与量子气体。
2012-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Anisotropic resistance with a 90-degree twist in a ferromagnetic Weyl semimetal, Co2MnGa
Co $_2$ MnGa是一种铁磁半金属，其Weyl节线由ARPES确定。我们研究了用聚焦离子束从单晶切割的薄Co $_2$ MnGa薄片（10 $\times$ 10 $\times$ 0.4-5微米）中的电输运。这些晶体表现出意想不到的和非常不寻常的平面电阻各向异性（$\sim$ 10倍），主轴在上下表面之间旋转90度。使用对称性参数和模拟，我们发现，所观察到的电阻各向异性类似于各向异性的表面状态，从杂交与体状态阻碍的各向同性导体。这些状态的起源等待进一步的实验，可以与观察到的90 $^\circ$扭曲的几何形状的表面带。
2022-12-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem
提出了铁磁金属向正常导体注入电自旋的理论。我们发现，隧道接触（T）可以显着增加自旋注入和解决的FM金属和半导体微结构的电导率失配的问题。我们还提出了明确的表达式的自旋阀电阻的FM-T-N-和FM-T-N-T-FM结与隧道接触的接口，并表明，电阻包括积极和消极的贡献（Kapitza电阻和注入电导率，分别）。
2000-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Lagrangian approach in spin-oscillations problem
构造了磁非均匀微导体中电子液体的拉格朗日量。求解了相应的欧拉-拉格朗日方程。结果表明，所描述的系统具有自旋极化和总电流振荡的本征模。建议的方法允许研究自旋动力学在一个开路，其中包含电容和/或电感。
2015-01-14 cond-mat.mes-hall
Scanned Probe Microscopy of Electronic Transport in Carbon Nanotubes
我们使用静电力显微镜和扫描门显微镜来探测碳纳米管在室温下的导电性能。多壁碳纳米管被证明是扩散导体，而金属单壁碳纳米管是超过微米长度的弹道导体。半导体单壁碳纳米管被证明有一系列的大障碍，沿其长度传导。这些测量也用于探测接触电阻和定位碳纳米管电路中的断裂。
2000-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of zero-field transverse resistance in AlO$_x$/SrTiO$_3$ interface devices
低温下AlO $_x$ /SrTiO $_3$（ALO/STO）界面器件中的畴壁在STO基异质结构的表面或界面处形成的二维载气的电输运中产生了一个新的特征：在零外部磁场下在霍尔条中观察到有限的横向电阻。该横向电阻取决于局部畴壁配置，因此随着温度、栅极电压、热循环和沿着样品的位置而变化，并且甚至可以作为这些参数的函数改变符号。在低于$\simeq$ 70 K时观察到横向电阻，但在低于$\simeq$ 40 K时显著地增长和变化，在该温度下畴壁变得越来越极性化。令人惊讶的是，与（001）取向的异质结构相比，（111）取向的异质结构的横向电阻要大得多。导电界面和施加到衬底的电极之间的电容的测量（其反映STO的介电常数）表明，当在[111]方向上施加电场时，这种差异可能与温度相关的介电常数随电场的更大变化有关。有限的横向电阻可以解释为不均匀的电流流动，由于优先传输的电流沿畴壁不与注入电流的标称方向共线。
2020-11-07 cond-mat.mes-hall
Warming in systems with discrete spectrum: spectral diffusion of two dimensional electrons in magnetic field
复杂物理系统中的变暖，特别是全球变暖，吸引了当代的重大兴趣。因此，了解导致过热的基本物理机制是至关重要的。众所周知，向导体施加电场会加热电荷载流子。电子温度的升高通常描述了加热的结果。本文论证了在具有离散电子谱的导体上施加电场，会产生一个不能用温度来描述的非平衡电子分布。这种电子分布极大地改变了磁场中高度移动的二维电子的电导率，迫使它们进入具有零微分电阻的状态。最重要的是，结果表明，在一般情况下，在系统中的有效过热与离散谱是显着强于系统中的连续和均匀分布的能级在相同的输入功率。
2008-07-03 cond-mat.mes-hall
Interaction effects in electric transport through self-assembled molecular monolayers
我们从理论上研究了分子间库仑相互作用对通过分子单层（或基于大量并联连接的纳米级导体的其他设备）传输的影响。由于相互作用，通过不同分子的电流成为相关的，导致在非线性电流-电压特性的不同功能，我们通过推导和求解一种修改的主方程，适合于描述通过无限数量的相互作用的导体的运输。此外，如果一些分子未能结合到两个电极上，则可以在高电压下诱导电荷陷阱并阻止通过相邻分子的传输，从而导致负微分电阻。
2013-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bounds and anomalies of inhomogeneous anomalous Hall effects
本文利用均匀化理论证明了非均匀导体中均匀化反常霍尔电导率的精确界限，并解释了实验中看似违反该界限的反常现象（如霍尔滞后曲线的凸起或凹陷）是由不同类型的非均匀性引起的。
2025-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Cryogenic Characteristics of Graphene Composites -- Evolution from Thermal Conductors to Thermal Insulators
低温半导体电子学和超导量子计算的发展需要既能提供导热又能提供隔热的复合材料。我们证明，在低温下，石墨烯复合材料的热导率可以高于和低于参考原始环氧树脂的热导率，这取决于石墨烯填料的负载和温度。存在一个定义明确的交叉温度-高于该温度，复合材料的热导率随着石墨烯的添加而增加;低于该温度，热导率随着石墨烯的添加而降低。这种违反直觉的趋势可以通过低温下热传导的特殊性来解释：石墨烯填料既可以作为基质材料中声子的散射中心，也可以作为热的管道。我们提供了一个物理模型，解释了实验趋势的热边界电阻在低温温度和异常的热渗流阈值，这变得依赖于温度的增加的影响。所获得的结果表明，使用石墨烯复合材料在低温下去除热量和隔热组件的可能性-这是量子计算和低温冷却传统电子产品的重要能力。
2023-02-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis, Characterization, and Finite Size Effects on Electrical Transport of Nanoribbons of the Charge-Density Wave Conductor NbSe3
NbSe_3具有显著的各向异性，是研究准一维电荷密度波（CDW）现象的模型系统。在这里，我们报告的合成，表征，和电传输的单晶NbSe 3纳米带通过一个简单的一步气相传输过程，涉及到铌箔基板上的硒粉末的运输。我们的研究有助于了解NbSe 3的CDW性质和材料的生长过程。他们还表明，NbSe 3纳米带具有增强的CDW性能相比，由于尺寸限制效应的体相，从而扩大了在纳米尺度上寻找新的介观现象。对电阻随温度变化的单纳米尺度测量表明，在59 K和141 K处存在电荷密度波跃迁。我们还证明了显着增强的脱钉效应和滑动制度主要归因于有限尺寸效应。
2011-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonequilibrium Mesoscopic Conductors Driven by Reservoirs
为了确定量子线（QWR）的非平衡稳态，必须将量子线与贮库连接起来，因为贮库应该是大的二维或三维系统，所以整个系统是一个大的非均匀的二维或三维系统，其中e-e相互作用在所有区域都具有相同的强度。然而，QWR中的大多数相互作用电子理论都考虑了简化的一维模型，其中没有储存库或用非相互作用的一维铅代替。我们首先从非平衡统计力学的角度讨论了这类理论的基本问题。然后，我们提出的配方是免费的，从这样的困难，并讨论发生了什么事在介观系统的非平衡稳态。特别是，我们指出的重要作用的能量校正和非机械力，这是由有限的电流引起的。
1999-11-22 chao-dyn cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Tomonaga-Luttinger physics in electronic quantum circuits
在一维导体中，相互作用导致相关的电子系统。在低能量下，所谓的Tomonaga-Luttinger液体（TLL）的标志性特征是在杂质存在下预测的通用电导曲线。一个看似不同的主题是电学的量子定律，当不同的量子导体组装在电路中时。特别地，电导在低能量下被抑制，这种现象称为动态库仑阻塞（DCB）。在这里，我们调查介观电路的电导构成的一个短的单通道量子导体串联电阻，并证明了TLL物理的建议链接。我们重新制定和实验建立一个最近派生的唯象表达式的电导使用广泛的电路，包括碳纳米管的数据在其他地方获得。通过面对电导数据和唯象表达式与通用的TLL曲线，我们证明实验预测DCB之间的映射和跨TLL与杂质的运输。
2013-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin imaging of Poiseuille flow of viscous electronic fluid
近年来，在制备高质量的低缺陷密度导体方面取得了进展，这引发了对粘性电子流体的研究，并激发了对电子输运流体动力学机制证据的探索。在这项工作中，我们提出了自旋成像技术，使我们能够证明电子流体动力学流动的出现。基于数值计算，我们证明了当粘性电子流体形成Poiffille流时，注入的电子自旋密度在通道上是不均匀的。我们还认为，在不同位置的汉勒曲线在整个通道获得相对相移的电子漂移速度在非均匀流体动力学流动的变化所造成的。研究结果可用于粘性电子流体的非侵入性研究。
2022-05-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Semiclassical approach to the ac-conductance of chaotic cavities
我们讨论了半经典极限下介观导体中频率相关的量子输运。通过将基于量子力学的半经典直流量子输运理论推广到交流情况，我们得到了混沌导体的平均屏蔽电导和交流弱局域化修正。因此，我们确认各自的随机矩阵的结果，并推广他们占Ehrfest的时间效应。我们考虑的情况下，一个腔连接通过许多导致一个宏观电路，其中包含交流源。除了储存器之外，腔体本身电容耦合到门。通过将隧道势垒之间的空腔和铅，我们得到的结果为任意隧道速率。最后，基于我们的研究结果，我们调查的影响失相的电荷弛豫电阻的介观电容器在线性低频制度。
2009-06-09 cond-mat.mes-hall nlin.CD quant-ph
