Broadening processes in GaAs delta-doped quantum wire superlattices
利用高磁场和低温下的量子Hall和Shubnikov de Haas实验，分析了δ掺杂二维量子阱超晶格和一维量子线超晶格中Landau能级的展宽过程.我们首先从两种超晶格在各种磁场组态下的Shubnikov de Haas曲线的阻尼因子和测量的电流来推断展宽的起源。然后，我们写出了量子霍尔效应中电阻率的一般公式，引入了与局域化过程相联系的失相因子。
2007-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Delta-doped \b{eta}-Ga2O3 thin films and \b{eta}-(Al0.26Ga0.74)2O3/\b{eta}-Ga2O3 heterostructures grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
我们报道了使用硅烷前体的金属有机气相外延生长的\b{eta} -Ga 2 O 3薄膜的硅δ掺杂。δ掺杂\b{eta} -Ga 2 O 3外延膜的特征在于使用电容-电压分布和二次离子质谱。测量了电子面电荷密度在2.9e12 cm-2至8 e12 cm-2范围内，半峰半宽在6.2 nm至3.5 nm范围内。我们还利用δ掺杂的\b{eta} -（Al0.26Ga0.74）2 O3/ \b{eta} -Ga 2 O3异质结证实了高密度（6.4e ~（12）cm ~（-2））的简并二维电子气，总电荷还可能包括\b{eta} -（Al0.26Ga0.74）2 O3合金势垒中平行沟道的贡献.
2020-03-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Magnetic field induced Coulomb blockade in small disordered delta-doped heterostructures
在低密度下，由于无序和屏蔽效应，δ掺杂异质结构中被限制在两个维度的电子可以将自己排列成自洽的液滴。我们用这个观察表明，在低温下，应该有电阻振荡在低密度的二维电子气作为门电压的函数，这是大大增强的磁场。这些振荡是小样品固有的，并在较大样品中在低温下让位于可变范围跳跃电阻率。我们把我们的分析的背景下，最近的实验中，类似的物理效应已经讨论了从维格纳晶体或电荷密度波图片的角度来看。
2007-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostrucutres
研究了InGaAs/GaAs：Mn结构上自旋极化光生载流子与Mn离子相互作用的动力学。载流子被限制在InGaAs量子阱中，Mn离子来自在靠近阱的GaAs势垒处生长的Mn δ层。尽管载流子和Mn离子在空间上是分离的，但它们之间的相互作用通过时间分辨的自旋极化光致发光测量来证明。使用具有相反圆偏振的预脉冲激光激发明显降低了观察到强磁相互作用的样品的量子阱发射的偏振度。结果表明，Mn离子作为一个自旋存储器，可以通过光生载流子的偏振进行光学控制。另一方面，自旋极化的Mn离子也影响随后产生的载流子的自旋极化，如通过它们的自旋弛豫时间所观察到的。这些效应随着脉冲之间的时间延迟的增加以及温度的增加而逐渐消失。
2016-04-17 cond-mat.mes-hall
Configuration interaction in delta-doped heterostructures
我们分析了位于$δ$ -层中的杂质态与位于距离$δ$ -层几纳米处的量子阱（QW）中的二维离域态之间的隧道耦合。用Anderson-Fano模型将问题描述为杂质处载流子束缚态与量子阱中离域态连续谱之间的组态相互作用。分析了这种相互作用对量子阱带间光跃迁的影响。讨论了在GaAs结构上加$δ$ -Mn层的一系列实验结果。
2012-10-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Fractionally delta-doped oxide superlattices for higher carrier mobilities
氧化物异质结构中的二维电子气系统是新现象的重要场所。在这里，我们表明，通过使用分数δ掺杂来控制界面的LaxSr 1-xTiO 3/SrTiO 3人工氧化物超晶格的组成，填充控制的二维绝缘体-金属转变可以实现。d-电子带填充的原子尺度控制，这反过来又有助于调整的有效质量和密度的载流子，被发现是一个迷人的路线，大大提高载流子迁移率。
2012-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin polarization in modulation-doped GaAs quantum wires
我们研究了分裂门量子线中的自旋极化，重点是由于远程施主的现实光滑势的影响。电子相互作用和自旋效应被包含在局域自旋密度近似的密度泛函理论中。我们发现，依赖于电子密度，自旋极化表现出质的不同的功能。对于相对高的电子密度的情况，当费米能$E_{F}$超过长程杂质势$V_{donors}$的特征强度时，线内的密度自旋极化实际上可以忽略，并且线电导是自旋简并的。当密度降低使得$E_{F}$接近$V_{donors}$时，电子密度和电导迅速变为自旋极化的。随着密度的进一步降低，电子被捕获在由杂质电势形成的湖（液滴）内，并且导线电导接近夹断状态。我们讨论了DFT-LSDA在这个政权的局限性，并比较所获得的结果与现有的实验数据。
2007-12-17 cond-mat.mes-hall
Optimized minigaps for negative differential resistance creation in strongly delta-doped (1D) superlattices
“原子锯法”利用二维（2D）量子阱超晶格中的位错通道来创建周期性滑移层和一维（1D）量子线超晶格。这种空间结构的样品上的允许的能量的影响进行了分析的情况下，GaAs d掺杂超晶格。如果它们足够大，则出现在1D能带结构中的各种微型间隙可能是这些系统中存在具有高临界电流的负微分电阻（NDR）的原因。其目的是确定在样品参数方面的微型间隙的演变，并获得确定NDR可能出现的2D和1D结构特征的方法。
2007-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Protected helical transport in magnetically doped quantum wires: Beyond the one-dimensional paradigm
一维（1D）量子线，这是功能化的磁性原子，可以主机弹道螺旋输运。螺旋性保护传输免受材料缺陷的不良影响，并且它使磁性掺杂的线成为用于纳米电子学和自旋电子学的非常有前途的元件。然而，制造纯1D导体在实验上非常具有挑战性，并且并不总是可行的。在本文中，我们表明，保护螺旋输运甚至可以存在于准一维线。我们将准一维磁掺杂线模型化为两个耦合的致密一维近藤链。每条链都由巡游电子和局域量子磁矩--近藤杂质--相互作用组成。我们分析了弱，中间和强链间耦合的制度，我们发现了上述保护运输的起源所必需的条件。我们的结果可能为实验实现磁掺杂线中的螺旋态铺平道路。
2020-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Quantum conductance of silicon-doped carbon wire nanojunctions
研究了碳导线与硅掺杂碳导线之间的纳米结的量子电导。这是通过适当的推广相场匹配理论的多散射过程中的电子激发在纳米结，并使用紧束缚方法。我们计算的碳，硅和双原子碳化硅的电子能带结构，匹配与可用的相应的密度泛函理论的结果，以优化所需的紧束缚参数。硅原子和碳原子被同等对待，用它们各自对应的轨道来表征。分析了几种类型的纳米结，以在不同的原子配置下对其行为进行采样。我们计算每个纳米结的传播$σ$，$π$，和$σ^{*}$电子从碳引线入射的量子电导的个人贡献。计算结果显示了一些显着的功能，其中包括硅-碳对的有序周期性配置的影响，和抑制的量子电导由于最小的替代无序和人工组织的对称性对这些纳米结。我们的结果也表明，相位场匹配理论是一个有效的工具，处理复杂的分子纳米结的量子电导。
2015-01-30 cond-mat.mes-hall
Coherent transport in Nb/delta-doped-GaAs hybrid microstructures
本文研究了Nb/GaAs超导-半导体微结构中的相干输运。该结构的制造过程是基于三角洲掺杂层的GaAs表面附近的分子束外延生长，然后由作为帽层，以保护在非原位转移过程中的有源半导体层。然后在保护层的热脱附之后原位溅射沉积超导体。将特别讨论两种类型的结构，即，一个参考结和一个包含在半导体生长过程中插入的附加绝缘AlGaAs势垒的工程结。后一种配置可能会产生受控干扰效应，并实现de Gennes和Saint-James在1963年提出的模型。虽然这两种结构都显示无反射隧穿为主的运输，只有工程结显示另外一个低温单一的显着的共振峰叠加到特征Andreev为主的subgap电导。在这两种微结构中的相干磁输运的分析成功地进行Andreev运输和弹道效应的随机矩阵理论内，包括通过直接求解Bogoliubov-de Gennes方程。结形态的影响，无反射隧穿和应用所采用的制造技术实现复杂的超导体超导系统进行了讨论。
2003-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Transport in Selectively Magnetically Doped Topological Insulator Wires
我们研究了拓扑绝缘体纳米线的电子和输运性质，包括其表面的选择性磁性掺杂。我们使用一个模型，这是适当的描述材料，如Bi $_2$ Se $_3$内的k.p近似，并考虑纳米线的矩形几何形状。在这个模型中，（111）表面的磁性掺杂诱导了塞曼场，塞曼场在狄拉克锥处打开了与表面态相对应的间隙。为了获得在两个终端配置的输运性质，我们使用递归格林函数方法的紧束缚模型的基础上，这是通过离散原始的连续模型。对于两个相对的纳米线（111）表面的均匀磁化的情况，我们表明电导可以从$e^2/h$的量化值（当磁化相等时）切换到非常小的值（当它们相反时）。我们还分析了非均匀磁化的情况下，在两个相对的表面上的塞曼场改变符号在中间的线。对于这种情况下，我们发现，通过共振隧穿通过手性状态绑定在中间的线的传导是可能的。谐振能级位置可以通过施加穿过纳米线截面的Aharonov-Bohm通量来调谐。
2015-10-01 cond-mat.mes-hall
GaAs delta-doped quantum wire superlattice characterization by quantum Hall effect and Shubnikov de Haas oscillations
通过量子阱超晶格（2D）中的受控位错滑移（原子锯方法）实现的量子线超晶格（1D）已经显示出磁声子振荡。这种效应已被用来研究这种系统的电子性质，并证明了量子特性的物理性质的线。通过冷却温度和使用高达35 T的脉冲磁场，我们观察到了量子霍尔效应（QHE）和Shubnikov de Haas（SdH）振荡的各种配置的磁场。由基场值导出的有效质量与由磁声子效应得到的有效质量是一致的。场的旋转会引起共振频率的变化，这是由于质量张量的改变，就像在（3D）电子气中一样。从QHE的观点来看，rho_yz中的平台相对于rho_zz最小值是退相的，这似乎与加宽的朗道能级的态密度最小值的退相有关。
2007-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Tuning of structure inversion asymmetry by the $δ$-doping position in (001)-grown GaAs quantum wells
利用磁场诱导的光电流效应研究了掺杂GaAs（001）量子阱的结构和体反转不对称性。我们表明，结构反转不对称性（SIA）可以定制的变化的δ掺杂层的位置。对称掺杂的结构由于在生长过程中的杂质偏析而表现出显著的SIA。调整SIA的δ掺杂位置，我们生长的样品几乎相等程度的结构和体反转不对称。
2009-03-06 cond-mat.mes-hall
Accelerated Lifetime Testing and Analysis of Delta-doped Silicon Test Structures
随着晶体管功能缩小到2 nm节点以上，研究和设计原子尺度效应变得至关重要。能够将传统CMOS与能够以原子精度创建高度掺杂磷层的2D图案的新原子级制造路线相结合，对数字电子的未来具有影响。这项工作建立了这种掺杂层的加速寿命测试，表明这些材料在高电流（>3.0 MA/cm 2）和300 $^{\circ}$ C下存活超过70天，并且仍然是导电的。掺杂层与传统金属层（如铝和铜）中的失效相比很好，在传统金属层中，在这些温度和电流密度下的平均失效时间将在数小时内发生。它还确定了这些材料比金属特征更稳定，为它们与操作CMOS的集成铺平了道路。
2022-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Bandgap renormalization of modulation doped quantum wires
我们测量了调制掺杂的T形量子线阵列的光致发光谱，它是用表面门调制的一维密度n_e的函数。我们提出了自洽的电子结构计算这种设备，它显示了带隙重整化，当校正激子能量和屏蔽，在很大程度上是不敏感的n_e，这是在定量极好的协议与数据。计算（cf。cond-mat/9908349）示出了包括屏蔽电子和与空穴结合的电子之间的正交性的重要性。计算表明，电子和空穴在3 x 10^6 cm^-1的范围内仍然保持束缚状态，因此激子的稳定性远远超过保守的莫特判据。
1999-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Infinite chain of N different deltas: a simple model for a Quantum Wire
本文给出了对应于具有N个不同耦合的周期势的薛定谔算子的精确对角化。这个基本结构可以无限次重复。对于无限长链和无规链的情况，可以高精度地计算能带结构和相应的本征能级。主要的物理动机是模拟量子线的能带结构和计算相关的态密度。这些量显示了我们所期望的周期性结构的基本特性，尽管对于低能量，带隙遵循不可预测的模式。在随机链的情况下，我们发现安德森局域化，我们还分析了本征态的本地化模式中的作用，并找到清晰的信号的分形电导。尽管这个模型很简单，但它很好地再现了量子线中预期的许多显著特征。
2002-06-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Tunneling into quantum wires: regularization of the tunneling Hamiltonian and consistency between free and bosonized fermions
点接触和一维导线之间的隧穿通常借助于包含位置空间中的δ函数的隧穿哈密顿量来描述。而领先的顺序的隧道电流的贡献是独立的方式，该δ函数是正规化，高阶校正相对于隧道振幅是已知的依赖于正规化。代替正则化隧道哈密顿量中的δ函数，人们也可以通过调用一维导体中电子的场论描述中的紫外截止来获得有限的隧道电流，这是文献中经常使用的方法。对于后者的情况下，我们表明，标准的紫外截止导致不同的结果，隧道电流的费米和玻色子化配方的理论，当超越领先的顺序在隧穿振幅。我们展示了如何使用泛函玻色子化的形式来恢复标准的费米子结果，并在相互作用的情况下重新审视隧道电流的领先顺序。
2016-06-10 cond-mat.mes-hall
Deterministic coupling of delta-doped NV centers to a nanobeam photonic crystal cavity
金刚石中带负电荷的氮空位中心（NV）作为固态量子信息处理和传感的平台引起了人们极大的兴趣。对于大多数应用，需要高质量的光学腔来增强NV零声子线（ZPL）发射。最大化NV-腔耦合程度的一个突出挑战是在腔内确定性地放置NV。在这里，我们报告的光子晶体纳米梁腔耦合到通过三角掺杂技术，允许纳米级的垂直定位的发射器的NV纳入。我们证明了腔Q高达~24,000和模式体积V ~ $0.47(λ/n)^{3}$以及共振增强的零PL的NV合奏与珀塞尔因子为~20。我们的制造技术提供了第一步确定性NV腔耦合使用空间控制的发射器。
2014-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Observation of large many-body Coulomb interaction effects in a doped quantum wire
我们展示了强大的一维（1-D）多体相互作用的光致发光（PL）在GaAs单量子线的前所未有的光学质量，其中1-D电子等离子体密度通过电门控。我们观察到的1-D带电激子的PL与大的结合能为2.3毫电子伏相对于中性激子，和它的演化到费米边奇点在高电子密度。此外，我们发现一个强的带隙重整化的1-D线，或一个大的红移的PL与增加的电子等离子体密度。当我们在同一根导线中产生高密度中性电子空穴等离子体时，没有观察到如此大的PL红移，这可能是由于中性等离子体中库仑相互作用能的抵消。
2002-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Conductance in a periodically doped quantum wire
本文对含少量杂质的介观波导带的电导作了简要的评述。使用绿色功能方法，允许处理具有低数量杂质的系统，而不仅仅是完全清洁的情况。研究含有Dirac-delta电位的导线（模拟杂质），我们发现杂质数量的增加会导致电导结构的转变。清洁系统的阶梯状结构消失，并且包含有限数量周期性定位的杂质的系统的电导将由以下的能带结构确定：
1997-10-24 chao-dyn cond-mat.mes-hall nlin.CD
The effect of split gate size on the electrostatic potential and 0.7 anomaly within one-dimensional quantum wires on a modulation doped GaAs/AlGaAs heterostructure
我们研究了95个不同大小的分裂门在一个单一的芯片上使用多路复用技术。每个分裂栅在调制掺杂的GaAs/AlGaAs异质结构上限定一维沟道，通过该沟道电导被量化。表现出良好量化的器件的产量随着分裂门长度的增加而迅速下降。然而，对于示出良好量化的器件的子集，在一维沟道的静电长度（使用鞍点模型估计）与栅极长度之间不存在相关性。相同栅极长度的器件的静电长度和一维子带间距的变化超过了不同长度的器件之间的平均值的变化。在传输方向上的势垒曲率和“0.7异常”的强度之间存在明显的相关性：0.7异常的电导值随着势垒曲率变浅而减小。这些结果突出了静电环境在一维系统中的关键作用。即使在具有干净的电导平台的器件中，背景电势的随机波动在确定有源器件区域中的电势景观中也是至关重要的，使得名义上相同的栅极结构具有不同的特性。
2015-11-07 cond-mat.mes-hall
Tunneling of interacting fermions in 1D systems
利用自洽的Hartree-Fock近似，研究了零温下无自旋电子在有限一维导线中通过单个δ势垒的隧穿过程.我们的研究结果表现出已知的相关多体模型的功能。特别地，电导随导线长度衰减为$\propto L^{-2α}$，其中功率$α$是通用的。我们还表明，类似的结果，导线电导可以提取的持续电流（I）通过δ势垒在一维环，其中它是已知的I \propto L^{-1-α}$。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Transport in Magnetically Doped One-Dimensional Wires: Can the Helical Protection Emerge without the Global Helicity?
我们研究了磁性吸附原子功能化的任意掺杂量子线的相图和输运性质。这些系统的理论模型是一个稠密的一维近藤晶格（KL），它由巡回电子与局域量子磁矩相互作用。我们发现了新的相位的局部螺旋金属的运输是保护从材料缺陷的破坏性影响。巧合的是，这样的保护出现，而不需要整体螺旋度，这是固有的在所有以前研究的螺旋系统，并需要打破自旋旋转对称性。我们解释这种保护的新类型的物理，找到条件下，它出现，并讨论可能的实验测试。我们的结果为直接实现各种材料量子线中的受保护弹道输运铺平了道路。
2019-11-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Direct momentum-resolved observation of one-dimensional confinement of externally doped electrons within a single subnanometre-scale wire
在纳米线的能带工程中，在最终精细尺度上的前沿研究与基于纳米线的器件的最小尺度有关。在亚纳米尺度的基本问题是角分辨光电子能谱（ARPES）是否可以用来直接测量的动量分辨的电子结构的单根导线，因为与组装成一个有序的阵列，这样的测量单根导线的困难。在这里，我们证明了一维（1D）的电子，这是从外部掺杂剂转移，在一个单一的亚纳米尺度线（subnanowires）可以直接测量使用ARPES。使用两种不同的金亚纳米线获得了1D电子约束的令人信服的证据，这些亚纳米线具有在阶梯硅模板Si（553）上交替和自发有序的特征性单个金属带。贵金属原子在室温下吸附到金亚纳米线上，同时保持线的整体结构。只有一种类型的金亚纳米线可以控制使用外部贵金属掺杂剂，而不改变其他类型的金亚纳米线的金属带。这一结果得到了扫描隧道显微镜实验和第一性原理计算的证实。选择性控制清楚地表明，外部掺杂的电子可以被限制在一个单一的金亚纳米线。这一实验证据被用来进一步研究的影响，由外部掺杂剂诱导的单亚纳米线上使用ARPES的无序。
2015-01-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High-frequency hopping conductivity in the quantum Hall effect regime: Acoustical studies
用声学方法研究了Si δ掺杂GaAs/AlGaAs异质结构在整数量子霍尔效应（QHE）下的高频电导率。复电导率的实部和虚部都是由实验观察到的表面声波的速度和衰减的磁场和温度依赖性确定的。结果表明，在所研究的结构中，QHE平台中心附近的低温电导机制是跳跃的。还示出了在对应于填充因子2和4的磁场处，掺杂的Si δ层有效地分流了二维电子气（2DEG）沟道中的电导。一种方法来分离的两个贡献的电导率的实部的开发，并在2DEG通道的本地化长度估计。
2000-03-07 cond-mat.mes-hall
Exploring Level Statistics from Quantum Chaos to Localization with the Autocorrelation Function of Spectral Determinants
利用谱行列式自相关函数（ASD）描述了有限弱磁场中相位相干准一维无序导线的离散谱随导线长度L的变化。得到的解析函数仅依赖于无量纲电导g= xi/L，其中xi是本地化长度，缩放频率x= ω/Delta，其中Delta是导线的平均水平间距，和系统的全局对称性。观察到金属-绝缘体交叉，表明在无序平均ASD中包含关于局部化的信息。
1998-06-30 cond-mat.mes-hall
Momentum-space imaging of ultra-thin electron liquids in delta-doped silicon
该研究利用软X射线角分辨光电子能谱对硅中埋层δ掺杂二维电子液体进行动量空间成像，直接表征其极薄、高密度导带限制，并证明砷δ层优于磷δ层。
2023-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Delta Doping of Ferromagnetism in Antiferromagnetic Manganite Superlattices
我们证明，三角洲掺杂可以用来创建一个尺寸限制区域的金属铁磁性的反铁磁（AF）锰氧化物主机，而不会引入任何明确的混乱，由于掺杂剂或挫折的自旋。用数字合成技术将δ掺杂载流子插入到锰氧化物超晶格中。这些额外的载流子的理论考虑表明，它们导致局部增强铁磁（F）双交换相对于AF超交换，导致局部倾斜的AF自旋。这导致了高度调制的磁化，如通过极化中子反射计测量的。倾斜的空间调制与电荷从掺杂层的扩散有关，并且建立了这些锰氧化物中的电荷转移、轨道占据和磁序的变换的基本长度尺度。此外，我们证实了存在的倾斜，AF状态的预测由德Gennes [P.- G. de Gennes，Phys. Rev. 118，141（1960）]，但仍然难以捉摸。
2011-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunneling of interacting one-dimensional electrons through a single scatterer: Luttinger liquid behavior in the Hartree-Fock model
本文研究了零温度下弱相互作用无自旋电子在一维有限长线和环中通过单个δ势垒的隧穿。我们的数值计算是基于自洽的Hartree-Fock近似，然而，我们的结果表现出已知的相关多体模型的功能。特别地，在费米能级处长度为L的导线中的传输与$L^{-2α}$和普适幂$α$成比例（仅取决于电子-电子相互作用，而不取决于δ势垒的强度）。类似地，周长为$L$的环中的持续电流遵循从Luttinger液体和哈伯德模型已知的规则$I\propto L^{-1-α}$。结果表明，在磁通量h/4 e处，金属丝中费米能级的传输与环中的持续电流有关。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Regimes of electronic transport in doped InAs nanowire
本文利用SGM技术研究Si掺杂InAs量子线的低温磁输运，通过背栅电压调节载流子浓度，实现了从库仑阻塞到扩散等多种输运机制的转变，并揭示了SGM图案与普适电导涨落的关系及分形行为。
2023-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Suppression of mid-infrared plasma resonance due to quantum confinement in delta-doped silicon
本文建立考虑强电荷密度限制、能谷简并及各向异性的 P:δ 层模型，解释其中红外等离子体共振缺失机制，并指出扩散恢复共振的原因。
2023-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Effective contact model for transport through weakly-doped graphene
最近的研究解决了通过耦合到掺杂石墨引线的弹道电荷中性石墨烯条的传输。本文表明，相同的输运性质时，出现的铅被量子线取代。石墨和金属引线之间的这种二元性起源于选择具有接近K点的横向动量的模式，并且可以扩展到广泛的一类接触模型。其中，我们确定了一个简单，有效的接触模型，它提供了一个有效的工具来研究通过扩展的弱掺杂石墨系统的输运。
2007-07-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
