Defect-related photoluminescence of hexagonal boron nitride
用时间分辨和能量分辨光谱方法测量了多晶六方氮化硼（hBN）的光致发光。所观察到的带与DAP跃迁、杂质和结构缺陷有关。高于5.4 eV的高能光子激发样品，使光致发光（PSL）的现象，这是由于远距离捕获CB电子和VB空穴。这些被俘获的电荷是亚稳态的，并且它们与低能量光子的再激发导致反斯托克斯光致发光。光致发光激发光谱和PSL激发光谱的比较允许带分析，支持在hBN中具有大的结合能的类Frenkel激子的假设。
2008-10-22 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Impact of ALD-Deposited Ultrathin Nitride Layers on Carrier Lifetimes and Photoluminescence Efficiency in CdTe/MgCdTe Double Heterostructures
本研究评估ALD沉积的SiNx、AlN、TiN超薄氮化物层对CdTe/MgCdTe双异质结构的钝化效果，证实其可提升载流子寿命、减少表面复合，指出SiNx是提升CdTe太阳能电池效率的潜在钝化材料。
2024-08-20 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Photoluminescence properties of pyrolytic boron nitride
采用时间分辨和能量分辨的光致发光方法对热解六方氮化硼（pBN）进行了光谱研究.高纯度的pBN样品（尽管结晶度低）允许关于发光过程中涉及的激发态的互补信息。我们肯定了我们最近的结论，在微晶hBN的大部分荧光带的杂质相关的性质。此外，一个宽带中心在3.7 eV以前没有考虑，因为它的叠加与强烈的结构化杂质发射是由于深DAP的辐射复合。
2009-04-20 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Nitridation of InP(1 0 0) surface studied by synchrotron radiation
用同步辐射光电子能谱研究了InP（100）表面的氮化。对样品进行化学清洗，然后进行离子轰击，这清洁了表面，也诱导了金属铟液滴的形成。利用辉光放电单元（GDS）的氮化通过与这些铟簇反应产生氮化铟。我们使用In 4d和P 2 p核心水平来监测表面的化学状态和存在的物种的覆盖率。我们观察到In-N键和P-N键的产生，而In-In金属键的减少，证实了铟团簇与氮物种之间的反应。基于堆叠层的理论模型允许我们断言，几乎两个单层的氮化铟产生。还分析了在450 $^\circ$ C下退火对氮化层的影响。似乎该系统在该温度下是稳定的，该温度远高于清洁InP（1 0 0）的全等蒸发温度（370 $^\circ$ C）：没有检测到由于衬底分解而导致的金属铟键的增加，如先前的工作[L.比德湖乌尔德-梅蒂吉湾Gruzza，V. Matolin，Surf.接口分析34（2002）712]研究InP（100）表面。
2009-01-30 cond-mat.mtrl-sci
Photoluminescence from Single-Walled MoS$_2$ Nanotubes Coaxially Grown on Boron Nitride Nanotubes
通过去除单壁碳纳米管（SWCNTs）制备了小直径氮化硼纳米管（BNNTs），在BNNTs上同轴生长了单壁和多壁二硫化钼（MoS $_2$）纳米管，并对其进行了光谱学研究。在BNNT支撑的单壁MoS $_2$纳米管中观察到了很强的光致发光（PL），证实了直径约为6 - 7 nm的单壁MoS $_2$纳米管具有直接带隙结构.这一结果与我们的DFT结果一致：当纳米管直径大于5 nm时，单壁MoS $_2$纳米管由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体。另一方面，当在BNNT和MoS $_2$纳米管的异质纳米管内部存在SWCNT时，PL信号被显著淬灭。通过PL、XPS和Raman光谱表征了单壁碳纳米管与单壁MoS $_2$纳米管之间的电荷转移和能量转移。与单壁MoS $_2$纳米管不同，多壁MoS $_2$纳米管不发光。单壁和多壁MoS $_2$纳米管在共振和非共振拉曼光谱中表现出不同的拉曼特征。以BNNT为模板组装异质纳米管的方法为探索其他过渡金属二硫属化物纳米管的电学和光学性质提供了一种有效的途径。
2020-12-18 cond-mat.mtrl-sci
Phonon-Assisted Photoluminescence and Exciton Recombination in Monolayer Aluminum Nitride
该研究证明单层六方AlN在3.94–4.05 eV紫外范围具有强光致发光，并揭示其间接带隙发射由有限晶格动量声子辅助电子-空穴从Γ点到K点复合实现，为高效紫外光源和光电器件开发提供基础。
2024-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Group-III assisted catalyst-free growth of InGaAs nanowires and the formation of quantum dots
研究了以铟掺入量最大化为目标，用第三族辅助分子束外延生长方法生长GaAs和InGaAs纳米线的温度依赖性。在低至550°C的生长温度下实现了纳米线生长。用低温显微荧光光谱、拉曼光谱和电子能量损失谱研究了铟的掺入。结果表明，降低生长温度的铟的掺入对增加纳米线本体中的铟浓度没有影响，其被限制在3- 5%。对于低于575°C的生长温度，作为径向生长的结果，在纳米线的表面处形成富铟区域。这导致量子点的形成，其表现出非常尖锐的发光。
2010-11-23 cond-mat.mtrl-sci
Revealing multiple classes of stable quantum emitters in hexagonal boron nitride with correlated cathodoluminescence, photoluminescence, and strain mapping
固体中的单光子发射体（SPE）已经成为量子光子传感、通信和计算的有希望的候选者。六方氮化硼（hBN）中的缺陷表现出高亮度，室温量子发射，但其大的光谱可变性和未知的局部结构显着挑战其技术实用性。在这里，我们直接关联hBN量子发射与材料的局部应变使用光致发光（PL），阴极发光（CL）和纳米束电子衍射的组合。在40个发光体和15个样品中，我们观察到PL和CL中的零声子线（ZPL），范围从540-720 nm。CL映射揭示了位于光学衍射限制区域内的多个缺陷和不同的缺陷物种可以各自对所观察到的PL光谱做出贡献。局部应变图表明，应变是不需要激活发射器，并不是唯一负责观察到的ZPL光谱范围。相反，四个不同的缺陷类负责观察到的发射范围。一个缺陷类具有接近615 nm的ZPL，具有主要匹配的CL-PL响应;它不是另一个缺陷类的应变调谐版本，ZPL发射中心在580 nm。在650 nm处的第三种缺陷具有低可见频率CL发射;并且以705 nm为中心的第四种缺陷种类在其CL和PL峰之间具有小的~10 nm的位移。所有研究的缺陷都是稳定的电子和光学照射。我们的研究结果提供了一个重要的基础，原子尺度的光学表征色心，以及工程缺陷与精确的发射性能的基础。
2019-07-02 cond-mat.mtrl-sci
Impact of interfaces on photoluminescence efficiency of high indium content InGaN quantum wells
已知InGaN基发光二极管（LED）由于高压电场而遭受低电子和空穴波函数重叠。交错InGaN量子阱（QW）已经被提出来增加波函数重叠并提高LED的效率，特别是对于长波长发射器。在这项工作中，我们的证据表明，交错量子阱的增长也有另一个有益的效果，因为它可以减少形成的缺陷，负责非辐射肖克利-读取-霍尔复合，在底部界面的量子阱。交错的QW包括在势垒和QW之间的中间In含量的InGaN层。我们表明，插入这样的层的结果在一个显着增加的发光强度，即使计算的波函数重叠下降。我们研究了这种中间In含量层的厚度对光致发光（PL）强度行为的依赖性。交错QW表现出增加的阴极发光（CL）均匀性，这是较低密度缺陷的指纹，与在QW发射映射中观察到高密度暗点的标准QW相反。标准量子阱的透射电子显微镜显示形成的基面堆垛层错（BSFs）和空隙，可能是由于空位聚集。在交错量子阱中In含量的逐步增加防止了点缺陷的形成，并导致发光效率的增加。因此，在势垒和阱之间的In组分差异是控制在高In含量QW中形成点缺陷的关键参数，影响发光效率。
2022-06-21 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Identification of the Nitrogen Interstitial as Origin of the 3.1 eV Photoluminescence Band in Hexagonal Boron Nitride
在n型和富氮条件下，氮杂质（N $_\mathrm{i}$）在六方氮化硼（hBN）的本征缺陷中具有最低的形成能。使用优化的混合泛函，它再现了间隙，并满足广义Koopmans条件，一个N $_\mathrm{i}$配置被发现，这是在能量低于迄今为止报道的。（0/-）电荷跃迁能级也深得多，因此N $_\mathrm{i}$在n型样本中充当非常有效的补偿中心。其计算的光致发光（PL）在3.0 eV同意以及与在3.1 eV测量的N-敏感带的位置。还发现氮空位（V $_\mathrm{N}$）不可能是三硼电子（TBC）电子顺磁共振（EPR）中心的起源，并且在热平衡中它甚至不可能存在于n型样品中。
2021-01-24 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Excited State Spectroscopy of Boron Vacancy Defects in Hexagonal Boron Nitride using Time-Resolved Optically Detected Magnetic Resonance
我们报告的光学检测磁共振（ODMR）测量的自旋-1负电荷的硼空位在六方氮化硼系综。光致发光的衰减速率是自旋相关的，与系统间的交叉率的$1.02~\mathrm{ns^{-1}}$和$2.03~\mathrm{ns^{-1}}$的$m_s=0$和$m_s=\pm 1$状态，分别。时间选通的光致发光增强了ODMR的对比度，通过区分不同的衰减率。这对于检测光激发态的自旋特别有效，其中测量$\vert D_{ES}\vert=2.09~\mathrm{GHz}$的零场分裂。时间门控光致发光的磁场依赖性表现出对应于基态（GSLAC）和激发态（ESLA C）反交叉的下降。还观察到对应于与附近自旋1/2寄生杂质的反交叉的额外下降。ESLAC倾角对外部磁场的角度敏感。与模型的比较表明，反交叉介导的核自旋的相互作用，并允许从单线态回到三重基态的$κ_0/κ_1=0.34$的自旋依赖的弛豫速率的比率的估计。这项工作提供了重要的光谱签名的硼空位，和信息的自旋泵和读出动力学。
2021-11-23 cond-mat.mtrl-sci
Revealing Polytypism in 2D Boron Nitride with UV Photoluminescence
本文通过紫外光致发光揭示二维氮化硼的多型性，利用MOVPE生长样品，识别出hBN和rBN的不同零声子线，并证明缺陷可作为多型体指示器，为范德华异质结构应用铺路。
2024-05-29 cond-mat.mtrl-sci
Photoluminescence and photochemistry of the $V_B^-$ defect in hexagonal boron nitride
计算了六方氮化硼中$V_B^-$缺陷的广泛的光化学和光谱性质，得出的结论是，与最近观察到的光学检测到的磁共振相关的观察到的光电发射最有可能是（1）3E”到（1）3A 2 '起源。从缺陷的三重态到单重态流形的快速系统间穿越解释了观察到的短激发态寿命和非常低的量子产率。新的实验结果揭示了更小的固有光谱带宽比以前认识到的，解释在由Jahn-Teller效应引起的光谱窄化和零声子线移位。不同类型的计算方法被应用到映射出复杂的三重态和单重态缺陷流形，包括双电离的运动方程耦合簇理论，旨在处理缺陷态的开壳层性质，以及混合量子力学/分子力学方案，使5763原子模拟。其他两个积极可行的光谱分配之间的单重态和三重态流形被认为是，但排除了基于不适当的光化学性质。
2020-06-30 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
First stages of the InP(1 0 0) surfaces nitridation studied by AES, EELS and EPES
III族金属氮化物AlN、GAN和InN由于其在短波长光电子学（发光二极管和激光二极管）中的应用而成为非常重要的材料。生长高质量的氮化物单晶是实现这种新型器件的关键。在本文中，我们报告的第一阶段的InP（1 0 0）表面氮化，以生长高品质的氮化物薄膜。实际上，氮化过程是氮化物生长中的重要步骤[J. Vac. Sci. A 17（1999）2194; Phys. Status Solidi A 176（1999）595]。以前的作品[Synth. Met. 90（1997）2233; Appl.Phys.Lett. 63（1993）1957]已经表明，原位Ar+离子轰击一方面可用于清洁表面，另一方面可用于产生良好控制量的金属铟液滴。然后，通过弹性峰值电子能谱（EPES）和俄歇电子能谱（AES）监测的表面的铟金属富集允许将III-V族半导体表面制备到氮化步骤。氮化过程已进行了高压等离子体放电单元，并已研究使用定量俄歇电子能谱，弹性峰电子能谱和电子能量损失谱（EELS），以优化InN层形成的条件。
2009-01-30 cond-mat.mtrl-sci
Single- and narrow-line photoluminescence in a boron nitride-supported MoSe$_2$/graphene heterostructure
由范德华材料制成的异质结构提供了一个模板，以研究原子级尖锐的异质界面的邻近效应。特别是，近场电荷和能量转移的异质结构由半导体过渡金属二硫属化物（TMD）已吸引了兴趣，设计模型的2D“施主-受主”系统和新的光电元件。在这里，使用拉曼散射和光致发光光谱，我们报告了一个全面的表征的二硒化钼（MoSe $_2$）单层沉积到六方氮化硼（hBN）和覆盖的单层和双层石墨烯。与原子级平坦的hBN衬底一起，单个石墨烯外延层足以钝化MoSe $_2$层并提供均匀的环境，而不需要额外的覆盖层。结果，我们没有观察到光诱导掺杂在我们的异质结构和MoSe $_2$激子线宽得到窄至1.6 meV，因此接近均匀的极限。半金属石墨烯层中和2D半导体，并实现皮秒非辐射能量转移，其猝灭来自长寿命状态的辐射复合。因此，来自中性带边激子的发射在很大程度上主导MoSe $_2$ /石墨烯异质结构的光致发光光谱。由于该激子在低温下具有皮秒辐射寿命，与能量转移时间相当，因此在单层和双层石墨烯的存在下，其低温光致发光仅分别被$3.3 \pm 1$和$4.4 \pm 1$的因子淬灭。最后，虽然我们的裸MoSe $_2$ hBN表现出可忽略不计的谷极化在低温和近共振激发下，我们表明，接口MoSe $_2$与石墨烯产生一个单线发射器的谷极化和相干度高达$\sim 15\,\%$。
2021-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
该研究探究了生长温度和AlN摩尔分数对等离子体辅助分子束外延生长的四元III族氮化物InₓAlᵧGa₁₋ₓ₋ᵧN层中In掺入及性能的影响，明确了In掺入的变化规律与材料结构、光学特性的关联。
2024-01-30 cond-mat.mtrl-sci
Molecular beam epitaxy growth of cadmium telluride structures on hexagonal boron nitride
本研究首次实现了在二维六方氮化硼（hBN）衬底上通过分子束外延生长碲化镉（CdTe）量子阱，经氦温光致发光验证其存在，且该生长所需温度比体衬底低70-100℃，为三维半导体在二维衬底上的外延生长提供了新可能。
2023-11-08 cond-mat.mtrl-sci
Numerical simulation of InGaN Schottky solar cell
氮化铟镓（InGaN）III-氮化物三元合金具有允许通过改变铟组成来调谐其带隙而实现高效率太阳能电池的潜力。InGaN的优点还包括相对较低的有效质量、高载流子迁移率、高吸收系数以及良好的辐射耐受性。然而，InGaN的主要缺点与其p型掺杂有关，这很难以良好的质量生长，并且难以在其上实现欧姆接触。肖特基太阳能电池是避免InGaN的p型掺杂的一个很好的选择。在这份报告中，一个全面的数值模拟，使用数学上严格的优化方法的基础上，国家的最先进的优化算法，是用来找到最佳的几何和物理参数，产生最佳效率的肖特基太阳能电池在可实现的设备制造范围内。预计这种新型InGaN太阳能电池设计的效率为18.2%。
2016-01-22 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Increased light-emission efficiency in disordered InGaN through the correlated reduction of recombination rates
针对InGaN发光效率随铟浓度提升的传统解释受实验挑战的问题，本研究提出辐射与非辐射复合速率关联降低的新机制，无需载流子扩散抑制即可解释该现象，质疑了载流子局域化带来缺陷容忍性的传统观点。
2023-11-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Tunable light-emission through the range 1.8-3.2 eV and p-type conductivity at room temperature for nitride semiconductors, Ca(Mg1-xZnx)2N2 (x=0-1)
三元氮化物CaZn_2N_2是一种新型的半导体材料，其禁带宽度为1.8eV。第一性原理计算预测，Mg在Zn位的连续取代将使Ca（Mg 1-xZnx）2N 2（x = 0-1）的光学带隙在~3.3 eV到~1.9 eV的宽范围内变化。在这项研究中，我们证明，在环境压力下的固态反应和高压合成在5 GPa产生x = 0和0.12，和x = 0.12-1多晶样品，分别。实验证实，光学带隙可以从~3.2 eV到~1.8 eV连续调谐，该范围非常接近理论预测。在室温下，在紫外线发射区域观察到取决于x的带至带光致发光。在CaZn 2N 2的Ca位点处的2%Na掺杂将其高电阻状态转换为p型导电状态。特别地，x = 0.50的样品表现出强烈的绿光发射，峰值在2.45 eV（506 nm）处，而没有来自深能级缺陷的任何其他发射。这些特性满足了III-V族氮化物和砷化物/磷化物发光半导体的要求。
2019-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Photoluminescence Features of Few-Layer Hexagonal $α$-In$_2$Se$_3$
本文通过多种光谱与显微技术研究了7至100个单层厚度的少层α-In₂Se₃的光致发光特性，确认A峰源于带间跃迁、B峰源于缺陷发射，并发现厚度变化未引起能带结构的质变。
2025-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Manipulating carbon related spin defects in boron nitride by changing the MOCVD growth temperature
该研究通过改变 MOCVD 生长温度并辅以退火，调控晶圆级氮化硼中碳相关自旋缺陷的形成，为无辐照自旋存储与磁场探测材料提供方案。
2024-03-22 cond-mat.mtrl-sci
Sub-nanoscale Temperature, Magnetic Field and Pressure sensing with Spin Centers in 2D hexagonal Boron Nitride
固态材料中的自旋缺陷是量子信息技术和传感应用的强有力的候选系统。在这里，我们详细探讨了最近发现的带负电荷的硼空位（$V_B^-$）在六方氮化硼（hBN），并证明其作为原子尺度的温度，磁场和外部施加的压力传感器的使用。由于$V_B^-$的高自旋三重态基态和明亮的自旋相关光致发光（PL），这些应用是可能的。具体来说，我们发现，在光检测磁共振（ODMR）测量的频率偏移不仅是敏感的静态磁场，但也与晶格参数的温度和压力的变化。我们的工作是重要的自旋丰富的hBN层作为本征传感器在异质结构的功能化的二维材料的未来使用。
2021-02-22 cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Synthesis and Characterization of the Ternary Nitride Semiconductor Zn$_2$VN$_3$: Theoretical Prediction, Combinatorial Screening and Epitaxial Stabilization
采用计算引导的高通量合成方法探索Zn-V-N相空间，合成了新型三元氮化物Zn $_2$ VN $_3$ .在组合PVD筛选之后，我们分离相并在常规硼硅酸盐玻璃衬底上合成具有纤锌矿结构的多晶Zn $_2$ VN $_3$薄膜。此外，我们证明了阳离子无序，但相位纯（002）织构，Zn $_2$ VN $_3$薄膜可以使用外延稳定在α-Al 2 O3（0001）衬底上生长在非常低的生长温度远低于200 °C。利用XRD和（S）TEM技术详细研究了Zn $_2$ VN $_3$薄膜的结构和相组成。采用RBS/ERDA和XPS/HAXPES方法研究了组成元素的组成和化学状态。这些分析揭示了化学计量的材料，没有氧污染，除了薄的表面氧化物。我们发现Zn $_2$ VN $_3$是一种弱掺杂的p型半导体，表现出跨越2 eV和3 eV范围的宽带室温光致发光。此外，电子性能可以通过在阳离子位点上的同构合金化在很宽的范围内调节，使其成为光电应用的有前途的材料。
2021-11-25 cond-mat.mtrl-sci
Selective incorporation of antimony into gallium nitride
本文通过第一性原理计算揭示 Sb 在 GaN 中可同时以阴离子和阳离子形式掺入，并阐明其对光学与拉曼光谱的影响，为调控生长条件设计可见光发射器和光催化材料提供依据。
2024-09-18 cond-mat.mtrl-sci
High pressure bulk synthesis of InN by solid state reaction of binary oxide in a multi-anvil apparatus
我们提出了一种新的方法来合成块体氮化铟通过一个简单的固态化学反应进行的流体静力高压/高温条件下，在多砧装置，不涉及气体或溶剂在该过程中。反应发生在二元氧化物$In_2O_3$和作为氮源的粉末形式的高反应性$Li_3N$之间。通过粉末X射线衍射成功地证实了在350 °C和P $\geq$ 3 GPa下形成InN的六方相，其中存在$Li_2O$作为独特的副产物。在弱酸性溶液中进行简单的洗涤过程，然后离心，可以获得作为沉淀物的纯InN多晶粉末。利用类似的过程，可以在T $\geq$ 600 ℃和P $\geq$ 2.5 GPa下由$Ga_2O_3$和$Li_3N$获得纯的块状GAN。这些结果指出，特别是对于InN，一种清洁和创新的方式来生产大量的电子和能源技术领域最有前途的氮化物之一。
2023-03-03 cond-mat.mtrl-sci
Photoluminescence properties of Er-doped AlN films prepared by magnetron sputtering
采用反应射频磁控溅射法在室温下制备了不同Er掺杂浓度的氮化铝薄膜。所制备的样品显示出纳米柱状结构，并且柱状物的尺寸取决于磁控管功率。研究了温度、掺铒量和微结构对Er相关光致发光的影响。进行了稳态光致发光、光致发光激发光谱和时间分辨光致发光。沉积态样品在室温下获得了可见光和近红外光致发光。结果表明，当Er浓度为1at. %，并且PL效率是磁控管功率的递增函数。衰减时间测量显示的重要作用的缺陷相关的非辐射复合，假设是相关的晶界的存在。PL激发结果表明，在低于600 nm的激发波长下，Er3+离子被间接激发。它还建议，Er离子占据至少两个不同的网站在AlN主机矩阵。
2019-04-03 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Temperature effects in luminescence of associated oxygen-carbon pairs in hexagonal boron nitride under direct optical excitation within 7-1100 K range
本文研究了六方氮化硼微晶粉在7 - 1100K范围内4.1eV的光致发光强度随温度的变化。所得结果已在基于杂质的缔合给体-受体对（ONCN）配合物的能级的能带模型内进行了分析。在T <200 K时的发光增强过程和两个独立的外部热激活猝灭通道是样品在直接（4.26 eV）激发下可观察到的典型发光机制。结果表明，在T> 220 K时，当直接激发时，样品的光致发光强度降低，这是由于ON中心的施主能级（122 meV）和CN中心的深受主能级（1420 meV）作为（ONCN）-络合物的一部分发生热电离过程。具有15毫电子伏的活化能的温度增强区域是由于一个绑定的Wannier-Mott激子的衰减，然后由相关的施主-受主对的激发转移。
2020-03-05 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Raman spectroscopy of InN films grown on Si
我们用拉曼光谱研究了在450 ~ 550 ℃温度范围内用分子束外延法在（111）硅衬底上生长的氮化铟薄膜。拉曼光谱在443、475、491和591 cm{-1}处显示出清晰的峰，分别对应于纤锌矿结构的A_1（TO）、E_1（TO）、E_2^{high}和A_1（LO）声子。在垂直于表面的背散射中，A_1（TO）和E_1（TO）峰很弱，表明薄膜沿六方c轴生长。峰宽与生长温度的关系表明，最佳生长温度为500 ℃，此时E_2^{high}峰的全宽最小，为7 cm{-1}。这个小的值，可与先前的结果生长在蓝宝石上的InN膜，是良好的结晶度的膜的证据。
1999-10-18 cond-mat.mtrl-sci
Electron-beam Writing of Spectrally Uniform Green Single-photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride
Hangzhou Institute for Advanced Study, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学杭州高等研究院）；Zhejiang University（浙江大学）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）；Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院上海光学精密机械研究所）
研究利用扫描电子显微镜在六方氮化硼中预定义位置激活绿色单光子发射器，无需离子注入或退火。该方法可实现光谱可重复发射，还通过多种实验支持发射源于碳相关缺陷复合体，为集成室温量子光子架构提供基础。
2026-07-07 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
