Dominant source of disorder in graphene: Charged impurities or ripples?
实验产生的石墨烯片表现出宽范围的迁移率值。外来带电杂质和内在波纹（波纹）都被认为会引起石墨烯中的长程无序，并且可能是无序的主要来源的候选者。在这里，使用大规模的分子动力学和量子输运模拟，我们发现，跳跃的障碍和规范和标量引起的波纹势是短程的，与连续模型的预测形成强烈对比，波纹障碍的输运指纹是非常不同的带电杂质。我们得出结论，带电杂质是大多数石墨烯样品中无序的主要来源，而波纹散射主要与室温和更高温度下超净石墨烯样品（带电杂质浓度< 10 ppm）的高载流子密度极限有关。
2016-05-12 cond-mat.mes-hall
Effects of disorder and contacts on transport through graphene nanoribbons
我们研究了载流子通过有限石墨烯结构的输运。使用数值精确的核多项式和格林函数技术，使我们能够处理实际大小的样本超越了Dirac-cone近似。特别是，我们研究无序纳米带，正常导体/石墨烯界面和正常导体/石墨烯/正常导体结的局部态密度，单粒子光谱函数，光学电导率和电导率的行为的重点。我们证明了接触和体无序将对石墨烯基器件的电子性质产生重大影响。
2013-11-07 cond-mat.mes-hall
Measurement of Topological Berry Phase in Highly Disordered Graphene
我们在磁场高达65 T的条件下观察到了高度无序石墨烯的量子霍尔效应（QHE）和Shubnikov-de Haas（SdH）振荡。通过氢化石墨烯直至H/C $\approx 0.1\%$比率引入无序。SdH振荡和QHE的分析表明，Berry相的拓扑部分，与伪自旋缠绕数成比例，对大规模石墨烯中氢化引入的无序是稳健的。
2015-10-13 cond-mat.mes-hall
Suppression of magnetotransport in strongly disordered graphene
研究了原子位置随机涨落的紧束缚模型，讨论了石墨烯中的强无序效应。我们采用强无序扩展的运输量，并找到一个扩散行为，电导率随无序度的增加而降低。令人惊讶的是，磁场在这种膨胀的领先顺序中退出了输运量。这表明对于足够强的无序，磁输运效应受到强烈抑制。该结果与Morozov { \it et al.}
2008-03-30 cond-mat.mes-hall
A Comparative Study of Substrates Disorder on Mobility in the Graphene Nanoribbon: Charged Impurity, Surface Optical Phonon, Surface Roughness
基底对石墨烯电子性质的影响尚不清楚。许多理论和实验的努力已经做了澄清这种差异。本文研究了衬底无序情况下扶手椅型石墨烯纳米带（AGNR）中的电子输运性质。研究了衬底的三种主要无序：表面粗糙度、带电杂质和表面光学声子。采用非平衡格林函数和紧束缚模型研究了石墨烯纳米带的电子性质。这些障碍的影响分别进行了研究，最后，他们的影响进行比较，以确定散射的主导来源。
2019-10-14 cond-mat.mes-hall
Conductivity and Fano factor in disordered graphene
利用递归格林函数方法，研究了无序单层石墨烯片中的电子输运问题。的导电性是为了$e^2/h$和其对载流子密度的依赖性有一个缩放的形式，仅由无序强度和样品大小和无序势的相关长度之间的比率控制。散粒噪声Fano因子在弱无序时在中性点附近有一个很窄的下降，而在强无序时几乎与掺杂无关。我们的研究结果是在良好的定性和定量协议与实验，并提供了一种方法，用于提取微观信息的大小在石墨烯的外在无序。
2008-02-04 cond-mat.mes-hall
Topological entanglement entropy of interacting disordered zigzag graphene ribbons
相互作用的无序锯齿形石墨烯纳米带具有分数电荷，是准一维的，并且显示指数小的间隙。我们的数值计算表明，这些系统的拓扑纠缠熵有一个小的有限的，但普遍的值，独立的相互作用和无序的强度。对拓扑纠缠熵的计算结果表明，无无序相是临界的，在无序存在时变得不稳定。
2021-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el hep-th
Electronic transport in graphene with particle-hole-asymmetric disorder
研究了具有光滑但粒子-空穴非对称无序势的石墨烯的导电性。利用微扰理论的弱无序制度和数值计算，我们调查如何粒子-空穴的不对称性移动的位置的最小电导率远离狄拉克点$\varepsilon = 0$。我们发现，电导率的最小值在相反的方向移动弱和强的无序。对于大的无序强度，电导率最小值出现在接近电子和空穴掺杂区（“水坑”）大小相等的掺杂水平。
2015-04-22 cond-mat.mes-hall
The shape of disorder broadened Landau subbands in graphene
数值计算了高均匀磁场和白噪声随机势作用下石墨烯的态密度。无序展宽的零能朗道带具有高斯形状，其宽度与随机势方差和磁场的平方根成正比。Wegner型计算用于证明结果。
2008-10-24 cond-mat.mes-hall
Transport spectroscopy of disordered graphene quantum dots etched into a single graphene flake
我们对用Ar/O2等离子体蚀刻成单个石墨烯片的尺寸为45、60和80 nm的量子点进行了输运测量，从而可以进行尺寸比较，避免不同石墨烯片的影响。的运输间隙和附加能量随着点的尺寸减小而增加，正如预期的那样，并显示出很强的相关性，这表明两者的相同的物理起源，即在存在小的限制间隙的情况下的无序诱导的本地化。栅极电容测量表明，点电荷位于窄器件区域的预期。一个占主导地位的作用的障碍进一步证实了栅极的依赖性和磁场的行为，只允许近似识别的电子-空穴交叉和自旋填充序列。最后，我们在误差条内提取与g=2一致的g因子。
2013-07-30 cond-mat.mes-hall
Reducing disorder in graphene nanoribbons by chemical edge modification
我们目前的电子输运测量蚀刻的石墨烯纳米带在二氧化硅之前和之后的短氢尿酸（HF）处理。我们报告的运输性能的变化，特别是在减少运输间隙和减少掺杂水平HF浸渍后。有趣的是，有效能隙几乎不受HF处理的影响。对具有横向石墨烯栅极的石墨烯纳米管的额外测量支持强有力的指示，即HF显著地修改了所研究的纳米带的边缘，导致这些石墨烯纳米结构中的无序势显著降低。
2013-11-21 cond-mat.mes-hall
DC conductivity of graphene with disorder
我们在石墨烯模型无序的随机杂质处理的相干势近似。使用解析可解的劳埃德模型的无序分布，我们表明，温度依赖性的最小电导率以及温度依赖性的电阻率在高密度和密度依赖性的各自的斜率是一致的解释由温度依赖性的无序强度$Γ$组成的常数加上$T$ -线性贡献。这一发现表明，至少有两个贡献的石墨烯中的散射是重要的，其传输特性，和贡献之一是由于热诱导激发的电子散射。
2012-03-10 cond-mat.mes-hall
High transmission in twisted bilayer graphene with angle disorder
角度无序是扭曲双层石墨烯和其他莫尔材料的固有特征。在这里，我们讨论了扭曲双层石墨烯中的角度无序的电子输运。我们计算局域态密度和兰道尔-比蒂克传输通过角度无序障碍的宽度可比的莫尔周期，使用抽取技术的基础上的一个真正的空间描述。我们发现，障碍，其中分离的频带的宽度不同的50%或更多的区域导致一个小的抑制的传输，传输是接近一个正常的入射，这是让人想起克莱因隧道。这些结果表明，扭曲的双层石墨烯中的输运弱受扭曲角无序。
2021-08-05 cond-mat.mes-hall
Signatures of disorder in the minimum conductivity of graphene
石墨烯因其独特的电子性质而被认为是未来纳米电子学的一种有前途的材料。了解这种新纳米材料在常见实验条件下的缩放行为对于开发基于石墨烯的纳米级器件至关重要。我们提出了一个全面的实验和理论研究的影响，边缘无序和体无序的石墨烯带的最小电导率。我们首次发现了具有峰值和饱和最小电导率的强非单调尺寸标度行为。通过大量的数值模拟和分析，我们能够将这些特征归因于石墨烯器件中的边缘和体无序量。该研究阐明了实际实验石墨烯系统中的量子输运机制，可用作设计具有改进性能的石墨烯基纳米器件的指导。
2011-02-17 cond-mat.mes-hall
Critical level-statistics for weakly disordered graphene
在二维空间中，无质量的狄拉克费米子在无序的情况下会出现混沌的能级统计。对于具有锯齿形边缘的弱无序石墨烯薄片，在狄拉克区域中获得的能级间距分布既不是混沌的（维格纳）也不是局部的（泊松），而是类似于安德森金属-绝缘体转变的临界点处的能级间距分布。有限石墨烯中的量子输运可以像拓扑绝缘体中一样通过临界边缘态发生，对于强无序，Dirac区域消失，石墨烯表现为普通的Anderson绝缘体。
2013-02-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Edge states versus diffusion in disordered graphene flakes
通过数值计算反参与比（$IPR$）及其标度，得到了石墨烯片的分形维数$D_{2}$，研究了短程无序石墨烯片中波函数的局域化性质.我们表明，存在于狄拉克点的弹道石墨烯（无障碍）与锯齿形边缘生存的边缘状态中存在的弱障碍与波函数本地化的边界处的薄片。我们认为，有一个强大的相互作用之间的基础相消干涉机制的蜂窝晶格的石墨烯导致边缘状态和扩散干扰机制引入的短程无序。这种相互作用导致高度异常的行为，随着无序的增加，波函数逐渐变得不那么局部化，由平均$\langle IPR\rangle$的减少和$D_{2}$的增加指示。我们验证，这种异常行为是不存在的扶手椅边缘不提供边缘状态的石墨烯薄片。
2014-02-20 cond-mat.mes-hall
Magneto-transport in Disordered Graphene: from Weak Localization to Strong Localization
我们提出了一个磁输运的石墨烯样品的研究，其中一个温和的无序引入暴露于臭氧。与原始石墨烯的电导率不同，暴露于臭氧的石墨烯样品的电导率对温度变得非常敏感：它在100 K和1 K之间降低了3个数量级以上。通过改变外部栅极电压或温度，我们不断调整的输运性质从弱到强的本地化制度。我们表明，过渡发生的相位相干长度变得可比的本地化长度。我们还强调了无序增强的电子-电子相互作用对电阻率的重要作用。
2010-03-05 cond-mat.mes-hall
Breakdown of the Law of Reflection at a Disordered Graphene Edge
反射定律指出，光滑的表面镜面反射波，从而作为一面镜子。只要无序的长度尺度小于波长，该定律对无序不敏感。单层石墨烯在低能量下表现出线性色散，因此具有发散的费米波长。我们提出的证据表明，对于一个无序的石墨烯边界，共振散射无序的边缘模式的结果在扩散电子反射，即使当电子波长远长于无序相关长度。利用数值量子输运模拟，我们证明了这种现象可以观察到一个非局域电导下降的磁聚焦实验。
2018-09-25 cond-mat.mes-hall
Disorder in Twisted Bilayer Graphene
我们发展了一个理论，在凝聚态物质系统中产生的局部扭曲角波动的两个强耦合的范德华单层扭曲相对于对方，以创建一个平带莫尔超晶格的一种定性的新类型的障碍。“扭曲角无序”的新范例来自于扭曲双层石墨烯物理学中目前正在进行的激烈研究活动。在名义上不含杂质和缺陷的原始扭曲双层石墨烯的实验样品中，据信无序的主要来源是由样品上扭曲角的不可避免和不可控的不均匀性引起的。为了解决这个新的物理扭曲角无序，我们开发了一个真实的空间，扭曲的双层石墨烯的角度作为一个自由参数进入微观模型。特别是，我们专注于单粒子能隙的大小分离的迷你带从其余的频谱，范霍夫峰，电荷中性附近的重正化狄拉克锥速度，和minibandwidth。我们发现，能隙和微带宽的强烈影响，而重整化速度几乎保持不变的无序。我们讨论了我们的研究结果对扭曲双层石墨烯正在进行的实验的影响。我们的理论很容易推广到未来的研究扭曲角无序的影响，所有的电子性质的莫尔超晶格的扭曲两个耦合的范德华材料相对于彼此。
2020-06-29 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Theory of 2D transport in graphene for correlated disorder
我们从理论上重新审视石墨烯输运性质作为载流子密度的函数，考虑到环境中库仑杂质无序的空间分布中可能的相关性。我们发现，带电杂质的相关性引起密度依赖的石墨烯导电性，这与现有的实验数据定性一致。我们还发现，相当出乎意料的是，电导率可以增加与杂质密度，如果有足够的杂质间的相关性存在于系统中。特别地，石墨烯电导率在较低（较高）栅极电压下的线性（次线性）自然地解释为仅由库仑无序中的杂质相关效应引起。
2011-10-05 cond-mat.mes-hall
Disorder by order in graphene
我们预测在石墨烯传输中存在一种有趣的“有序无序”现象，（并且因此更有序）的样品，同时在高载流子密度下具有更高的迁移率，会表现出更强的绝缘性（并且因此有效地更无序）的行为，因为与较低质量的样品相比，载流子密度降低（具有更高的无序度），其在狄拉克点附近的低载流子密度下表现出近似的电阻率饱和现象。这预测了模拟金属-绝缘体转变的行为，我们相信最近在曼彻斯特大学的一个实验中已经观察到了这一点。A. Ponomarenko等人，Nat.Phys.7，958（2011）]，起因于在高质量石墨烯样品中电荷中性点附近抑制库仑无序诱导的不均匀熔池。
2012-05-24 cond-mat.mes-hall
Transition to Quantum Chaos in Weakly Disordered Graphene Nanoflakes
我们分析数值系综的紧束缚哈密顿描述高度对称的石墨烯纳米片与弱对角无序引起的随机静电势景观。随着无序度的增加，能级的统计分布由泊松分布向维格纳分布演化，表明系统向量子混沌过渡。具有普适指数的幂律将不同尺寸、边界和微观无序类型的纳米片中的无序强度映射到加性随机矩阵模型中的单个参数上。
2011-12-21 cond-mat.mes-hall
Ballistic guided electrons against disorder in graphene nanoribbons
石墨烯纳米带（GNR）是石墨烯中电子的天然波导。然而，与微米尺寸的样品不同，在这些窄的石墨烯条带中，电导几乎被抑制，这主要是由于在合成或切割过程中产生的边缘无序的散射。规避这种效应的一种可能方法是定义一个内部波导，该波导将特定模式与边缘无序隔离，并允许弹道传导。在石墨烯中定义波导有几种建议;在这篇手稿中，我们考虑应变折叠和标量势，并数值评估这些建议对边缘和体积无序的性能。使用格林函数的方法，我们计算电导和锯齿形GNRs的局域态密度（LDOS）和这些不同的物理波导效应在这两种类型的障碍的性能进行表征。我们发现，由于存在的内部波导的GNR的电子电导的一般改善，与准弹道性能和鲁棒性对边缘紊乱的高原的出现。这些发现将应用于现代纳米技术并进行实验测试。
2022-08-01 cond-mat.mes-hall
Unconventional charge and spin dependent transport properties of a graphene nanoribbon with line-disorder
研究了在Rashba自旋轨道相互作用下锯齿形石墨烯纳米结构中一条（或几条）Anderson型无序线的电子输运.这样的线障碍引起的特殊行为，在这两个电荷以及自旋极化传输在下面的意义。在弱无序状态下，电荷输运数据显示安德森局域化达到一定的无序强度，超过该无序强度，扩展态出现并开始主导局域态。这些结果是选择性无序（与体无序相反）石墨烯纳米颗粒的标志性特征。然而，自旋极化输运表现出完全矛盾的行为。此外，结构对称性被证明在纳米带的自旋电子学性质中具有重要作用。此外，边缘无序的情况下（无序选择性地放置在边缘）似乎持有自旋过滤器和开关器件的应用程序的承诺。
2018-11-26 cond-mat.mes-hall
The effects of disorder and interactions on the Anderson transition in doped Graphene
我们对无序对石墨烯电子态的安德森局域化的影响进行了精确的数值研究。通过分析量子参与率倒数和几何平均态密度的标度行为，发现猝灭无序的存在可以引起Anderson金属-绝缘体跃迁。与传统的局域化图像相比，在特定的无序强度和杂质浓度下，可以观察到蜂窝晶格的四个迁移率边。考虑到相互作用对无序势的屏蔽作用，可以通过考察相互作用和无序的影响来解释水坑尺度扩大的实验结果。
2011-05-11 cond-mat.mes-hall
Fractional quantum Hall effect in strained graphene: stability of Laughlin states in disordered (pseudo)magnetic fields
我们解决的问题（分数）量子霍尔效应（QHE）的稳定性存在的伪磁无序产生的石墨烯片的机械变形。在忽略势无序和只考虑应变诱导随机赝磁场的情况下，可以明确地写出一个类似劳克林的试探基态波函数。利用Laughlin等离子体类比，我们证明了在波动的伪磁通量相对较小的振幅的情况下，整数和分数量子霍尔效应总是稳定的变形。相比之下，在衬底上的石墨烯中的气泡诱导的伪磁场（少量大通量）的情况下，无序可以足够强以在相应的经典库仑等离子体中引起玻璃化转变，导致分数量子霍尔制度的破坏和到最低朗道能级的非遍历状态的量子相变。
2016-11-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Edge Magneto-Fingerprints in Disordered Graphene Nanoribbons
我们报告（磁）运输实验在化学衍生的窄石墨烯纳米带在高磁场（高达60特斯拉）。场依赖的电子约束功能的证据，并允许估计可能的带边缘对称性。此外，测得的大的正磁导率表明由磁场诱导的后向散射的强烈抑制。这种情况下支持的量子模拟，考虑不同类型的潜在的障碍（平滑边缘障碍和远程库仑散射）。
2010-02-24 cond-mat.mes-hall
Edge disorder induced Anderson localization and conduction gap in graphene nanoribbons
研究了边缘无序对石墨烯纳米带电导的影响。我们发现，只有非常温和的边缘无序是足以诱导的传导能隙，否则金属GNRs和电梯之间的电导不同的边缘几何形状的纳米带的任何差异。我们涉及到的导电间隙的形成，以明显的边缘无序诱导安德森型本地化，导致在边缘的状态密度的强烈增强，形成表面状的状态和通过带状物的导电路径的阻塞。
2008-05-28 cond-mat.mes-hall
Evaluation of Disorder Introduced by Electrolyte Gating through Transport Measurements in Graphene
我们通过石墨烯中的输运测量来评估电解质门控器件中的无序程度。通过比较离子栅和标准金属栅器件中的迁移率，我们表明离子液体的沉积引入了密度约为$6\times 10^{12}$ cm $^{-2}$的带电杂质;将石墨烯中迁移率的上限设定为3000 cm $^2$ /Vs。在较高温度下，离子液体中的声子进一步降低迁移率，使其在室温下的上限为2000 cm $^2$ /Vs。由于无序的程度是独立的基础材料，这些结果是有价值的了解在一般设备中使用电解质门控的无序效应。
2016-06-01 cond-mat.mes-hall
Disorder Effects in the Quantum Hall Effect of Graphene p-n Junctions
对石墨烯pn结中的量子霍尔效应进行了数值研究，重点研究了两个相邻区域界面处的无序效应。电导平台被发现是连接到无序的强度，并伴随着普遍的电导波动的双极制度，这是在量子混沌腔的随机矩阵理论的理论预测很好的协议。计算出的Fano因子可用于基础输运特性的实验识别。
2008-10-26 cond-mat.mes-hall
Effects of Coulomb screening and disorder on artificial graphene based on nanopatterned semiconductor
在基于二维电子气的人造石墨烯的制备过程中，门系统中的残余无序是主要的问题。由于多体效应，该疾病可以被显著地筛选/减少。为了分析屏蔽/无序问题，我们考虑AlGaAs/GaAs/AlGaAs异质结与两个金属栅极。我们证明，最不容易受到无序的设计对应于弱耦合制度（相对于紧密结合），这是通过量子反点系统实现的。最相关的无序类型是区域无序，其是量子反点区域的随机变化。区域无序导致形成水坑。其他类型的紊乱，位置紊乱和形状紊乱，实际上是无关紧要的。水坑的形成/重要性极大地取决于纳米图案化异质结构的参数。参数变化20- 30%，可使熔池的相对振幅发生几个数量级的变化。基于这种分析，我们制定了可接受的异质结构的设计标准，旨在创造人造石墨烯。
2014-11-27 cond-mat.mes-hall
Disorder and Electronic Transport in Graphene
在这篇综述中，我们提供了一个帐户的最新进展，了解无序石墨烯系统中的电子输运。从理论上的描述，强调所发挥的作用，由能带结构属性和晶格对称性，我们描述了这些系统中的无序的性质及其与传输特性的关系。虽然重点主要是在理论和概念方面，连接到实验也包括在内。问题，如短期与长期的障碍，本地化（强和弱），载流子密度依赖的电导率，电导波动被认为是一些开放的问题，指出。
2010-06-29 cond-mat.mes-hall
Disorder induced field effect transistor in bilayer and trilayer graphene
我们提出使用无序来产生场效应晶体管（FET）在偏置的双层和三层石墨烯。当无序效应仅限于石墨烯层中的一个时，偏置电压的调制可以产生电导的大的变化。这种效应是基于偏置电压选择哪个石墨烯层承载电流的能力，并且与态密度中的间隙的存在无关。特别是，我们在无间隙ABA堆叠的三层石墨烯，有间隙的ABC堆叠的三层石墨烯和有间隙的双层石墨烯的模型中证明了这种效果。
2013-02-15 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Conductance quantization and transport gap in disordered graphene nanoribbons
我们数值研究了边缘和体无序对石墨烯纳米带电导的影响。我们计算的电导抑制由于本地化引起的边缘散射。我们发现，即使是弱的边缘粗糙度，电导步骤被抑制和输运间隙出现。这些间隙与纳米取向度宽度近似成反比。开/关电导比随纳米尺度长度呈指数增长。我们的研究结果对石墨烯在弹道纳米线中的使用施加了严重的限制。
2009-01-26 cond-mat.mes-hall
Non-diagonal disorder enhanced topological properties of graphene with laser irradiation
激光辐照作为一种调节电子系统拓扑性质的通用工具，正受到人们的广泛关注。在实验上，已经观察到石墨烯中的激光照射诱导的异常霍尔效应（McIver等人，16，38（2020））。无序在实际材料中普遍存在，并且已经表明对角无序，即，现场无序，可以增强时间周期性驱动的量子材料的拓扑性质（Titum等人，物理修订信函114，056801（2015））。在这里，我们研究了具有非对角无序的圆偏振激光照射的石墨烯，即，无序隧穿，并发现无序可以诱导非平凡的拓扑性质，其特征在于Bott指数和实空间陈数。此外，我们发现，可以打开激光照射非线性驱动无序石墨烯到非平凡的拓扑相。这是一个计划，这是特别有趣的实验实现。
2022-02-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Edge states protected by chiral symmetry in disordered photonic graphene
我们实验研究了非关联复合和结构无序对光子石墨烯的影响。我们发现，在结构无序的情况下，不仅保持了手征对称性，而且零能态密度消失。这与复合无序相反，复合无序中的手征对称性以及态密度的消失被破坏。我们的观察结果通过在无序光子石墨烯中的胡须边缘激发边缘态得到了实验证明。
2013-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Disorder induced lifetime effects in binary disordered systems : a first principles formalism and an application to doped Graphene
本文研究了具有特定缺陷浓度（5%和10%）的石墨烯晶格的导电性能。在石墨烯中存在随机分布的缺陷的情况下，已经使用了由Haydock等人引入的实空间块递归方法。这种基于格林函数的方法被发现比通常的基于倒数的方法，需要人工周期性更强大。在格林函数的框架下，研究了拓扑缺陷和局域缺陷的存在导致的不同共振态。
2017-05-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effects of long-range disorder and electronic interactions on the optical properties of graphene quantum dots
我们从理论上研究了长程无序和电子-电子相互作用对由多达10806个原子组成的六角扶手椅型石墨烯量子点光学性质的影响。使用紧束缚，平均场Hubbard和配置相互作用方法的组合进行数值计算。石墨烯量子点中的缺陷被建模为长程随机势场，从而产生电子-空穴水坑。我们发现，当电子-空穴水坑存在时，紧束缚方法给出的低能吸收谱的平均场和组态相互作用的计算结果相比，一个穷人的描述。随着石墨烯量子点尺寸的增大，在吸收光谱中可以观察到普遍的光学电导率极限。当存在无序时，计算的吸收光谱接近孤立单层石墨烯片的实验结果。
2017-02-05 cond-mat.mes-hall
Anomalous criticality in the quantum Hall transition at $n=0$ Landau level of graphene with chiral-symmetric disorders
我们数值研究了手征对称性是否是决定无序石墨烯量子霍尔跃迁临界性的唯一因素。当无序遵守手征对称性时，在$n=0$朗道能级处的平台到平台跃迁被示出为变得异常（即，类阶梯函数）。然而，令人惊讶的是，异常是强大的，对包括均匀的次近邻跳跃，这降低了晶格模型的手征对称性。我们还表明，交流（光学）霍尔电导率表现出一个强大的平台结构时，无序尊重的手征对称性。
2010-08-16 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in graphene with out-of-plane disorder
研究石墨烯面外无序缺陷对电子输运的影响，通过紧束缚和密度泛函计算发现晶格共格性是决定背散射抑制的关键，为控制石墨烯输运性质提供指导。
2022-11-02 cond-mat.mes-hall
Disorder-free sputtering method on graphene
将各种材料沉积到石墨烯上而不引起任何无序对于石墨烯应用是高度期望的。特别是，溅射是一种多用途的技术，可以沉积用于自旋电子学的各种金属和绝缘体，以及用于制造透明器件的氧化铟锡。然而，溅射过程由于高能量溅射原子而对石墨烯造成损伤。通过翻转衬底和使用高Ar压力，我们证明了在DC，RF和反应溅射工艺中可以减少或消除对石墨烯的损伤水平。
2012-08-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Long-range-correlated disorder in graphene
我们研究了在静态长程关联随机标量势和矢量势的存在下，二维准相对论电子激发在石墨烯中的输运。使用微扰理论和路径积分技术相结合，我们估计控制德鲁德电导率，磁输运，和弗里德尔振荡的弹道制度的大准粒子能量的散射率。我们还讨论了零能态的性质和相关的本地化方案。
2006-11-30 cond-mat.mes-hall
Disorder-enabled hydrodynamics of charge and heat transport in monolayer graphene
电子系统中的流体动力学行为通常被认为与非常干净的样品相关，使得电子-电子碰撞占主导地位并且总动量守恒。与此相反，我们表明，在单层石墨烯的无序的存在是必不可少的，使一个非常规的流体动力学制度，存在于附近的电荷中性点，其特征在于由一个大的增强的Wiedemann-Franz比。尽管随着无序度的降低，这种增强变得更加明显，但观察到这种效应的可能性关键取决于无序度的存在。我们计算的最大非本征载流子密度$n_c$低于该效果变得明显，并表明，$n_c$消失在零障碍的限制。对于$n>n_c$，我们预测Wiedemann-Franz比实际上随着无序度的降低而降低。我们完成了我们的分析，提出了一个透明的图片的物理过程，负责从传统的交叉到无序启用流体动力学。讨论了最近关于单层石墨烯的实验，并表明与这张图一致。
2019-02-27 cond-mat.mes-hall
Neutral-current Hall effects in disordered graphene
一个非本地霍尔棒的几何形状被用来检测中性电流霍尔效应在二氧化硅上的石墨烯。在超高真空中添加Au或Ir吸附原子可以调谐无序。一个可重复的中性电流霍尔效应被发现在这两个制造和adatom修饰的石墨烯。霍尔角表现出复杂但可再现的依赖于栅极电压和无序，并显着打破电子空穴对称性。霍尔和逆霍尔探针之间的长度的指数依赖性表明约300 nm的中性电流弛豫长度。在平行磁场中弛豫长度较短且无进动，表明中性电流为谷电流。从7-300 K几乎没有温度依赖性是前所未有的，并有希望使用受控的无序室温中性电流电子学。
2015-04-22 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance in Disordered Graphene: The Role of Pseudospin and Dimensionality Effects Unraveled
我们报告了一个理论低场磁输运研究揭示了赝自旋在弱无序石墨烯基材料的现实模型的影响。使用一个有效的久保计算方法，并模拟氧化物中捕获的电荷的影响，不同的磁导指纹的数值获得的系统尺寸大至0.3平方微米，含有数千万个碳原子。在二维石墨烯中，发现强谷混合不可挽回地产生正的磁导（弱局部化），而从正到负的磁导（弱反局部化）的交叉是通过将无序强度降低到弹道极限来获得的。与此形成鲜明对比的是，横向尺寸为10 nm的石墨烯纳米带没有表现出弱反局域化的迹象，即使是非常小的无序强度。我们的研究结果合理的出现一个复杂的相图的磁导指纹，脱落的微观起源的赝自旋效应的一些新的光。
2011-01-25 cond-mat.mes-hall
Doping driven metal-insulator transition in disordered graphene
该研究基于蜂窝晶格 Hubbard 模型和行列式量子蒙特卡洛模拟，分析掺杂与键无序对石墨烯金属-绝缘体转变的影响，发现掺杂诱导的局域化在实际材料中占主导并导致绝缘相。
2023-07-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Observation of vacancy-induced suppression of electronic cooling in defected graphene
先前对不纯石墨烯中电子-声子相互作用的研究发现，静态无序可以增强电子冷却。我们研究了动态无序的影响，并观察到与清洁石墨烯相比，电子冷却的数量级抑制。这种效应在具有更多空位的石墨烯中更强，证实了其空位诱导的性质。耦合常数对声子温度的依赖关系暗示了它与无序动力学的联系。我们的研究突出了无序对石墨烯中电子-声子相互作用的影响。此外，电子冷却的抑制对于改善石墨烯基测辐射热计和光电探测器设备的性能具有很大的希望。
2014-08-01 cond-mat.mes-hall
Effect of disorder on the ground-state properties of graphene
计算了无序情况下石墨烯中Dirac电子的基态能量。我们采取随机分布的带电杂质在一个固定的距离从石墨烯片和表面波动（波纹）作为主要的散射机制。模式耦合方法的散射率和随机相位近似的基态能量纳入多体相互作用和无序效应产生良好的协议与实验的逆压缩。
2008-02-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Disorder induced helical-edge transport near $ν$=0 of monolayer graphene
在磁输运实验中研究了单层石墨烯填充因子$ν$ =0的复杂性质。作为垂直磁场的函数，观察到的金属-绝缘体的转变，这是由于在倾斜的反铁磁相的无序诱导朗道能级加宽。在金属制度的零朗道能级的分离出现和量子自旋霍尔效应的迹象被视为附近$ν$ =0。除了本地运输，非本地运输实验结果与螺旋边缘运输是一致的。
2019-08-07 cond-mat.mes-hall
Disorder induced Coulomb gaps in graphene constrictions with different aspect ratios
我们目前的电子输运测量光刻定义和蚀刻的石墨烯纳米收缩具有不同的纵横比，包括不同的长度（L）和宽度（W）。在电荷中性点附近可以观察到一个与长度无关的无序诱导的有效能隙。该能隙与宽度成反比，即使在收缩部的长度小于其宽度（L<W）的情况下也是如此。在很短的收缩，我们观察到由于本地化的状态或带电的岛屿和一个整体电导水平（0.1- 1 E2/h），这是强烈的长度依赖于间隙区域的共振。这使得非常短的石墨烯收缩对于高度透明的石墨烯隧穿势垒是有趣的。
2011-02-15 cond-mat.mes-hall
Anderson Transition in Disordered Bilayer Graphene
采用核多项式方法（KPM），在紧束缚近似下研究了对角无序存在下石墨烯双层的电子性质。KPM方法使我们能够计算局域态密度（LDOS），而不需要精确对角化的哈密顿量。我们使用几何平均的LDOS的在不同的晶格位置作为一个标准来区分本地化的扩展状态。我们发现双层石墨烯在无序强度的一个临界值处发生了Anderson金属-绝缘体转变。
2010-02-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Intervalley scattering, long-range disorder, and effective time reversal symmetry breaking in graphene
我们讨论了某些类型的静态无序的影响，如曲率或拓扑缺陷引起的，量子校正石墨烯的电导率。我们发现，当谷间散射时间长或相当于$τ_ϕ$，这些缺陷可以诱导一个有效的时间反演对称性破缺的哈密顿量的两个山谷中的每一个在石墨烯。这种现象抑制了电导率的量子校正的幅度，并可能导致完全不存在低场磁阻，如最近实验发现的。我们的工作表明，在石墨烯弱局域化的定量描述必须包括新的制度，不存在于传统的二维电子气的分析。
2006-06-28 cond-mat.mes-hall
Disorder-induced enhancement of transport through graphene p-n junctions
我们研究了垂直磁场下石墨烯pn结的电子输运。利用Landauar-Buttiker方法结合非平衡格林函数方法，研究了清洁和无序样品的电导。对于干净的pn结，电导相当小。在疾病的存在下，它被强烈增强，并在适当的疾病范围内表现出平台结构。我们的数值计算结果表明，最低的平台可以生存的一个非常广泛的无序强度，但高原的存在依赖于系统参数，有时不能在所有形成。当无序稍微超出该无序范围时，仍然可以出现一些电导平台，其值低于理想值。这些结果与最近的实验非常一致。
2008-07-10 cond-mat.mes-hall
A simple model of Coulomb disorder and screening in graphene
我们提出了一个简单的模型，在石墨烯的无序假设有随机分布的正，负中心的浓度相同的$N/2$在氧化硅衬底的主体。我们表明，在零栅电压，这种无序创建二维浓度$n_0 \sim N^{2/3}$的电子和空穴在石墨烯。电子和空穴交替存在于大小为$R_0 \sim N^{-1/3}$的空间水坑中。一个典型的熔池只有一个或两个载流子，这与最近的扫描单电子晶体管实验相一致。
2007-10-29 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
