Variation of Superconducting Transition Temperature in Hole-Doped Copper-Oxides
本文用扩展的层状d波超导体层间耦合模型研究了空穴掺杂铜氧化物超导临界温度$T_{c}$的实验差异。我们发现，从系列到系列的最大$T_{c}$的变化是由下一个最近邻跳跃$t^{\prime}$，而在一个均匀的系列中的化合物之间的最大$T_{c}$的差异是由层间配对强度控制。我们的结果为寻找新的高$T_{c}$超导体提供了有益的指导。
2003-06-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
$d$-wave superconducting gap observed in protect-annealed electron-doped cuprate superconductors Pr$_{1.3-x}$La$_{0.7}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
对于电子掺杂的铜氧化物，强抑制的反铁磁自旋相关有效的还原退火的“保护退火”的方法导致超导不仅具有较低的Ce浓度，但也具有较高的转变温度。为了揭示这种超导态的本质，我们对保护退火的电子掺杂超导体Pr $_{1.3-x}$ La $_{0.7}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$进行了角分辨光电子能谱测量，并直接研究了超导能隙。发现该间隙与$d$波对称性一致，表明强电子相关性持续存在，因此反铁磁自旋波动仍然是介导保护退火的电子掺杂的铜氧化物中的铜配对的候选者。
2019-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting energy gap versus pseudogap in hole-doped cuprates as revealed by infrared spectroscopy
本文报道了两种具有较低T $_c$的超导铜氧化物的面内红外反射率的测量结果：一种接近最佳掺杂的Bi $_2$ Sr $_{1.6}$ La $_{0.4}$ CuO $_{6+δ}$（T $_c$ =33 K）和一种欠掺杂的La $_{1.89}$ Sr $_{0.11}$ CuO $_4$（T $_c$ =30 K）。测量清楚地表明超导能隙不同于赝能隙。它们具有不同的能量标度，并出现在不同的温度下。结果表明，赝能隙不是超导态的前兆。这些数据也挑战了长期以来的观点，即ab平面内的超导电性处于干净的极限，并且平面内红外光谱无法检测到超导配对能隙。
2013-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Specific Heat of Zn-Doped YBa_{2}Cu_3O_{6.95}: Possible Evidence for Kondo Screening in the Superconducting State
在2 ~ 10 K和8 T范围内测量了Zn掺杂的YBa_{2} Cu_3 O_{6.95}单晶的比热随磁场的变化关系。研究并比较了0、0.15%、0.31%和1%的掺杂水平。特别是，我们寻找与锌诱导的磁矩的肖特基异常。
1999-11-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic Superconducting Properties of Optimally Doped BaFe$_2$(As$_{0.65}$P$_{0.35}$)$_2$ under Pressure
在不同晶轴方向施加磁场的情况下，对BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_{x}$）$_2$（$x\approx0.35$）的最佳掺杂单晶进行了压力下的磁性测量，从而跟踪了相干长度和各向异性因子的压力演化。尽管超导临界温度降低，我们的研究表明，压力下的超导性能变得更加各向异性。通过适当的缩放，我们直接将这些性质与BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_{x}$）$_2$作为磷含量的函数获得的值进行比较。
2010-09-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum spin correlations through the superconducting-normal phase transition in electron-doped superconducting Pr0.88LaCe0.12CuO4-d
S = 1/2 Cu离子的量子自旋涨落在确定高转变温度（高Tc）氧化铜超导体的物理性质方面很重要，但它们在超导电子配对中的可能作用仍然是一个悬而未决的问题。最佳掺杂的高Tc超导体中自旋涨落的主要特征是一个定义明确的磁共振，其能量（Er）跟踪Tc（随着成分的变化），其强度像超导状态下的序参量一样发展。我们发现，抑制超导性和其相关的凝聚能的磁场中的电子掺杂的高Tc超导体，Pr 0.88 LaCe 0.12 CuO 4-d（Tc = 24 K），是伴随着完全抑制的共振和随之出现的静态反铁磁（AF）秩序。我们的结果表明，共振与超导凝聚能密切相关，从而表明它在电子配对和超导电性中发挥着作用。
2007-08-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting Resonance and paring symmetry in electron-doped cuprates
在自旋密度波描述的框架下研究了超导电子掺杂铜氧化物中的磁激发。超导共振是d波能隙打开导致超导性的自然产物。其共振能与超导能隙$E_{res}/2Δ\sim 0.6$呈良好的线性关系，定量上与实验结果一致。该比值对所选参数不敏感，体现了其普适性。当空穴袋出现时，由于自旋密度波的抑制，另一个较低的能量峰值低于共振能量。我们进一步验证了线性标度的比例是密切相关的配对对称性。不同的比例可以找到各自的配对对称性。与非弹性中子散射数据相比，单调d波超导性是电子掺杂铜氧化物中最有可能的候选者。此外，我们提出了一种新的方法来检查配对对称性的非弹性中子散射测量。
2013-02-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of superconducting and nonsuperconducting stripe phases in the hole-doped superconductor Ca{2-x}Na{x}CuO{2}Cl{2} (x=1/8,1/16)
基于最新发展的实空间自旋平行配对理论和超导理论，我们对空穴掺杂的Ca{2-x}Na{x}CuO{2}Cl{2}铜酸盐超导体中观察到的棋盘格图案进行了简单的解释.在空穴浓度x=1/8=0.125时，分析结果表明，非超导的4a* 4 b（a=b）棋盘相和8a*2c超导涡旋相之间存在相竞争，其中a，b和c为超导体的晶格常数。在较低的空穴浓度x=1/16=0.0625时，亚稳的4 \sqrt{2} a*4 \sqrt{2} a棋盘相可以重组为更稳定的具有4 a * 4 a棋盘对称性的八面体相.
2009-02-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The charge asymmetry in superconductivity of hole- and electron-doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，研究了空穴和电子掺杂铜氧化物超导中的电荷不对称性。结果表明，电子掺杂铜氧化物在较窄的掺杂范围内表现出超导电性，其超导转变温度与空穴掺杂铜氧化物具有相同的掺杂控制行为。然而，在电子掺杂的铜氧化物的最佳掺杂的最高可实现的超导转变温度是远远低于空穴掺杂的情况下，由于电子-空穴的不对称性。
2005-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancement of the Superconducting Transition Temperature under Pressure in Rare-Earth Doped Ca$_{1-x}$La$_x$Fe$_2$As$_2$ (x=0.27)
本文报道了稀土掺杂超导体Ca $_{0.73}$ La $_{0.27}$ Fe $_2$ As $_2$单晶样品超导转变温度T_c与压力关系的测量结果。我们用两种技术跟踪T_c，通过面内电阻率测量和用对趋肤深度敏感的谐振隧道二极管振荡器电路。结果表明，初始T_c随压力急剧上升，在20 kbar时形成超导圆顶，T_c最大值约为44 K。我们在其他电子掺杂铁磷属元素化物超导体的背景下讨论了这一观察结果，并得出结论，压力的应用提供了一个独立的方式来调整该系统中的T_c。
2011-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure dependence of superconductivity in doped two-leg ladder cuprates
在动能驱动的超导机制下，研究了压力对掺杂双腿梯形铜氧化物超导性的影响。结果表明，在低压区，掺杂双柱梯形铜氧化物超导体的超导转变温度随压力的增加而增加，在最佳压力区达到最大值，然后在过压区降低.超导转变温度的压力依赖性的半球形状与超导能隙参数的纵向部分的压力依赖性的半球形状相似，表明掺杂的双腿梯形铜氧化物的超导性主要是通过沿腿的配对关联的发展而产生的。
2007-02-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped two-leg ladder cuprates
基于动能驱动的超导机制，在t-J梯形模型下，研究了掺杂双腿梯形铜氧化物中具有修正d波对称性的超导电性.结果表明，自旋液体基态的半填充演变成超导基态掺杂。与平面铜氧化物超导体的超导转变温度的掺杂依赖性类似，在欠掺杂区，掺杂双脚梯形铜氧化物的超导转变温度随掺杂的增加而增加，在最佳掺杂区达到最大值，然后在过掺杂区降低.
2006-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic spin fluctuations and multiple superconducting gaps in hole-doped Ba_0.7K_0.3Fe_2As_2: NMR in a single crystal
本文首次报道了空穴掺杂铁磷属化合物超导体Ba_{0.7} K_{0.3} Fe_2 As_{2}（T_c = 31.5 K）单晶的~（75）As-NMR研究。我们发现Fe反铁磁自旋涨落是各向异性的，并且与欠掺杂的铜氧化物或钴氧化物超导体相比更弱。自旋晶格弛豫速率1/T_1在低于T_c时下降，没有相干峰，在低温下呈现阶梯式变化，这表明存在多个超导能隙，如电子掺杂Pr（La）FeAsO $_{1-x}$ F $_{x}$。此外，没有证据表明长程磁性和超导性的微观共存。
2009-08-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optimum and quasi-optimum doped superconducting phases in FeAs and Fe2As2 superconductors
本文从能量最小原理出发，发展了一个实空间自旋平行超导理论。这个理论成功地为传统和非传统超导体中的许多复杂问题提供了连贯的解释。本文利用上述理论研究了新型氧铌酸盐高温超导体的最佳掺杂问题。在FeAs族中，当x_1 =1/3，1/6和1/8时，存在三个最佳（或准最佳）掺杂相，其涡旋晶格形成正方形或三角形稳定构型。而在Fe_2As_2族中，对于正方形和三角形超导涡旋线晶格，最佳掺杂分别出现在x ~ 2 =2/5和1/2处。
2008-07-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of superconductivity in doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，讨论了掺杂铜氧化物超导态的物理性质。我们证明了铜氧化物超导体的超导态是由超导能隙参数和单粒子相干性共同控制的，并定量地再现了铜氧化物超导体实验中发现的一些主要特征，包括超导能隙参数与超导转变温度的掺杂关系，[π，0]点的电子谱函数，空穴和电子掺杂中超导性的电荷不对称性，以及低能量和高能量下的无公度磁散射和中能量下的公度[π，π]共振与掺杂和能量的关系。我们还表明，在高能量的无公度磁激发的能量大于超导能隙的能量，并在超导转变温度。
2006-12-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pair-Breaking, Pseudogap, and Superconducting Tc of Hole Doped Cuprates: Interrelations and Implications
无论它们属于哪一类，所有的空穴掺杂高Tc铜酸盐超导体在欠掺杂区域的超导转变温度和特征赝能隙之间表现出反相关。准粒子谱密度中的掺杂依赖性赝能隙被认为可以去除低能电子态，从而减少超导凝聚。另一方面，CuO 2平面内的杂质在么正性极限下破坏库珀对，并降低超流密度。纯铜氧化物中的赝能隙和无序铜氧化物中的杂质散射都能有效地降低Tc。在这项研究中，我们比较和对比的Tc退化的机制，由于赝能隙和杂质散射空穴掺杂的铜氧化物。我们提出了一个框架，在这个框架中，这两个因素可以在某种程度上平等对待。除了杂质和赝能隙依赖的超导转变温度外，本文还采用该方案研究了高温超导铜氧化物中无序和空穴含量依赖的同位素指数。
2018-09-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak phase separation and the pseudogap in the electron-doped cuprates
利用变分集团微扰理论方法研究了电子和空穴掺杂铜氧化物模型中从反铁磁体到超导体的量子跃迁。在这两种情况下，我们的研究结果表明，在低掺杂的混合反铁磁超导相和纯超导相在较大的掺杂之间的相分离的趋势。然而，在电子掺杂的情况下，相分离的能量尺度比空穴掺杂小一个数量级。我们认为，这可以解释不同的赝能隙和超导过渡尺度的空穴和电子掺杂材料。
2005-08-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Full superconducting gap in the doped topological crystalline insulator, Sn$_{0.6}$In$_{0.4}$Te
掺杂的拓扑晶体绝缘体Sn $_{0.6}$ In $_{0.4}$ Te超导单晶的热导率为$T_c =$ 4.1 K，测量到低至50 mK。发现在零磁场下，剩余线性项$κ_0/T$可以忽略。在低磁场下，$κ_0/T$显示出慢场依赖性。这些结果表明，超导能隙是无节点的，除非存在与热流方向垂直的点节点。然而，由于Sn $_{0.6}$ In $_{0.4}$ Te的高对称性fcc晶体结构，可以排除这种点节点。因此，我们证明，这种拓扑超导体候选人有一个完整的超导能隙在散装。它可能是非常规的奇宇称$A_{1u}$态，支持表面Andreev束缚态。
2013-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic structure of the electron-doped cuprate superconductors
在动能驱动的d波超导框架下，研究了电子掺杂铜氧化物超导体的电子结构。结果表明，虽然在相图中存在电子-空穴不对称性，但电子掺杂铜氧化物超导态的电子结构与空穴掺杂的情况相似。随着电子掺杂量的增加，$(π,0)$点处的谱权增加，而超导准粒子峰的位置向费米能方向移动。类似于空穴掺杂的情况，$(π,0)$点周围的超导准粒子随动量的分散非常弱。
2007-02-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Monotonic d-wave Superconducting Gap in Optimally-Doped Bi$_2$Sr$_{1.6}$La$_{0.4}$CuO$_6$ Superconductor by Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
利用超高分辨激光角分辨光电子能谱研究了最佳掺杂Bi $_2$ Sr $_{1.6}$ La $_{0.4}$ CuO $_6$超导体的超导能隙和赝能隙随动量和温度的变化关系。在超导状态下测得的能隙表现出标准的{ \it d}-波形。赝能隙在T $_c$以上的费米面的很大一部分打开，在结区附近形成“费米弧”。在“费米弧”以外的区域，赝能隙具有与超导态类似的能隙大小和动量依赖性，能隙随温度变化很小，在T_PDMATHABMR上没有突变。这些观测结果表明赝能隙和超导能隙是密切相关的，并支持赝能隙是超导能隙的先驱的观点。
2008-08-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Transition from a mixed to a pure d-wave symmetry in superconducting optimally doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$ thin films under applied fields
在垂直于$CuO_2$面、平行于薄膜表面的磁场作用下，沿（110）取向的$_2$薄膜的节结方向隧穿，探测了节结准粒子的朗道能级.在最佳掺杂的薄膜和在低温下，有限的能量节点状态清楚地观察到薄膜薄于伦敦的穿透深度。在一个明确定义的温度以上，序参量恢复到纯\emph{d}波对称。
2007-04-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Supersolid phases of a doped valence-bond quantum antiferromagnet: Evidence for a coexisting superconducting order parameter
激发的二维海森堡烧绿石晶格的价键基态的数值证据，我们认为使用$t$ - $J$模型，它演变成新的阶段，其特征在于超导共存的基本价键固体秩序掺杂。一个费米平均场论补充精确对角化的结果提供了强有力的论据，有利于这种超固相的稳定性。与调制的超导模式在高$T_c$铜酸盐的相似性以及可能的相关性，如尖晶石和焦磷酸盐超导体受挫。
2009-07-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Intrinsic spin-orbit coupling in superconducting δ-doped SrTiO3 heterostructures
我们报告违反泡利极限由于内在的自旋轨道耦合SrTiO 3异质结构。通过选择性掺杂到几纳米，形成了二维超导体，几何上抑制了轨道对断裂。自旋-轨道散射暴露的强大的面内超导上临界场，超过泡利极限的4倍。输运散射时间比常规薄膜超导体高几个数量级，使得能够进入新的状态，其中自旋-轨道耦合效应非微扰地出现。
2011-06-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Bipolar-doped superconducting infinite-layer cuprates
Southern University of Science and Technology（南方科技大学）；Quantum Science Center of Guangdong-Hong Kong-Macao Greater Bay Area（粤港澳大湾区量子科学中心）；Tsinghua University（清华大学）
通过合成电子和空穴掺杂的无限层铜氧化物薄膜，绘制电子相图，发现反铁磁能带折叠与超导共存，空穴掺杂约0.07时超导转变温度超过60 K，重新定义了磁有序与超导的相互作用。
2026-06-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting electronic state in optimally doped YBa2Cu3O7-d observed with laser-excited angle-resolved photoemission spectroscopy
利用激光激发角分辨光电子能谱研究了最佳掺杂YBa_2Cu_3O_（7-d）的低能电子结构。表面状态和CuO的链状带，通常重叠的CuO 2平面衍生的频带未被检测到，从而使体超导状态的一个清晰的观察。观察到的费米面的双层分裂沿（0，0）-（pi，pi）方向约为0.08埃^{-1}，明显大于Bi 2Sr 2CaCu 2 O 8 +d。在~60 meV的带色散反映重整化效应的扭结结构显示类似于在其他空穴掺杂的铜氧化物。超导能隙的动量依赖性显示出d_{x^2-y^2}波状振幅，但沿（0，0）-（pi，pi）方向显示出非零的最小值~12 meV。这种意想不到的“无节点”的间隙行为的可能起源进行了讨论。
2009-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nonmonotonic gap in the coexisting antiferromagnetic and superconducting state for electron-doped cuprate superconductors
我们认为，实验观察到的非单调的间隙在电子掺杂的铜氧化物在最佳掺杂是最低的准粒子激发能在共存的反铁磁（AF）和超导（SC）状态。该思想通过研究AF和SC阶的共存与t-t '-t''-J模型来实现。虽然配对间隙本身被假定为最简单的$d$波，这是单调的，我们已经发现，在共存状态的准粒子激发间隙是非单调的，与周围的热点费米面是由于AF间隙丢失的最大值。在共存态的相同框架内，还计算了最佳掺杂下的光谱函数。所得结果均与实验相符。
2005-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nodeless superconducting gap in electron-doped BaFe$_{1.9}$Ni$_{0.1}$As$_2$ probed by quasiparticle heat transport
测量了电子掺杂砷化铁超导体BaFe $_{1.9}$ Ni $_{0.1}$ As $_2$（$T_c$ = 20.3 K）单晶的面内热导率$κ$，其值可低至70 mK。在零磁场下，$ T \to 0$处没有剩余线性项$κ_0/T$，这是无结超导能隙的有力证据。在磁场中，$κ_0/T$显示出高达$H$ = 14.5 T（$\approx$ 30% $H_{c_2}$）的慢场依赖性。这与BaFe $_{1.85}$ Co $_{0.15}$ As $_2$（$T_c$ = 25.5 K）中的角分辨光电子能谱实验所证明的超导能隙结构一致，其中观察到空穴和电子袋上具有相似尺寸的各向同性超导能隙。
2009-07-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for charge Kondo effect in superconducting Tl-doped PbTe
我们报告的结果低温热力学和运输测量的Pb_{1-x} Tl_{x} Te单晶的Tl浓度高达约x = 1.5%的溶解度极限。对于所有掺杂的样品，我们观察到低温电阻率上升的规模与Tl浓度的大小。这种上升的温度和电场依赖性与电荷近藤效应相一致，该效应涉及简并的T1价态相差两个电子，其特征近藤温度T_K ~ 6 K。这种效应的观察支持了该材料超导电性的电子配对机制，并可能解释了该材料异常高的T_c值。
2005-02-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Melting the Superconducting State in the Electron Doped Cuprate Pr$_{1.85}% $Ce$_{0.15}$CuO$_{4-δ}$ with Intense near-infrared and Terahertz Pulses
利用近红外和窄带THz脉冲泵浦，研究了电子掺杂铜氧化物Pr $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4-δ}$的超导态耗尽过程.当泵浦太赫兹脉冲调谐以上的SC间隙，我们发现所需的吸收能量密度耗尽超导性，$A_{dep}$，热力学凝聚能相匹配。相反，通过NIR泵浦，$A_{dep}$高一个数量级，尽管SC能隙比相关玻色子激发的能量小得多。这个结果意味着只有一小部分玻色子对配对有贡献。
2016-03-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low Temperature Thermal Transport in High Temperature Superconducting BSCCO via Y-doped Insulating Analogue
为了分离高温超导Bi 2212中热输运的电子和声子机制，我们测量了纯Bi 2212的绝缘类似物Y掺杂Bi 2212单晶在40 mK和2 K温度范围内的热导率。温度依赖性的绝缘样品的热导率的变化从T $^{1.7}$之间的1和2 K的$T^{2.6}$低于200 mK，表示饱和的声子平均自由程随着温度的降低。总体而言，与超导样品相比，绝缘样品的热导率（这完全是由于声子）被强烈抑制。因此，超导Bi 2212中的总热传输的大部分（并且在最低温度下，占主导地位）是由于电子。
2002-01-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Structure of Ce-Doped and -Undoped Nd$_2$CuO$_4$ Superconducting Thin Films Studied by Hard X-ray Photoemission and Soft X-ray Absorption Spectroscopy
为了在具有T '型结构的铜酸盐中实现超导电性，不仅需要化学取代（Ce掺杂），而且还需要生长后的还原退火。然而，在薄膜的情况下，没有Ce掺杂的精心设计的还原退火可以在T '型铜氧化物中诱导超导性。为了揭示不掺杂Ce的T '型铜氧化物超导电性的起源，我们对超导和非超导Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（$x=$ 0，0.15，0.19）薄膜进行了体敏硬X射线光电子能谱和软X射线吸收谱研究。通过生长后的退火处理，芯能级谱发生了显著的变化，这是由于CuO $_2$晶面的芯-孔屏蔽增强以及化学势随能带填充变化而发生的移动。结果表明，Nd $_2$ CuO $_4$超导薄膜中掺杂了电子，其电子态与Ce掺杂超导体的电子态相似。
2018-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal State Nernst Effect in Electron-doped Pr2-xCexCuO4: Superconducting Fluctuations and Two-band Transport
本文系统地研究了电子掺杂铜氧化物Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_{4-δ}$在较宽的掺杂（0.05 $\leq x \leq$ 0.21）和温度范围内的正常态能斯特效应。在低温下，我们观察到一个显着的涡旋能斯特信号高于T $_c$在欠掺杂的薄膜，但没有这样的正常状态涡旋能斯特信号被发现在过掺杂区。在欠掺杂区的超导波动最有可能是非相干的相位波动中发现的空穴掺杂铜氧化物。在高温下，一个大的正常状态能斯特信号被发现在掺杂从轻微欠掺杂到高度过掺杂。结合正常态热电势、霍尔效应和磁电阻的测量结果，大能斯特效应与两带模型是一致的。对于高度过掺杂的薄膜，大的能斯特效应是反常的，不能用光电发射实验中看到的简单的空穴状费米表面来解释。
2007-10-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Energy Scales in the Raman spectrum of electrons and hole doped cuprates within competing scenarios
最近在欠掺杂空穴掺杂铜氧化物的实验表明，在超导状态下的拉曼光谱中存在两个能量标度。在赝能隙和超导性相互竞争的某些模型中，这一特征有一个自然的解释。在电子掺杂的铜氧化物中，反铁磁关联被认为在超导状态下仍然存在，并在临界温度以上产生赝能隙。与空穴掺杂的系统相反，在电子掺杂的化合物中，由于在B $_{1g}$（波腹）和B $_{2g}$（波节）通道中，在几meV的频率处（典型的超导序参量），对破缺拉曼强度峰，因此仅出现一个能量标度。本文分析了电子和空穴掺杂铜氧化物中赝能隙与超导电性竞争在拉曼光谱中的不同效应。在这两个系统中的能量标度的差异被解释在不同的截断的费米面引起的赝能隙。对于电子掺杂的铜氧化物，我们还分析了反铁磁性和非单调超导序参量的光谱。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Specific heat of aluminium-doped superconducting silicon carbide
在重掺硼的金刚石、硅和碳化硅中发现的超导电性重新引起了人们对掺杂电荷载流子的宽禁带半导体的基态的兴趣。最近，碳化硅中的铝掺杂成功地产生了金属相，在高铝浓度下，超导性出现。在这里，我们提出了一个比热研究超导铝掺杂碳化硅。我们观察到一个明显的跳跃异常的超导转变温度为1.5 K，表明掺铝碳化硅是一个大块超导体。跳跃异常的分析表明，BCS类声子介导的超导在这个系统中。
2009-05-30 cond-mat.supr-con
Higher-Order Nodal Hinge States in Doped Superconducting Topological Insulator
掺杂强拓扑绝缘体是实现全禁带三维拓扑超导体（TSC）最有希望的候选材料之一。在这封信中，我们重新审视这个系统，并揭示了以前错过的高阶拓扑的可能性。我们发现，在一个有限的范围内的掺杂，Fu-Berg超导配对可以引起马约拉纳表面状态，和节点铰链状态。有趣的是，我们观察到的表面和铰链模式共存的超导状态下，只有当有体和表面费米面在正常状态。此外，我们发现，铰链模式可以出现的正常状态组成的强或弱掺杂的拓扑绝缘体。总之，这项工作可以允许在一个很好的探索类材料中发现超导铰链模式，即，掺杂的强或弱拓扑绝缘体。
2022-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
THz phonon spectroscopy of doped superconducting cuprates
综述了铜酸铋的太赫兹声子谱研究。
2012-10-12 cond-mat.supr-con
Revised superconducting phase diagram of hole doped Na$_{x}$(H$_{3}$O)$_{z}$CoO$_{2}\cdot y$H$_{2}$O
我们研究了\NaH \space作为电子掺杂的函数的超导相图，表征我们的样品中的Na含量$x$和Co价态。我们的研究结果是一致的，最近的一份报告，插入的\oxp \space离子到Na $_{x}$ CoO $_{2}$，与水一起，作为一个额外的掺杂剂，这表明，Na子化学计量学单独不控制这些材料的电子掺杂。我们发现了一个超导相图，其中最佳的\Tc \space是通过3.24 - 3.35的Co价范围内实现的，而\Tc \space降低材料具有较高的Co价。相似掺杂的非超导无水样品突出了维度在实现超导性中的关键作用，与超导水合物的区别仅在于层间间距。随着Co价态变化到最佳\Tc \space区域，CoO $_{2}$片之间的层间分离增加，进一步证明了这种临界性。
2004-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetization Measurement of a Possible High-Temperature Superconducting State in Amorphous Carbon Doped with Sulfur
用磁化强度M（T，H）测量了掺硫非晶碳粉（AC-S）在T_c = 38 K以下的非均匀超导性。构造的磁场-温度（H-T）相图类似于II型超导体。然而，AC-S显示了一些异常。特别地，我们观察到（1）下临界场H_c1（T）的非单调行为;（2）与磁通晶格熔化线Hm（T）相关联的“上临界场边界”的显著正曲率;（3）与SC共存的自发类铁磁磁化M0。
2009-02-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous scattering in superconducting indium-doped tin telluride
电阻率，霍尔效应，磁阻，磁化率和热容量测量的结果与组成Sn $_{.988-x}$在$_x$ Te其中$0 \leq x \leq 8.4 %$，随着基于透射电子显微镜的微观结构分析的铟掺杂碲化锡单晶。对于小的铟浓度，$x \leq 0.9 %$的材料不超导高于0.3 K，和传输特性是一致的简单的金属行为。对于$x \geq 2.7 %$，材料表现出反常的低温散射，对于$x \geq 6.1 %$，在接近2 K的临界温度下观察到体超导性。中等铟浓度$2.7% \leq x \leq 3.8%$在0.7 K以上不表现出体超导性。磁化率数据表明没有磁性杂质，而磁电阻数据是不一致的本地化效应，导致的结论是，铟掺杂的SnTe是一个候选人的电荷近藤系统，类似于铊掺杂的PbTe。
2010-09-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of unconventional band topology in a superconducting doped topological insulator, Cux-Bi2Se3: Topological Superconductor or non-Abelian superconductor?
最近发现掺铜的拓扑绝缘体Bi $_2$ Se $_3$在冷却时经历超导转变，这提高了它是第一个已知的“拓扑超导体”或实现新的非阿贝尔超导状态的可能性。它的真正性质取决于关键的体和表面状态带拓扑结构。我们提出了第一个光电子能谱的结果，通过检查在许多不同的铜掺杂值的能带拓扑，我们发现，拓扑保护的自旋螺旋表面状态保持良好的保护和分离的费米能级，其中铜配对发生在最佳掺杂的拓扑绝缘体的体狄拉克带。铜的加入导致非线性电子掺杂和强重整化的拓扑表面态。这些极不寻常的观测结果强烈地表明，在Cu $_x$ Bi $_2$ Se $_3$的拓扑表面上的超导性不能是任何常规类型的一般拓扑理论。首次报道了三维体狄拉克能带结构的超导掺杂态和拓扑不变性质，这将有助于为这种新型超导体制定一个具体的理论。
2009-12-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin triplet superconducting pairing in doped MoS$_2$
在材料科学和量子信息的广泛领域中，对三重态超导性的探索已经进行了几十年。然而，这些新的状态仍然很罕见。在一个简化的有效三轨道模型下，我们采用有限温度决定子量子Monte Carlo方法和基态限制相位量子Monte Carlo方法，揭示了掺杂MoS $_2$中的自旋三重态配对.在电荷中性$\avg{n}=2/3$周围的$\avg{n}=0.60-0.80$的宽填充区域中，$f$ -波配对比其它对称性占主导地位。对磁化率随在位库仑相互作用的增大而增大，对自旋轨道耦合不敏感。
2022-10-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting coherence lengths of hole-doped cuprates obtained from electron-boson spectral density functions
电子玻色子谱密度函数（EBSDF）可以使用各种光谱技术（包括光谱学）从测量的光谱中获得。EBSDF，被称为胶水功能，具有磁性起源。在这里，我们研究了EBSDF从测量的光谱的空穴掺杂的铜酸盐具有宽的掺杂水平，从欠掺杂到过掺杂的铜酸盐。EBSDF的平均频率提供了自旋涨落形成库珀对的时间尺度。这个时间尺度与电子之间的延迟相互作用直接相关。利用这个时间尺度和费米速度，可以提取出一个合理的超导相干长度，它反映了库珀对的大小。所获得的相干长度与通过其他实验技术测量的一致。因此，库珀对在铜酸盐中的形成可以用自旋涨落来解释，其时间尺度出现在EBSDF中。因此，EBSDF提供了重要的信息的时间尺度上的微观机制的库珀对形成。
2021-01-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Coexistence of the antiferromagnetic and superconducting order and its effect on spin dynamics in electron-doped high-$T_{c}$ cuprates
在$t-t'-t''-J$模型的从玻色子方法的框架下，发现对于电子掺杂的高- $T_c$铜酸盐，交错反铁磁（AF）有序与超导（SC）有序共存，其掺杂范围从平均场水平的欠掺杂到接近最佳掺杂。在共存阶段，它揭示了自旋响应是相称的，在一个基本的频率范围内低于交叉频率$ω_{c}$考虑所有的掺杂，它切换到无公度结构时，频率高于$ω_{c}$。这一结果与实验测量相一致。的自旋响应之间的共存相和纯SC相与$d_{x^{2}-y^{2}}$波配对加上高次谐波项（DP+HH）的比较表明，包含的双带效应是重要的，始终占的自旋响应的色散和非单调的间隙行为在电子掺杂的铜酸盐。
2009-07-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films
我们用射频溅射法在x = 0.12的KTaO 3衬底上外延生长了c轴取向的SrxLa 1-xCuO 2薄膜。用原位氧还原法制备了一系列Tc（R=0）高达26 K的超导薄膜。这些样品的ab平面中的传输测量已经进行。我们报告的原始结果的温度依赖性的霍尔效应和各向异性磁电阻（T > Tc）。我们讨论了上临界场和各向异性的大小，霍尔效应，它提出了两种类型的载体，正常状态的磁阻，负平行磁场，自旋散射的可能签名的存在指示的符号的变化。这些属性进行比较的空穴掺杂的铜酸盐，如BiSr（La）CuO具有可比的Tc。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Local Moment Formation in the Superconducting State of a Doped Mott Insulator
本文提出了高温超导体中非磁性杂质或铜缺陷附近局域磁矩形成的微观理论。本文利用t-J模型的重整化平均场理论，研究了掺杂莫特绝缘体自旋S=0和S=1/2扇区中d波超导态的完全自洽、空间无限制解.当重正化交换耦合超过依赖于掺杂的临界值时，我们发现从单重d波SC态到自旋二重SC态的转变。诱导S=1/2矩是交错的，并局限于周围的杂质。它产生于S=1/2节准粒子激发的杂质的绑定。计算了局域态密度谱，并讨论了与NMR和STM实验的关系。
2002-09-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetic and superconducting properties of pure and Co-doped CaFe$_2$As$_2$ single crystals
我们报告的各向异性直流磁化率$χ(T)$，电阻率$ρ(T)$，和热容$C(T)$测量的单晶的CaFe $_{2-x}$ Co $_x$作为$_2$的$x$ = 0和0.06。以Sn为溶剂，采用高温溶液法生长了大尺寸单晶。对于$x$ = 0的纯化合物，在170 K处观察到高温转变，这归因于结合的自旋密度波（SDW）有序和结构相变。另一方面，对于$x$ = 0.06的Co掺杂样品，在$\simeq$ 17 K下观察到超导电性的同时，SDW转变被抑制。磁化强度和电阻率研究证实了超导转变。CaFe $_2$ As中的$_2$的$^{57}$ Fe穆斯堡尔谱表明SDW有序是无公度的。在Co掺杂的样品中，观察到在4.2 K处的显著顺磁性线，表明SDW状态的减弱。
2008-12-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of pressure on the superconducting transition temperature of doped and neutron-damaged MgB2
测量的超导转变温度的Al掺杂，C掺杂和中子损伤退火的MgB 2样品在压力高达~8千巴。dT_c/dP值随环境压力T_c的降低而有规律地变化。假设声子谱的变化是对dT_c/dP的主要贡献，可以理解压力导数的演变。
2004-11-05 cond-mat.supr-con
Nernst Effect and Superconducting Fluctuations in Zn-doped YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-δ}$
报道了用脉冲激光沉积技术生长的Zn掺杂$_{2}$ O $_{3}$外延薄膜的面内电阻率、霍尔效应和能斯特效应的测量结果。的赝能隙温度，$T^*$，确定从电阻率的温度依赖性，不改变与Zn掺杂显着。同时，在$T_{c0}$以上的反常能斯特信号的起始温度（$T^ν$）随着超导转变温度$T_{c0}$的降低而急剧降低，这被解释为类涡旋激发的证据。在混合态下，涡旋能斯特信号的最大值也显著降低，这与Zn杂质导致超流密度降低从而抑制超导电性的假设相一致.给出并讨论了$T^*$、$T^ν$和$T_{c0}$与Zn含量的相图。
2005-09-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-Fermi-surface superconducting state and a nodal d-wave gap in the electron-doped Sm(1.85)Ce(0.15)CuO(4-d) cuprate superconductor
本文报道了电子掺杂铜氧化物Sm（1.85）Ce（0.15）CuO（4-d）的激光激发角分辨光电子能谱（ARPES）。结果表明，在正常态和超导态下都存在一个节孔袋费米面。通过对主带和折叠带相干因子的分析，证明了它的起源是长程反铁磁性。这种长程反铁磁性和超导性的共存意味着电子掺杂的铜氧化物是双费米面超导体。在节孔袋中测量的超导能隙与d波对称性相容。
2011-04-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Multiple nodeless superconducting gaps in optimally-doped SrTi$_{1-x}$Nb$_{x}$O$_{3}$
我们首次研究了超导SrTi $_{1-x}$ Nb $_{x}$ O $_{3}$的热导率，充分掺杂到接近其最大临界温度。由比热跃变确定的体临界温度发生在比电阻T $_{c}$低得多的温度。热导率，占主导地位的电子的贡献，偏离其正常状态的幅度在散装T $_{c}$，以下的Bardeen-Rickayzen-Tewordt（BRT）的行为，预计由Bogoliubov激发的热传输。在非常低的温度下T-线性项的缺乏排除了节准粒子的存在。另一方面，热传导率的场依赖性指向至少两个不同的超导间隙的存在。最佳掺杂的钛酸锶是一种多能隙无结超导体。
2014-09-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting and Normal State Properties of Heavily Hole-Doped Diamond
本文报道了用非晶硼和石墨在高温高压条件下反应制备的掺硼金刚石的比热、霍尔效应、上临界场和电阻率的测量结果。这些实验建立了明确的证据，体超导性，并提供了一套一致的材料参数，有利于传统的，弱耦合的电子-声子解释的超导机制在高空穴掺杂。
2004-09-23 cond-mat.supr-con
Superconducting junctions from non-superconducting doped CuO$_2$ layers
对最近提出的描述多层选择性掺杂体系中电荷重分布的理论方法进行了修正，使之适用于有限层数的体系。一个特别注意的是支付的情况下，有限的异质结构的铜氧化物层都是非超导（包括非导电），因为掺杂水平超出了众所周知的超导性的特征区间。提出了特定的有限结构和掺杂配置，以获得不同成分的原子薄超导异质结。
2010-09-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconducting Transition in Doped Antiferromagnet
研究了掺杂反铁磁体中的超导转变。在t-J模型的相弦框架下，通过对偶变换和重整化群处理，得到了一个描述相相干跃迁的有效模型.我们表明，这样的拓扑转变是由自旋激发，与转变温度由一个特征自旋激发能。讨论了交错电流回路的类伊辛长程序的存在性。
2001-10-24 cond-mat.supr-con
Superconducting performance of ex-situ SiC-doped MgB2 mono-filamentary tapes
我们报道了非原位SiC掺杂MgB 2单芯带材的超导性能。采用传统的固相反应法合成了MgB 2掺杂5wt%SiC和10wt%SiC的多晶粉末，并对其超导性能进行了表征。结果表明，SiC的加入使超导参数上临界场（Hc 2）、不可逆场（Hirr）和临界电流密度（Jc）均得到显著提高。还发现，相对较低的合成温度（700 ℃）导致进一步改善的超导参数。合成的粉末用于非原位粉末管（PIT）超导带材和超导参数的测定。虽然掺杂SiC的超导转变温度（Tc）略有降低（2K），但从磁化强度和输运测量确定的临界电流密度（Jc）方面的超导性能显著提高。特别是SiC掺杂和700 °C合成的MgB 2带材在高达7特斯拉的施加场下表现出接近10^4 A/cm 2的传输Jc。此外，它被发现，Jc各向异性显着降低SiC掺杂磁带。由于C在B位的取代而引起的无序是由破碎的SiC产生的，并且在SiC添加的非原位MgB 2带材中分别存在纳米SiC，这是降低各向异性和改善Jc（H）性能的原因。
2014-05-16 cond-mat.supr-con
