Hybridisation in two-band Hubbard models with different bandwidths
Joerg Buenemann, David Rasch, Florian Gebhard
利用Gutzwiller变分理论研究了两带哈伯德模型中的轨道选择Mott跃迁。特别是，我们研究了在不同轨道上的金属-绝缘体过渡的电子之间的有限的本地杂化的影响。
We investigate the orbital selective Mott transition in two-band Hubbard models by means of the Gutzwiller variational theory. In particular, we study the influence of a finite local hybridisation between electrons in different orbitals on the metal-insulator transition.
机构、总结、中文摘要均由AI分析而来，可能存在错误，请以论文正文为准。
继续探索
Phase Diagrams of the Two-Orbital Hubbard Model with Different Bandwidths
利用自能泛函方法研究了无限维双轨道哈伯德模型.通过计算零温下的熵、磁化率和准粒子量，确定了系统在相同和不同带宽下的相图，并与最近得到的相图进行了比较。阐明了轨道涨落在控制系统中Mott跃迁的性质中起着关键作用。
Mott insulating state in a quarter-filled two-orbital Hubbard chain with different bandwidths
研究了一维两带哈伯德模型在不同带宽下的基态性质。应用密度矩阵重整化群方法计算了平均电子占据数$n$与化学势$μ$的关系。在四分之一和二分之一填充时，“电荷平台”出现在$n$图中，其中$dμ/dn$发散并且实现Mott绝缘状态。为了了解四分之一电荷平台中的轨道极化是如何发展的，我们应用了来自四分之一填充时强耦合极限的二阶微扰理论。所得的Kugel-Khomskii自旋轨道模型包括耦合到轨道伪自旋的$magnetic$场。这个场起源于两个带宽之间的差异，并导致有限的轨道赝自旋磁化。
Using a high-frequency expansion in periodically driven extended Hubbard models, where the strengths and ranges of density-density interactions are arbitrary, we obtain the effective interactions and bandwidth, which depend sensitively on the polarization of the driving field. Then, we numerically calculate modulations of correlation functions in a quarter-filled extended Hubbard model with nearest-neighbor interactions on a triangular lattice with trimers after monocycle pulse excitation. We discuss how the resultant modulations are compatible with the effective interactions and bandwidth der…
Bandwidth-control vs. doping-control Mott transition in the Hubbard model
基于哈伯德模型的从转子模型\cite{Florens}，我们重新研究了自旋液体莫特绝缘体到费米液体金属的带宽控制和掺杂控制的Mott跃迁（BCMT和DCMT），其中Mott跃迁由玻色子集体激发的软化来描述.我们发现，远离半填充的绝缘相的性质与半填充的绝缘相的性质不同，即电荷密度波与拓扑序共存（自旋液体）远离半填充，因为在“双磁场“的存在下，涡旋的凝聚一般破坏平移对称性。而拓扑秩序保持稳定，由于费米面附近的无隙激发。进行重整化群分析，我们讨论了由于费米面耗散规范涨落的BCMT和DCMT的作用。
Hubbard Model with Inter-Site Kinetic Correlations
在Hubbard III近似下引入了电子-电子关联。这种关联在哈伯德III近似和等效相干势近似中都被排除了。包括它带来了两个自旋相关效应：带宽修正和带移修正，它们都激发了铁磁基态。带移校正因子引起自旋上、自旋下光谱之间的交换劈裂，其作用类似于经典Stoner模型中的交换作用。自旋相关带宽校正通过相对于少数自旋带宽减小某些电子占据的多数自旋带宽来降低电子的动能。在某些条件下，它可以导致铁磁排列。以这种方式获得的动能的增益与由于交换分裂而获得的势能的效果相反。带移因子是铁磁性背后的主导力。带宽因子的影响太弱，不能产生铁磁性，唯一的结果是对经典相干势近似的修正，有利于铁磁性。
Metal-insulator transition in the two-orbital Hubbard model at fractional band fillings: Self-energy functional approach
本文研究了无限维二轨道哈伯德模型在任意能带填充下的性质。利用自能泛函方法，讨论了具有相同和不同带宽的系统中金属态的稳定性。结果发现，莫特绝缘相实现在相称的带填充。此外，它是澄清的轨道选择莫特相位与一个轨道本地化和其他巡回的稳定，即使在分数频带填充系统中具有不同的带宽。
Magnetic and Metal-Insulator Transitions through Bandwidth Control in Two-Dimensional Hubbard Models with Nearest and Next-Nearest Neighbor Transfers
本文报道了通过控制带宽与电子-电子相互作用之比（$U$）引起的Mott跃迁的数值研究。利用最近提出的路径积分重整化群（PIRG）方法，研究了具有最近邻和次最近邻转移（分别为$-t$和$t'$）的二维半填充模型作为几何阻挫系统的原型在基态跃迁附近的物理性质.带宽控制跃迁的性质与填充控制跃迁的性质形成了鲜明的对比：第一，金属-绝缘体和磁性跃迁相互分离，金属-绝缘体（MI）跃迁发生在较小的$U$处，尽管两种跃迁相互作用$U$都随着$t'$的增加而增加。对于较小的$t'/t$，这两种转变都不与一级转变相矛盾，而对于较大的$t'/t$，MI转变变为连续型，并伴随着{\it异常金属相}在转变附近的出现。在MI和AF转变之间，一个稳定的绝缘体相是稳定的。随着$t'/t$的增加，半导体绝缘体的区域变宽。相图自然地连接两个性质不同的限制，即在小$t'/t$和猜测在强耦合海森堡限制哈特里-福克的结果。
We consider the standard repulsive Hubbard model with a flat lowest-energy band for two one-dimensional lattices (diamond chain and ladder) as well as for a two-dimensional lattice (bilayer) at half filling of the flat band. The considered models do not fall in the class of Mielke-Tasaki flat-band ferromagnets, since they do not obey the connectivity conditions. However, the ground-state ferromagnetism can emerge, if the flat band becomes dispersive. To study this kinetic-energy-driven ferromagnetism we use perturbation theory and exact diagonalization of finite lattices. We find as a typical …
Spectroscopic signatures of a bandwidth-controlled Mott transition at the surface of 1T-TaSe$_2$
高分辨角分辨光电子能谱（ARPES）数据表明，准二维化合物TaSe $_2$的表面发生了金属-绝缘体Mott转变.的转变是由Ta的$5d$带的原子位置的温度依赖性调制引起的变窄。半满哈伯德模型的谱函数的动力学平均场论计算捕获的数据的主要定性特征，即从观察到的准粒子峰在费米表面的哈伯德带的谱权重的快速转移，作为相关间隙打开。
Precise Determination of Phase Diagram for Two-Dimensional Hubbard Model with Filling- and Bandwidth-Control Mott Transitions: Grand-Canonical Path-Integral Renormalization Group Approach
通过推广路径积分重整化群方法，提出了一种新的处理巨正则系综的相互作用费米子系统的数值算法。为了处理巨正则系综，将粒子-空穴变换应用于哈密顿量和基态。在相互作用项投影中，引入了上下自旋电子杂化的Stratonovich-Hubbard变换。利用这种方法，通过将填充控制（FC）和带宽控制（BC）的Mott跃迁统一处理，精确地确定了具有次近邻转移的二维哈伯德模型的相图。在化学势和库仑相互作用的平面上，得到了V形的Mott绝缘相，其中角点（BC）和边点（FC）处的相变具有明显的对比特征，边点附近的临界涨落与角点处的一级相变共存.这种对比的行为被证明是一致的V形结构的相边界，因为一个一般的关系，其中的金属-绝缘体的过渡线在相图中的斜率表示的热力学量。Mott能隙的V形开口与过渡金属氧化物的实验结果相比是有利的。
Magnetic orderings and phase separations in the zero-bandwidth limit of the extended Hubbard model with intersite magnetic interactions
本文分析了一种描述磁有序绝缘体的简单有效的模型。紧束缚哈密顿量由有效的在位相互作用（U）和最近邻之间的位间磁交换相互作用（Jz，Jxy）组成。该模型的相图已被确定内的变分方法，它对待的网站上的相互作用项准确和平均场近似内的intersite相互作用。我们发现，依赖于相互作用参数和电子浓度的值，该系统不仅可以表现出均匀的相：（反）铁磁（F）和无序（NO），但相分离状态（PS：F-NO）。
Orbital-selective Mott transitions in the degenerate Hubbard model
研究了不同带宽的两带哈伯德模型中的Mott跃迁。应用动力学平均场论，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。我们表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般，合并到一个单一的过渡，只有在特殊条件下。这种行为可能是有关的物理的单层双烯酸盐，Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$。
Dynamical cluster approximation study of the anisotropic two-orbital Hubbard model
在动力学团簇近似（DCA）和连续时间量子蒙特卡罗（CT QMC）算法的框架下，研究了正方晶格上具有不等带宽的双轨道哈伯德模型的性质.我们探讨了短距离空间涨落对金属-绝缘体跃迁性质的影响，以及可能发生的轨道选择性莫特跃迁（OSMT），作为团簇大小$N_c$的函数。我们观察到，对于$N_c=2$没有OSMT是本，而是带绝缘体状态的两个轨道是稳定的，在低温下由于出现的人工本地有序状态。对于$N_c=4$，DCA计算表明存在五个不同的相位，它们起源于不同带宽的空间涨落和轨道之间的合作和竞争，并且OSMT相位是稳定的。根据我们的研究结果，我们讨论了差距开放的性质。
Mott Transition in the Hubbard Model on Checkerboard Lattice
利用路径积分重整化群（PIRG）方法研究了棋盘格点上哈伯德模型在半满时的带宽控制的Mott跃迁.结果表明，在有限的Hubbard相互作用下，该体系经历了一级相变到格片-单重态绝缘相。这一结论是通过详细分析相变点附近的自旋和电荷关联，并采用本文提出的一种新的迭代格式，借助于PIRG方法得到的。
Mass renormalization in the band width-controlled Mott-Hubbard systems SrVO3 and CaVO3 studied by angle-resolved photoemission spectroscopy
Ca 1-xSrxVO 3是一个Mott-Hubbard型关联电子系统，其带宽可以通过V-O-V键角来改变，但带宽控制对电子结构的实际影响在以往的光电子发射实验中一直存在争议。在这项工作中，带色散和费米面的SrVO 3和CaVO 3的角分辨光电子能谱进行了研究。在Fermi能级附近，观察到了由三个V3 dt 2g轨道形成的圆柱形Fermi面的三个能带。这两种化合物所观察到的能带宽度几乎是局域密度近似能带结构计算预测的一半，证实了电子相关引起的质量重整化。它已清楚地表明，在CaVO_3的d带的宽度比SrVO_3窄，定性与能带结构计算的结果一致。正交晶格畸变和电子关联的作用在观察到的带变窄进行了讨论。
The two-orbital Hubbard model and the OSMT
本文用复合算符方法分析了双轨道哈伯德模型，目的是研究轨道选择性莫特跃迁（OSMT）现象。该模型包含一个轨道间的相互作用$U'$，除了通常的轨道内的一个$U$。作为预热近似，我们只使用两个算子的基，即Hubbard算子。作为两个轨道的带宽之间的比率的函数的化学势的状态密度的分析显示出明确的签名的轨道选择性莫特过渡的预期。
We study by dynamical mean field theory the ground state of a quarter-filled Hubbard model of two bands with different bandwidths. At half-filling, this model is known to display an orbital selective Mott transition, with the narrower band undergoing Mott localisation while the wider one being still itinerant. At quarter-filling, the physical behaviour is different and to some extent reversed. The interaction generates an effective crystal field splitting, absent in the Hamiltonian, that tends to empty the narrower band in favour of the wider one, which also become more correlated than the for…
The ground state of the two-dimensional (2D) Hubbard model is investigated by adopting improved wave functions that take into account intersite electron correlation beyond the Gutzwiller ansatz. The ground-state energy is lowered considerably, giving the best estimate of the ground-state energy for the 2D Hubbard model. There is a crossover from weakly to strongly correlated regions as the on-site Coulomb interaction $U$ increases. The antiferromagnetic correlation induced by $U$ is reduced for hole doping when $U$ is large, being greater than the bandwidth, thus increasing the kinetic energy …
Mott transition in Kagomé lattice Hubbard model
利用集团动力学平均场论的推广，研究了Kagomé晶格哈伯德模型中的Mott跃迁.通过对双占据率、态密度、静态和动态自旋关联函数的计算，证实了该体系在Hubbard相互作用$U/W \sim 1.4$（$W$：带宽）下发生了一级Mott跃迁.在金属相接近莫特过渡，我们发现了三个不同的带强重整化，从而导致形成的重准粒子与强大的挫折。阐明了准粒子态在自旋关联函数随温度变化时的反常行为。
The extended Hubbard model in the zero-bandwidth limit is studied. The effective Hamiltonian consists of (i) on-site $U$ interaction and intersite (ii) density-density interaction $W$ and (iii) Ising-like magnetic exchange interaction $J$ (between the nearest-neighbors). We present rigorous (and analytical) results obtained within the transfer-matrix method for 1D-chain in two particular cases: (a) $W=0$ and $n=1$; (b) $U\rightarrow+\infty$ and $n=1/2$ ($W\neq 0$, $J\neq 0$). We obtain the exact formulas for the partition functions which enables to calculate thermodynamic properties such as en…
Phase separation in strongly correlated electron systems with wide and narrow bands: a comparison of the Hubbard-I and DMFT approximations
在Hubbard-I近似和动力学平均场近似下，分析了简立方晶格上的无自旋Falicov-Kimball模型。松原和实频巡回电子格林函数，掺杂系统的演变，和相分离的范围被发现在两个近似。在大的值的现场库仑排斥两种近似给出类似的结果。相分离也可以有利于更一般的模型，其中重电子具有有限的带宽。这表明相分离现象是具有宽谱带和窄谱带的Hubbard类模型所描述的体系的固有特征。
Orbital-selective Mott transitions in the anisotropic two-band Hubbard model at finite temperatures
利用动力学平均场论研究了低温下各向异性简并双轨道哈伯德模型。高精度计算的基础上的一个精致的量子蒙特卡罗（QMC）方法表明，两个不同的轨道选择性莫特跃迁发生的带宽比为2，即使在没有自旋翻转贡献的Hund交换。第二个过渡-没有看到在早期的研究中使用QMC，迭代微扰理论，和精确对角化-清楚地暴露在低频分析的自能和本地频谱。
Photo-induced Ferromagnetic and Superconducting Orders in Multi-orbital Hubbard Models
该研究利用非平衡动力学平均场理论，探究强关联两轨道Hubbard模型中的光诱导隐藏电子序，发现带宽差异会调控光掺杂态中铁磁序与不同类型η-超导序的出现，为非热电子序实现提供了新平台。
Absence of hysteresis at the Mott-Hubbard metal-insulator transition in infinite dimensions
用量子蒙特卡罗模拟研究了无限维哈伯德模型中Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的性质，温度T=W/140（W=带宽）。与以前的工作相比，计算精度显着提高，我们表明，滞后低于T_{IPT} \simeq 0.022 W，在早期的研究中报道，消失。因此，过渡被发现是连续的，而不是不连续的至少T=0.325 T_{IPT}。我们还研究了态密度在整个跃迁过程中的变化，这说明费米液体在能隙打开之前就已经分解了。
On the phase diagram of the zero-bandwidth extended Hubbard model with intersite magnetic interactions for strong on-site repulsion limit
本研究针对含在位相互作用与近邻类Ising磁交换作用的零带宽扩展Hubbard模型，首次通过二维正方晶格蒙特卡洛模拟确定其强排斥极限下的相图，并与变分平均场结果对比，发现系统可存在均匀磁有序/无序相及相分离态。
Evolution of the spectrum of the Hubbard model with filling
对于中强Hubbard排斥的情况，给出了单带哈伯德模型的图解方法。跳跃常数的幂的扩展表示在电子创建和湮灭运营商的网站累积量。对于格林函数的Larkin型方程的推导和解决的情况下，两个维度和最近邻跳跃的一个循环近似。随着电子浓度的降低，除了在半填充时观察到的四个带之外，费米能级附近还出现了一个窄带。新带的色散、带宽和随填充的变化与t-J模型中自旋极化子带的色散、带宽和随填充的变化接近。
Effect of Particle-Hole Asymmetry on the Mott-Hubbard Metal-Insulator Transition
Mott-Hubbard金属-绝缘体相变是关联电子系统中最重要的问题之一。在过去的十年中，人们用动力学平均场论研究了哈伯德模型中粒子-空穴对称形式的跃迁，并发现电子自能在跃迁处形成一个极点。我们研究了Falicov-Kimball模型中的粒子-空穴非对称金属-绝缘体跃迁，发现当非相互作用态密度具有有限带宽时，许多特征发生了变化。由于一般来说，粒子-空穴对称性在真实材料中被破坏，我们的结果对理解真实材料中的金属-绝缘体转变有影响。
Equation of motion approach for the Hubbard model: improved decoupling scheme, charge fluctuations, and the metal-insulator transition
提出了一种新的哈伯德模型的退耦方案，该方案对自旋对称（顺磁金属相和绝缘相）相以及对称性破缺的AFI相提供了统一的描述。与磁有序无关，该方案在最低阶产生J阶的正确强耦合带宽（对于NN跳跃模型）和U阶的带隙，非零临界相互作用强度（在其之上带隙打开），仅当相同的子晶格跳跃（例如，NNN跳跃），以及半填充模型的每个带中的正确积分谱权重（每个自旋1/2）。电荷和自旋涨落的影响，包括自旋扭曲由于有限的自旋相关长度，与静态，随机近似进行了研究。CPA内的无序平均自能的自洽评价进行了数值计算。波动激活的跳跃项在第一顺序导致频带展宽，和随之而来的带隙与波动强度的减少，得到了几个U值在二维和三维。我们发现，带隙连续收缩到零，随后带间的态密度N（0）连续增长，导致连续的金属-绝缘体转变。对于有限的掺杂有转移的哈伯德带之间的光谱重量，和准粒子带色散的性质的定性变化，与有效的掺杂引起的跳跃强度和带宽的顺序xt。
A New Two-Pole Approximation in the Hubbard Model. Metal-Insulator Transition
提出了一种新的双极近似，它可以描述在带宽增加时从绝缘态到金属态的转变，以及在某些化合物中可以观察到的随着温度的升高从金属态到绝缘态的转变。被认为是在半填充的顺磁性窄带材料的情况下。计算了电子系统的单粒子格林函数和能谱。得到了能隙宽度和极性态（空穴或双光子）浓度的表达式。找到了金属态和绝缘态的条件。
Dynamical behavior across the Mott transition of two bands with different bandwidths
利用Gutzwiller变分波函数和动力学平均场论，研究了无限维极限下两带哈伯德模型的Mott金属-绝缘体跃迁中带宽差的作用.变分计算预测的电荷自由度，其中较窄的频带进行莫特过渡之前，更广泛的，无论是在存在和不存在的Hund的交换耦合的两个阶段的淬火。然而，这种情况并没有得到动力学平均场论计算的完全证实，这表明，虽然准粒子残留的较窄的带是零，在我们的数值精度，低能量的光谱重量仍然存在的Mott-Hubbard间隙内，集中成两个峰对称的化学势。只有当较宽的频带也停止传导时，这个频谱权重才消失。虽然我们的结果与几种情况兼容，例如，一个窄隙半导体或半金属，我们认为，最合理的是，这两个峰共存的窄共振绑在化学势，光谱重量低于我们的数值精度。当较宽的能带经历莫特跃迁时，这种准粒子共振预计将消失。
Orbital-selective Mott transitions in two-band Hubbard models
采用动力学平均场论（DMFT）中的高精度量子蒙特卡罗（QMC）方法研究了低温下各向异性双轨道哈伯德模型。我们表明，两个不同的轨道选择性莫特跃迁（OSMTs）发生的带宽比为2，即使没有自旋翻转贡献的Hund交换，我们量化的数值误差在早期的QMC数据，掩盖了第二个过渡。通过一个新的广义哈密顿量引入了小轨道间耦合的极限，并使用QMC和Potthoff的自能泛函方法进行了研究，深入了解了OSMTs和非费米液体OSM相的性质，并为新的量子临界点开辟了可能性。
Mott metal-insulator transition in the Hubbard model
研究了单格点近似下和单格点近似下的哈伯德模型的基态。在SSA中，基态在临界点n=1和U/W=+infty处是典型的莫特绝缘体，其中n是每个晶胞的电子密度，W是电子的带宽，U是原位排斥，并且除了临界点之外是正常的费米液体。在SSA之外，正常费米液体对非正常费米液体状态是不稳定的，除了U=0的平凡情况，例如二维和更高维度中的磁性或超导状态。为了解释实际观察到的金属-绝缘体相变，除了哈伯德模型外，还应考虑电子-声子相互作用、多带或多轨道效应以及无序效应中的一种或几种效应。
Interplay and competition between superconductivity and charge orderings in the zero-bandwidth limit of the extended Hubbard model with pair hopping and on-site attraction
我们提出了一个有效的模型的研究，这是一个简单的推广的标准模型的本地对超导体与现场配对（即，格点上硬核玻色子的模型）到有限对束缚能的情况。紧束缚哈密顿量由（i）有效的在位相互作用U，（ii）最近邻位之间的位间密度-密度相互作用W，和（iii）位间电荷交换项I组成，决定了最近邻位之间电子对的跳跃。在相图和热力学性质的分析中，我们在平均场近似下处理了位间相互作用。我们对U 0的研究表明，根据相互作用参数的不同，系统可以呈现出三个均匀相：超导相（SS）、电荷有序相（CO）和无序相（NO）以及相分离的SS-CO态.<0 and W>
Bandwidth Control and Symmetry Breaking in a Mott-Hubbard Correlated Metal
本研究通过皮米级晶格工程调控轨道重叠，实现对Mott-Hubbard关联金属SrVO3中电子关联强度的控制，并揭示带宽控制与对称性破缺对电子结构的主导作用，为新型电子器件奠定基础。
Spectral microscopic mechanisms and quantum phase transitions in a 1D correlated problem
在本文中，我们研究了占主导地位的微观过程，产生几乎整个单电子去除和添加光谱重量的一维哈伯德模型的所有值的现场排斥$U$。我们发现，对于掺杂的Mott-Hubbard绝缘体有一个竞争的微观过程，产生的Mott-Hubbard绝缘相和有限的掺杂浓度的金属相，分别的单电子上哈伯德带的光谱重量分布。在这里研究的非微扰过程所产生的光谱重量分布在其他地方示出同意定量的角度分辨光电子能谱学在准一维化合物中观察到的峰值色散的整个动量和能量带宽。
Quasiparticle states of the Hubbard model near the Fermi level
在单圈近似下，研究了t-U和t-t '-U哈伯德模型的电子填充谱.它表明，四能带结构，这是固有的情况下，半填充和低温也持续一些过剩或不足的电子。此外，偏离半填充，在费米能级附近产生了一个额外的准粒子态窄带。带的色散、带宽和随填充的变化与t-J模型的自旋极化子带的色散、带宽和随填充的变化接近。对于中等掺杂，新带和四能带结构的内带之一中的光谱强度随着接近费米能级而减小，这导致光谱中出现赝能隙。
Magnon and Hole Excitations in the Two-Dimensional Half-filled Hubbard Model
半满哈伯德模型的自旋和空穴激发光谱和光谱权重计算，作为$t/U$的函数。我们发现高能自旋谱对电荷涨落很敏感。能量差$Δ(π,0)- Δ(π/2,π/2)$对于海森堡模型是负的，在相当小的$t/U\approx 0.053(5)$处改变符号。孔带宽与$J$成比例，并且比t-J模型中的孔带宽大得多。它在（$π/2,π/2$）有一个最小值，沿反铁磁区边界有一个非常弱的色散。用参数$U=3.1{\rm eV}$、$t=0.35{\rm eV}$得到了与在$T=10K$上测量的LaPDMATHABMR CuOPDMATHABMS自旋谱的良好拟合。
The moiré superlattice formed by ABC stacked trilayer graphene aligned with a hexagonal boron nitride substrate (TG/h-BN) provides an interesting system where both the bandwidth and the topology can be tuned by an applied perpendicular electric field $D$ . Thus the TG/h-BN system can simulate both Hubbard model physics and nearly flat Chern band physics within one sample. We derive lattice models for both signs of $D$ (which controls the band topology) separately through explicit Wannier orbital construction and mapping of Coulomb interaction. When the bands are topologically trivial, we discu…
Mott transition in the Hubbard model on the hyper-kagome lattice
基于最近对Na $_4$ Ir $_3$ O $_8$化合物的实验研究，我们采用动力学集团近似（DCA）方法（$N_c$ =12）结合连续时间量子蒙特卡罗（CT QMC）方法研究了“超kagome晶格”上的哈伯德模型.当Hubbard相互作用$U/W$（$W$是带宽）超过$T$ =0.1时的值1.2时，系统经历Mott转变，并且由于磁关联和电子的动能之间的竞争（由于几何阻挫）而显示重入行为。我们观察到一个“临界减速”的双人入住，这表明一个连续的过渡的证据。最近邻和次最近邻自旋-自旋关联表明，在我们的数值工具可以访问的温度范围内的弱耦合制度和反铁磁（AF）莫特绝缘体在强耦合制度的顺磁金属态。
Superconductivity and inhomogeneous charge-ordered state in the two-Dimensional Hubbard model -- Off-Diagonal Wave Function Monte Carlo Studies of Hubbard Model IV
本文用非对角波函数变分蒙特卡罗方法研究二维Hubbard模型，发现在接近1/8掺杂的强关联区域，d波超导可与电荷有序共存且无磁有序，并证实长程超导序存在。
Interplay between charge and magnetic orderings in the zero-bandwidth limit of the extended Hubbard model for strong on-site repulsion
本文在强在位排斥、零带宽极限下用平均场方法研究扩展 Hubbard 模型，揭示电荷有序与多种磁有序之间的丰富多临界相图。
Anisotropic two-orbital Hubbard model: single-site versus cluster dynamical mean-field theory
在单格点动力学平均场论（DMFT）及其四格点团簇扩展（DCA）的框架下，结合连续时间量子Monte Carlo算法，研究了各向异性双轨道哈伯德模型，每个轨道具有不同的带宽和阻挫度.该模型显示了丰富的相图，其中包括轨道选择性相变，非费米液体行为以及反铁磁金属态的外观。我们讨论的优点和缺点，采用单网站DMFT相对于DCA和后果的物理图片得到了这些计算。最后，我们认为，这样一个极小模型可能是相关的理解的反铁磁金属状态的性质，在铁磷族化合物超导体，以及在这些系统中观察到的小交错磁化的起源。
Mott Transitions and d-wave Superconductivity in Half-Filled-Band Hubbard Model on Square Lattice with Geometric Frustration
本文用优化（或关联）变分Monte Carlo方法，研究了正方晶格上含对角跳跃项（t '）的半满带哈伯德模型中Mott跃迁和dx ~ 2-y ~ 2波超导（SC）的机制.在试验波函数中，除了Gutzwiller投影外，还引入了双光子-holon束缚效应。我们主要研究d波单重态和投影费米海。在这两种波函数中，对于任意的t '/t，与磁序没有直接关系的一阶Mott跃迁发生在约为带宽的U=Uc处。这些跃迁起源于一个doublon与一个holon的结合或解结合。d-波SC出现在Uc正下方的窄范围内。强d波超导关联必然伴随着反铁磁关联的增强，SC的强度随着t '/t的增大而减弱。
Mott-moiré excitons
本研究提出扭转TMD异质双层中价带磁极化子与导带自由电子形成的Mott-moiré激子理论，揭示Hubbard关联导致带宽收窄，并阐明其随moiré周期的可调特性。
Orbital-selective Mott transitions in a doped two-band Hubbard model with crystal field splitting
利用量子Monte Carlo杂质解算器，在动态平均场论（DMFT）中研究了不同带宽的掺杂双带哈伯德模型中的晶场分裂效应。除了一个轨道选择性莫特相（OSMP）的窄带，这是与研究的OSMP在半填充的情况下，没有晶场分裂，我们发现，足够的强相互作用和一个合适的晶场，也OSMP的宽带。我们建立的相图（在没有磁性或轨道顺序）在中等掺杂的相互作用强度和晶体场分裂的函数，并表明，也宽带OSMP与非费米液体行为的伊辛型洪德规则耦合的情况下。我们的数值计算结果的补充分析强耦合研究自旋顺序和光谱功能在整数填充。
Low-temperature ferromagnetism in a weakly doped Hubbard magnet
在自洽场图解法的框架下，预测了弱掺杂窄带Hubbard磁体在居里温度$T_{\rm C}$以下磁化率随温度变化的极大值。通过数值计算，证明了在小空穴浓度$n_{h}$时，它会出现。在这种情况下，磁化强度$M$（$T$）的温度依赖性具有在温度$T_{\rm inf}$处具有拐点的典型的类费米形状。平均自旋和化学势的方程组的近似解给出了具有$n_{h}(1-n_{h})W$阶带隙的二能级系统的典型肖特基磁化率，其中W是带宽。这种行为反映了两个子带的存在与向上和向下的自旋。它可以在实验中观察到的氧化物金属纳米粒子的表面层与窄带和弱氧非化学计量。
Metallic charge density waves and surface Mott insulators for adlayer structures on semiconductors: extended Hubbard modeling
最近的实验证据的相称的表面CDW在Pb/Ge（111）和Sn/Ge（111）$\sqrt{3}$ -吸附层结构，以及在K/Si（111）：B和SiC（0001）上发现的绝缘状态的启发，我们已经研究了电子-电子相互作用的作用，以及电子-声子耦合的作用，对窄的表面态带起源于悬挂键轨道的吸附物。我们用一个扩展的二维哈伯德模型在三角形格子上半填充的问题。我们包括一个现场哈伯德排斥U和最近邻V，加上一个长程库仑尾。电子-声子相互作用在形变势近似下处理。我们已经探索了该模型的相图，包括相称的3x 3相位的可能性，主要使用Hartree-Fock近似。对于大于带宽的U，我们发现磁性绝缘体，可能对应于SiC和K/Si中的情况。对于较小的U，位间排斥V可以稳定金属CDW相，使人联想到Sn/Ge的3x 3结构，并且可能是Pb/Ge的3x 3结构。
Temperature-Induced Metal-Insulator Transition in a Narrow-Band Model with Non-Equivalent Hubbard Subbands at Half-Filling
在以前的论文中（图1）。of Phys.Stud.2，362（1998）; cond-mat/9811213）研究了在半填充和零温度下具有关联跳跃的广义哈伯德模型中的金属-绝缘体转变。本文对该模型中的金属-绝缘体相变作了进一步的研究，特别是温度诱导的金属-绝缘体相变。能隙与双电子占据浓度的关系导致能隙宽度随温度的升高而增大。因此，随着温度的升高，窄带系统可以经历从金属态到绝缘态的转变。对于一定的原子内库仑排斥$U$和$w_0$（$w_0$是半带宽），我们找到了窄带材料从金属态到绝缘态转变时的温度值。结果表明，在给定的$U/w_0$下，具有非等效Hubbard子带的模型中的金属-绝缘体相变可以在比哈伯德模型更低的温度下发生.这证明了考虑关联跳跃对于考虑金属-绝缘体相变问题的重要性。
Exploring the magnetic states in the one-band Hubbard model: Impact of long-range hoppings
本研究通过半经典蒙特卡洛方法，探究了简单立方晶格半填充一能带Hubbard模型中长程跳跃对磁相的影响，发现长程相互作用可改变磁序并可能促成三维自旋液体态。
Interplay between spin-orbit coupling and Hubbard interaction in SrIrO3 and related Pbnm perovskites
在相关材料中，自旋轨道耦合（SOC）和Hubbard相互作用U之间的相互作用引起了人们越来越多的兴趣。目前的共识是，SOC越强，自旋轨道莫特绝缘体所需的临界相互作用Uc越小，因为原子SOC将带分裂成不同的总角动量带，使有效带宽变窄。进一步声称，在足够大的SOC下，SOC越强，Uc越弱，因为通常有效SOC随着电子-电子相互作用强度的增加而增强。与此预期相反，我们发现，在正交钙钛矿氧化物（Pbnm）中，SOC越强，Uc越大。这是由于晶格结构和大的SOC的共同作用，在费米能级附近的Jeff=1/2带中形成了一条Dirac节点线，由于这条节点线的保护，SrIrO 3中存在小的空穴和电子口袋，这样小的态密度使得Hubbard相互作用在构建磁绝缘体方面效率较低。得到了U与SOC的全相图，其中包括非磁性半金属、磁性金属和磁性绝缘体，并给出了U c以外的磁有序模式。我们进一步讨论了我们的发现与其他钙钛矿，如SrRhO 3和SrRuO 3的影响。
Bandwidth tuning triggers interplay of charge order and superconductivity in two-dimensional organic materials
我们观察到准二维有机超导体$β^{\prime\prime}$ -（BEDT-TTF）2SF 5CH 2CF 2SO 3中的电荷序涨落，通过振动光谱，局部探测涨落的电荷序，并通过红外反射光谱研究面内动力学响应.同构金属中有效电子相互作用的减少抑制了电荷序涨落和超导电性，指向它们的相互作用。我们比较了我们的实验结果与计算的扩展哈伯德模型。
Dynamical Density-Matrix Renormalization Group for the Mott--Hubbard insulator in high dimensions
研究了零温下顺磁绝缘相无限配位数Bethe晶格半带填充时的哈伯德模型。我们使用动态平均场论（DMFT）映射到一个单杂质的安德森模型与浴，其性质必须确定自洽。为了控制和系统地实现自洽方案，我们使用固定能量（FE）的DMFT方法。在FE-DMFT中，Hubbard谱带的起始和宽度自洽地调整，但在计算杂质和浴位点之间的自洽杂交强度期间，浴水平的能量相对于两个谱带边缘保持固定。使用动态密度矩阵重整化群方法（DDMRG），我们计算了能隙附近的态密度，其分辨率范围从高能时裸带宽$W=4t$的3%到0.5%。DDMRG的分辨率和精度的态密度和间隙是优于与其他数值方法在以前的DMFT调查。我们发现Mott能隙在临界耦合$U_{\rm c}/t=4.45 \pm 0.05$处闭合。在$U=4.5t$，我们观察到Hubbard带起始处附近的突出肩部。它们是金属相中准粒子共振的激发子，当能隙在$U_{\rm c}$处打开时，金属相中的准粒子共振出现分裂。
We present and implement a self-consistent D$Γ$A approach for multi-orbital models and ab initio materials calculations. It is applied to the one-band Hubbard model at various interaction strengths with and without doping, to the two-band Hubbard model with two largely different bandwidths, and to SrVO$_3$. The self-energy feedback reduces critical temperatures compared to dynamical mean-field theory, even to zero temperature in two-dimensions. Compared to a one-shot, non-self-consistent calculation the non-local correlations are significantly reduced when they are strong. In case non-local co…
Recent studies of electrical transport, both theoretical and experimental, near the bandwidth-tuned Mott metal-insulator transition have uncovered apparent quantum critical scaling of the electrical resistivity at elevated temperatures, despite the fact that the actual low-temperature phase transition is of first order. This raises the question whether there is a hidden Mott quantum critical point. Here we argue that the dynamical mean-field theory of the Hubbard model admits, in the low-temperature limit, asymptotically scale-invariant (i.e. power-law) solutions, corresponding to the metastab…
We study the ground state of the Hubbard model on a square lattice with two degenerate orbitals per site and at integer fillings as a function of onsite Hubbard repulsion $U$ and Hund's intra-atomic exchange coupling $J$. We use a variational slave-spin mean field (VSSMF) method which allows symmetry broken states to be studied within the computationally less intensive slave-spin mean field formalism, thus making the method more powerful to study strongly correlated electron physics. The results show that at half-filling, the ground state at smaller $U$ is a Slater antiferromagnet (AF) with su…
The room temperature (300 K) electronic structure of pulsed laser deposited LaNi_{x}V_{1-x}O_{3} thin films have been demonstrated. The substitution of early-transition metal (TM) V in LaVO_{3} thin films with late-TM Ni leads to the decreasing in out-of-plane lattice parameter. Doping of Ni does not alter the formal valence state of Ni and V in LaNi_{x}V_{1-x}O_{3} thin films, divulging the absence of carrier doping into the system. The valence band spectrum is observed to comprise of incoherent structure owing to the localized V 3d band along with the coherent structure at Fermi level. With …
We investigate strong electron-electron correlation effects on 2-dimensional van der Waals materials Nb$_3$X$_8$ (X=Cl, Br, I). We find that the monolayers Nb$_3$X$_8$ are ideal systems close to the strong correlation limit. They can be described by a half-filled single band Hubbard model in which the ratio between the Hubbard, U, and the bandwidth, W, U/W $\approx$ 5 $\sim$ 10. Both Mott and magnetic transitions of the material are calculated by the slave boson mean field theory. Doping the Mott state, a $d_{x^2-y^2}+id_{xy}$ superconducting pairing instability is found. We also construct a t…
Magnetic correlations of a doped and frustrated Hubbard model: benchmarking the two-particle self-consistent theory against a quantum simulator
本文以各向异性三角晶格上的二维Fermi-Hubbard量子模拟器为基准，系统验证了双粒子自洽（TPSC）理论在阻挫和掺杂可调、中强耦合条件下对磁关联的计算精度，发现二者总体高度一致，证明TPSC在强相互作用和阻挫存在时仍能提供可靠描述。
The Mott transition in the strong coupling perturbation theory
利用强耦合图技术，导出了排斥哈伯德模型的电子格林函数的自洽方程。在Larkin方程的不可约部分中考虑了带宽$Δ$与Hubbard排斥$U$之比的两个最低阶项。所得到的方程保持因果关系，并给出了正确的结果，在限制$U\rightarrow 0$。半椭圆形的初始带进行计算。结果表明，近似描述莫特转变，这发生在$U_c=\sqrt{3}Δ/2$。该值与Hubbard-III近似值一致。在与半填充的微小偏差处，态密度沿着频率轴移动，而其形状没有明显的变化。对于更大的偏差的状态密度被修改：它是重新分布，有利于子带，其中费米能级的位置，并为$U>U_c$的莫特间隙消失。
Quantum Monte Carlo study of the two-dimensional fermion Hubbard Model
我们报告了大规模的行列式量子蒙特卡罗计算的有效带宽，动量分布，和磁关联的正方形晶格费米子哈伯德哈密尔顿在半填充。尖锐的费米表面的非相互作用的限制显着扩大的电子相关性，但保留签名的方法的边缘的第一布里渊区的密度增加。有限尺寸标度的大晶格上的模拟，使我们能够提取的反铁磁序参量的相互作用的依赖性，表现出其从弱耦合到强耦合海森堡极限的演变。我们的晶格提供了更好的分辨率的格林函数在动量空间，允许更定量的比较与飞行时间的光晶格实验。
扫码添加微信好友，提出您的宝贵建议 👇
💡 备注请填写：网站反馈
发表机构由 AI 从论文文本抽取，如发现错误，欢迎反馈修正建议。