An Order Parameter for the Mott-Hubbard Transition in One Dimension
我们提出了一维Mott-Hubbard跃迁的序参量，并给出了数值证据和一般的理论论证.此外，我们还讨论了这张照片的一维莫特-哈伯德过渡的影响，并推测可能的高维类似物。
1997-11-18 cond-mat.str-el
Interaction induced Fermi-surface renormalization in the $t_1{-}t_2$ Hubbard model close to the Mott-Hubbard transition
利用一种成熟的变分Monte Carlo方法，包括距离依赖的Jastrow因子和回流关联，研究了一维半满$t_1{-}t_2$哈伯德模型中相互作用驱动的Mott-Hubbard跃迁的性质.我们提出的数据的磁性能的演变跨越莫特-哈伯德过渡和相称的绝缘状态中的无公度过渡。通过对重整化激发谱的分析，我们发现在绝缘态下，费米面在Mott-Hubbard跃迁处重整化为完美的嵌套，而在进入导电态时，费米面发生了一级重组。
2010-05-11 cond-mat.str-el
Transport criticality of the first-order Mott transition in a quasi-two-dimensional organic conductor, $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}$]Cl
在连续可控的He气压下，对有机莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl进行了电阻测量.一阶Mott转变被证明是由观察到的明显跳跃的电阻变化对压力。在38 K的临界点，电阻跃变消失，电阻的压力导数$|\frac{1}{R}\frac{\partial R}{\partial P}|$出现临界发散，这与动力学平均场论的预言相一致，并与液-气相变有唯象对应。这些结果为Mott相变临界态的物理研究提供了实验依据。
2003-09-18 cond-mat.str-el
Suppression of Mott-Hubbard states and metal-insulator transitions in the two band Hubbard model
我调查带和莫特绝缘状态在两个波段的哈伯德模型，了解理想化的单轨道模型和更现实的多波段的情况下之间的差异的目的。使用投影animals我表明，额外的轨道抑制金属-绝缘体过渡，导致约8倍的裸带宽的临界耦合。我还展示了轨道排序的影响，这阻碍了莫特-哈伯德状态和打开带隙。由于多带相关性在实际材料中很常见，这项工作表明，非常强的相关带绝缘体的存在可能比莫特-哈伯德绝缘体更常见。
2007-02-27 cond-mat.str-el
Finite-temperature Mott transitions in multi-orbital Hubbard model
利用自能泛函方法研究了多轨道哈伯德模型在半满状态下的Mott跃迁.在有限的温度下得到的相图哈伯德模型多达四倍的简并带。讨论了一级Mott跃迁点$U_{c1}$和$U_{c2}$以及临界温度$T_c$与轨道简并度的关系。阐明了在多轨道哈伯德模型中，增强的轨道涨落对控制Mott跃迁起着关键作用。
2005-06-06 cond-mat.str-el
Concealed Mott Criticality: Unifying the Kondo Breakdown and Doped Charge-Transfer Insulators
本研究提出隐藏的莫特临界性框架，统一解释重费米子近藤击穿与掺杂铜氧化物的量子临界点，通过玩具模型验证了费米面跳变与两侧质量增强的结论，符合实验观测。
2024-12-27 cond-mat.str-el
Low-energy Mott-Hubbard excitations in LaMnO$_3$
建议从理论上进一步探讨
2009-07-13 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Insulator in Infinite Dimensions
计算了Bethe晶格上哈伯德模型的Mott-Hubbard绝缘相在无限配位数极限下的单粒子态密度.我们采用加藤-高桥微扰理论在强耦合极限附近导出格林函数。我们表明，格林函数的较低的哈伯德带可以表示在裸空穴跳跃运营商的多项式。我们检查我们的技术对Falicov-Kimball模型的精确解，并给出明确的结果，包括二阶逆哈伯德相互作用。我们的结果提供了一个严格的测试分析和数值研究的Mott-Hubbard绝缘体和Mott-Hubbard过渡内的动态平均场论。我们发现，Hubbard-III近似是不令人满意的超越最低阶，但本地矩的方法提供了一个很好的描述Mott-Hubbard绝缘体在强耦合。
2001-10-16 cond-mat.str-el
Ultrafast charge recombination in photoexcited Mott-Hubbard insulator
我们提出了一个计算的基础上的未掺杂的铜氧化物相关的二维模型的激发的holon-doublon对的复合率表明，快的过程，在Pump-probe实验中观察到的Mott-Hubbard绝缘体在皮秒范围内，甚至可以定量地解释与多磁振子发射。前提条件是存在的Mott-Hubbard束缚激子的s型。我们发现，它的衰减是指数依赖于Mott-Hubbard间隙和磁振子的能量，与一个小的前因子，可以追溯到强关联，从而大激子-磁振子耦合。
2012-11-14 cond-mat.str-el
The ferroelectric Mott-Hubbard phase of organic (TMTTF)2X conductors
我们提出了准一维导体（TMTTF）2X族中铁电相变的实验证据。我们解释了这个新的过渡结合Mott-Hubbard状态的框架考虑到TMTTF分子堆上的自发电荷极化和X阴离子电位的双重作用。
2000-12-13 cond-mat.str-el
Superconducting fluctuations in organic molecular metals enhanced by Mott criticality
非常规超导性通常发生在这样的材料中，其中一个参数的微小变化，如带宽或掺杂，导致反铁磁或莫特绝缘相。当这种竞争相接近时，超导体的性质往往变得越来越奇特。例如，在有机超导体和欠掺杂的高$T_\mathrm{c}$铜酸盐超导体中，波动的超导状态持续到显著高于$T_\mathrm{c}$的温度。通过对$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X族准二维有机分子金属合金的研究，揭示了能斯特效应在极端Mott临界区的演化规律.我们发现强有力的证据表明，当相图穿过超导性到达莫特态时，超导涨落的温标急剧增加，最终接近准粒子完全可以识别的温度。
2013-10-14 cond-mat.str-el
Charge and spin criticality for the continuous Mott transition in a two-dimensional organic conductor
研究了二维单带哈伯德模型中连续带宽控制的Mott跃迁，重点研究了电荷和自旋自由度的临界标度行为。利用元格集团动力学平均场论，我们发现有机导体的电荷和自旋临界性与实验结果一致。特别是，通过费米能级的局域态密度测量的电荷自由度显示出比伊辛普适类和单站点动力学平均场论预期的更平滑的过渡，揭示了在两个空间维度中短程非局域关联的重要性。通过局部自旋磁化率测量的自旋临界同意定量与核磁共振测量的自旋晶格弛豫率。
2011-08-01 cond-mat.str-el
Finite temperature Mott transition in Hubbard model on anisotropic triangular lattice
利用胞腔动力学平均场论研究了各向异性三角晶格上的哈伯德模型。在Hubbard相互作用与温度平面确定的相图中，由于几何挫折下费米液体形成和磁关联之间的竞争，在莫特转变中显示出新颖的重入行为。我们证明了重入行为是具有中间几何挫折的Mott转变的特征，并且确实与最近的有机材料的实验结果一致。
2007-09-11 cond-mat.str-el
Comment on ``Orbital-selective Mott transitions in two-band Hubbard models''
Bluemer等人最近的一篇论文[cond-mat/0609758]再次批评了Liebsch的早期QMC/DMFT结果[Phys. Rev. B { \bf 70}，165103（2004）]。这种批评是没有根据的。
2006-10-17 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard transition in infinite dimensions
计算了具有随机色散关系的半满哈伯德模型的零温能隙和准粒子质量。外推到热力学极限后，我们得到了无限维哈伯德模型的这些量的可靠界。我们的数据表明，莫特-哈伯德转变是连续的，即，准粒子的权重在能隙打开的临界相互作用强度相同时变为零。
1999-03-05 cond-mat.str-el
Antiferromagnetism and single-particle properties in the two-dimensional half-filled Hubbard model: Slater vs Mott-Heisenberg
研究了低温下二维半填充哈伯德模型的反铁磁性和单粒子性质。集体自旋涨落是由一个非线性的西格玛模型，我们从哈伯德模型得到的任何值的库仑排斥。随着库仑斥力的增加，基态逐渐从斯莱特反铁磁体演化为莫特-海森堡反铁磁体。在有限的温度下，我们发现一个金属-绝缘体之间的赝隙相在弱耦合和Mott-Hubbard绝缘体在强耦合的转变。
2003-06-30 cond-mat.str-el
Higher-harmonic generation in the driven Mott-Hubbard model
该研究利用Floquet理论分析驱动Mott-Hubbard模型的高次谐波产生，发现驱动频率为Mott间隙三分之一时信号最强。
2023-09-02 cond-mat.str-el
Finite-Temperature Mott Transition in the Two-Dimensional Hubbard Model
在二维哈伯德模型中，利用非微扰相关投影理论研究了Mott跃迁，该理论系统地将空间相关性纳入到动力学平均场近似中.引入非零的第二近邻转移，一阶Mott转变出现在有限温度下，并在临界点或临界曲线处结束。
2003-08-04 cond-mat.str-el
Mott transition in Kagomé lattice Hubbard model
利用集团动力学平均场论的推广，研究了Kagomé晶格哈伯德模型中的Mott跃迁.通过对双占据率、态密度、静态和动态自旋关联函数的计算，证实了该体系在Hubbard相互作用$U/W \sim 1.4$（$W$：带宽）下发生了一级Mott跃迁.在金属相接近莫特过渡，我们发现了三个不同的带强重整化，从而导致形成的重准粒子与强大的挫折。阐明了准粒子态在自旋关联函数随温度变化时的反常行为。
2006-03-22 cond-mat.str-el
Fate of the false Mott-Hubbard transition in two dimensions
在无阻挫二维哈伯德模型中，研究了各种尺度下非局域电子关联对Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的影响.结合动力学顶点近似、格点量子Monte-Carlo和变分团簇近似，我们证明了长程涨落下的散射，即，片状顺磁子，在弱到中等耦合处打开一个谱隙--与局部或短程磁矩的预形成无关。这就是为什么二维哈伯德模型在足够低的温度下对任何（有限）相互作用都是绝缘的，并且没有观察到莫特-哈伯德转变的原因。
2014-12-11 cond-mat.str-el
Orbital-selective Mott transitions in the degenerate Hubbard model
研究了不同带宽的两带哈伯德模型中的Mott跃迁。应用动力学平均场论，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。我们表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般，合并到一个单一的过渡，只有在特殊条件下。这种行为可能是有关的物理的单层双烯酸盐，Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$。
2004-01-13 cond-mat.str-el
Mott Fermionic "Quantum" Criticality Beyond Ginzburg-Landau-Wilson
金属和相关绝缘体之间的Mott临界点通常根据标准的Ginzburg-Landau-Wilson相变范式通过密度或自旋密度玻色子模涨落来研究。片刻的反思导致越来越多的怀疑，这种方法应该工作的过渡是不稳定的，无效的自旋密度模式的相关性。电荷密度模式是无关紧要的，因为长程库仑相互作用导致大的等离子体激元间隙和它们的不可压缩性。与这些疑问，最近的测量莫特临界点在低维有机材料产生的临界指数在暴力离散与玻色子模式的临界知识。我们提出，费米涨落控制的莫特过渡的行为。因此，尽管是有限温度相变，该转变具有内在量子方面。我们开发这个迄今未探索的物理学，获得实验预测，并找到一个新的无法解释的实验指数的协议。我们的结论是，这种莫特转变对应于一个新的普适类的有限温度临界点，包含量子效应，不能占传统的金兹伯格-朗道-威尔逊智慧。
2007-05-24 cond-mat.str-el
Mott Quantum Criticality in the Anisotropic 2D Hubbard Model
我们提出的证据莫特量子临界在一个各向异性的二维系统的耦合哈伯德链在半填充。在这种情况下出现的变分集团近似和集团动力学平均场论，链间跳跃$t_{\perp}$作为一个控制参数驱动的金属-绝缘体转变的二阶临界终点$T_c$下降到零，在$t_{\perp}^{c}/t\simeq 0.2$。低于$t_{\perp}^{c}$，补偿金属的空穴和电子费米口袋的体积在莫特转变处连续地消失。高于$t_{\perp}^{c}$时，空穴的体积减小被一阶跃迁截断。我们讨论了我们的研究结果的相关性，一个假定的量子临界点在层状有机导体，其位置仍然难以捉摸到目前为止。
2016-03-05 cond-mat.str-el
Strong-coupling approach to the Mott--Hubbard insulator on a Bethe lattice in Dynamical Mean-Field Theory
本文计算了Bethe晶格上的半满哈伯德模型的Hubbard带，该模型具有无限配位数，在逆Hubbard相互作用下，该模型的配位数达到并包括三阶.本文应用Kato-Takahashi微扰理论，解析地求解了多链几何中单杂质Anderson模型的动力学平均场论的自洽方程。次级Hubbard子带的权重是四阶的，因此双链几何对于我们的研究是足够的。即使在Mott-Hubbard跃迁附近，我们对Mott-Hubbard能隙的计算结果也与动力学密度矩阵重整化群（DDMRG）的计算结果吻合得很好.下哈伯德带的态密度也同意非常好的DDMRG数据，除了在上带边的共振贡献，不能在低阶微扰理论再现。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Scenario for the Metal-Insulator Transition in the Two Dimensional Electron Gas
通过比较金属-绝缘体转变（MIT）附近的面内磁场的响应，我们发现，在Si MOSFET中观察到的MIT可以用非微扰Mott-Hubbard方案来描述。通过重新绘制实验数据，揭示并证实了独立可测量之间的相互关系。从实验数据中提取了一个在MIT处消失的普遍的临界能标，并求出了临界指数。
2006-08-01 cond-mat.str-el
The Mott-Hubbard Transition on the D=infinity Bethe Lattice
鉴于最近的争议，我们研究了Mott-Hubbard过渡D=无穷大的一种新的集群方法。i）我们证明了任意n阶截断Bethe格都可以精确映射到有限的Hubbard类簇。（2）计算了n= 0，1，2时的自能，并与一系列自洽运动方程的解进行了比较。（3）在临界U_c~2.5t*（t = t* / sqrt{4d}）处，能隙连续打开。iv）发展了Mott-Hubbard跃迁的低能理论，给出了临界指数之间的关系。
2006-08-28 cond-mat.str-el
Superfluid to Mott-insulator transition in Bose-Hubbard models
利用最近提出的变分波函数研究了一维、二维和三维立方晶格中玻色-哈伯德模型的超流-绝缘体相变。在一维，变分的结果符合预期的Berezinskiii-Kosterlitz-无干扰的相互作用驱动的莫特转变的情况。在二维和三维，我们发现的证据表明，在整个过渡，大部分的光谱重量集中在高能量，暗示预形成的莫特-哈伯德边带。这一结果与Stoferle等人的实验数据相一致[Phys.Rev.Lett. 92，130403（2004）]。
2007-05-18 cond-mat.str-el
Photoemission of a doped Mott insulator: spectral weight transfer and qualitative Mott-Hubbard description
用光电子能谱学研究了低维莫特绝缘体TiOCl在碱金属掺杂下的光谱权重演化。我们观察到较低的哈伯德带和一个额外的峰值之间的光谱重量转移后，电子掺杂，在改变单和双占据的网站的数量的原子限制的定量预期。这一观察结果是相关谱带的无条件标志，以前没有报道过。相反，金属准粒子峰的缺失可以追溯到一个简单的单粒子效应。
2011-02-06 cond-mat.str-el
Optical signature for distinguishing between Mott-Hubbard, intermediate and charge-transfer insulators
确定过渡金属化合物中带隙的性质仍然具有挑战性。我们提出了第一性原理研究的电子和光学性质的CoO使用混合功能赝势。我们表明，光学吸收光谱可以提供一个明确的指纹，以区分莫特-哈伯德，中间和电荷转移绝缘体。这种区别反映在峰值卫星的定性差异，由于独特的相互作用之间的$d$ - $d$和$p$ - $d$激发，从而允许识别从实验数据单独，不像现有的方法，需要额外的理论解释。我们的结论是，CoO是一个中间体，而不是一个莫特-哈伯德绝缘体，因为最初认为。
2022-12-15 cond-mat.str-el
Magnetic phase diagram and Mott transition of the half-filled 1/5-depleted Hubbard model with frustration
在变分集团近似下，研究了零温下1/5耗尽方格子上半填充哈伯德模型的磁性和Mott相变. $(π,π)$ Néel有序（AF）在相图的宽区域内是稳定的，并且几乎完全掩盖了无阻挫情况下的非磁性Mott转变。然而，AF是严重抑制的挫折，甚至与中度挫折的非磁性莫特过渡发生在范围内的二聚体内的跳跃大于内的格元跳跃。
2014-08-21 cond-mat.str-el
Novel Mott Transitions in Non-Isotropic Two-Band Hubbard Model
利用动力学平均场论结合精确对角化方法研究了包含不同宽度子带的双带哈伯德模型中Mott跃迁随温度的变化.的相图显示，表现出两个连续的一阶跃，如果包括完整的洪德规则耦合。在自旋翻转和对交换条款的情况下，较低的过渡保持一阶，而上部变得连续。
2005-07-12 cond-mat.str-el
Mott Transition in the Hubbard Model on Checkerboard Lattice
利用路径积分重整化群（PIRG）方法研究了棋盘格点上哈伯德模型在半满时的带宽控制的Mott跃迁.结果表明，在有限的Hubbard相互作用下，该体系经历了一级相变到格片-单重态绝缘相。这一结论是通过详细分析相变点附近的自旋和电荷关联，并采用本文提出的一种新的迭代格式，借助于PIRG方法得到的。
2008-08-09 cond-mat.str-el
Jastrow theory of the Mott transition in bosonic Hubbard models
我们证明了在玻色子哈伯德模型中发生的Mott跃迁可以成功地用一个简单的变分波函数来描述，它包含了所有重要的长波长相关。在这种方法中，一个平稳的金属-绝缘体过渡是可能的，通过一个长程Jastrow相关项，结合在真实的空间密度波动。我们发现Mott转变在二维和三维中具有相似的性质，但在一维中不同。我们认为，我们的描述莫特转变的绑定-解除绑定的过渡是普遍的有效性，也可以应用到现实的电子系统。
2006-11-12 cond-mat.str-el
Mott transitions in two-orbital Hubbard systems
研究了双轨道Hubbard系统的Mott跃迁。应用动力学平均场论和自能泛函方法，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。结果表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般。另一方面，如果满足一些特殊的相互作用条件，自旋和轨道涨落在低温下同样增强，导致单一的Mott转变。在零温度和有限温度下得到的相图。我们还讨论了两个轨道之间的杂交的效果，诱导近藤样重费米子态的中间轨道选择莫特阶段。
2005-10-17 cond-mat.str-el
The Finite Temperature Mott Transition in the Hubbard Model in Infinite Dimensions
利用动力学平均场论研究了半填充时完全阻挫哈伯德模型的二阶有限温度Mott相变点。使用量子蒙特卡罗模拟，我们表明存在一个有限的温度二阶临界点，明确证明存在的发散磁化率，以及通过寻找共存的低温相。确定了有限温度Mott临界点在（U，T）平面上的位置.我们的研究验证和量化的莫特过渡的情况下提出的早期研究（现代物理评论68，13，1996年）这个问题。
1999-05-11 cond-mat.str-el
Magnetic properties and Mott transition in the square-lattice Hubbard model with frustration
在变分集团近似下，研究了零温半充满正方格子上哈伯德模型的磁性和Mott相变.当在位排斥力$U$较大时，在Néel相与共线相之间的高阻挫区实现了磁无序态，且没有发现无公度磁态.至于莫特跃迁，除了莫特能隙和双占据，阐明了过渡的性质，光谱表示中的自能的结构进行了详细的研究，以下和以上的莫特跃迁点。自能谱结构在金属相中几乎没有特征，但在莫特绝缘体相中出现明显的单色散，导致莫特能隙。
2013-04-17 cond-mat.str-el
Doublon-holon binding, Mott transition, and fractionalized antiferromagnet in the Hubbard model
我们认为，双占用（doublon）和空（holon）网站之间的绑定管理的非相干激发，并在Mott过渡中起着关键作用，在强关联的Mott-Hubbard系统。在哈伯德模型的Kotliar-Ruckenstein从玻色子泛函积分公式中，构造了一个新的具有doublon-holon束缚的鞍点解.在半填充蜂窝晶格和正方晶格上，发现基态在$U_{c1}$处表现出从顺磁半金属/金属到具有相干准粒子的反铁磁有序Slater绝缘体的连续跃迁，然后在$U_{c2}$处发生Mott跃迁，进入电子分馏的AF $^*$相，没有相干激发。这样的相结构似乎是一般的二分格没有挫折。我们发现，doublon-holon绑定统一的三个重要的想法强关联：相干准粒子，非相干哈伯德带，和deconfined莫特绝缘体。
2014-05-21 cond-mat.str-el
Mott transition in the Hubbard model on the anisotropic kagomé lattice
利用细胞动力学平均场论结合连续时间量子蒙特卡罗模拟研究了各向异性kagomé晶格哈伯德模型中的Mott跃迁.通过计算双占据率和态密度，我们确定了一级Mott跃迁的相互作用强度，并表明它随着各向异性的增加而变小。我们还计算了自旋关联函数和单粒子谱，发现在Mott跃迁附近，准粒子和磁性发生了剧烈的变化，自旋关联强烈增强，准粒子带发生了形变.我们的结论是，这种戏剧性的变化是由于增强的各向异性与周围的莫特过渡的挫折放松。
2010-06-26 cond-mat.str-el
Generic Mott-Hubbard phase diagram for extended Hubbard models without Umklapp scattering
本文利用 DMRG 方法研究了无 Umklapp 散射的 1/r-Hubbard 模型基态相图，发现存在金属相与两种绝缘相，且短程相互作用不改变 Mott 相变的连续性质。
2023-09-09 cond-mat.str-el
Transport criticality at Mott transition in a triangular lattice Hubbard model
研究了三角晶格哈伯德模型中半填充时Mott金属-绝缘体相变附近的电输运。我们计算的光导$σ(ω)$的基础上的细胞动力学平均场论，包括集群内的顶点校正。在Mott临界点附近，金属区域的Drude分析表明，Drude重量的变化是重要的，而不是在Mott过渡的传输散射率。在绝缘区，$σ(ω)$在低$ω$时在Mott转变附近出现一个“ingap”峰，随着库仑排斥的减小，该峰平滑地连接到金属区的Drude峰。我们发现在临界温度下，这些峰的权重在控制库仑排斥时呈现幂律行为。所得到的临界指数表明，电导率不对应于磁化强度或能量密度的伊辛普适性类在对比以前的几个作品。
2012-12-06 cond-mat.str-el
Mott and Band Insulator Transitions in the Binary Alloy Hubbard Model
我们使用行列式量子蒙特卡罗模拟和精确对角化，探讨绝缘行为的哈伯德模型与随机定位的本地网站能量的双峰分布。从温度依赖性的压缩性和导电性，我们表明，有间隙的，不可压缩的莫特绝缘相存在远离半填充时，当地网站的能量的方差是足够大的。这个莫特相周围的可压缩区域是金属的，只有当密度的网站与相应的能量超过逾渗阈值，但安德森绝缘体，否则。
2006-07-19 cond-mat.str-el
Mott-Peierls Transition in the extended Peierls-Hubbard model
用密度矩阵重整化群方法研究了一维扩展Peierls-哈伯德模型在几种能带填充下的性质。结果表明，基态从半填充时具有关联能隙的Mott-Peierls绝缘体演化到半填充时具有小带隙的孤子晶格。同时也证实了Peierls-哈伯德模型的基态在有限掺杂时经历了向金属态的跃迁。这些结果表明，在掺杂聚乙炔的理论研究中应考虑电子关联效应。他们还表明，Mott-Peierls理论可以解释在这种材料中观察到的绝缘体-金属转变。
1997-11-25 cond-mat.str-el
Gutzwiller approximation for paramagnetic ionic Hubbard model: Analytic expression for band-Mott insulator transition
本文通过Gutzwiller近似推导出离子Hubbard模型中带-莫特绝缘体相变的解析表达式，并揭示金属相源于非相干Hubbard带物理而非费米液体行为。
2025-12-10 cond-mat.str-el
Density of states near the Mott-Hubbard transition in the limit of large dimensions
在大尺寸极限下研究了零温Mott-Hubbard跃迁随库仑排斥U的变化。分析了骨架展开各阶中U=U_c跃迁附近态密度的行为。结果表明，当U<U_c时，只有两种跃迁情形与骨架展开一致：（i）Mott-Hubbard跃迁是“不连续的”，即在态密度中，有限谱权在U_c处重新分布。(ii)跃迁发生在U=U_c处的一个点，在该点上系统既不是费米液体也不是绝缘体。
1998-10-30 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
The Mott-Hubbard transition and the paramagnetic insulating state in the two-dimensional Hubbard model
在二维哈伯德模型的背景下研究了Mott-Hubbard转变。分析计算表明，存在一个临界值Uc的电位强度，分离顺磁性金属相的顺磁性绝缘相。态密度和双占据率的计算表明，绝缘相的基态总是包含一小部分空位和双占据位。通过考虑点间跳跃的几率幅，研究了基态的结构。结果表明，莫特绝缘体的基态具有局域反铁磁有序性，电子保持一定的迁移率，但这种迁移率必须与局域有序性相协调.在U=Uc处，一些点间概率幅的消失对电子迁移率施加了约束。有人建议，这些量可能被视为量，控制在绝缘阶段的顺序。
2000-02-17 cond-mat.str-el
Mott insulator to superfluid transition in the Bose-Hubbard model: a strong-coupling approach
本文提出了一个描述超冷玻色子原子在光晶格中的超流和Mott相的玻色-哈伯德模型的强耦合展开式。通过对格点间跳跃项进行两次连续的Hubbard-Stratonovich变换，得到了一个有效作用量，为研究玻色-哈伯德模型的强耦合极限提供了一个合适的起点.这种作用可以通过考虑平均场近似的高斯涨落来分析，就像在弱相互作用玻色气体的博戈留波夫理论中一样。在Mott阶段，我们再现了以前的平均场论的结果，并计算了动量分布函数。在超流相中，我们发现了一个无隙谱，并将我们的结果与Bogoliubov理论进行了比较。
2005-04-15 cond-mat.str-el
Breakdown of the Luttinger sum rule within the Mott-Hubbard insulator
在一维相互作用费米子的原型紧束缚模型中研究了Luttinger求和规则的有效性，t-V模型包括次近邻跳跃t'，以打破粒子-空穴对称性。对半充满时有限系统结果的标度分析表明，在V >> t时，大能隙区的求和规则明显失效，而Mott-Hubbard能隙消失时求和规则似乎恢复。
2008-10-10 cond-mat.str-el
Anomalous magnetic properties near Mott transition in Kagomé lattice Hubbard model
利用胞腔动力学平均场论研究了Kagomé晶格哈伯德模型中Mott相变附近金属相的特性。通过计算比热和自旋关联函数，我们证明了准粒子在金属相中表现出接近Mott跃迁的反常性质。我们发现了比热中存在多带重准粒子的明显证据，这使得自旋关联函数具有不寻常的温度依赖性。
2006-09-01 cond-mat.str-el
Phase Separation close to the density-driven Mott transition in the Hubbard-Holstein model
在Hubbard-Holstein模型中，用动力学平均场论研究了密度驱动的Mott跃迁，其中导致Mott跃迁的Hubbard项由电子-声子（e-ph）项补充.我们表明，一个中间的e-ph耦合导致在T=0，这是伴随着金属和绝缘体之间的相分离的一级转变。金属相的可压缩性大大增强。在相当大的耦合值的极化子相出现共存的非极化子金属。
2004-01-28 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard insulators for systems with orbital degeneracy
我们研究了在大库仑相互作用U的极限下，电子跳跃如何减小Mott-Hubbard带隙，并作为轨道简并度N的函数。结果支持这样的结论，即跳跃贡献大致随着\sqrt{N} W而增长，其中W是单粒子带宽，但是在某些模型中，对于足够大的N，发现到\sim NW行为的交叉。
1997-01-21 cond-mat.str-el
Spectral evolution in (Ca,Sr)RuO_3 near the Mott-Hubbard transition
研究了（Ca，Sr）RuO_3薄膜在金属-绝缘体（M-I）转变边界上的光学性质。我们的研究结果显示了所有的金属Mott-Hubbard系统的预测特性，包括（i）在直流极限的质量增强，（ii）的U/2激发，和（iii）的U激发。此外，自我一致性被发现内的Gutzwiller-Brinkman-Rice的莫特过渡图片。我们的发现显示，电子关联应该是重要的，即使在4d材料。
1998-07-14 cond-mat.str-el
