Modification of intergrain connectivity, upper critical field anisotropy, and critical current density in ion irradiated MgB2 films
本文研究了100 MeV硅离子和200 MeV金离子辐照对二硼化镁超导薄膜晶内和晶间性质的影响。观察到晶粒间连接性的大幅下降，这取决于所使用的离子的辐照剂量和类型。我们建立了σ带散射机制的修改，因此上临界场和各向异性，取决于非本征缺陷的大小和方向性。后重离子辐照，上临界场显示增强的缺陷密度是五个数量级相比，中子辐照。然而，通过轻离子辐照最好地改善临界电流密度。
2005-09-29 cond-mat.supr-con
Complete Suppression of Thermomagnetic Instabilities in Nb Superconducting Films by Combined Metallic Layers and Ion Irradiation
Universidade Federal de São Carlos（圣卡洛斯联邦大学）；Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais（国家同步辐射光实验室，国家能源与材料研究中心）；Instituto de Física, Universidade Federal do Rio Grande do Sul（南里奥格兰德联邦大学物理研究所）；Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia de São Paulo（圣保罗联邦教育、科学与技术学院）
本研究通过金属覆盖层与Ar离子辐照结合的方法，实现了Nb超导薄膜热磁不稳定性的完全抑制，为薄膜超导技术稳定Nb薄膜提供了实用方案。
2026-08-17 cond-mat.supr-con
Effects of high energy proton irradiation on the superconducting properties of Fe(Se,Te) thin films
在本文中，我们探讨了3.5 MeV的质子辐照的Fe（Se，Te）薄膜生长在CaF 2上的影响。特别地，我们在不同的辐照注量（高达7.30 × 10^16 cm^-2）和不同的质子注入深度下进行了系统的实验研究，以阐明临界电流是否被增强或抑制以及在多大程度上被增强或抑制，辐照对临界温度、电阻率和临界磁场的影响，最后，在这种情况下，基质所起的作用是什么。我们发现，与其他铁基超导体的情况相比，辐照对超导性能的影响一般较小。这种影响是更明显的临界电流密度Jc，而它是轻微的转变温度Tc，正常状态下的电阻率和上临界场Hc 2的最高能量密度在这项工作中探索。此外，分析表明，当质子注入到远离超导薄膜的衬底中时，在7 T和12 K下，临界电流可提高到原始值的50%，而对临界温度和临界场没有明显影响，电阻率略有下降。相反，当注入层距离薄膜-衬底界面越近时，临界电流和温度均下降，同时电阻率和晶格应变增强。这一结果表明，可能的修改引起的照射在衬底中可能会影响薄膜的超导性能通过晶格应变。Fe（Se，Te）体系对辐照损伤的鲁棒性使其成为用于制造高能加速器磁体的有前途的化合物。
2017-12-07 cond-mat.supr-con
Suppression of the critical temperature of superconducting NdFeAs(OF) single crystals by Kondo-like defect sites induced by alpha-particle irradiation
本文报道了α粒子辐照对NdFeAs（OF）单晶临界温度Tc的抑制作用。我们的数据表明，辐照缺陷产生的电磁散射和磁散射，导致近藤样的过剩电阻$Δρ(T)\propto ln T$超过20年以上的温度高于$T_c$。尽管辐照缺陷密度高，但$T_c$被抑制到零的剂量与MgB 2相当，但远高于铜酸盐的相应值。
2009-10-27 cond-mat.supr-con
Influence of carbon-ion irradiation on the superconducting critical properties of MgB$_2$ thin films
研究了碳离子辐照对MgBPDMATHABMM薄膜超导临界特性的影响。两种厚度即400 nm（MB 400 nm）和800 nm（MB 800 nm）的MgB $_2$膜被具有宽范围的能量密度（1 × 10 $^{13}$ - 1 × 10 $^{15}$ C原子/cm $^2$）的350 keV C离子辐照。350 keV C离子在MgBPDMATHABMM中的平均投射射程（$R_p$）为560 nm，因此高能C离子将通过MB 400 nm，而离子将保留在MB 800 nm。两种薄膜的超导转变温度（$T_c$）、上临界场（$H_{c2}$）、$c$轴晶格参数和校正剩余电阻率（$ρ_{corr}$）随注量的变化趋势相似。然而，当注量大于1 × 10 $^{14}$ C atoms/cm $^2$时，在MB 800 nm中观察到不同的超导相变行为，这是因为辐照和未辐照部分之间的Tc不同。有趣的是，超导临界性能，如$T_c$，$H_{c2}$，和$J_c$，辐照MgB $_2$薄膜，以及晶格参数，几乎恢复到原始状态后的热退火程序。这些结果表明，C离子辐照引起的原子晶格畸变是MgBPDMATHABMM薄膜超导性能变化的主要原因。
2018-11-14 cond-mat.supr-con
Effect of rf electromagnetic irradiation on current-voltage characteristics of wide superconducting films
实验研究了电磁辐照对宽超导薄膜电流-电压特性的影响。与抑制涡旋电阻率的微波场（几GHz）相反，RF场（几十MHz）的作用导致IVC的线性部分的显著膨胀，这是由于临界电流的快速抑制，而在涡旋状态的稳定性上限中的变化较慢，其中相位滑移线（PSL）发生。随着射频功率的增加，与PSL相关的IVC的阶梯结构变得平滑并最终消失。提出了绝热区IVC的模型，解释了电压阶跃平滑和临界电流抑制的效果。
2019-06-10 cond-mat.supr-con
The critical parameters enhanced by microwave field in thin-film type-II superconductors
本文给出了微波辐照增强超导薄膜超导电性的实验研究结果。分析了微波辐射功率、频率以及超导薄膜的温度和宽度对增强临界电流和电阻态涡旋结构消失和出现第一条相滑移线的电流的实验依赖性的影响。对不同宽度薄膜的实验研究表明，微波场的超导增强效应是普遍的，在超导电流沿薄膜宽度均匀分布（窄膜）和非均匀分布（宽膜）的情况下都有发生。结果表明，宽膜中超导性的增强不仅使临界电流和临界温度增大，而且使涡旋态能在膜中存在的最大电流增大。宽膜中微波辐照的超导电性增强现象可以用Eliashberg理论来描述，该理论曾被用来解释窄沟道中的相同现象。实验发现，观察到超导增强的辐照功率的间隔随着膜宽度的增加而变窄，这削弱了其检测的概率。
2014-10-28 cond-mat.supr-con
Doubling the Critical Current Density of High Temperature Superconducting Coated Conductors through Proton Irradiation
用4 MeV质子进行后加工辐照，可以显著提高商用YBa_2Cu_3O_7涂层导体的场临界电流。在6 T的磁场中，能量密度为8 × 10^16 p/cm^2的辐照可使临界电流增加近一倍||c，温度为27 K，这是旋转机械等应用所关注的场和温度范围。预先存在的沉淀物和孪晶界以及小的、精细分散的辐射诱导缺陷的混合钉扎景观可以解释在高磁场中改善的涡旋钉扎。我们的数据表明，还有很大的空间进一步增强。
2013-07-02 cond-mat.supr-con
Neutron Irradiation of Mg11B2 : From the Enhancement to the Suppression of Superconducting Properties
在这封信中，我们提出的中子辐照的影响高达3.9 1019 N/cm 2的能量密度上的超导性能的MgB 2。为了获得均匀分布的无序结构，在用11B同位素制备的体样品上进行实验。当注量达到1018 n/cm ~ 2时，临界温度略有降低（36 K），超导性能得到显著改善，上临界场从12 K时的13.5 T增加到20.3 T，不可逆场在5 K时增加了一倍。对于较大的中子注量的临界温度被抑制到12 K和超导性能出来强烈退化。
2004-11-15 cond-mat.supr-con
Reduction in the electron density-of-states in superconducting MgB$_2$ disordered by $n^1$-irradiation: the $^{11}$B and $^{25}$Mg NMR estimates
测量了超导MgB_2（Tc ^{ons}= 38 K）中~（11）B和~（25）Mg的NMR谱线位移和核自旋-晶格弛豫速率T_1^{-1}。辐照使超导转变温度下降到T_{c,irrad} ^{ons}= 7 K。考虑到11 B和25 Mg的T_1^{-1}是由与载流子的超精细磁相互作用决定的，追踪了辐照对硼和镁费米能级处的部分电子态密度（DOS）的影响。结果表明，辐照对Mg的E_F附近电子态的影响很小，而辐照后的MgB_2中B2 p_{x,y}态的部分态密度大大降低.用McMillan公式估算的DOS表明，辐照后MgB_2的临界温度降低主要是由于硼的p态部分DOS降低。
2001-10-09 cond-mat.supr-con
High-Tc Superconducting Quantum Interference Filters (SQIFs) made by ion irradiation
超导量子干涉滤波器（SQIF）是由包括约瑟夫森结（JJ）在内的不同尺寸的超导环组成的阵列。对于尺寸的随机分布，它们呈现对所施加的磁场的非周期性响应，具有扩展的线性区域和相当大的场灵敏度。这些特性使得SQIF成为探测微波频率下电磁波磁分量的有趣器件。我们利用离子辐照技术制备了基于商用YBa_2Cu_3O_7薄膜的高温超导量子阱量子阱和超导量子阱荧光体，并对其性能进行了研究。两者都显示最佳性能作为温度和偏置电流的函数，这可以在我们开发的数值模拟的框架中理解。JJ特性的不对称性和传播的作用（通常发现在HTSc技术）进行了描述：离子辐照为基础的设备出现强大的对他们。最后给出了用2000 SQUID串联的SQIF的实验结果，其传递函数dV/dB ~ 1000 V/T。
2016-06-01 cond-mat.supr-con
Triple sign reversal of Hall effect in HgBa_{2}CaCu_{2}O_{6} thin films after heavy-ion irradiations
在离子辐照的HgBa_{2} CaCu_{2} O_{6}薄膜中首次观察到混合态霍尔效应的三重符号反转。第三个符号反转处的负向下降在高磁场下更为明显，这与大多数高T_c超导体在T_c附近的第一个符号反转的情况相反。这些观察结果可以解释由最近的预测，其中第三个符号反转归因于态密度的能量导数和与超导能隙相关的温度依赖函数。这些贡献突出地出现在平均自由程显着减少的情况下，如我们的情况下，离子辐照的薄膜。
1999-03-31 cond-mat.supr-con
The Influence of Neutron Irradiation on (B0.65C0.35)Ba1.4Sr0.6Ca2Cu3Oz Superconducting Phase: the Role of the Grain Edge
利用输运和磁化测量研究了注量为5 × 10 $^{17}$ n cm $^{-2}$的中子辐照对（B_（0.65）C_（0.35））Ba_（1.4）Sr_（0.6）Ca_2Cu_3O_z的影响。发现中子辐照降低了临界温度和传输临界电流密度，增加了剩余和正常状态电阻率，并提高了晶内临界电流密度，其中1.6 × 10 $^{57}$ A/cm $^{2}$（在77.3K和在高达160 kAmm的外加场下）和Δ Mirr/Δ Mnonirr比（高达3倍）在用于研究的最高场。这个比率，这是低于单位在非常低的字段，但高于1在高字段的字段依赖性，相关的滞后环的形状，以及与辐照后的输运参数的变化表明辐照诱导的作用在晶粒边缘。我们讨论了这些影响的框架中的豆利文斯通表面障碍和几何障碍。
2005-06-09 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of (Ba-K)Fe2As2 single crystals disordered with fast neutron irradiation
本文研究了快中子辐照下（Ba_（1-x）K_x）Fe_2As_2（x = 0.218，0.356，0.531）单晶的电阻率Rho（T），霍尔系数RH（T），超导转变温度Tc和上临界场dHC_2/dT的斜率。发现dTc/dRhoSC -作为RhoSC的函数的Tc降低速率（RhoSC是T = Tc时的电阻率）-随浓度x线性增加。霍尔系数RH的缓慢变化，以及二次电子的电阻率的贡献，表明有没有辐射引起的费米表面的拓扑结构的实质性变化。上临界场dHc 2/dT的斜率在ab-和c-方向作为一个函数的RHoSC确定霍尔测量显示一个合理的协议与模型，建议恒定的带参数。
2014-03-11 cond-mat.supr-con
Roles of Fe-ion irradiation on MgB$_2$ thin films: Structural, superconducting, and optical properties
本研究通过不同剂量Fe离子辐照MgB$_2$薄膜，发现辐照导致晶体结构破坏和电子-声子耦合减弱，使超导临界温度从38.33 K降至3.02 K，并揭示σ带载流子密度对超导性的关键作用。
2025-09-24 cond-mat.supr-con
Patterned Irradiation of YBa_2Cu_3O_(7-x) Thin Films
本文报道了用空间分辨重离子辐照O_{7-x}（YBCO）薄膜的新实验。在金属掩模的帮助下创建了由强和弱钉扎通道的周期性阵列组成的结构。通道相对于光刻图案化结构的对称轴形成+/-45度的角度。这些结构的各向异性输运性质的调查进行。我们发现惊人的相似之处，引导涡旋运动，因为它是观察到在YBCO单晶包含一个阵列的单向孪晶界。使用两个额外的测试桥允许并行确定辐照和未辐照部件的电阻率以及各自的电流-电压特性。这些测量提供了霍尔图案化的电势分布的数值模拟的输入参数。与我们实验中的单向孪晶界相反，强钉扎区和弱钉扎区在空间上都是扩展的。因此，未照射区域和照射区域之间的界面形成玻色-玻璃接触。实验观察到的横向电压的磁场依赖性消失的速度比预期的数值模拟，我们解释这是一个玻色玻璃相和涡旋液体之间的流体动力学相互作用。
2000-12-20 cond-mat.supr-con
Vortex Dynamics in Amorphous MoSi Superconducting Thin Films
在过去的几十年里，超导体中的涡旋动力学受到了基础研究者和应用研究者的极大关注。由于它在II型超导体的能量弛豫过程中的关键作用，涡旋动力学被认为是新兴超导器件的关键因素，但辐照对涡旋动力学的影响仍然不清楚。在外加磁场和辐照下的电输运测量的支持下，研究了非晶MoSi（a-MoSi）超导薄膜中涡旋动力学的光子效应。由Larkin Ovchinnikov模型导出的依赖于磁场的临界涡旋速度v* 不受辐照的显著影响。然而，涡旋脱钉被发现是由光子引起的势垒的减少，这减轻了膜的不均匀性对超导电性的a-MoSi薄膜的不利影响增强。深入了解MoSi薄膜在外界激励作用下的涡旋动力学特性，对于进一步开展这一领域的基础研究和优化未来的超导器件都具有重要意义。
2021-09-17 cond-mat.supr-con
Angular magnetic-field dependence of vortex matching in pinning lattices fabricated by focused or masked helium ion beam irradiation of superconducting YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ thin films
研究了在人工钉扎形貌下，铜氧化物高临界温度超导体$_{2}$ O $_{7-δ}$（YBCO）薄膜中磁场磁化率效应的角度依赖性.通过两种不同的离子辐照方法制造点缺陷列--在氦离子显微镜中扫描聚焦的30 keV离子束或采用宽场75 keV He $^+$束的离子注入器通过模板掩模。离子-靶相互作用和由此产生的碰撞级联的模拟表明，这两种方法的缺陷列子$μ$ m间距的正方形阵列可以创建。它们由密集的点缺陷集群，作为钉扎中心的Abrikosov涡。这是验证的临界电流和相关的磁通流阻与磁场在匹配场的最小值的可重复的峰值的测量。在倾斜磁场中，匹配特征仅由平行于柱状缺陷的轴的磁场分量控制，这证实了磁通量沿着缺陷柱穿透。我们表明，后者占主导地位的钉扎景观，尽管在薄YBCO薄膜的强大的内在钉扎。
2020-04-29 cond-mat.supr-con
Characterisation of high energy electron irradiation damage in UPt3 samples
我们目前的运输和比热测量高品质的单晶UPt $_3$之前和之后的高能电子辐照。我们观察到临界温度与样品厚度有很强的相关性。辐射对超导态比热的显著影响可以用超导转变温度的不均匀分布来简单地解释。重新审视了UPt3热传输中的“普适极限”失效的问题，并建立了清洁实验测试的条件。
2003-01-13 cond-mat.supr-con
Magnetic penetration-depth measurements of a suppressed superfluid density of superconducting Ca$_{0.5}$Na$_{0.5}$Fe$_2$As$_2$ single crystals by proton irradiation
本文报道了质子辐照产生的随机点缺陷对超导Ca $_{0.5}$ Na $_{0.5}$ Fe $_2$ As $_2$单晶超流密度$ρ_{s}$的显著影响。抑制的大小是通过使用磁力显微镜测量与温度相关的磁穿透深度$λ(T)$来推断的。我们的研究结果表明，辐射剂量为2 $\times10^{16}$ cm $^{-2}$由3 MeV的质子产生的超导临界温度$T_{c}$的减少约10%的结果。%，而上临界场的斜率没有明显的变化。相反，$ρ_{s}(0)$被抑制约60%。Abrikosov-Gorkov理论的这种崩溃可以用所谓的“瑞士奶酪模型”来解释，该模型解释了类似于瑞士奶酪中的孔的点缺陷附近的序参数的空间抑制。上临界场的斜率和穿透深度$λ(T/T_{c})/λ(0)$在辐照前后表现出相似的温度依赖性。这可能是由于Ca $_{0.5}$ Na $_{0.5}$ Fe $_2$ As $_2$的高度无序性质与大的带内和同时带间散射以及短相干长度超导性的$s^\pm$波性质的组合。
2012-09-28 cond-mat.supr-con
Superconducting Nanowire Fabrication on Niobium Nitride using Helium Ion Irradiation
超导器件容易因其导线边缘的杂质和缺陷而导致性能降低，这可能导致局部电流拥挤。在这项研究中，我们探索了使用氦离子辐照来修改超导材料的晶格结构，以改变其固有特性。该过程将使我们能够直接图案化设备，并有可能提高纳米线的质量。为了实现这一点，我们使用来自扫描氦离子显微镜（HIM）的离子束来定位超导材料上的损伤以创建纳米线。在这项研究中进行了两个实验。首先，在氮化铌（NbN）微丝上暴露一系列氦离子剂量，以确定抑制超导性的估计剂量密度。使用该第一实验的结果，将纳米线图案化到微丝上，并且测量每个样品的电流-电压特性。我们的研究结果表明，氦离子辐照是一种有效的超导纳米线无阻制备方法。
2020-03-05 cond-mat.supr-con physics.app-ph
Effect of Heavy-Ion Irradiation on Superconductivity in Single Crystals of Ba0.6K0.4Fe2As2 Pnictide Superconductor
在最佳掺杂的Ba0.6K0.4Fe2As2晶体中测量了伦敦穿透深度，有和没有由1.4 GeV 208 Pb辐照产生的柱状缺陷。未辐照样品的低温行为与最小能隙delta_min/（k_B T_C）= 1的完全带隙超导态一致。对于对应于32 nm和22 nm的平均柱-柱分离的辐照水平，观察到类似的间隙值。在非常高的辐照水平下（柱-柱间距为10 nm），在Tc/3以下观察到T^2幂律，这很可能是由于散射增加。辐照既不影响超导转变的位置，也不影响超导转变的锐度。这些数据为s+/-配对状态提供了证据。
2013-02-28 cond-mat.supr-con
AC Josephson properties of phase slip lines in wide tin films
在具有相滑移线的阻性状态下，观察到微波辐射下宽超导锡膜的电流-电压特性中的电流阶跃。台阶的大小随辐照功率的变化与具有相滑移中心的窄超导沟道中的电流台阶相似，在一定程度上也与约瑟夫森结中的Shapiro台阶相似。这为宽超导薄膜中相滑移线的Josephson性质提供了证据，并支持了宽薄膜和窄薄膜中相滑移过程相似的假设。
2007-07-16 cond-mat.supr-con
Unusual suppression of superconductivity in YNi2B2C under neutron irradiation
本文研究了多晶YNi_2B_2C在Tann = 100 - 1000 ℃范围内经热中子辐照和高温等熵退火后的电阻率ρ（T）、超导转变温度Tc和上临界场H_c ~ 2（T）的变化。
2013-03-05 cond-mat.supr-con
Irradiation induced modification of the superconducting properties of heavily boron doped diamond
金刚石是一种宽带隙半导体，当重掺杂硼时，可以被设计成表现出超导性。这种现象已经在通过化学气相沉积生长的样品中得到证实，其中硼浓度超过$n_{MIT} \gtrsim 4\times10^{20}/\text{cm}^3$的金属到绝缘体转变的临界浓度。虽然超导性的阈值载流子浓度通常在文献中得到很好的建立，但尚不清楚较高的临界温度与增加的硼浓度的相关性如何。先前的研究通常比较了在不同等离子体条件下或在具有不同晶体取向的衬底上生长的几个样品，以改变硼掺入晶格中的情况。在这里，我们提出了一个单一的样品与不变的硼浓度的研究，而不是修改的载流子浓度通过引入补偿缺陷，通过高能离子辐照。当缺陷的数量足以补偿空穴浓度到阈值以下时，超导性被完全抑制。此外，我们还证明了通过真空退火去除补偿缺陷来恢复超导性是可能的。
2018-09-06 cond-mat.supr-con
Superconducting atomic contacts under microwave irradiation
我们测量了微波辐照对超导原子接触直流伏安特性的影响。外部场与交流超电流的相互作用导致超电流峰的复制品，即众所周知的夏皮罗共振。对含有高透射导电通道的触点的补充分数谐振的观察揭示了它们的非正弦电流-相位关系。共振位于背景电流上，该背景电流本身由于光子辅助的多次Andreev反射而被深度修改。这些结果为基于Andreev束缚态概念的两个超导体之间输运的全量子理论提供了有力的支持。
2006-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Specific heat of MgB_2 after irradiation
用比热测量研究了无序对多晶MgB_2超导性质的影响。在原始状态下，这些测量结果给出了两个超导能隙的大量确认，其2 Δ 0 / k_B T_c = 1.3和3.9，且具有几乎相等的权重。辐射引起的散射抑制了T_c，并趋于使两个带隙平均化，尽管比理论预测的要小。我们还发现，通过适当的快中子辐照工艺，在不牺牲T_c几度的情况下，可以获得T_c处dH_{c2} /dT的大幅度增加。辐照后样品的上临界场在T = 0 K时超过28 T。
2003-01-07 cond-mat.supr-con
Resonant escape in Josephson tunnel junctions under millimeter-wave irradiation
本文通过测量铌基约瑟夫森结在100 GHz以上毫米波辐照下的开关电流双峰分布，用含势垒抑制的强驱动模型解释了共振逃逸现象，证明了在约100 GHz运行相位量子比特的可行性。
2024-11-22 cond-mat.supr-con
Electron irradiation reveals robust fully gapped superconductivity in LaNiGa$_{2}$
本研究通过2.5 MeV电子辐照实验结合电输运和磁化率测量，揭示LaNiGa₂具有完全能隙费米面、接近单能隙弱耦合各向同性s波的超流密度及对非磁性无序的极强稳健性，否定了三重态配对态，支持保号单态超导态并协调了磁矩争议。
2023-11-20 cond-mat.supr-con
Beta Irradiation of a Geometrically Metastable Superconducting Strip Detector with a Magnetic Flux Penetration Read-Out
几何亚稳性，在超导I型锡扁带中观察到的，先前已被提出作为粒子探测的原理。入射β粒子的能量沉积导致亚稳态的破裂，从而导致多量子通量管穿透超导锡条。我们在这里介绍了来自两个β源的第一个吸收光谱，它证明了这些探测器的线性和能量分辨率（在第六届暗物质和中微子低温探测器国际研讨会（LTD-6）上介绍，瑞士因特拉肯，9月11日）。一九九五年）
1995-12-10 cond-mat.supr-con supr-con
Strong field-matching effects in superconducting YBa2Cu3O7-δ films with vortex energy landscapes engineered via masked ion irradiation
我们已经开发了一种掩蔽离子辐照技术，以工程师的氧化物超导体中的涡旋的能量景观。这种方法将在纳米尺度上设计景观几何形状的可能性与调整涡旋能量阱深度的独特能力相关联。这使我们能够揭示的关键作用，涡流沟道在调制的幅度场匹配效应与人工能源景观，并使后者管理通量动力学在一个通常很宽的温度范围和应用领域。
2011-11-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Tuning electric charge scattering in YBCO single crystals via irradiation with MeV electrons
用电子辐照是一种有效的方法来诱导大量的缺陷，对材料本身的影响最小。从加速粒子撞击到晶格的能量转移的分析表明，只有具有MeV能量的电子以填隙离子和空位的形式产生点缺陷，形成完美的散射中心。在这里，我们调查的电阻特性的变化，从1-2-3系统的YBCO单晶的几个步骤后，低温辐照与$0.5-2.5$ \，MeV的电子和辐照剂量高达$8.8\times10^{18}$ \，cm $^{-2}$。这种电子的穿透深度比晶体厚度大得多。结果表明，电子辐照引起的缺陷不仅使剩余电阻增大，而且影响系统的声子谱，使超导转变温度随辐照剂量的增加而线性降低。此外，辐照引起的缺陷分布不均匀，这通过超导转变的加宽来表现。有趣的是，在这样的电子辐照后，过量的电导率几乎不受影响。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
S-35 Beta Irradiation of a Tin Strip in a State of Superconducting Geometrical Metastability
我们报告的第一个能量损失谱获得的几何亚稳态I型超导锡条照射的β-发射的S-35。（核指令）Meth. A，待印）
1995-11-30 cond-mat.supr-con hep-ex nucl-ex
Growth of superconducting MgB2 thin films
这是迄今为止对MgB_2超导薄膜的首次综述。
2002-03-18 cond-mat.supr-con
Systematic study of disorder induced by neutron irradiation in MgB2 thin films
研究了中子辐照对外延二硼化镁薄膜正常态和超导特性的影响，辐照剂量高达1020 cm-2。辐照后，薄膜的所有性质都发生了系统的变化。临界温度被抑制，并且在最高能量密度下，在低至1.8 K时没有观察到超导转变。残余电阻率从1微欧姆cm逐渐增加到190微欧姆cm; c轴扩展，然后在最高损伤水平处饱和。通过与其他损伤方法的比较，探讨了其损伤机理。所选样品的正常状态磁阻测量高场（28和45 T）允许明确确定在每个波段的散射率;在每个样品的清洁和肮脏的限制之间的交叉可以监测。这组样品具有可控的无序度，适合于研究二硼化镁薄膜中的临界场难题。测得的临界场值是非常高的（在低能量密度的平行方向的顺序为50 T），原来是相当独立的实验电阻率，至少在低能量密度。一个简单的模型来解释这种现象。
2006-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth and Properties of Superconducting MgB2 Thin Films
本文综述了近30个月来超导MgB_2的薄膜生长和结制备的研究进展，包括MgB_2的化学和物理性质的简要总结。
2004-02-12 cond-mat.supr-con
Generation of Teraherz Oscillations by Thin Superconducting Film in Fluctuation Regime
在含时Ginzburg-Landau理论的框架下，导出了超导薄膜在任意电场中高于和低于临界温度的电导率的显式解析表达式。证实了在略低于临界温度时，只要电场足够小，超导薄膜的微分电导率就会变为负值。如果超导膜与谐振器适当地耦合，则该事实可能导致电磁振荡的产生。它们的最大频率与超导转变的临界温度成正比。所得结果可促进基于高温超导薄膜的太赫兹发电机的发展。
2019-01-28 cond-mat.supr-con
Morphology of Superconducting FeSe thin films deposited by co-sputtering and MBE
用射频溅射和分子束外延（MBE）方法从两种元素源沉积了可能是非常规的超导体β-FeSe。在MgO（100）和YAlO 3（010）衬底上沿（001）取向生长了超导薄膜。研究了样品的形貌，并将其与β-FeSe薄膜的超导性能直接相关。分子束外延生长的薄膜显示出微裂纹和约100 nm的粗糙度。相比之下，溅射沉积的超导薄膜显示出几乎没有沉淀物的光滑表面。在这两种情况下的电阻超导转变与临界温度高达8.5 K进行了观察。然而，溅射沉积膜的光滑度对于未来的表面依赖性研究至关重要。
2015-05-11 cond-mat.supr-con
Magnetically Induced Metallic Phase in Superconducting Tantalum Films
研究了均匀无序超导钽薄膜在磁场中的电子输运性质。薄膜表现出三种不同的运输制度，在零温度极限，我们确定为超导，金属和绝缘相。金属相是出乎意料的。这种金属相的传输特性被发现是类似的MoGe薄膜和高迁移率稀释二维电子或空穴限制在半导体界面或晶体管的几何形状。
2006-01-20 cond-mat.supr-con
Tunneling into thin superconducting films: interface-induced quasiparticle lifetime reduction
对生长在普通金属钨衬底上的超导镧薄膜的扫描隧道谱测量表明，其相干峰有极大的展宽。所观察到的加宽对应于在隧穿过程中非常短的类电子准粒子寿命。考虑到不同的弛豫过程的一个彻底的分析表明，占主导地位的机制是一个有效的准粒子弛豫之间的超导薄膜和衬底的界面。这个过程是一般相关的扫描隧道光谱研究薄超导薄膜，并使薄膜厚度的测量通过光谱方法。
2016-04-13 cond-mat.supr-con
Strong vortex-antivortex fluctuations in the type II superconducting film
本文考虑了在低于Tc的宽温度区间内，II型超导薄膜中的小尺寸涡旋-反涡旋对的增殖。计算了相应的自由能贡献。结果表明，这些波动的主要贡献的热容量的膜在低温和附近的过渡。
2004-04-20 cond-mat.supr-con
Comment on "Microwave vortex dissipation of superconducting Nd-Ce-Cu-O epitaxial films in high magnetic fields"
虽然Yeh等人[Phys.Rev.B48，9861（1993）]对超导薄膜的电动力学处理表面上具有“薄膜极限”的应用，但他们的工作表明采用了块状电动力学而不是薄膜电动力学，并且因此获得了表面上违反热力学热力学第一定律和与电阻率无关的表面电阻。其他理论和实验的困难简要说明。
2000-07-10 cond-mat.supr-con
Theory of absorption spectrum in the nonequilibrium steady state of superconductors under microwave irradiation
本文研究了脏s波超导体在微波辐照下非平衡稳态的吸收谱，发现低能区分布函数减小抑制了热激发准粒子的吸收，且泵浦波与探测波频率混合产生振幅模式并导致吸收谱出现双峰。
2023-06-26 cond-mat.supr-con
Surface reconstruction and charge modulation in BaFe2As2 superconducting film
外延生长的超导薄膜是否具有类似块材的超导特性是一个重要的问题。利用扫描隧道显微镜和扫描隧道光谱（STS）研究了外延生长的Ba（Fe_（1-x）Co_x）_2As_2薄膜的结构和电子性质。这部电影表现出不同的表面结构，（2sqrtx2sqrt2）R45重建，从散装晶体的解理表面。生长的薄膜的电子结构与体相的不同，值得注意的是，薄膜表现出相同的超导输运性质。在STS测量中，我们发现表面的超导能隙在Ba层表面被屏蔽，在超导状态下，在样品表面观察到电荷密度波。
2018-03-08 cond-mat.supr-con
In-situ growth of superconducting MgB2 thin films by molecular beam epitaxy
从多个角度研究了原位生长MgB 2超导薄膜。本文讨论了（1）生长温度，（2）过量Mg的影响，（3）生长过程中残余气体的影响，（4）原位退火的影响，（5）厚度依赖性，（6）衬底的影响。我们的研究结果为制备高质量的超导MgB2薄膜提供了指导。
2002-10-11 cond-mat.supr-con
Superconducting MgB2 thin films nano-bridges for cryo-electronic application
采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了前驱体MgB 2薄膜。讨论了非原位退火工艺对MgB 2超导薄膜粗糙度的影响。通过优化MgB前驱体薄膜的真空退火工艺，得到了表面粗糙度小于10 nm，临界温度Tcon = 31 K，相变宽度DTc小于1 K的光滑超导MgB 2薄膜。利用光学光刻和聚焦离子束光刻技术制备了基于超导MgB 2薄膜的纳米桥。在50 nm宽的带材上测得的临界电流密度jc（4.2 K）为7.3 × 10 6 A/cm 2，并且没有检测到超导性能的显著损失。电阻与温度和临界电流与温度特性的测量，这些结构上使用标准的DC四探针测量。
2007-05-29 cond-mat.supr-con
A generalized proximity effect model in superconducting bi- and tri-layer films
本文提出了一个计算邻近耦合超导双层膜和三层膜态密度和库珀对势的通用模型。以超导隧道结为例说明了模型的有效性。
2004-07-13 cond-mat.supr-con
High critical current densities in superconducting MgB2 thin films
在Al 2 O3（0001）和MgO（100）衬底上制备了MgB 2超导薄膜。硼薄膜的沉积通过电子束蒸发，然后与镁的后退火工艺。研究了合适的后退火工艺条件，以制备出性能良好的MgB 2超导薄膜。X射线衍射分析表明，在我们的薄膜中，MgB_2相是随机取向生长的。用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察了表面形貌。用输运法测得15 K时MgB 2/Al 2 O3薄膜的临界电流密度（Jc）约为10^7 A/cm^2，超导转变温度（Tc）约为39 K。
2001-04-12 cond-mat.supr-con
Magnetic Field of an In-Plane Vortex Inside and Outside a Layered Superconducting Film
本文研究了有限厚度的各向异性层状超导薄膜。膜表面被认为平行于晶体的$bc$面。涡旋线的取向垂直于薄膜表面，平行于超导平面。我们计算了这种几何的局部场和伦敦自由能。我们的计算是以前的工作的推广，其中的样品是作为一个半无限超导体。作为该理论的一个应用，我们研究了超导表面的磁通扩展。
2000-08-04 cond-mat.supr-con
Elastic Properties of the Vortex Lattice for a Superconducting Film of Finite Thickness
本文研究了有限厚度超导薄膜涡旋晶格的弹性性质。我们推导出压缩模量的解析表达式。剪切模量的数值计算使用珍珠相互作用潜力，有效的限制非常薄膜，和一个潜在的膜的任意厚度。剪切模量进行了比较研究。
2000-02-22 cond-mat.supr-con
Contribution of residual quasiparticles to the characteristics of superconducting thin-film resonators
结果表明，即使在远低于转变温度的温度下，超导体中仍存在大量的准粒子，这些准粒子对超导薄膜谐振器的特性有重要影响。
2020-12-09 cond-mat.supr-con
Nucleation and Collapse of the Superconducting Phase in Type-I Superconducting Films
利用磁光成像技术研究了I型超导薄膜中中间态和正常态之间的相变。发现了不同过渡场下超导畴的坍缩和成核的磁滞现象，并伴随着以环形畴坍缩和层状畴出现为特征的拓扑磁滞现象。磁滞所示，从过冷和过热状态。由于长程磁相互作用引起的畴形不稳定性是拓扑磁滞的主要原因。连接与系统中类似的影响与远程磁相互作用的强调。
2005-11-03 cond-mat.supr-con
Fabrication of Superconducting YBa2Cu4O8 Film via Coprecipitation
采用共沉淀法和提拉法在SrTiO 3（100）衬底上成功地制备了具有c轴取向的YBa 2Cu 4 O 8（Y-124）薄膜。用Y、Ba、Cu的金属硝酸盐溶液和氢氧化钠-草酸水溶液沉淀Y、Ba、Cu。在磁化强度和电阻测量中，在64-70 K观察到了与体相Y-124相对应的超导转变。所发展的方法适合于制备具有工艺应用价值的Y-124超导薄膜。
2019-04-06 cond-mat.supr-con
Fabrication of superconducting MgB2 thin films by magnetron co-sputtering on (001) MgO substrates
我们在（001）MgO衬底上制备了MgB_2超导薄膜。通过磁控射频和直流共溅射在加热的衬底上制备样品。它们在450°C和750°C之间的温度下非原位退火1小时。我们将表明，在溅射过程中的衬底温度和后退火温度在形成MgB 2超导薄膜中起着至关重要的作用。在薄膜厚度为30nm时，薄膜的临界起始温度为27.1K。通过X射线衍射测量晶体结构。
2010-10-26 cond-mat.supr-con
