First Principles calculations are performed on the cubic bulk and its (001) surface of CsPbBr3 to reveal its electronic and optoelectronic properties. Various calculation schemes like GGA, GGA+SOC and the highly accurate modified Becke Johnson potential (mBJ) are applied. The electronic energy band gap calculations obtained from mBJ shows close approximity with the available experimental results. The cubic bulk phase is investigated for its mechanical stability and is found to bypass other structural phases. The optical absorption of both the bulk and the surface surpasses non-lead based cubic halides and zinc-based organic-inorganic hybrids.
Structural, elastic and optoelectronic properties of inorganic cubic FrBX3 (B = Ge, Sn; X = Cl, Br, I) perovskite: the density functional theory approach
无机金属卤化物立方钙钛矿半导体在光伏和光电子器件的工业应用中变得更加流行。在各种钙钛矿中，无铅材料由于其对环境的无毒作用而目前被探索得最多。本研究采用第一性原理密度泛函理论（DFT）计算方法研究了无铅立方钙钛矿材料FrBX 3（B = Ge，Sn; X = Cl，Br，I）的结构、电子、光学和力学性质。发现这些材料具有直接带隙能量和机械相稳定性的半导体行为。所观察到的带隙的变化解释的基础上的取代的阳离子和阴离子坐在B和X-网站的FrBX 3化合物。高吸收系数、低反射率和高光学传导性使得这些材料适合于光伏和其它光电子器件应用。观察到在B位中含有Ge（锗）的材料比含有Sn的材料具有更高的光吸收和电导率。系统的电子，光学和机械性能的分析表明，在所有的钙钛矿材料，FrGeI 3将是一个潜在的候选人的光电应用。含放射性元素Fr的钙钛矿FrGeI 3可在核医学和诊断（例如X射线成像技术）中具有应用。
Optoelectronic and Thermoelectric Properties of High-Performance AlSb Semiconductors
S.U. Umarov Physical-Technical Institute of NAST（S.U. 乌马罗夫物理技术研究所 (NAST)）；School of Optoelectronic Engineering & CQUPT-BUL Innovation Institute, Chongqing University of Posts and Telecommunications（重庆邮电大学光电工程学院及CQUPT-BUL创新学院）；Tajik National University（塔吉克斯坦国立大学）
Thermodynamic Phase Stability, Structural, Mechanical, Optoelectronic, and Thermoelectric Properties of the III-V Semiconductor AlSb for Energy Conversion Applications
S.U. Umarov Physical-Technical Institute of NAST（纳兹尔科学院苏·乌马尔物理技术研究所）；School of Optoelectronic Engineering & CQUPT-BUL Innovation Institute, Chongqing University of Posts and Telecommunications（重庆邮电大学光电工程学院与CQUPT-BUL创新学院）
Magnetic, Optoelectronic, and Rietveld refined structural properties of Al3+ substituted nanocrystalline Ni-Cu spinel ferrites: An experimental and DFT based study
Atomically sharp 1D SbSeI, SbSI and SbSBr with high stability and novel properties for microelectronic, optoelectronic, and thermoelectric applications
First Principal Investigations to Explore the Half-metallicity, Structural, Mechanical, and Optoelectronic Properties of Sodium-Based Fluoroperovskites NaYF3 (Y = Sc and Ti) for Applications in Spintronics and Optoelectronics
Pressure-Driven Phase Evolution and Optoelectronic Properties of Lead-free Halide Perovskite Rb$_2$TeBr$_6$
Indian Institute of Science Education and Research Kolkata（印度科学教育研究学院加尔各答分校）；National Centre for High Pressure Studies, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata（印度科学教育研究学院加尔各答分校高压研究中心）；Elettra-Sincrotrone Trieste S.C.p.A.（的里雅斯特电子同步辐射中心）
Computational study of structural, elastic, electronic, phonon dispersion relation and thermodynamic properties of orthorhombic CaZrS$_3$ for optoelectronic applications
Orbital-Energy Splitting in Anion Ordered Ruddlesden-Popper Halide Perovskites for Tunable Optoelectronic Applications
能带边缘的电子轨道特性对钙钛矿光伏材料的电学、光学和缺陷性质起着重要的决定作用。建立基础原子轨道和光电性质之间的关系作为最大化光伏性能的指导是非常期望的。在这里，使用第一性原理计算并以阴离子有序Ruddlesden-Popper（RP）相卤化物钙钛矿Cs $_{n+1}$ Ge $_n$ I $_{n+1}$ Cl $_{2n}$为例，我们演示了如何合理地优化光电性能（例如，带隙、跃迁偶极矩阵元、载流子有效质量、带宽）。结果表明，降低B位原子p轨道的分裂能$|Δc|$可以有效地降低带隙和载流子有效质量，同时大大提高可见光区的光吸收。因此，通过双轴压缩应变很好地建立了与$Δc$的轨道-性质关系。最后，它表明，这种方法可以合理地扩展到其他几个非立方卤化物钙钛矿在导带边缘具有类似的p轨道特性。因此，我们相信我们提出的轨道工程方法为理解和优化层状钙钛矿太阳能电池的器件性能提供了原子级指导。
Interfacial effect on the optoelectronic and piezoelectric properties of Ge-Sn terminated Halide Perovskite heterostructure from first-principles study
Pachhunga University College（帕丘恩加大学学院）；King Saud University（沙特国王大学）
Insights into the structural, electronic and optical properties of X$_2$MgZ$_4$($X=$ Sc, Y; $Z=$ S, Se) spinel compounds: Materials for the future optoelectronic applications
Exploring 2D/Quasi-2D Ruddlesden-Popper Perovskite A$_{n+1}$Hf$_n$S$_{3n+1}$ (A = Ca, Sr, and Ba; n = 1-3) for Optoelectronics using Many-Body Perturbation Theory
Tailoring the Optoelectronic, Photocatalytic, Thermoelectric and Thermodynamic Properties of Halides Li2InBiX6 (X = Cl, Br, I) for Energy Conversion: A DFT Study
Princess Nourah Bint Abdulrahman University（公主诺拉·宾特·阿卜杜勒拉赫曼大学）；University of West Bohemia（西波希米亚大学）；University of Sargodha（萨尔戈达大学）；King Saud University（沙特国王大学）；Gachon University（迦南大学）
Spontaneous graphitization of ultrathin cubic structures: A computational study
基于{ \em ab initio}密度泛函计算的结果表明，在立方金刚石，氮化硼，和许多其他立方结构，包括岩盐的石墨化的倾向。尽管这样的化合物通常显示出对本体中的立方原子排列而不是层状原子排列的能量偏好，但层状系统的表面能通常低于它们的立方对应物的表面能。我们确定了一系列系统的临界板厚度，低于该厚度，发生从立方到层状石墨结构的自发转换，由表面占主导地位的结构中的表面能减少驱动。
Ab initio Prediction of Mechanical, Electronic, Magnetic and Transport Properties of Bulk and Heterostructure of a Novel Fe-Cr based Full Heusler Chalcogenide
Bulk transport properties of Bismuth selenide thin films approaching the two-dimensional limit
我们研究了拓扑绝缘体Bi 2 Se 3薄膜的输运性质，重点是了解作为厚度的函数的行为。我们表明，厚度有很强的影响，各方面的运输作为二维极限的接近。体电阻率和霍尔迁移率显示不成比例的大的变化低于6五重层，我们直接相关的几层Bi2Se3的体带隙的增加，这种效果是伴随着表面间隙开口。在超薄Bi2Se3中的温度依赖性电阻率测量中从金属到绝缘行为的交叉趋势也与体带隙的增加以及膜-衬底界面处的增强的无序一致。我们的工作突出了少层Bi2Se3的性质是可调的，这可能是有吸引力的各种器件应用领域，如光电子学，纳米电子学和自旋电子学。
First-Principles Study of Novel Lead-Free Double Perovskite \b{eta}2SnGeX6 (\b{eta} = K, Rb; X = Cl, Br, I) for thermomechanical, optoelectronic and outstanding thermoelectric applications
Unravelling the Role of Stacking Disorder on the Optoelectronic Properties of Zn3P2
Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology（加泰罗尼亚纳米科学技术研究所）；Ruhr University Bochum（波鸿鲁尔大学）；Friedrich-Schiller-Universität Jena（耶拿弗里德里希·席勒大学）；Lund University（隆德大学）；Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne（洛桑联邦理工学院）；Catania University（卡塔尼亚大学）
A comparative study of the structural, elastic, thermophysical, and optoelectronic properties of CaZn$_2$X$_2$ (X = N, P, As) semiconductors via ab-initio approach
本文用密度泛函理论计算了三元半导体CaZn $_2$ X $_2$（X = N，P，As）的结构、弹性、晶格动力学、热物理和光电性质.所得到的晶格参数与实验值和其他理论结果吻合得很好。这些弹性常数满足机械稳定性准则。此外，许多热物理参数的这些化合物，包括德拜温度，平均声速，熔化温度，热容，晶格热导率等的弹性常数和模量的综合分析表明，CaZn $_2$ X $_2$化合物具有较好的可加工性，相对较高的维氏硬度和相对较低的德拜温度。首次研究了CaZn $_2$ P $_2$和CaZn $_2$ As $_2$的声子色散曲线和声子态密度。从声子色散曲线可以看出，体相CaZn $_2$ X $_2$（X = N，P，As）化合物是动态稳定的.通过能带结构和电子态能量密度研究了其电子性质。电子能带结构表明，CaZn $_2$ N $_2$和CaZn $_2$ As $_2$具有直接带隙，而化合物CaZn $_2$ P $_2$具有间接带隙.研究了CaZn $_2$ X $_2$（X = N，P，As）化合物的成键特性。与能量相关的光学参数与电子态的能量密度特征有很好的对应关系。我们对这些半导体材料的反射率、吸收系数、折射率、介电函数、电导率和损耗函数进行了深入的讨论。对CaZn $_2$ X $_2$（X = N，P，As）的光吸收光谱、反射光谱和折射率的研究表明，该化合物有望用于光电子器件…
