Assessing The Band Gap Problem By Improving Upon The Semilocal Exchange Hole Potential
一种类似于Becke-Schlosel [A. D. Becke和M. R.通过使用基于密度矩阵展开的广义坐标变换对交换孔进行建模来构造[Escherssel，Phys.Rev.A39，3761（1989）]。模型势是拉普拉斯自由的，系统中存在的不均匀性被包括在动量矢量中，而不影响均匀密度极限。与模型交换孔相关的参数与球形原子拟合。新构造的势函数与Tran-Blaha修正的Becke-Johnson势函数（TBMBJ）[F. Tran和P. Blaha，Phys. Rev. Lett. 102，226401（2009）]电势相当精确地产生从半导体到绝缘体的各种材料的带隙。与TBMBJ和其他标准半局域交换泛函相比，带隙的结果得到了改善。
2017-07-04 cond-mat.mtrl-sci
Multi hole bands and quasi 2-dimensionality in Cr2Ge2Te6 studied by angle-resolved photoemission spectroscopy
本文采用光电子能谱和从头算方法研究了二维铁磁体Cr2Ge2Te6的电子结构。我们的研究结果表明，在费米能级附近存在多个空穴型带，表明该材料可以通过操纵化学势来支持高电导率。此外，我们的光子能量依赖的角度分辨光电子能谱实验表明，几个空穴带表现出弱色散与不同的入射光子能量提供其二维实验签名。这些研究结果可以为进一步研究Cr2Ge2Te6在电子器件中的应用铺平道路。
2020-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Simple linear response model for predicting energy band alignment of two-dimensional vertical heterostructure
Anderson和midgap模型常用于半导体异质结的研究，但对于范德华垂直异质结，它们只显示出非常有限的成功。使用第IV族单硫族垂直异质结构作为一个原型系统，我们提出了一个线性响应模型，并比较这些模型在预测密度泛函理论（DFT）的能带排列，带型和带隙的有效性。我们发现，DFT频带对齐是最好的预测的线性响应模型，它落在安德森和midgap模型之间。我们提出的模型可以用界面偶极$α\times(E_{m2}-E_{m1})$来表征，其中线性响应系数$α$ = 0和1分别对应于Anderson模型和midgap模型，$E_{m}$是单分子层的midgap能量，它可以被看作是一种有效的电负性.对于第IV族单硫族化物，我们发现，$α$ = 0.34最好的捕获的vdW异质结构的DFT频带对齐，我们讨论的可行性的线性响应模型考虑到其他影响，如应变和频带杂交，并得出结论与应用的模型来预测实验频带对齐。
2020-11-07 cond-mat.mtrl-sci
Hole Transport in Impurity Band and Valence Bands Studied in Moderately Doped GaAs:Mn Single Crystals
本文报道了一个简单的测量GaMnAs单晶样品中霍尔效应随温度变化的实验，样品中Mn的含量估计为0.05- 0.3at.%其略低于铁磁性的起始。对于约0.3at.%的Mn组分，杂质带传输是可见的有明显的金属性。结果表明，当Mn的浓度在一定范围内时，GaAs：Mn中的金属-绝缘体转变发生在与价带分离的杂质带内。我们还讨论了文献中未精确描述的Mn在GaAs中的平衡高温溶解极限。
2007-07-06 cond-mat.mtrl-sci
HOMO band structure and anisotropic effective hole mass in thin crystalline Pentacene films
用光电子能谱测量了生长在Bi（001）衬底上的并五苯薄膜的两个最高占据分子轨道（HOMO）能带的色散。与第一性原理计算相比，我们的数据显示出明显更小的带宽和更大的带分离，表明分子相互作用比理论预测的要弱--这与Kakuta等人先前的报告直接矛盾。98，247601（2007）]。发现M杆处的有效孔质量m* 是各向异性的，并且大于理论预测。m* 与场效应迁移率测量的比较表明，即使在室温下，能带结构对迁移率也有很大的影响，其中我们估计散射率为τ ~3 fs。
2009-10-12 cond-mat.mtrl-sci
Charge Transport in Organic Molecular Semiconductors from First Principles: The Band-Like Hole Mobility in Naphthalene Crystal
预测有机分子晶体中的电荷输运是众所周知的挑战。有机半导体中载流子迁移率的计算主要采用基于电荷跳跃的量子化学方法，这种方法很费力，而且精度也不高。在从头算能带理论框架下，从第一性原理出发，计算了萘晶体的电子-声子散射和声子限制空穴迁移率。我们的计算结合GW电子能带结构，从头算电子-声子散射，和玻尔兹曼输运方程。在100 $-$ ~ 300 K温度范围内，空穴迁移率的计算值与实验值符合得很好，并能高精度地预测其温度依赖性。我们发现，分子间的声子和空穴之间的散射调节的迁移率，虽然分子内的声子具有最强的耦合与空穴。我们重新审视的共同信念，只有刚性分子运动影响有机分子晶体中的载流子动力学。我们的工作提供了一个定量和严格的框架来计算有机晶体中的电荷输运，是调和能带理论和载流子跳跃计算方法的第一步。
2018-03-12 cond-mat.mtrl-sci
Controlling Curie temperature in (Ga,Ms)As through location of the Fermi level within the impurity band
铁磁半导体（Ga，Mn）As已成为半导体自旋电子学中原型应用研究最多的材料。由于（Ga，Mn）As的铁磁性是空穴介导的，空穴态的性质对其居里温度TC有着直接而关键的影响。然而，关于（Ga，Mn）As中的空穴是存在于价带还是杂质带，一直存在着激烈的争论。在本文中，我们结合沟道实验的结果，测量Mn离子和相关的铁磁顺序的孔的浓度，与磁化，运输和磁光数据来解决这个问题。总之，这些测量提供了强有力的证据，它是费米能级的杂质带内的位置，确定TC通过确定空穴局域化的程度。这一发现与人们普遍接受的TC受价带空穴控制的观点截然不同，从而为实现更高的TC值开辟了新的途径。
2012-03-08 cond-mat.mtrl-sci
Linear response theory for electron-hole pair kinetics: exciton formation
建立了电子空穴对密度的线性响应理论，提出了一种新的理论方法，并在第一性原理的基础上，同时考虑电子空穴吸引相互作用和屏蔽效应，给出了激子密度的定义.这使得激子的时间演化进行检查。这个公式被应用到一个jeltered模型，以证明存在的瞬态激子，并观察交叉从瞬态到稳定的激子响应于电子密度的降低。激子的形成机制也被揭示。
2016-04-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Scattering states of coupled valence-band holes in point defect potential derived from variable phase theory
本文提出了一种计算强自旋轨道耦合下球带中空穴散射态的方法。更精确地说，我们计算了半导体晶体中的缺陷引起的空穴的散射相移和振幅。我们遵循Ralph [H. I. Ralph，Philips Res. 32 160（1977）]来解释p波性质和价带态的耦合。我们扩展拉尔夫的分析，将有限范围内的潜在的散射问题。我们发现，可变相位方法提供了一个非常方便的框架，我们的目的，并详细说明如何获得散射振幅和相移。讨论了薛定谔方程的格林矩阵、李普曼-薛定谔方程和玻恩近似。最后给出了一些算例来说明我们用汤川型势进行的计算。
2006-10-31 cond-mat.mtrl-sci
Electronic response and bandstructure modulation of carbon nanotubes in a transverse electrical field
在单轨道紧束缚模型下研究了均匀横场中碳纳米管的电子性质。对于掺杂的纳米管，介电函数不仅依赖于管的对称性，而且还依赖于半径和费米能级位置。带隙打开/关闭的锯齿形管的预测，而它被发现，扶手椅管总是保持金属，这是解释了它们的配置的对称性。这两种类型的能带结构大大修改时，场强是足够大的混合相邻的子带。
2002-12-19 cond-mat.mtrl-sci
Roles of band gap and Kane electronic dispersion in the THz-frequency nonlinear optical response in HgCdTe
本文研究了HgCdTe在太赫兹频段的非线性光学响应，揭示了带隙、载流子浓度和Kane电子色散如何共同决定其非线性行为，并发现低温下齐纳隧穿主导响应而室温下准弹道电子动力学驱动最强非线性相互作用。
2024-04-17 cond-mat.mtrl-sci
Structural and electronic response upon hole-doping of rare-earth iron oxyarsenides Nd1-xSrxFeAsO (0 < x < 0.2)
空穴掺杂的NdFeAsO通过部分取代Nd 3+的Sr 2+是一个成功的路线，以获得超导相（Tc = 13.5 K的Sr 2+含量为20%），然而，掺杂的结构和电子的响应是不同的和非对称的，在电子掺杂侧的相图。
2008-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors
本文利用时间分辨太赫兹光谱研究GaAs和InP中电子-空穴等离子体的超快长距离传播，发现相干与非相干两种机制分别可达c/10和c/25的速度，并提出该现象普遍存在于低过剩能量强光激发下的直接带隙半导体中。
2024-09-30 cond-mat.mtrl-sci
Studies of non-trivial band topology and electron-hole compensation in YSb
本文利用第一性原理计算研究了静水压下超大磁电阻材料YSb中的非平凡拓扑相位和电子空穴补偿。YSb在常压下是拓扑平凡的，但在静水压力下经历重入拓扑相变。研究了拓扑量子相的重入行为与压力下电荷密度比的关系。通过对费米面的详细研究，发现电子空穴密度比随压强的增加而增加，但在没有理想的电子空穴补偿的情况下，会出现非平凡的拓扑相.结果表明，非平凡拓扑相位对磁电阻效应的影响可能不是最大的，拓扑相位与XMR效应之间的关系还需要进一步的实验研究.
2020-03-18 cond-mat.mtrl-sci
Heavy-hole band splitting observed in mobility spectrum of p-type InAs grown on GaAs substrate
在5 ~ 300 K和15 T磁场范围内，用分子束外延（MBE）方法在GaAs衬底上生长了高质量的铍掺杂InAs层，并对其进行了磁输运测量和高分辨率定量迁移率谱分析。层的均匀性和掺杂浓度已证明通过HR-SIMS。结果表明，在55 K以下，四沟道电导率和最密集的类孔沟道的基本分裂。从QMSA结果得出的多层模型已与nextnano模拟进行了比较。
2019-08-02 cond-mat.mtrl-sci
Electron-Hole Separation in Ferroelectric Oxides for Efficient Photovoltaic Responses
尽管铁电光致发光器件（FPV）有可能超过理论上的肖克利-奎塞尔极限，但由于其极低的光电流，其效率很低。最近，将Bi 2FeCrO 6（BFCO）作为光吸收剂添加到FPV中导致了令人印象深刻的高光电流和创纪录的光电流[Nechache等人，Nature Photon. 2015，9，61]，复兴FPV领域。然而，我们对这一引人注目的现象的理解远远不能令人满意。在这里，我们使用第一性原理计算来确定这种优异的性能主要在于电子-空穴（e-h）对的有效分离。我们发现，光激发的电子和空穴在BFCO的空间分离的Fe和Cr网站，分别。这种分离在无序的BFCO相中更为明显，其显示出异常的PV响应。我们进一步着手设计下一代FPV的战略，不限于BFCO，通过探索44种额外的Bi基双钙钛矿氧化物。我们提出了9种新型的有源层材料，可以提供强的电子-氢分离和所需的带隙能量的应用在FPV。我们的工作表明，电荷分离是FPV与传统器件竞争的最重要的问题。
2017-11-29 cond-mat.mtrl-sci
Response to the comment of K.W. Edmonds et al. on the article 'Controlling the Curie temperature in (Ga,Mn)As through location of the Fermi level within the impurity band'
虽然我们严重不同意埃德蒙兹等人在评论中提出的许多观点，我们认为，这是有价值的和及时的，因为该评论和我们的论文的比较用于强调薄膜形式的铁磁半导体（Ga，Mn）As的重要性质。
2012-11-16 cond-mat.mtrl-sci
Ultrafast response of surface electromagnetic waves in an aluminum film perforated with subwavelength hole arrays
利用时间分辨率为100 fs的瞬态光调制技术，研究了亚波长孔阵列铝膜表面光生超快电磁波的动力学过程。我们观察到一个明显的蓝移的共振传输带，揭示了等离子体衰减的纳米孔阵列的光学响应中的重要作用。蓝移与等离子体激元的超常传输机制不一致，并指出了干涉在传输带形成中的关键作用。瞬态光调制光谱内的电子-声子弛豫动力学，涉及非平衡热电子和准平衡声子的玻尔兹曼方程方法成功地建模。
2007-10-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spectroscopic evidence for temperature-dependent convergence of light and heavy hole valence bands of PbQ (Q=Te, Se, S)
我们对PbTe、PbSe和PbS的电子结构进行了变温角分辨光电子能谱（ARPES）研究。我们的ARPES数据提供了直接的证据\emph{light}空穴上价带（UVB）和迄今未检测到的\emph{heavy}空穴下价带（LVB）在这些材料。这些能带之间的不寻常的温度依赖性相对运动导致它们的最大值之间的能量分离随着温度的增加而单调减小，这被称为能带收敛，并且长期以来被认为是这些化合物在升高的温度下的非凡热电性能背后的驱动因素。
2018-05-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Flat Band and Hole-induced Ferromagnetism in a Novel Carbon Monolayer
在最近的实验中，在具有小魔角的扭曲双层石墨烯（TBG）中观察到超导性和相关绝缘态，这突出了费米能附近的平坦带的重要性。然而，TBG的莫尔图案由超过一万个碳原子组成，这不容易用常规方法处理。通过密度泛函理论计算，我们在一个新的碳单分子层中得到了一个位于E $_F$的平带，该碳单分子层被称为十八原子的环石墨二炔。通过对环状石墨炔进行空穴掺杂，使其平带部分被占据，发现空穴掺杂浓度为1/8，1/4，3/8和1/2的环状石墨炔表现出铁磁性（半金属），而未掺杂的环状石墨炔表现出铁磁性（半金属），表明发生了空穴诱导的非磁性-铁磁性转变.计算得到的1/8、1/4和3/8空穴掺杂浓度的环状石墨二炔的电导率比未掺杂和1/2空穴掺杂的环状石墨二炔的电导率高得多。这些结果使cyclicgraphdiyne真正有吸引力。通过对几种单分子碳膜的研究发现，在具有分离或角连接三角形结构的晶格中，只包含最近邻电子的跳跃，可以产生完美的平带，而且平带的色散可以通过次最近邻电子的跳跃来调节。我们的结果揭示了TBG中平带的形成。本研究还提出了通过在碳材料中掺杂平带来操纵磁性的另一种方法。
2020-02-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Effective Particle-Hole Interaction and the Optical Response of Simple Metal Clusters
继Sham和Rice [L. J. Sham，T. M. Rice，Phys.Rev.144（1966）708]从一般的两粒子格林函数出发，研究了粒子-空穴对的关联运动。用这种方法，我们导出了N粒子系统一般类型的集体激发的本征值和波函数的矩阵方程。激子和等离子体激元之间的相互作用完全由这组新方程描述。作为一个副产品，我们获得-至少后验-的理由使用TDLDA简单金属簇。
1995-11-23 cond-mat.mtrl-sci mtrl-th
The importance of local band effects for ferromagnetism in hole doped La$_2$CuO$_4$
对La $_{(2-x)}$ Ba $_x$ CuO $_4$超晶胞的能带计算表明，掺杂的刚性能带模型比通常假设的要差.特别是，弱铁磁性（FM）可以局部出现在高Ba浓度的集群周围。在大稀释度和磁性的平均模型，如虚拟晶体近似，聚类是重要的，是无法稳定的磁矩。这些结果支持了弱FM可能是高空穴掺杂时超导电性破坏的原因的观点。
2008-09-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Hole states in wide band-gap diluted magnetic semiconductors and oxides
磁掺杂GAN和ZnO的光电发射和光学研究结果之间的令人困惑的分歧解释在一个广义的合金理论。结果表明，价带空穴与局域自旋的强耦合导致了带隙中的类Zhang-Rice态，使表观p-d交换积分符号反转，并使带隙随磁离子浓度的增加而增大.
2007-03-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Intrinsic spin fluctuations reveal the dynamical response function of holes coupled to nuclear spin baths in (In,Ga)As quantum dots
单个“中心”自旋如何与核自旋浴相互作用的问题对于理解许多量子系统中的退相干和弛豫至关重要，但由于涉及多体耦合，因此非常重要。不同的模型会产生不同的时间尺度和动态响应（指数，幂律，高斯等）。在这里，我们检测的小随机波动的中心自旋在热平衡（空穴在单电荷的（In，Ga）As量子点），以揭示的时间尺度和功能形式的浴诱导自旋弛豫。该自旋噪声表示在零磁场下的长（400 ns）自旋相关时间，其增加到$\sim$ 5 $μ$ s，因为用小（100 G）施加场抑制空穴-核耦合。同时，噪声线形从洛伦兹演化到幂律，表明从指数到逆对数动力学的交叉。
2012-01-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A Unified Description of Superconductivity: Electron Density Dynamic's Response to Phonons at the Brillouin Zone Boundary Driven Real Space Electron-Hole Pairing Characterized by CP Symmetry
认为电子密度动力学对布里渊区边界声子的响应是MgB 2超导机制的关键因素，也是导致具有CP对称性的真实空间电子-空穴配对的所有超导化合物的关键因素（Charge and Parity symmetries）电子密度差的第一性原理计算是通过减去布里渊区边界处的纵向声学声子使晶体的电子密度与完美晶体的电子密度发生扭曲。从局域极化率和声子引起的电荷离域转移的角度讨论了这种电子密度动态响应这种扭曲的根源，这种扭曲导致了实空间中具有CP对称性特征的电子空穴配对。畸变驱动的轨道杂化动力学变化。这种方法也为寻找新的超导体提供了明确和快速的指导方针。
2020-05-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Impurity effects on optical response in a finite band electronic system coupled to phonons
这些概念，传统上是有用的，在理解的电子-声子相互作用的光学光谱的影响，是基于无限电子带近似内获得的见解，不再适用于有限带金属。杂质和声子对电子散射的贡献是不可加性的，并且与声子自由度的耦合的表观强度随着弹性散射的增加而显著降低。光学质量重整化的符号随着频率的增加而改变，并且光学散射率从未达到其高频准粒子值，其本身也降低到其无限带值以下。
2006-02-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Spin-split flat bands at the band edge and two-dimensional hole gases towards quantum Hall effect in altermagnetic CoF$_2$
本文通过第一性原理研究发现金红石型CoF$_2$价带边缘存在稳健的交替磁性自旋劈裂平带，利用有效低能模型揭示其可形成自旋依赖的二维空穴气，并在面内磁场下实现自旋依赖的量子霍尔效应。
2025-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hyperbolic Plasmon dispersion and Optical Conductivity of Holey Graphene: signatures of flat-bands
本研究针对多孔石墨烯平带相关特性，通过调控孔洞半径与周期构型，发现大孔洞构型下存在近平带等离激元，且孔洞破缺双子格对称性引发双曲等离激元与各向异性光导率，为纳米光子学应用提供新平台。
2025-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Response properties of III-V dilute magnetic semiconductors: interplay of disorder, dynamical electron-electron interactions and band-structure effects
自旋和电荷无序介质中的电子响应的理论，特别是针对描述III-V族稀磁半导体，如GaMnAs。该理论结合了详细的k.p描述的价带，其中的巡回载体被假定为居住，与第一性原理计算的无序贡献使用的运动方程的方法为当前的响应函数。利用含时密度泛函理论对电子-电子相互作用进行了全动态处理。研究发现，价带内的集体激发通过提供有效的动量弛豫通道而显著提高载流子弛豫速率。然而，这种弛豫速率的修改，只有一个很小的影响，在GaMnAs，这主要是由价带结构的细节，并发现与实验一致的红外光学电导率。
2011-01-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric enhancement in PbTe with K, Na co-doping from tuning the interaction of the light and heavy hole valence bands
研究了K和K-Na取代PbTe岩盐晶格中Pb原子的效应，以验证价带中共振态的发展可能提高热电功率的假设。结合高温霍尔效应、电导率和热导率的测量结果表明，K-Na共掺杂并不形成共振态，但可以控制PbTe中两个主要价带最大值的能量差。这导致了增强的带间相互作用与温度的上升和显着上升的p型PbTe的热电优值。实验数据可以用碲化铅价带的单带和双带模型的组合来解释，该模型依赖于在1-15 x 10^19 cm^-3范围内变化的空穴密度。
2010-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Hole transport and valence band dispersion law in a HgTe quantum well with normal energy spectrum
本文报道了宽d<6.3nm的HgTe量子阱中价带能谱的实验研究结果。对Shubnikov-de Haas振荡的温度、磁场和栅电压依赖性的分析使我们能够恢复由自旋轨道相互作用分裂的两个价带分支的能谱。与理论计算的比较表明，六带kP理论能很好地描述价带顶附近的所有实验数据。
2014-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Inter-band Coherence Response to Electric Fields in Crystals
在固态导体中，对稳定电场的线性响应通常由布洛赫态占据数变化主导，布洛赫态占据数变化与群速度相关并导致稳态电流。然而，对于许多重要的物理观测量，即使在导体中，最重要的响应也可能是不同能带中布洛赫态之间的电场诱导相干性，例如负责屏蔽的相干性。例子包括反常和自旋霍尔效应、自旋力矩、最小电导率和手征反常。本文提出了一个适用于任意复杂能带结构固体的线性响应的量子动力学理论，它包括了带间相干响应和布洛赫态再布居响应。我们的目标是使广泛的运输理论的应用程序使用计算包的基础上最大限度地本地化的Wannier函数。该形式主义是基于密度矩阵方程的运动，玻恩近似处理的障碍，并在散射率的扩展，导致非平凡的顺序。准粒子带被处理在一个完全一般的方式，允许任意形式的自旋轨道相互作用和破缺的时间反演对称性的磁导体。我们证明了导体的带间响应主要由两个方面组成：由于整个费米海捕获的Berry曲率贡献波包动力学的固有贡献，和散射引起的异常贡献，是敏感的费米表面的存在。我们解决了一些电场响应特性的简单模型系统，已知是由带间相干贡献为主，并讨论了一系列复杂的问题，不能解析解决。
2017-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quasiparticle bandstructure effects on the {\it d} hole lifetimes of copper within the GW approximation
我们在{ \it第一原理} $GW$近似下研究了铜中{\it d}空穴的寿命.在$G_0W_0$水平上，最上面的{ \it d}带的寿命与实验结果一致，并且比文献中常用的“在壳层”计算中得到的寿命小四倍。理论寿命和能带结构，但是，恶化时，进一步迭代步骤的自洽性包括在计算中，指向一个微妙的相互作用之间的自洽性和列入顶点校正。我们表明，$G_0W_0$的成功，在寿命计算是由于开放的新的“带内”衰变通道，消失在自我一致性。
2002-08-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Enhanced thermoelectric response of hole-doped La$_2$NiO$_{4+δ}$ by ab initio calculations
用从头算方法研究了$_2$-NiO-$_{4+δ}$体系的热电性质。大塞贝克系数值预测的母体化合物，并在一定程度上保持在空穴掺杂的金属相，伴随着电导率的增加。该系统，由于其分层结构，将是通过薄膜中的纳米结构化来改善其热电品质因数的合适候选者，这已经被证明可以增加电导率（$σ$）。我们的计算表明，在La $_2$ NiO $_{4.05}$附近的区域，该体系在高温下具有较大的热电势，并且$σ$也显著增加.用这种低掺杂浓度生长的膜将显示热电势和$σ$之间的最佳关系。这一结果是获得各种交换相关方案（相关的，不相关的和无参数），我们用来分析空穴掺杂化合物的电子结构。
2012-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Atomic displacements drive flat band formation and lateral electron and hole separation in near-60 degree twisted MoSe2/WSe2 bilayers
Naval Research Laboratory（海军研究实验室）
该研究通过从头算密度泛函理论，发现近60度扭曲的MoSe2/WSe2双层膜在约3度扭曲角下出现价带与导带平带，原子位移产生的极化梯度实现电子空穴横向分离，形成的激子兼具面外与面内偶极矩。
2025-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic structure of ternary palladates and effect of hole doping: A valence band photoemission spectroscopic study
本研究利用价带光电子能谱和能带计算揭示了三元钯酸盐的窄带隙半导体特性及电子关联强度，并发现空穴掺杂引发的金属性质与半导体输运相悖，凸显了费米边缘落在迁移率边缘时电子局域化的重要性。
2020-10-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable Band Gap and Anisotropic Optical Response in Few-layer Black Phosphorus
我们报告了准粒子带隙，激子，和高度各向异性的光学响应的几层黑磷（磷烯）。结果表明，这些新材料表现出独特的多电子效应，电子结构基本上是沿一维分散，导致特别增强的自能校正和激子效应。此外，在宽的能量范围内，包括红外线和部分可见光，少层黑磷吸收沿结构的扶手椅方向偏振的光，并且对沿Z字形方向偏振的光是透明的，使它们成为用于应用的可行的线偏振器。最后，堆叠中包含的磷烯层的数量控制材料的带隙、光吸收光谱和宽范围内的各向异性偏振能量窗口。
2014-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The Nature of the magnetism-promoting hole state in the prototype magnetic semiconductor GaAs: Mn
最近的实验[1]表明，GaAs：Mn中的铁磁性（FM）是由杂质带而不是价带中的空穴决定的。本文讨论了杂质带中载流子介导的FM的物理机制，其中Mn的d能级起着至关重要的作用。该理论基于第一原理方法。
2012-08-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Resurgence of superconductivity and the role of $d_{xy}$ hole band in FeSe$_{1-x}$Te$_x$
本研究利用ARPES、三带低能模型和DFT比较揭示FeSe$_{1-x}$Te$_x$中$d_{xy}$空穴带随Te掺杂移向费米能级并增强关联，可能促成第二个超导穹顶。
2024-01-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
