Large anisotropic thermal conductivity of intrinsically two-dimensional metallic oxide PdCoO$_2$
高度导电的层状金属氧化物\pdcoo{}是碱金属在二维中的近乎完美的类似物。它与费米面未达到布里渊区边界的其他二维电子系统的区别在于其平面电子密度超过$10^{15}$ cm $^{-2}$。简单的单带准二维电子结构导致强各向异性输运性质，限制了电子-声子散射的有效性。在10- 300 K温度范围内对单晶的测量表明，由于声子热输运的影响，热导率的各向异性比电阻率的各向异性弱得多。面内热电势在300 K附近与温度呈线性关系，在50 K附近出现一个纯度依赖的峰.考虑到能带结构的极端简单性，可以将该峰与由正常电子-声子散射过程驱动的声子拖曳识别。
2014-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dichotomy of electron-phonon interactions in the delafossite PdCoO$_2$: From weak bulk to polaronic surface coupling
University of St Andrews（圣安德鲁斯大学）；Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids（马克斯·普朗克固体化学物理研究所）；Diamond Light Source Ltd.（钻石光源有限公司）
研究揭示了delafossite PdCoO$_2$中电子-声子相互作用的二元性，通过微观面积角分辨光电子能谱发现体相弱耦合与表面强极化子耦合的差异。
2025-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetotransport Properties in Epitaxial Films of Metallic Delafossite PdCoO$_2$: Effects of Thickness and Width Variations in Hall Bar Devices
本文研究了不同厚度和沟道宽度的PdCoO$_2$外延薄膜霍尔棒器件的磁输运性质，发现较窄沟道具有极低电阻率和更高电子迁移率，且磁阻特性显著依赖于温度与磁场方向。
2025-03-05 cond-mat.mtrl-sci
Thickness-dependent, tunable anomalous Hall effect in hydrogen-reduced PdCoO$_2$ thin films
本文系统研究氢还原 PdCoO$_2$ 薄膜，揭示 25 nm 临界厚度以下 AHE 符号随退火温度正负振荡，且 PMA 与多机制竞争起关键作用。
2023-06-03 cond-mat.mtrl-sci
Unconventional aspects of electronic transport in delafossite oxides
铜铁矿氧化物ABO $_2$的电子输运性质通常被理解为两个完全分离的实体，即三角形A $^+$和（BO $_2$）$^-$层。在这里，我们回顾了几种情况下，在这个广泛的家庭的材料中的运输依赖于层间耦合，并显示非常规的属性。我们回顾了掺杂的热电材料的基础上CuRhO $_2$和CuCrO $_2$，这表明了高温恢复的费米液体传输指数，以及高度各向异性的金属PdCoO $_2$，PtCoO $_2$和PdCrO $_2$的费米面的非常规的简单性导致纯粹的运输。我们提出了一些理论工具，已被用来调查这些输运性质和审查什么可以和不能从广泛的电子结构计算，已执行。
2017-11-20 cond-mat.mtrl-sci
$h/e$ Oscillations in Interlayer Transport of Delafossites
电子在大块金属中的传输通常被它们的粒子状形态很好地捕获，而它们的波浪状本质通常更难观察。微结构可以完全设计成揭示量子相位，例如类似干涉仪的介观金属环。本文报道了层状铜铁矿PdCoO $_2$和PtCoO $_2$的面外磁电阻的一种新的相位相干振荡。振荡周期等于磁通量量子$h/e$穿过由原子层间分离和样品宽度限定的区域所确定的振荡周期。这些晶体中的电子波函数的相位在超过10 $μ$ m的宏观长度尺度上表现出显著的鲁棒性，并且持续到$T$ > 50 K的高温。我们表明，虽然实验信号不能解释在一个标准的Aharonov-Bohm分析，它是由于周期性的场调制的平面外跳跃。这些结果证明了在铜铁矿中非凡的单粒子量子相干性长度，并确定了固体中量子干涉的一种新形式。
2020-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermodynamic and electron-transport properties of Ca3Ru2O7 from first-principles phonon calculations and Boltzmann transport theory
这项工作展示了一个基于第一性原理的方法来获得有限的温度热和电子输运性质，可用于建模和理解介观结构的演变过程中的电子，磁性和结构相变。一个计算易处理的模型被引入到估计的电子弛豫时间的温度依赖性。将该模型应用于Ca 3 Ru 2 O 7，重点是了解其在48 K电子相变过程中的电阻率。晶格振动的准谐声子方法被用来解释热膨胀，而玻尔兹曼输运理论，包括自旋轨道耦合被用来计算的电子输运属性，包括电导率的温度依赖性。
2022-10-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el quant-ph
Theory of electron and phonon transport in nano and molecular quantum devices: Design strategies for molecular electronics and thermoelectricity
了解由散射区域组成的结的电子和声子输运性质，例如连接到两个或更多个电极的纳米级物质或分子，是未来纳米和分子尺度应用的核心基础。处理电子和声子输运的理论和数学技术正在导致对纳米和分子尺度结的物理性质进行建模。我在本文中的目的是回顾理论和数学技术来处理电子和声子输运在纳米和分子尺度的结导致其物理性质的模型。这不仅有助于理解实验观察结果，而且为分子电子构建块、热电器件和传感器的开发策略提供了重要的设计工具。
2016-07-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
A simple model for longitudinal electron transport during and after laser excitation: Emergence of electron resistive transport
针对激光驱动电子纵向输运机制不明的问题，本文提出磁场引导及含恒定阻力的电阻性输运模型，解释实验下凹位移曲线并统一弹道与超扩散输运。
2024-12-06 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph physics.optics
Observation of multichannel quantum coherent transport and electron-electron interaction in Bi2Te3 single crystal
大部分拓扑绝缘体由于来自原生缺陷的传导的过度贡献而相对未被探索。在这里，我们调查的体积电导在Bi 2 Te 3晶体具有减少的缺陷诱导传导。我们的研究结果揭示了三种输运机制的存在，主要是热激活跨越体带隙，缺陷态电荷传导，和量子相干输运。低温电导和磁电导揭示了体材料中存在多通道二维量子相干输运。通道的数量是五元组层的数量级，表示每个五元组层是单个传输通道。这些输运通道表现出二维电子-电子相互作用效应，导致电子退相，而缺陷态体导电表现出三维电子-电子相互作用效应，其在缺陷诱导的载流子增强时消失。
2019-01-20 cond-mat.mtrl-sci
Electron-phonon-averaged approximation for first-principles computations of electron relaxation times and transport properties in semiconductor materials
我们提出了一个简单而有效的近似的电子-声子散射率适合于高通量筛选候选材料的热电器件，基于电子输运。应用该方法计算了半Heusler化合物的电子输运系数，结果与实验数据相符。通过直接计算的电气和电子部分的热导率，我们发现偏离Wiedemann-Franz定律在这些化合物在高温和低载流子浓度。
2015-11-27 cond-mat.mtrl-sci
Stacking and interlayer electron transport in MoS2
在这项工作中，我们调查的堆叠顺序在二硫化钼多层系统上的电子输运性能的影响，通过第一性原理模拟的结构和电子输运性能。我们发现，层间电子输运是高度敏感的堆叠序列的多层膜，与特定的序列产生更高的电子传输由于较大的轨道相互作用和能带结构的影响。这些结果解释了对比实验证据层间传输测量由于不完善的结构控制，提供洞察建模和建议的方法来提高电子器件的性能的基础上，通过多层结构工程的二硫化钼多层系统。
2018-11-08 cond-mat.mtrl-sci
Electron transport in amorphous materials: from localization to predictive transport modeling
Incheon National University（仁川国立大学）
该综述围绕非晶材料电子输运，先回顾相关基础概念与典型材料，再探讨多种计算方法，聚焦关键影响因素，最后概述预测性输运建模的进展与问题。
2026-08-27 cond-mat.mtrl-sci
Electron transport and intrinsic mobility limits in two-dimensional electron gases of III-V nitride heterostructures
对AlGaN/GAN二维电子气的电子输运进行了研究。III-V族氮化物中的新缺陷在理论上被处理为二维传输。本文提出了实际二维电子气中电子被带电位错线散射的理论。该理论让我们得出关于III-V族氮化物中位错中电荷性质的新结论。该理论导致认识到这样一个事实，即目前最高的流动性值是有限的固有的，而不是由于可移动的缺陷。提出了绕过本征限制以实现更高迁移率的方法。
2001-03-22 cond-mat.mtrl-sci
The reltation between the electronic structure and thermoelectric transport properties for Zintl compounds M2Zn5As4 (M=K, Rb)
用第一性原理和半经典BoltzTrap理论研究了的电子结构和热电性质。
2013-06-04 cond-mat.mtrl-sci
An Electrohydrodynamics Model for Non-equilibrium Electron and Phonon Transport in Metal Films after Ultra-short Pulse Laser Heating
超短脉冲激光加热后金属薄膜中的电子和声子不仅在电子子系统与声子子系统之间处于高度非平衡态，而且在电子子系统内部也处于高度非平衡态。从耦合的非平衡电子-声子输运方程出发，建立了由电子密度、电子能量密度和声子能量密度平衡方程组成的电流体力学模型，研究了超短脉冲激光加热后金属薄膜中的电子密度涨落和瞬态电流等非线性输运现象.随时间变化的温度分布计算的耦合电子和声子玻尔兹曼输运方程，在这项工作中推导出的电流体动力学模型，和不同的激光脉冲宽度，薄膜厚度，和激光能量密度的双温度模型。我们发现，两个温度模型高估了电子的温度在薄膜的前表面和低估的损伤阈值时，电子的非线性热输运是重要的。本文提出的电流体动力学模型比双温模型更能准确地预测非平衡电子-声子输运过程，且比电子-声子耦合的Boltzmann输运方程更易于求解.
2014-08-02 cond-mat.mtrl-sci
Electron transport across a metal-organic interface
利用非平衡格林函数和密度泛函理论（NEGF-DFT）模拟了Au（111）-并五苯界面的电子输运，计算了偏压依赖的电子输运.我们发现，电接触电阻主要由在界面处形成的肖特基势垒，并表明，传统的半导体传输模型跨越肖特基势垒需要修改，以描述模拟数据。我们提出了一个传统的肖特基势垒输运模型的扩展，它可以描述我们的模拟结果和合理化最近的实验数据。
2013-06-12 cond-mat.mtrl-sci
Electron-Transport Properties of Na Nanowires under Applied Bias Voltages
我们提出了第一性原理计算的电子输运通过钠纳米线在有限的偏压。该纳米线具有非线性的电流-电压特性和负微分电导。后者的解释是由于电子传输性的负偏置基座连接到纳米线的端部的透射峰的急剧抑制。此外，电压降优先发生在负偏置侧的纳米线的电子结构和导电的关系进行了讨论。
2002-01-29 cond-mat.mtrl-sci
Diameter-Dependent Electronic Transport Properties of Au-Catalyst/Ge-Nanowire Schottky Diodes
我们目前的电子输运测量在个别金催化剂/锗纳米线接口证明肖特基势垒的存在。令人惊讶的是，小偏压电导密度随着直径的减小而增加。理论计算表明，这种效果的出现，因为在耗尽区的电子-空穴复合是占主导地位的电荷传输机制，与直径的依赖性的耗尽宽度和电子-空穴复合时间。复合时间主要由表面的贡献，并线性依赖于纳米线的直径。
2009-03-06 cond-mat.mtrl-sci
Effect of fluorine patterns on electronic transport in fluorinated graphene
在随机反应分子动力学模拟的框架内，我们开发了一种统计方法来生成具有所需氟分布的氟化石墨烯结构。研究了不同功能化程度和体系有序度下氟化石墨烯的电子输运性质。我们发现氟分布的不规则性和电子性质之间有很强的相关性。特别是，所提出的考虑使我们能够再现实验观察到的氟化石墨烯的传输特性中的电子-空穴不对称性和最近在10%氟化物含量下揭示的电导率峰。
2019-09-25 cond-mat.mtrl-sci
Electron Transport and Hot Phonons in Carbon Nanotubes
我们证明了声子占据在限制金属碳纳米管中的高场弹道输运中的关键作用。特别是，我们提供了一个简单的分析公式的电子输运散射长度，我们验证了准确的第一性原理计算（6，6）和（11，11）纳米管。通过与实验I-V曲线拟合的散射长度的比较，表明存在由电子输运引起的非平衡光学声子加热。我们预测光学声子的有效温度为数千开尔文。
2005-12-19 cond-mat.mtrl-sci
Electron-phonon drag enhancement of transport properties from fully coupled \textit{ab initio} Boltzmann formalism
我们提出了一个联合治疗的非平衡动力学和电子和声子的输运进行\textit{ab initio}计算的完全耦合的电子和声子玻尔兹曼输运方程。我们发现，两个载体之间的相互阻力的存在下，导致热电势的增强和占主导地位的声子的运输，而不是在传统的半导体图片的电子。阻力还强烈地提高了固有的电子迁移率、热导率和洛伦兹数。杂质散射被认为是抑制阻力增强的热导率和电导率，而有弱的影响增强的洛伦兹数和热电势。我们证明了这些效果在\textit{n}掺杂的3C-SiC在室温下，并解释了它们的起源。这项工作建立了微观散射机制的作用，在相互作用的电子-声子气体的运输中出现强阻力效应。
2020-12-01 cond-mat.mtrl-sci
The elphbolt ab initio solver for the coupled electron-phonon Boltzmann transport equations
本研究推出基于现代Fortran的elphbolt从头算程序，可自洽求解耦合电子-声子玻尔兹曼输运方程，计算多种输运系数及拖拽效应，利用对称性与并行特性实现高效精细计算，代码易读易扩展。
2022-02-11 cond-mat.mtrl-sci
Electronic, vibrational and transport properties of pnictogen substituted ternary skutterudites
采用第一性原理计算研究了磷属元素取代的三元方钴矿的电子能带结构和振动光谱。我们比较的结果与原型的二元组合物CoSb $_3$，以确定Sb网站上的替代的影响，并评估热电应用的三元方钴矿的潜力。电子输运系数计算玻尔兹曼运输形式主义假设一个恒定的弛豫时间内，使用一种新的方法，最大限度地本地化的Wannier函数插值的基础上。我们的研究结果表明，电子输运系数对载流子浓度和与增强的极性相关的散射机制具有很大的敏感性。键的离子特性被用来解释热电性能的不利影响。
2011-12-08 cond-mat.mtrl-sci
Temperature dependence of electron transport through a quantum shuttle
我们分析了电子输运通过量子穿梭的施加电压低于不稳定性阈值。我们获得了该系统的电流-电压特性，并表明，在低温下，他们表现出明显的步骤。电流的温度依赖性的计算范围从2 K到300 K，它表现出各种各样的行为-从1/T下降到指数增长-这取决于穿梭是在量子制度的深度。所得到的结果进行了比较，通过长分子的电子输运的实验数据。
2003-11-03 cond-mat.mtrl-sci
Multi-Carrier Thermal Transport in Electronic and Energy Conversion Devices
本文综述电子、自旋电子及能量转换器件中声子、电子、自旋和离子的非平衡多载流子热输运，梳理载流子耦合机制及其在热电与低品位热能转换中的调控作用。
2025-02-15 cond-mat.mtrl-sci
The effects of electron-electron interactions on the spin transport dynamics of a two-dimensional electron gas
研究了电子-电子相互作用下自旋极化二维电子气的自旋输运性质。在无规相近似下，用考虑多粒子效应的量子输运方程计算了纵向和横向自旋扩散系数。我们发现，$e$ - $e$散射，这并不有助于电荷漂移迁移率，有一个显着的贡献的自旋扩散。因此，$e$ - $e$相互作用对依赖于半导体异质结构中的自旋输运的所提出的器件的操作造成不可忽略的影响。
2000-12-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the dissipative effects in the electron transport through conducting polymer nanofibers
在这里，我们研究的随机核运动的掺杂聚合物纤维中的电子输运假设的材料的导电状态的影响。我们将导电聚合物视为颗粒状金属，并应用介观体系中导电的量子理论来描述金属颗粒之间的电子输运。为了分析核运动的影响，我们用声子浴来模拟它们，并考虑了电子-声子相互作用。结果表明，在中低温和室温下，声子池在晶粒间电子输运中起着重要作用，它抑制了共振电子隧穿的中间态，并产生了支持电子输运的新态.
2007-04-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Effect of localizing groups on electron transport through single conjugated molecules
本文用格林函数方法研究了夹在两个非超导电极之间的单个共轭分子的电子输运性质。基于紧束缚模型，我们进行了参数计算，以表征电子输运通过这样的分子桥。电子输运性质受（a）这些共轭分子中局域基团的存在和（b）分子与电极的耦合强度的显著影响，并且，在这里，我们的结果集中在这两个方面。
2009-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin transport of electrons and holes in a metal and in a semiconductor
利用玻尔兹曼输运方程研究了金属和半导体中电子和空穴的自旋和电荷输运特性。结果表明，电子和空穴在电流中以相反的方向携带自旋。结果，金属中电流的自旋极化基本上小于电子气的自旋极化。结果表明，电子气的自旋性质是金属和半导体中存在“电子”和“空穴”概念的原因。
2017-03-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic transport in a mesoscopic ring
利用格林函数方法研究了夹在两金属电极之间的介观环的电子输运性质。我们引入了一种基于紧束缚模型的参数方法来研究输运性质。电子输运特性从三个方面进行了研究：（a）环-电极界面几何形状，（b）环与电极的耦合强度和（c）环穿过的磁通量。
2009-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hot electron transport in a strongly correlated transition metal oxide
氧化物异质界面是研究氧化物电子学相关的电子输运强关联效应的理想材料。利用热电子探测了垂直于La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$（LSMO）-Nb掺杂的SrTiO $_3$（Nb：STO）界面的电子输运，发现LSMO中的特征热电子衰减长度为1.48 $\pm$ 0.10晶胞（u.c.）在-1.9 V下，增加至2.02 $\pm$ 0.16 u.c。在-1.3V下在室温下。这种能量色散的理论分析揭示了电子-电子和极化子散射的主导地位。直接可视化的本地电子输运显示不同的传输在梯田和在步骤的边缘。
2013-02-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of electron-phonon coupling on thermal transport in metals: a Monte Carlo approach for solving the coupled electron-phonon Boltzmann transport equations
本研究基于第一性原理开发蒙特卡罗方法求解耦合电子-声子玻尔兹曼输运方程，探究金属热输运，发现高温下电子主导输运，低温下声子贡献显著且Wiedemann-Franz定律失效。
2024-02-13 cond-mat.mtrl-sci nucl-th
Electronegativity in quantum electronic transport
电负性控制电荷转移，能级排列，和电子电流在单分子隧道结，所有这些都是由包含在密度矩阵的相关性。这是证明的事实，电流计算从一个电子约化密度矩阵到电子相关的二阶是相同的电流从格林函数校正到电子自能的二阶。
2007-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron-Hole Asymmetry in GdBaCo_{2}O_{5+x}: Evidence for Spin Blockade of Electron Transport in a Correlated Electron System
在RBaCo_{2} O_{5+x}化合物（R是稀土）中，氧含量的可变性允许用两种类型的载流子精确掺杂CoO_2平面。我们研究了掺杂GdBaCo_{2} O_{5+x}单晶的输运性质，发现掺杂到母体绝缘体GdBaCo_{2} O_{5.5}中的空穴和电子的行为存在显著的不对称性。电阻率、霍尔响应和热电势的掺杂依赖性表明，掺杂的空穴大大提高了电导率，而电子掺杂的样品总是保持不良的导电性。这种掺杂不对称性为RBaCo_{2} O_{5+x}中的电子输运的自旋阻断提供了强有力的证据。
2005-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electron transport through a quantum wire coupled with a mesoscopic ring
研究了电子通过夹在两个金属电极之间的量子线耦合到一个量子环中的输运，该量子环由磁通量$ϕ$穿过。基于紧束缚模型，给出了桥体系中电子输运的解析方法。的输运性质进行了讨论，在三个方面：（a）外部磁场的存在下，（b）的强度的线到电极的耦合，和（c）面内电场的存在下。
2009-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unraveling the Effect of Electron-Electron Interaction on Electronic Transport in High-Mobility Stannate Films
与通常认为电子-电子相互作用（EEI）在基于s轨道的导体中应忽略不计相反，我们证明了EEI效应对电子输运可能起重要作用，导致对霍尔数据的误解。我们表明，EEI效应是主要负责的霍尔系数在La掺杂SrSnO 3薄膜低于50 K的增加伴随着薄层电阻的增加。的磁阻（MR）数据的定量分析得到了一个大的相位相干长度的电子超过450 nm，在1.8 K，并揭示了电子-电子相互作用负责的La掺杂SrSnO 3薄膜中的电子相位相干性的破坏。这些结果提供了对掺杂锡酸盐的基本输运行为的重要见解，同时也表明了锡酸盐在量子相干电子器件中的潜在应用，因为它们具有大的相位相干长度。
2019-05-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Inelastic electron transport in polymer nanofibers
本文对导电聚合物中的电子输运进行了理论分析。我们集中研究温度对输运特性的影响。我们把金属态的导电聚合物看作是一个类似金属的颗粒网络，这些颗粒之间通过电子量子隧穿通过位于颗粒之间的聚合物链上的中间态连接起来。为了分析温度对这种电子晶间输运的影响，我们将热环境表示为耦合到中间态的声子浴。电子传输计算使用散射矩阵形式主义内的Buttiker模型。对该方法进行了进一步的发展，将退相参数用包括热能在内的相关能量表示。结果表明，与上述传输机制相关的电流和电导的温度依赖性不同于那些典型的导电聚合物中的其他导电机制。这可能是有用的分离出的贡献，从晶粒间电子隧穿的净电流在各种聚合物纳米纤维的传输实验。该模型可用于分析分子结中的非弹性电子输运。
2008-10-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Double-dot charge transport in Si single electron/hole transistors
我们研究了通过由绝缘体上硅晶片制造的超小硅量子点晶体管的输运。在高温下，4K<T<100 K，器件显示出通过光刻定义的点的单电子或单空穴传输。在T<4K时，通过器件的电流以多点传输为特征。从双点特性的样品中的运输的分析，我们得出结论，额外的点内形成的热生长的栅极氧化物包围光刻定义的点。
2000-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning of electron transport through a moebius strip: shot noise
我们利用格林函数技术研究了附着在两个金属电极上的莫比乌斯带的电子输运。紧束缚模型的基础上使用的参数化方法来表征电子输运通过这样的桥系统，它是观察到的传输特性显着影响（a）的横向跳跃强度之间的两个通道和（b）的条-电极耦合强度。在这种情况下，我们还描述了噪声功率的电流波动，提供了一个关键的信息，通过计算Fano因子（$F$）获得的电子相关。这种电流波动的知识为制造高效的电子器件提供了重要的思路。
2009-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Local-field effects in current transport through molecular electronic devices: Current density profiles and local non-equilibrium electron distributions
我们分析了分子电子器件中的非平衡电流传输，作为一个例子，由两个三联苯二硫醇分子连接到金电极形成的设备。使用基于第一性原理的自洽矩阵格林函数方法，我们表明，空间分辨的电流密度分布和局部电化学电位下降提供了有价值的信息，关于局部场效应对分子输运，这取决于分子的内部结构，不能从单独测量的电流和电导-电压特性。
2004-05-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intrinsically distinct hole and electron transport in conjugated polymers controlled by intra and intermolecular interactions
在溶液处理的有机半导体中空穴和电子输运的相对差异是由于与化学和固态结构相关的内在性质还是由于器件结构等外在因素，仍然是一个有争议的问题。在这里，我们隔离的内在因素影响电子或空穴传输模型共聚物半导体在同一膜微结构内。相对而言，空穴主要漂白具有H型电子耦合特征的链间相互作用，而电子的弛豫更强烈地涉及具有J型特征的链内相互作用。空穴和电子迁移率与电荷转移状态的存在相关，而它们的比率是分子内和分子间相互作用的相对含量的函数。这种基本的观察，揭示了基态分子内和分子间耦合在选择性地辅助电荷传输中的特定作用，允许预测更有利的空穴或电子输运已经从筛选聚合物膜的基态光学性质。
2019-11-29 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Electron-electrolyte coupling in AC transport through nanofluidic channels
Laboratoire de Physique de l’École Normale Supérieure, ENS, Université PSL, CNRS, Sorbonne Université, Université Paris Cité（巴黎高等师范学院物理实验室，ENS，巴黎文理研究大学，法国国家科学研究中心，索邦大学，巴黎西岱大学）；Institute of Science and Technology Austria (ISTA)（奥地利科学与技术研究所）；Fritz Haber Institute of the Max Planck Society（马克斯·普朗克学会弗里茨·哈伯研究所）；The Quantum Plumbing Lab, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院量子管道实验室）
研究交流电驱动下纳米流体通道中电子与离子输运的耦合机制，揭示临界频率和长度尺度下电子主导导电性，并展示电子-离子耦合对电渗流的影响。
2026-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Diffusive Transport in Quasi-2D and Quasi-1D Electron Systems
量子限制半导体结构是现代电子学的基石。在这些结构中的空间限制导致形成离散的低维子带。在室温下，由于声子、带电杂质、表面粗糙度和其他电子的有效散射，载流子在不同状态之间转移，因此传输是散射限制的（扩散的），并由玻尔兹曼传输方程很好地描述。在这篇综述中，我们提出了用于描述和模拟准二维和准一维半导体结构中扩散电子输运的理论框架。详细介绍了硅MOSFET和纳米线中的输运。
2008-11-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electron Transport from Quantum Kinetic Monte Carlo Simulations
本文提出了一种精确的量子动力学蒙特卡罗方法来计算一维费米哈伯德模型的电子输运。该方法是直接制定的实时和可应用于提取一般的相互作用费米子模型的时间相关的动力学在1D。当与密度泛函理论和极大局域化Wannier函数相结合时，我们的方法可以用来预测存在界面的材料中的电子输运。我们的方法的第一个应用程序的案例研究$α$ -石英介质击穿似乎很有前途。
2018-05-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large modulation of thermal transport in 2D semimetal triphosphides by doping-induced electron-phonon coupling
本文通过第一性原理和玻尔兹曼输运理论揭示电子掺杂BP3和CP3中电子-声子耦合显著抑制电子与声子输运，并证明掺杂诱导电子-声子耦合可有效调控二维半金属三磷化物的热输运。
2023-03-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
