Suppression of decoherence in a graphene monolayer ring
研究了强磁场对相干输运的影响。制备了单层石墨烯量子环，观察到了Aharonov-Bohm效应。对于增加的磁场幅度，出现更高的谐波。这一现象是由于自旋翻转散射的减少而增加了相位相干长度。
2014-07-31 cond-mat.mes-hall
Green functions of electrons in monolayer and bilayer graphene in a magnetic field
利用Whittaker函数，得到了磁场作用下电子在单层和双层石墨烯中运动的稳态二维二分量薛定谔方程的格林函数的封闭表达式.
2011-02-16 cond-mat.mes-hall
Strong Spin-Orbit Interaction Induced in Graphene by Monolayer WS$_2$
我们证明了单层WS $_2$在石墨烯中诱导的强各向异性自旋轨道相互作用（SOI）。直接比较石墨烯/单层WS $_2$和石墨烯/体WS $_2$系统的磁输运测量结果表明，单层过渡金属二硫属化物（TMD）可以诱导比体更强的SOI。详细的弱反定域化曲线的理论分析给出了一个估计的自旋轨道能量（$E_{\rm so}$）高于10毫电子伏。对诱导SOI的对称性也进行了讨论，占主导地位的$z$ $\rightarrow$ $-z$对称SOI只能解释实验结果。通过Elliot-Yafet（EY）机制的自旋弛豫和反常电阻随着温度接近Dirac点而增加，表明石墨烯中诱导的Kane-Mele（KM）SOI。
2018-04-11 cond-mat.mes-hall
Superlattice of resonators on monolayer graphene created by intercalated gold nanoclusters
在这里，我们报告一种“新”类型的排序，允许修改的石墨烯单层（ML）的电子结构。我们已经在顶层单层石墨烯和外延石墨烯的缓冲层之间插入了小的金簇。我们发现，这些集群扰动ML石墨烯上的准粒子，并作为量子点创建一个超晶格的共振器上的石墨烯ML，揭示了一个强大的模式的驻波。使用傅里叶变换扫描隧道光谱学对驻波图案的详细分析强烈地表明，这种现象可以由石墨烯的能带结构的强烈修改和（或）由电荷密度波（CDW）引起，其中涉及范霍夫奇点的大扩展。
2010-06-30 cond-mat.mes-hall
Transmission through a boundary between monolayer and bilayer graphene
在有效质量模型下，研究了锯齿型和扶手椅型两种边界条件下单层和双层石墨烯之间的电子传输。由于双层石墨烯中存在倏逝波，因此行进模式彼此良好连接。通过边界的透射强烈地依赖于入射角，并且在K点和K'点之间的依赖性相反，导致透射波的谷偏振。
2010-08-26 cond-mat.mes-hall
Fractal Butterflies of Dirac Fermions in Monolayer and Bilayer graphene
我们提出了一个概述的理论理解霍夫施塔特蝴蝶在单层和双层石墨烯。在简要介绍了过去在传统半导体系统中的工作之后，我们讨论了单层和双层石墨烯的新的电子性质，这些性质有助于实验检测能谱的分形性质。我们讨论了石墨烯中莫尔条纹的理论背景。这种模式是决定蝴蝶结构的关键。我们还讨论了电子-电子相互作用在石墨烯蝴蝶图案中的作用。最后，我们讨论了蝴蝶搜索的未来前景，特别是相互作用的狄拉克费米子。
2014-08-19 cond-mat.mes-hall
Microscopic theory for electron hydrodynamics in monolayer and bilayer graphene
电子的行为就像一个经典流体的动量分布函数，在空间和时间上变化缓慢时，量子力学载流子-载流子散射占主导地位的所有其他散射过程。最近在单层和双层石墨烯中的实验已经报道了超净设备中这种流体动力学电子行为的签名。在这项理论工作中，从微观处理的电子-电子，电子-声子和电子-杂质的相互作用内的随机相位近似，我们表明，单层和双层石墨烯都主机两个不同的流体动力学制度。我们预测，双层石墨烯的流体动力学窗口比单层石墨烯更强，并且具有与“肺形”相反的特征“V形”。最后，我们崩溃的实验数据到一个普遍的障碍有限的理论，从而证明所观察到的违反Wiedemann-Franz定律在单分子膜中发生在一个政权占主导地位的杂质引起的电子空穴水坑。
2017-10-27 cond-mat.mes-hall
Layer-selective chirality switch in bilayer graphene intercalated by Janus monolayers
Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences（斯洛伐克科学院信息学研究所）；Faculty of Physics, University of Belgrade（贝尔格莱德大学物理学院）
研究了用Janus单层插入双层石墨烯，通过第一性原理计算等方法，发现能诱导面内Rashba自旋纹理层选择性开关，可独立控制自旋电流方向，为门可调、层选择性自旋电子器件提供了有前途的平台。
2026-08-21 cond-mat.mes-hall
Buckled circular monolayer graphene: a graphene nano-bowl
我们采用非平衡分子动力学模拟研究了圆形单层石墨烯在径向载荷作用下的稳定性。当单层石墨烯受到径向应力时，在一些小的圆形应变（$\sim 0.4%$）之后，它会膨胀并弯曲成新的碗状形状。由屈曲门槛值前的应力-应变线性关系计算了杨氏模量，与实验结果吻合较好。给出了弹性理论对径向应力板屈曲临界值的预测，并将其结果与原子模拟结果进行了比较。利用Jarzynski等式估计了非压缩态和屈曲态的自由能之差。从自由能的计算，我们得到的最佳半径的系统感觉到最小的边界应力。
2010-12-23 cond-mat.mes-hall
Magnetocapacitance of a graphene monolayer
我们提出了一个理论研究的磁电容在石墨烯单层在有限的温度下考虑到无序的影响。石墨烯的态密度（DOS）和磁电容相比，发现在标准的二维电子气（2DEG）系统。在DOS和磁电容的磁振荡被发现是增强和更强大的温度阻尼在单层石墨烯相比，2DEG。此外，我们发现，有一个$π$相移之间的磁振荡在这两个系统中，这可以归因于狄拉克电子在石墨烯获得Berry的相位，因为它们在一个磁场中遍历一个封闭的路径。
2012-02-03 cond-mat.mes-hall
Design of electron wave filters in monolayer graphene by tunable transmission gap
我们研究了非零入射角下单层石墨烯势垒的透射率。考虑平行波矢的影响，在克莱因隧穿和经典运动两种情况下，由于倏逝波的存在，透射率随入射能量的变化存在一个间隙。通过入射角、势垒高度和宽度对透射间隙的调制可能导致石墨烯基电子器件中的潜在应用。
2009-07-02 cond-mat.mes-hall
Higher-order topology in monolayer graphene
我们发现，单层石墨烯本质上主机高阶拓扑角态，其中电子在原子大小的拓扑本地化。石墨烯中拓扑角态的出现是由于两个独立方向的Zak相的非平凡乘积，这可以通过使用体波函数以图形方式方便地计算。我们给出了一个明确的表达式，表明存在的拓扑角状态的各种几何边和角。我们还证明了非平凡的本地化性质的拓扑角状态的石墨烯，把一个假想的现场潜在的掩模。
2020-09-17 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of monolayer and bilayer graphene
综述了石墨烯中电子的紧束缚模型。我们推导出低能量的哈密顿量，分别支持单层和双层石墨烯中的无质量Dirac类手征费米子和大质量手征费米子，并描述了它们的手征性如何体现在整数量子霍尔效应中观察到的平台序列中。描述了响应于横向电场的双层石墨烯中的可调带隙的开口，并且我们解释了如何使用Hartree理论来开发一个简单的筛选分析模型。
2012-05-22 cond-mat.mes-hall
Effect of a single impurity on the local density of states in monolayer and bilayer graphene
我们使用T矩阵近似来分析局域杂质对单层和双层石墨烯局域态密度的影响。对于单层石墨烯，由结内散射产生的Friedel振荡服从平方反比定律，而结间散射则服从逆定律。在傅里叶变换中，这转化为布里渊区中心的高强度填充圆，以及其拐角周围的空圆形轮廓。对于双层石墨烯，两种类型的振荡都遵循逆定律。
2008-02-21 cond-mat.mes-hall
Anisotropic optical conductivity and electron-hole asymmetry in doped monolayer graphene in the presence of the Rashba coupling
在这项研究中，取代掺杂的石墨烯的光学电导率的存在下的Rashba自旋轨道耦合（RSOC）进行了研究。在相干势近似（CPA）下进行了计算.目前的研究结果表明，增加RSOC强度的光学电导率增加。同时，我们还观察到能带能量的各向异性导致了单层石墨烯的各向异性光学电导率（AOC）。这种各向异性电导率的符号和幅度被证明是由外部场频率控制。研究还表明，Rashba相互作用导致单层石墨烯中的电子-空穴不对称性。
2013-11-28 cond-mat.mes-hall
Tunable Graphene System with Two Decoupled Monolayers
使用两个真正的二维无间隙半导体，单层和双层石墨烯，作为场效应晶体管（FET）中的载流元件，可以获得新型的纳米电子器件。在这里，我们报告了石墨烯基FET的发展，该FET包含两个去耦的石墨烯单层，该单层是在剥离过程中从单个单层折叠而成的。这些新开发的设备的传输特性显着不同，从一个单晶双层制造。通过分析Shubnikov-de Haas振荡，我们证明了使用顶部和底部栅极独立控制两层中载流子密度的可能性，尽管它们之间只有纳米级的间隔。
2008-09-29 cond-mat.mes-hall
Electrochemical behaviour of monolayer and bilayer graphene
剥离的单层和多层石墨烯片的电化学性能的研究结果。将石墨烯薄片沉积在硅/氧化硅晶片上，以通过光学显微镜和拉曼光谱进行快速准确的表征。导电银漆和银线用于制造接触;环氧树脂用作掩蔽涂层以暴露稳定的、明确限定的石墨烯区域。多层和单层石墨烯微电极在铁氰化钾的伏安测量过程中表现出准可逆行为。然而，估计单层石墨烯薄片的标准非均相电荷转移速率常数k°更高。
2011-10-07 cond-mat.mes-hall
Tunable quantum dots in monolayer graphene
我们研究了由电场和均匀磁场结合形成的石墨烯量子点。电场产生一个平滑的量子阱势，而磁场诱导一个指数尾巴的点状态。由于Klein隧穿效应，态在阱区和静电势垒区达到峰值。利用电场和磁场可以实现在不同区域达到峰值的点态之间的耦合。该点在适度外场下的可调谐性可用于单层石墨烯中量子器件的设计。
2012-07-02 cond-mat.mes-hall
A study of the nonlinear optical response of the plain graphene and gapped graphene monolayers beyond the Dirac approximation
在这项工作中，我们提出了与二次和三次谐波产生，光学整流和光学克尔效应的平面石墨烯和带隙石墨烯单层的二阶和三阶电导率的数值结果。这里考虑的频率范围从微波到光谱的紫外线部分，后者还没有被研究过。这些计算在速度计中进行，并直接处理电导率张量的分量。在速度规范中，辐射场由矢量势中的幂级数表示，我们讨论了在紧束缚模型的背景下计算其系数的一种非常有效的方法。
2020-02-04 cond-mat.mes-hall
Charge pumping in monolayer graphene driven by a series of time-periodic potentials
本文应用Floquet散射矩阵方法研究了介观Dirac系统的电子输运性质。利用该方法，我们从理论上研究了在绝热和非绝热两种情况下石墨烯单层中由一系列时间周期势驱动的量子抽运。我们的数值结果表明，添加谐波调制电位可以打破时间反转对称性时，没有电压偏置施加到石墨烯单层。因此，当系统被抽运与适当的动态参数，这些散射体可以产生一个非零的直流泵浦电流。我们还发现随着入射角的改变，透射率是各向异性的。
2012-03-04 cond-mat.mes-hall
Pseudospin Order in Monolayer, Bilayer, and Double-Layer Graphene
石墨烯是一种无带隙半导体，其中传导和价带波函数的不同仅在于它们在材料的二维蜂窝晶体结构的两个子晶格上的投影之间的相位差。我们解释了为什么这种情况下创建开口的对称性破缺状态，包括反铁磁状态在单层和双层石墨烯和激子凝聚体在双层石墨烯，这是动量空间类似物的实空间秩序中常见的强局部相互作用的系统。我们讨论了这三种对称性破缺状态之间的一些相似之处和一些差异。
2012-01-18 cond-mat.mes-hall
Many-body corrections to cyclotron resonance in monolayer and bilayer graphene
研究了石墨烯中的回旋共振，重点是对共振能量的多体修正，这避开了Kohn定理。真正的多体修正原来来自真空极化，特别是石墨烯，它在短波长下发散。特别强调的是需要重整化，它允许一个确定多体校正唯一从一个共振到另一个。特别是对于双层石墨烯，层内和层间耦合强度都经历了无限重正化;因此，重正化速度和层间耦合强度随磁场而变化。单层和双层石墨烯的理论与实验数据的比较。
2010-01-12 cond-mat.mes-hall
Tuning the Electronic Structure of Monolayer Graphene/MoS2 van der Waals Heterostructures via Interlayer Twist
我们直接测量了扭曲的石墨烯/MoS 2范德华异质结的电子结构，其中石墨烯和MoS 2都是单层。我们使用阴极透镜显微镜和微探针角分辨光电子能谱测量图像的表面，确定扭转角，并映射这些人工异质结构的电子结构。对于单层MoS 2上的单层石墨烯，所得的能带结构揭示了石墨烯和MoS 2电子态之间不存在杂化。此外，异质结构中的石墨烯衍生的电子结构保持完整，与两种材料之间的扭转角无关。然而，相比之下，发现与MoS 2层相关联的电子结构是扭曲角依赖性的;特别地，MoS 2层在Γ和K处的价带最大值的能量的相对差从大约0到0.2 eV变化。我们的研究结果表明，单层MoS 2内的异质结构成为主要是一个间接的带隙系统的所有扭曲角，除了在30度附近。该结果使得能够在由单层结构组成的范德华异质结构中进行潜在的带隙工程。
2015-11-16 cond-mat.mes-hall
The Atomic-scale Growth of Large-Area Monolayer Graphene on Single-Crystal Copper Substrates
我们研究了超高真空（UHV）中通过化学气相沉积（CVD）在铜单晶上生长的大面积石墨烯单层的生长和微观结构。使用原子分辨率扫描隧道显微镜（STM），我们发现石墨烯主要与Cu（111）和Cu（100）的底层铜晶格对齐生长。石墨烯在Cu（111）上具有六方超结构，具有显著的电子组分，而在Cu（100）上具有线性超结构。薄膜质量受晶界的限制，在Cu（111）表面生长最好。
2010-08-20 cond-mat.mes-hall
Bound and resonance electron states in the monolayer graphene with the short-range impurities
研究了不纯石墨烯的束缚态和共振态。考虑了“局部化学势”和“局部间隙”类型的缺陷和杂质的短程扰动。考虑了石墨烯的零能隙和非零能隙两种类型。对电子光谱的一般特征进行了定性分析和数值计算。的依赖关系的共振宽度的间隙值，角动量值和微扰振幅的影响。
2009-05-25 cond-mat.mes-hall
Density of states of Dirac-Landau levels in a gapped graphene monolayer under strain gradient
研究了均匀磁场和应变诱导均匀赝磁场共同作用下的带隙石墨烯单分子层。两个场的存在完全消除了谷简并。由此产生的态密度表现出一种复杂的行为，可以通过调整场的强度来调整。我们分析了这些功能如何可以观察到的亚晶格，谷和全密度的状态。导出了谷态分布的解析表达式。
2017-12-25 cond-mat.mes-hall
Tunneling transport in a few monolayer-thick WS2/graphene heterojunction
本文展示了高品质的隧道势垒特性和层数控制隧道电阻的过渡金属二硫属化物（TMD）测量只有几个单层的厚度。在石墨烯/TMD/金属异质结构中的WS 2和MoS 2 TMD中的垂直输运的研究表明，WS 2在其厚度在2至5个单层之间时表现出隧道势垒特性，而MoS 2在相同范围内随着厚度的增加而经历从隧穿到电子发射输运的转变。因此，石墨烯/WS 2/金属异质结构中的隧道电阻随着WS 2层的数量呈指数增加，揭示WS 2的隧道势垒高度为0.37 eV。
2014-12-09 cond-mat.mes-hall
Ultrafast terahertz responses in monolayer graphene
我们从理论上研究了单层石墨烯的超快太赫兹（THz）特性。通过求解布洛赫方程，得到了超快太赫兹高斯脉冲下的载流子、电极化的强度和光电流的解析表达式。石墨烯在太赫兹频率下表现出很大的非线性和超快的光学响应，这是由于具有近似线性能量色散的无隙和相对论性狄拉克粒子。结果表明，随着太赫兹脉冲频率的增加，光子载流子密度、电极化的强度和光电流密度均增加。这些理论结果与最近的实验结果是一致的。该研究进一步证实了石墨烯具有重要的特性，并与超快THz领域的应用有关。
2016-06-22 cond-mat.mes-hall
Demonstration of distinct semiconducting transport characteristics of monolayer graphene functionalized via plasma activation of substrate surfaces
我们报告了通过等离子体活化基底表面实现的单层石墨烯的半导体行为。石墨烯器件通过机械剥离到预处理的SiO2/Si衬底上来制造。与原始石墨烯相反，这些石墨烯样品表现出传输间隙以及非线性传输特性，在低温下600的大开/关比，以及类似绝缘的温度依赖性。拉曼光谱表征显示了活化SiO2/Si衬底上石墨烯样品中C原子sp3杂化的证据。我们分析了在低温下的跳跃运输，和弱本地化从磁传输测量观察到的，这表明在功能化的石墨烯的载体本地化和sp3型缺陷之间的相关性。本研究展示了石墨烯的功能化，使用一种新的基板表面活化方法，为未来的石墨烯为基础的应用。
2015-05-20 cond-mat.mes-hall
Acoustically driven Dirac electrons in monolayer graphene
我们演示了在低温和高磁场下单层石墨烯中表面声波和狄拉克电子之间的相互作用。金属叉指换能器发射表面波，该表面波通过传统的压电GaAs衬底传播，并耦合到位于其表面上的大规模单层CVD石墨烯膜。基于感应声电流，我们表征了换能器从一次到三次谐波的频域。我们发现的SAW速度的振荡衰减取决于石墨烯层的导电性。声电流揭示了在纯磁输运中不存在的额外的精细结构。此外，我们发现声电纵向电压和SAW的速度变化之间的移位。我们将这种转变归因于传播SAW的周期性应变场，它稍微修改了狄拉克锥。
2019-11-25 cond-mat.mes-hall
Twisted monolayer and bilayer graphene for vertical tunneling transistors
我们制备了由单层（Gr）和Bernal双层（BGr）石墨烯电极组成的扭曲控制的共振隧穿晶体管，石墨烯电极由一薄层六方氮化硼（hBN）隔开。共振条件是通过紧密对齐石墨烯电极的晶体取向来实现的，这导致在某些偏置电压下隧穿电子的动量守恒。在这样的条件下，可以实现负微分电导（NDC）。面内磁场的应用导致电子在隧穿过程中获得额外的动量，这允许控制共振条件。
2021-03-25 cond-mat.mes-hall
Coulomb drag between a carbon nanotube and monolayer graphene
我们研究了碳纳米管（CNT）和单层石墨烯组成的系统中的库仑阻力。在费米液体理论中，我们计算了拖曳电阻率，并发现系统组件的尺寸失配导致拖曳速率对载流子密度、温度和间距的依赖性，这与石墨烯双层的已知情况有很大不同。由于前向和后向散射的竞争效应，我们确定了新的功能的阻力依赖于电子密度，这使我们能够控制它们的相对贡献的阻力。
2019-09-11 cond-mat.mes-hall
An insight into the electronic structure of graphene: from monolayer to multi-layer
在本文中，我们解析地研究了Bernal堆叠（AB堆叠）石墨烯从单层（在费米能附近具有线性Dirac-like光谱的零能隙半导体）到多层（半金属块状石墨）的电子结构。本文首先基于有效质量近似推导了多层石墨烯自由格林函数（传播子）的实空间解析表达式。模拟结果显示出高度的空间各向异性与三重旋转对称性。通过与d2 I/dV 2（电流的二阶导数）的STM测量相结合，我们还提供了一种清晰的高通量和非破坏性的方法来识别石墨烯层。这种方法在新兴的石墨烯研究中是缺乏的。
2007-03-15 cond-mat.mes-hall
Interface Landau levels in graphene monolayer-bilayer junction
在有效质量近似下研究了磁场中石墨烯单双层结的电子结构。能谱的特征在于界面朗道能级，即，在边界附近出现局部平坦带，导致局域态密度的一系列特征峰。它们的能量与边界类型无关，如锯齿形或扶手椅形。在原子尺度下，由于扶手椅型边界的谷混合效应，局域态密度呈现凯库勒型，而锯齿型边界的局域态密度不呈现凯库勒型。
2010-08-27 cond-mat.mes-hall
Disorder induced helical-edge transport near $ν$=0 of monolayer graphene
在磁输运实验中研究了单层石墨烯填充因子$ν$ =0的复杂性质。作为垂直磁场的函数，观察到的金属-绝缘体的转变，这是由于在倾斜的反铁磁相的无序诱导朗道能级加宽。在金属制度的零朗道能级的分离出现和量子自旋霍尔效应的迹象被视为附近$ν$ =0。除了本地运输，非本地运输实验结果与螺旋边缘运输是一致的。
2019-08-07 cond-mat.mes-hall
Exploiting negative differential resistance in monolayer graphene FETs for high voltage gains
通过自洽量子输运模拟，我们评估了单层石墨烯FET在负输出差分电阻偏置区的RF性能。我们表明，与准饱和区相比，可以获得大于10的电压增益，但代价是最大振荡频率降低约1.5- 3倍，并且需要仔细的电路稳定。
2014-01-22 cond-mat.mes-hall
Electrical spin injection into graphene through monolayer hexagonal boron nitride
我们证明了从铁磁体到双层石墨烯（BLG）的电自旋注入通过单层（ML）的单晶六方氮化硼（h-BN）。采用微机械解理和干转移技术制备了Ni_（81）Fe_（19）/ML h-BN/BLG/h-BN结构。穿过ML h-BN层的输运性质表现出隧道势垒特性。通过非局域磁电阻测量发现了BLG的自旋注入。
2013-05-30 cond-mat.mes-hall
Performance of Monolayer Graphene Nanomechanical Resonators with Electrical Readout
石墨烯的巨大刚度和低密度使其成为纳米机电（NEMS）应用的理想材料。我们展示了单层石墨烯谐振器的制造和电读出，并测试它们对质量和温度变化的响应。这些器件显示出MHz范围内的谐振。谐振频率对所施加的栅极电压的强烈依赖性可以拟合到膜模型，该膜模型产生质量密度和内建应变。在去除和添加质量后，我们观察到密度和应变的变化，表明吸附物赋予石墨烯张力。在冷却时，频率增加;移动速率可用于测量石墨烯的不寻常的负热膨胀系数。品质因数随温度的降低而增加，在5 K时达到~ 10，000。通过建立单层石墨烯谐振器的许多基本属性，这些研究为应用奠定了基础，包括高灵敏度质量检测器。
2009-08-31 cond-mat.mes-hall
Influence of Carrier-Carrier Scattering on Electron Transport in Monolayer Graphene
采用系综蒙特卡罗模拟研究了电子-电子散射对本征单层石墨烯分布函数和输运特性的影响。由于狄拉克点附近的线性色散关系，发现石墨烯中的成对碰撞与具有抛物线能带的常规半导体相比不保持系综平均速度。数值计算结果表明，电子-电子散射可以导致在低场迁移率的下降超过80%的中等电子密度。在高密度下，由于简并度增加，影响逐渐减小。
2010-05-14 cond-mat.mes-hall
Superconductivity-induced features in electronic Raman spectrum of monolayer graphene
利用连续介质模型，从理论上研究了低能电子激发对超导单层石墨烯拉曼光谱的贡献。我们认为超导相的特点是在一个单一的谷各向同性序参量，并找到一个拉曼峰的位移设置的超导能隙的大小。该峰的高度与能隙的平方根和费米能级的三次方成正比，我们估计其量子效率为$I\sim10^{-14}$。
2017-12-26 cond-mat.mes-hall
The effect of microscopic scattering on the nonlinear transmission of terahertz fields through monolayer graphene
本文利用载流子动力学的微观理论研究了室温下n掺杂单层石墨烯的非线性太赫兹响应。我们的紧束缚模型在长度规范中处理载流子-场相互作用，包括声子以及短程中性杂质散射，并充分考虑了Dirac点附近石墨烯的固有非线性响应。在微观上处理每个相互作用使我们能够将电流削波、声子产生和弹性杂质散射的贡献分开。虽然中性杂质散射和声子散射都是高度依赖于能量的，但我们发现它们对导带电子动力学的影响非常不同，并且它们可以一起帮助解释有关场依赖的太赫兹通过石墨烯传输的实验结果。
2018-11-07 cond-mat.mes-hall
Mobilities and Scattering Times in Decoupled Graphene Monolayers
折叠的单层石墨烯形成两个解耦的单层的系统，其仅相隔几埃。使用磁输运测量，我们调查的电子性质的两个层进行平行。我们展示了一种方法来获得的个别层的迁移率，尽管他们共同接触。上层的迁移率明显大于底层，表明衬底的影响较弱。这通过顶层中较大的传输和量子散射时间来证实。分析舒布尼科夫-德哈斯振荡的有效质量和相应的费米速度的温度依赖性，得到减少的值下降到66%的单层相比。
2010-01-11 cond-mat.mes-hall
Thermodynamic Properties of electrically modulated monolayer Graphene
对垂直磁场B作用下的电调制单层石墨烯的热力学性质进行了理论研究，旨在确定调制诱导效应对电调制石墨烯热力学性质的影响，并将所得结果与传统的二维电子气的结果进行了比较.由于电调制而产生的一维周期势提升了朗道能级的简并度，并将它们转换成宽度随B振荡的能带。我们发现Weiss型振荡的小值的B和dHvA型振荡在较大值的值$B$。我们发现，与传统的2DEG系统相比，在石墨烯中，调制诱导的热力学性质的影响增强，阻尼较小。
2008-04-21 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance of monolayer graphene with short-range scattering
我们目前的磁输运测量在经典的磁场的三个石墨烯单层与不同程度的混乱。在一个样品中观察到平方根磁阻（SRMR）行为，该样品在该样品中存在短程无序时具有特征性的亚线性电导率信号。在其他样品中没有观察到平方根MR，其中短程散射是不必要的，因为从它们的电导率的栅极电压依赖性可以看出。将我们的样品实验数据与理论计算进行比较，我们发现了良好的定性一致性，并建立了在石墨烯中应满足的条件，以实验观察SRMR。
2015-08-17 cond-mat.mes-hall
Cyclotron Resonance study of the electron and hole velocity in graphene monolayers
我们报道了单层石墨烯中的回旋共振研究。利用样品对几种不同朗道能级占据数的光电导响应，探测了回旋共振。实验测量在K-（狄拉克）点处的电子速度为$c_{K}^{*}$ = 1.093 × 10 $^{6}$ ms $^{-1}$，并且另外检测到电子和空穴带之间的显著不对称性，导致电子和空穴速度差为5%，能量为125 meV，远离狄拉克点。
2007-07-11 cond-mat.mes-hall
Extraordinary magnetoresistance in encapsulated monolayer graphene devices
我们报告了一个概念验证的研究非凡的磁阻（EMR）在单层石墨烯封装在六方氮化硼的设备，具有金属边缘接触和中央金属分流。实现了极大的EMR值$MR=(R(B) - R_0) / R_0\sim 10^5$，部分是因为作为栅极电压的函数，$R_0$接近或越过零，超过了在高迁移率体半导体器件中实现的EMR值。我们强调了灵敏度，$dR/dB$，其在双端测量中是EMR设备报道的最高的，特别是超过石墨烯基设备的先前结果20倍。零场传输中的不对称性被追踪到石墨烯-金属分流界面处的$pn$ -结的存在。
2020-02-04 cond-mat.mes-hall
Edge States of Monolayer and Bilayer Graphene Nanoribbons
在紧束缚晶格模型的基础上，研究了单层和双层石墨烯纳米带（GNR）的边缘态。讨论了边跳调制、自旋轨道耦合（SOC）和偏置电压对双层GNRs的影响。我们观察到：（i）通过对单层GNR的边缘跳跃调制，可以产生一些新的额外边缘态。(ii)对于单层和双层GNR，层内Rashba SOC在抑制由本征SOC打开的能隙$E_g$中起作用。几乎线性相关关系，即，（iii）虽然偏置电压有利于无本征SOC的双层石墨烯的体能隙，但它倾向于减小由本征SOC引起的能隙。（iv）对于双层GNR，层间Rashba SOC可以完全破坏量子自旋霍尔效应的拓扑相。
2012-01-06 cond-mat.mes-hall
Strong localization in a suspended monolayer graphene by intervalley scattering
在电荷中性点附近的高迁移率悬浮单层石墨烯中观察到零磁场下的栅诱导绝缘行为。通过当前退火技术初始清洁的石墨烯装置经历热压循环以允许短程杂质直接吸附在超清洁石墨烯表面上。吸附过程产生了强烈的温度和电场依赖行为的石墨烯器件的电导。观察到中性点附近的电导从30 K时的$e^2/h$附近降低到20 mK时的$\sim0.01~e^2/h$。从绝缘体到量子霍尔导体在$\approx0.4~T$内的直接过渡伴随着对称性破缺诱导的$ν=0,\pm1$平台，证实了谷间散射体的存在。
2021-02-13 cond-mat.mes-hall
Coupled plasmon - phonon excitations in extrinsic monolayer graphene
最近在冻结晶格的{ \it ab initio}计算中发现了非本征（掺杂或门控）单层石墨烯中声学等离子体的存在[M. Pisarra { \it等人}，arXiv：1306.6273，2013]。通过{ \em full-dynamic}密度泛函微扰理论方法，我们证明了声等离子体激元模式与晶格振动的强耦合。因此，石墨烯中的声学等离子体激元不作为孤立的激发而存在，而是结合到组合的等离子体激元-声子模式中。我们表明，耦合提供了一种机制，电子和离子子系统之间的{ \em双向}能量交换，从根本上说，以及实际上，重要的影响晶格冷却和加热的电子在石墨烯。
2013-10-10 cond-mat.mes-hall
Traits and Characteristics of Interacting Dirac fermions in Monolayer and Bilayer Graphene
石墨烯中的电子的类似相对论的行为显著地影响这些电子在量子化磁场中的相互作用性质，导致与常规（非相对论）半导体系统中的那些相比更稳定的分数量子霍尔效应态。在双层石墨烯中，相互作用强度可以通过偏置电压和磁场的取向来控制。石墨烯单层之间的有限偏置电压实际上可以增强给定朗道能级中的相互作用强度。作为偏置电压的函数，石墨烯双层系统显示出从具有弱电子-电子相互作用的状态到具有强相互作用的状态的转变。有趣的是，倾斜磁场的面内分量也可以改变双层石墨烯中的相互作用强度。我们还讨论了双层石墨烯中的Pfiran态的性质，并证明了通过施加面内磁场可以大大增强这种状态的稳定性。
2013-02-12 cond-mat.mes-hall
Intrinsic lineshape of the Raman 2D-mode in freestanding graphene monolayers
我们报告了一个全面的研究的双声子谷间（2D）拉曼模式的石墨烯单层，最近的报告的不对称的2D模式的线型在独立的石墨烯的动机。对于范围$1.53 \rm eV - 2.71 \rm eV$内的光子能量，独立样品的2D模式拉曼响应表现为双峰，与通常用于支持单层的洛伦兹近似形成鲜明对比。通过在高于$2\times 10^{11} \rm cm^{-2}$的载流子密度下静电掺杂独立式石墨烯来模拟独立式和支撑式情况之间的转变。该结果定量地表明，低水平的充电可以模糊单层石墨烯的固有双峰2D模式线形，其可以用作准中性样品的特征。在原始的独立式石墨烯中，我们观察到随着光子能量的降低而加宽的2D模式特征，这不能使用基于共振\textit{inner}和\textit{outer}过程的简单一维模型来合理化。这表明，声子波矢量远离高对称线的布里渊区必须有助于2D模式，因此，一个完整的二维计算需要正确地描述多声子共振拉曼过程。
2013-05-30 cond-mat.mes-hall
Screening effect on the optical absorption in graphene and metallic monolayers
屏蔽是固体物理学的基本概念之一。它对石墨烯的电子性质有很大的影响，尽管带电杂质的浓度很大，但仍观察到巨大的迁移率。虽然静态屏蔽已经成功地解释了直流迁移率，屏蔽性能可以显着改变红外或光学频率。在本文中，我们讨论了动态屏蔽对石墨烯和其他二维电子系统（如金属单分子膜）的光吸收的影响。这项研究的动机是最近的实验结果指出，石墨烯等离子体激元线宽和光学散射率可以远远大于由直流迁移率确定的散射率。具体地，我们讨论了一个过程，其中入射在石墨烯平面上的光子可以通过从衬底的杂质或表面光学声子散射来激发等离子体激元。
2014-03-17 cond-mat.mes-hall
Weak localization in transition metal dichalcogenide monolayers and their heterostructures with graphene
计算了掺杂过渡金属二硫属化物（TMDC）单分子膜电导率的干扰修正。由于谷结构和固有自旋轨道耦合（SOC）之间的相互作用，这些材料表现出丰富的弱局域化（WL）行为，这与传统金属或类似的二维材料（如石墨烯）在性质上不同。我们的结果也可以用来描述石墨烯/TMDC异质结构，其中SOC是在石墨烯片中诱导的。我们讨论了新的参数制度，超越现有的理论，并可以用来解释最近的实验，以评估SOC和无序的强度。此外，我们表明，一个面内塞曼场可以用来区分不同种类的SOC的WL的磁导率的贡献。
2019-04-14 cond-mat.mes-hall
A study of the magnetotransport properties of the graphene (I. Monolayer)
我们提出了一个单电子的方法来分析的单层石墨烯的磁输运性质作为两个功能，栅极电压和磁场，以及，它们随温度的演变。本文提出的模型是我们以前研究半导体量子阱中二维电子系统的量子Hall和Shubnikov-de Haas效应的模型的推广。现在，在石墨烯中的这两种现象的框架中的研究涉及包括两个带和两个简并谷的存在（倒易空间中的点K和K'）。基于单电子近似，我们表明它是能够再现的霍尔和对角磁导率（和相应的磁导率）的实验中观察到的整个特性，作为栅极电压和磁场的函数。在该模型中，由表达式2（2n+1）确定的单层石墨烯中观察到的霍尔平台系列以自然的方式出现，作为石墨烯的能谱的特定量子化的结果。因此，另一方面，所提出的方法集成了在石墨烯和量子阱半导体中观察到的量子霍尔效应
2014-04-22 cond-mat.mes-hall
