Superconductivity dichotomy in K-coated single and double unit cell FeSe films on SrTiO3
本文报道了在SrTiO_3（001）衬底上单晶胞（1-UC）和2-UC FeSe薄膜在钾离子吸附下的超导电性演化。通过原位扫描隧道光谱测量，我们发现1-UC FeSe薄膜的超导电性随着K覆盖率的增加而不断受到抑制，而非超导的2-UC FeSe薄膜则变为超导，其禁带宽度为~17 meV或~11 meV，这取决于下面的1-UC薄膜是否超导。研究结果表明，界面电子-声子耦合与FeSe/STO界面的电荷转移密切相关，并在1-UC和2-UC FeSe薄膜中对增强Cu对起着重要作用。
2015-09-29 cond-mat.supr-con
Superconductivity above 28 K in single unit cell FeSe films interfaced with GaO$_{2-δ}$ layer on NdGaO$_{3}$(110)
我们在以Ga O $_{2-δ}$为终端的钙钛矿型Nd Ga O $_{3}$（110）衬底上制备了单晶胞FeSe薄膜，并对FeTe保护膜进行了非原位输运和扫描透射电子显微镜测量。我们的实验测量表明，与GaO $_{2-δ}$层界面的单晶胞FeSe薄膜是通过界面电荷转移进行电子掺杂的。最重要的是，这种类型的异质结构可以主机界面增强超导性的起始温度约为28 K，这是远远高于8 K的值在体FeSe。我们的工作表明，FeSe/GaO $_{2-δ}$可以作为一个与FeSe/TiO $_{2-δ}$家族相比较的平台，用于理解界面增强高温超导性的机制。
2019-03-12 cond-mat.supr-con
Nematicity, magnetism and superconductivity in FeSe
铁基超导体以其结构、磁性和超导性之间的复杂相互作用而闻名。FeSe提供了一个特别有趣的例子。这种材料由于其扩展的磁性相而引起了广泛的讨论，其与磁性的关系并不明显。FeSe中的超导性是高度可调的，超导转变温度$T_\mathrm{c}$的范围从在环境压力下的块状单晶中的8 K到在压力下或在夹层系统中的几乎40 K，并且到薄膜中的甚至更高的温度。在这篇专题综述中，我们对向列性、磁性和超导性进行了概述，并讨论了FeSe中这些相的相互作用。我们专注于散装FeSe和物理压力和化学取代作为调谐参数的影响。实验结果进行了讨论的背景下，充分研究的铁-磷属元素化物超导体和理论方法的解释。
2017-11-17 cond-mat.supr-con
Superconductivity in single-layer films of FeSe with a transition temperature above 100 K
最近，在SrTiO_3（001）（STO）衬底上生长的单层FeSe薄膜中，界面被用来增强超导电性，其Tc可达~ 80 K，是体FeSe的近10倍，高于体Fe基超导体的Tc记录（56 K）。这项工作与超导氧化物界面上的工作一起恢复了长期存在的想法，即两种不同材料之间的二维（2D）界面处的电子配对是实现高转变温度（Tc）超导性的潜在途径。随后的角度分辨光电子能谱（ARPES）测量显示不同的电子结构与体FeSe的超导类能隙关闭在65 K左右。然而，以前的非原位电输运测量只能检测到低于30 K的零电阻。本文报道了在FeSe/STO体系中观察到的高Tc超导性。通过原位四探针（4PP）电输运测量，我们在STO上FeSe薄膜的任意位置检测到了100 K以上的超导电性。我们的发现使FeSe/STO成为更高Tc超导性的令人兴奋和理想的研究平台。
2014-06-13 cond-mat.supr-con
Bulk superconductivity and role of fluctuations in the iron-based superconductor FeSe at high pressures
铁基超导体FeSe提供了一种独特的可能性，可以通过压力（p）调谐来研究超导性与纯磁序以及磁序的相互作用。通过在p ~ 2.36GPa范围内的比热测量，我们用热力学探针研究了FeSe中的多相结构。我们的结论是，超导体是散装在整个p范围内，并与磁性竞争。我们的分析表明，超导和磁波动存在于一个很宽的温度范围以上的各自的散装转变温度，只要磁性存在。这些观察结果突出了FeSe和欠掺杂铜酸盐超导体之间的相似性，其中波动起着至关重要的作用。
2019-11-19 cond-mat.supr-con
Universal Substrate Effect on the Superconductivity of FeSe Monolayer Films
为了阐明单层（1 ML）FeSe在SrTiO $_3$（STO）上的$T_c$增强的机制，我们在金红石TiO $_2$的矩形（100）面上生长了高应变的1 ML FeSe，并在63 K的$T_c$下观察到了复制带和超导电性的共存。从该系统与STO（001）上的1 ML FeSe之间的相似的$T_c$，我们得出结论，在这些系统中，应变和介电常数可能对增强的$T_c$不重要。一个系统的比较1 ML FeSe的TiO $_2$与其他系统中的FeSe家庭表明，虽然单独的电荷转移可以提高$T_c$，它只是与界面的电子-声子耦合，$T_c$可以增加到在STO上的1 ML FeSe的水平。
2016-06-30 cond-mat.supr-con
High-temperature superconductivity in one-unit-cell FeSe films
自从分子束外延（MBE）技术在SrTiO 3衬底上生长单胞FeSe薄膜（1-UC FeSe/STO）后，超导转变温度（Tc）显著提高的现象被报道以来，对该系统的相关研究已成为凝聚态物理的一个新的前沿。本文对这一快速发展的领域进行了简要的综述，主要集中在1-UC FeSe/STO的超导特性。综述了1-UC FeSe/STO高温超导性的实验证据，包括输运和抗磁测量所揭示的直接证据，以及扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱（ARPES）所揭示的其他证据。讨论了超导电性增强的可能机制。有越来越多的论点表明，1-UC FeSe/STO中增强的库珀配对源于界面效应，特别是电荷转移和耦合到TiO 2平面中的声子模式。1-UC FeSe/STO体系的超导电性研究不仅为层状结构高温超导体的形成机理提供了新的思路，而且为利用界面工程技术开发新型超导体提供了理论依据。
2017-01-24 cond-mat.supr-con
Crystal growth and superconductivity of FeSe_x
采用NaCl/KCl助熔剂，在真空密封石英管中生长了FeSe_x单晶。产物包括四角和六角两种晶体结构。FeSe_x单晶的电子输运和磁性测量表明，在10 K左右出现超导转变。
2008-12-23 cond-mat.supr-con
Interfacial superconductivity and a Se-vacancy ordered insulating phase in the FeSe/PbOx heterostructures
该研究制备FeSe/PbOx异质结构，在三类单层FeSe相关界面发现超导，并揭示功函数差异导致的电荷转移对界面超导的关键作用。
2025-02-19 cond-mat.supr-con
Crystal orientation and thickness dependence of superconductivity on tetragonal FeSe1-x thin films
最近在简单的四元FeSe结构中发现了超导电性。最近的研究表明，FeSe是非常规的，超导配对状态的对称性仍在争论中。为了解决这些问题，需要清洁的单晶和薄膜。本文报道了用脉冲激光沉积（PLD）技术在不同衬底上制备β相FeSe 1-x超导薄膜。非常有趣的是，这些薄膜中的晶体取向和超导性对生长温度敏感。在320 ℃时，薄膜最好沿c轴生长，但超导性的开始取决于薄膜厚度。在500 ℃时，薄膜沿（101）方向生长，几乎没有厚度依赖性。这些结果表明，先前发现的低温结构变形对这种材料的超导性至关重要。
2009-04-12 cond-mat.supr-con
Thickness dependence of superconductivity and superconductor-insulator transition in ultrathin FeSe films on SrTiO3(001) substrate
SrTiO 3（001）（STO）衬底上单胞FeSe薄膜的界面增强高温超导性是近年来凝聚态物理和材料科学研究的热点。本文利用非原位输运测量方法研究了STO衬底上不同厚度的FeSe超薄膜的超导电性。我们发现，开始超导转变温度（Tc）随FeSe薄膜厚度的增加而降低，这是在传统的超导薄膜中通常观察到的行为相反。通过对5 μ C FeSe薄膜的系统后退火，我们观察到了绝缘体到超导体的转变，根据相应的霍尔测量，在低温下伴随着占主导地位的载流子从空穴到电子的符号变化。
2015-07-30 cond-mat.supr-con
Effect of Co Impurities on Superconductivity of FeSe0.4Te0.6 single crystals
研究了Co掺杂对FeSe $_{0.4}$ Te $_{0.6}$单晶超导电性的影响。当Co掺杂量为-0.75K/（Co %）时，超导转变温度呈线性下降。另一方面，对于4%Co掺杂，剩余电阻率增加小于50 $/mu/Omega$ cm。这些数据与超导性的带间散射机制（$s_/pm$对称性）的符号变化是一致的。
2011-08-12 cond-mat.supr-con
Tuning stoichiometry and its impact on superconductivity of monolayer and multilayer FeSe on SrTiO3
单层FeSe SrTiO 3上的合成，大大增强了超导电性相比，散装FeSe，仍然是困难的。正如世界各地不同小组所报道的那样，总是需要在一定温度窗口内进行长时间退火以实现超导样品，但退火诱导超导性的机制尚未阐明。我们生长FeSe薄膜SrTiO 3的分子束外延和调整化学计量比通过沉积额外的少量的Fe原子。单层膜成为超导铁沉积后，没有任何退火，并表现出类似的超导转变温度的退火膜在运输测量。我们还证明了在5-unit-cell薄膜上，FeSe多层膜可以在具有Fe空位的非超导$\sqrt{5} \times \sqrt{5}$相和超导$1 \times 1$相之间可逆地调谐。我们的研究结果表明，传统的退火工艺在本质上消除了铁空位和额外的铁沉积作为一个更有效的方式来实现超导电性。这一工作突出了化学计量在FeSe薄膜超导性中的重要性，并为制备超导样品提供了一条简便的途径。
2020-02-15 cond-mat.supr-con
Ionic-liquid-gating induced protonation and superconductivity in FeSe, FeSe0.93S0.07, ZrNCl, 1T-TaS2, and Bi2Se3
我们报告质子化在几个化合物的离子液体门控方法，优化门控条件。这导致几种化合物的单一超导相。质子的非挥发性允许后门控磁化和运输测量。质子化后，FeSe的超导转变温度$T_C$提高到43.5K（$_{0.93}$ S $_{0.07}$），FeSe的超导转变温度提高到41 K。质子化后，ZrNCl的PDMATHABMPDMATHABMQ为15~K，1 $T$-TaSPDMATHABMS的$\approx$为7.2~K，BiPDMATHABMSSePDMATHABMT的$\approx$为3.8~K.质子化的FeSe $_{0.93}$ S $_{0.07}$中的电输运证实了高温超导性。我们的$^{1}$ H NMR测量质子化FeSe $_{1-x}$ S $_{x}$显示增强的自旋-晶格弛豫速率$1/^{1}T_1$随着$x$的增加，这与LDA计算一致，H $^{+}$位于接近阴离子的间隙位点。
2019-06-03 cond-mat.supr-con
Magic Doping and Robust Superconductivity in Monolayer FeSe on Titanates
钛酸盐上单层FeSe的超导电性增强为高温超导体的合理设计开辟了一条迷人的途径。利用同步辐射角分辨光电子能谱仪，在FeSe和SrTiO_3单层膜之间插入不同原子厚度的LaTiO_3外延层，系统地调制界面化学势，随着电子在LaTiO_3-SrTiO_3表面积累的急剧增加，发现在FeSe-氧化物界面上提供功函数失配的实质性浪涌，单层FeSe中的电荷转移和超导能隙保持显著稳健。这个意想不到的发现表明存在的固有锚定的魔术掺杂内的单层FeSe系统。
2021-01-12 cond-mat.supr-con
Mg coating induced superconductivity in the FeSe ultrathin film
本工作采用简单的Mg包覆技术实现了非超导FeSe超导薄膜从绝缘体到超导体的转变。结果表明，在无Mg涂层的非超导FeSe超导薄膜中，具有铁空位无序的绝缘相\b{eta} -Fe 1-xSe是主要相，更有可能成为FeSe超导体系的母相。在FeSe薄膜表面包覆适量的Mg，可以使Mg进入FeSe晶格，填补Fe空位，而不是取代Fe。同时，额外的电子掺杂被引入，并且可以调节该母相中的电子载流子浓度，这是该系统中的SIT和超导电性演化的原因。然而，过量Mg包覆的FeSe薄膜中电子浓度异常降低，导致超导性能严重下降。
2015-12-04 cond-mat.supr-con
Interface induced high temperature superconductivity in single unit-cell FeSe films on SrTiO3(110)
本文报道了用分子束外延方法在STO（110）衬底上生长的单胞（1-UC）FeSe薄膜的高温超导性。通过原位扫描隧道光谱测量，我们观察到了高达17 meV的超导能隙。在1-UC FeSe/STO（110）上覆盖FeTe层的输运测量表明其超导起始温度为31.6 K，上临界磁场为30.2 T。我们还发现外加电场可以进一步提高薄膜的温度系数，但其影响小于STO（001）衬底上的温度系数。指出了界面电荷转移和电子-声子耦合在FeSe/STO高温超导中的重要作用。
2016-05-06 cond-mat.supr-con
Superconductivity of FeSe$_{1-x}$Te$_{x}$ Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
采用脉冲激光沉积法，以FeSe $_{1-x}$ Te $_{x+d}$为多晶靶，在MgO（100）和LaSrAlO $_{4}$（001）衬底上成功地生长了PbO型结构的FeSe $_{1-x}$ Te $_{x}$薄膜。沉积在MgO衬底上的膜（膜厚度$\sim$ 63 nm）在6.7 K（起始）和5.5 K（零电阻率）下显示出超导性。另一方面，沉积在LaSrAlO $_{4}$衬底上的膜（膜厚度$\sim$ 52 nm）仅在2.6 K下表现出超导转变的开始，但没有表现出零电阻率。这表明外延应变对FeSe $_{1-x}$ Te $_{x}$薄膜的超导性能有很大的影响。
2009-08-10 cond-mat.supr-con
Ubiquitous stripe phase and enhanced electron pairing in interfacial high-Tc superconductor FeSe/BaTiO$_3$
在SrTiO $_3$上生长的单层FeSe为高温超导提供了一个新的平台。最近的研究表明，条纹不稳定性的重要性，在FeSe/SrTiO 3的超导电性增强。然而，它仍然是在辩论中，这样的条纹相是否是无处不在的界面超导性绑定。本文报道了在BaTiO $_3$（001）衬底上分子束外延生长FeSe薄膜的低温扫描隧道显微镜研究。我们发现在FeSe/BaTiO $_3$中条纹相更为突出。长程条纹存在于双层和三层FeSe膜在4 K，甚至持续到77 K的双层FeSe的情况下，与碱金属沉积后的超导间隙扩大。结果表明，界面超导电性与条纹相有密切的关系。
2022-07-06 cond-mat.supr-con
Fabrication of oxide/FeSe multilayer films using the PLD technique
The University of Tokyo（东京大学）
该研究利用PLD技术制备FeSe基氧化物异质结构，发现顶部氧化物与FeSe的界面相互作用可诱导超导，为铁基超导体的界面超导研究提供了新平台。
2026-08-06 cond-mat.supr-con
Resonant dielectric amplification of superconductivity at the FeSe:SrTiOT$_3$ interface
Boston College（波士顿学院）；University of Tennessee（田纳西大学）
本文提出共振反屏蔽（RAS）效应能解释SrTiO3上单层FeSe薄膜超导性显著增强，并可能驱动Cooper对进入双极化子超流态，为设计高Tc超导异质结构提供新策略。
2026-10-26 cond-mat.supr-con
Ultrafast Dynamics Evidence of High Temperature Superconductivity in Single Unit Cell FeSe on SrTiO3
最近在SrTiO 3（1UC FeSe/STO）1上的一个晶胞厚FeSe中观察到高温超导性，为实现更高的转变温度（Tc）超导体开辟了一条新途径，并建立了一个有前途的不同范式来理解高温超导性的机制2 -10。然而，对高Tc值的独立确认，覆盖层在降低Tc中的作用，以及新型超导性的潜在机制仍然是悬而未决的问题11。本文报道了在2UC FeTe覆盖层保护下的1UC FeSe/STO的激发态超快动力学的时间分辨研究，确定了超导Tc为68（-5/+2）K.我们发现了一个相干的声学声子模式的覆盖层，这提供了一个额外的衰变通道的胶合玻色子和解释降低的Tc值。我们的研究支持声子配对的情况。
2015-02-23 cond-mat.supr-con
Microscopic Description of Unconventional Nodal Superconductivity in FeSe
非常规超导性（USC）在FeSe中的电子“正常”状态与破缺的$C_{4v}$旋转对称性证明了在铁基超导体的配对状态的多样性。此外，这种USC出现作为一个正常状态的直接不稳定性没有朗道费米液体准粒子，越来越多地被称为“奇怪”的金属。在这里，我们结合输入的第一性原理相关电子结构方法（LDA+DMFT）和对称性分析，提出了一种新的机制，非常规的节点超导作为一个直接不稳定的非相干坏金属没有朗道费米液体准粒子。我们发现，一个铁四极顺序，与新的自旋四极相关增强FeSe的轨道选择性Mottness，并与非常规的节超导$s_{\pm}$对对称性的竞争。我们支持我们的建议，表现出良好的符合光谱和磁波动数据，并合理化的应变和压力依赖性的$T_{c}$呼吁超导性和电子铁四极序之间的竞争。
2018-05-24 cond-mat.supr-con
Interface superconductivity in FeSe thin films on SrTiO$_3$grown by the PLD technique
在这项研究中，我们制造5-30 nm厚的薄膜FeSe/STO使用脉冲激光沉积（PLD）。生长的薄膜表现出超导性的起始$T_{\mathrm{c}}$，这是远远高于散装FeSe在环境压力下。就迄今为止建立的相同材料的应变与$T_{\mathrm{c}}$关系而言，观察到的$T_{\mathrm{c}}$值异常高。此外，$T_{\mathrm{c}}$随着膜厚度的减小而增加，除了薄于10 nm的膜之外。这种厚度依赖性的$T_{\mathrm{c}}$是在良好的协议与分子束外延（MBE）生长的薄膜，表现出界面超导性的结果。这些结果表明PLD生长的FeSe/STO实现了界面超导电性。此外，我们的PLD技术不需要后退火来实现界面超导性，这与MBE技术不同。由于PLD技术的优点是，可以通过简单地改变目标材料容易地制造各种接口，我们的研究结果开辟了新的路线，研究界面超导性向更高的$T_{\mathrm{c}}$通过系统控制的接口。
2022-06-15 cond-mat.supr-con
Superconductivity in the iron selenide KxFe2Se2 (0 <= x <= 1)
我们报告了在30 K以上的超导电性在一个新的FeSe层化合物K0.8Fe2Se2（名义成分）实现金属K插入FeSe层之间。它是BaFe_2As_2的等结构，并且在环境压力下具有迄今为止FeSe层材料的最高Tc。霍尔效应表明在这种超导体中载流子主要是电子。我们确认，在30 K以上观察到的超导性是由于这种新的FeSe基122相。我们的研究结果表明，FeSe层材料是真正了不起的超导体通过结构和载流子调制。
2010-12-14 cond-mat.supr-con
Interplay of superconductivity and magnetism in FeSe$_{1-x}$Te$_x$ compounds. Pressure effects
本文研究了均匀压力$P$对FeSe $_{1-x}$ Te $_x$（$x=0$，0.85，0.88和0.9）体系超导转变温度$T_c$的影响。对于第一次，我们观察到的变化时，从FeSe富碲合金的压力对$T_c$的影响的迹象。这允许将系统的压力导数d $T_c$ /d $P$指定为组成的函数。与FeSe、FeTe和FeSe $_{0.5}$ Te $_{0.5}$的电子结构和磁性的{ \em ab initio}计算结果进行了比较，并与我们最近的实验数据进行了比较。这种比较表明了富碲FeSe $_{1-x}$ Te $_x$化合物中超导性和磁性之间的相互竞争
2013-11-19 cond-mat.supr-con
Electronic Origin of High Temperature Superconductivity in Single-Layer FeSe Superconductor
单层FeSe中高温超导特征的最新发现具有重要意义，因为它有可能打破自2008年发现Fe基超导性以来一直停滞不前的超导临界温度上限（最大Tc~55 K）。这也让超导界感到惊讶，因为如此高的Tc在FeSe系统中是出乎意料的，其中大块FeSe在环境压力下仅表现出8 K的Tc，其在高压下可以提高到38 K。即使考虑到新发现的插层FeSe体系A_ xFe_{2-y} Se_2（A=K，Cs，Rb和Tl），其室温Tc在32 K，高压Tc可能接近48 K，但Tc仍然异常高。特别有趣的是，这种高温超导性发生在单层FeSe系统中，该系统被认为是Fe基超导体的关键构建块。理解这种严格二维FeSe系统中高温超导性的起源对于理解特别是铁基超导体中的超导机制至关重要，并为如何实现高温超导性提供关键见解。在这里，我们报告与单层FeSe超导体的独特的电子结构。它的费米面拓扑结构与其他铁基超导体不同，它只由靠近区角的电子袋组成，而没有任何费米面的迹象。我们在这个严格的二维系统中观察到了大的且接近各向同性的超导能隙，排除了超导能隙中节点的存在。这些结果提供了一个明确的情况下，这种独特的电子结构是有利于实现高温超导。
2012-02-27 cond-mat.supr-con
Pressure effect on superconductivity and magnetism in FeSex
本文研究了压力对FeSex（x = 0.80，0.88）超导性和磁性的影响。磁化曲线在Ts1 106 K和Ts2 78 K处出现异常，但在Tc 8 K附近出现超导抗磁转变。在Ts1和Ts2的磁异常可以分别与铁磁和反铁磁相变有关，正如比热测量所揭示的那样。施加压力不仅使Tc升高，而且使Ts1和Ts2都升高。这一系统清楚地证明了超导性产生于具有强磁性的相，并且超导性与磁性共存。此外，与超导转变相关的比热异常似乎不存在。
2008-08-31 cond-mat.supr-con
Hidden sign-changing $s$-wave superconductivity in monolayer FeSe
结合最近的扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱（ARPES）的测量结果，我们建立了一个适用于描述单层FeSe在SrTiO $_{3}$上生长的能带结构的紧束缚模型.然后我们提出了一个可能的配对函数，它能很好地描述ARPES观测到的能隙各向异性，并且具有隐藏的变号特性。最后，作为对该配对函数的检验，我们进一步研究了掺杂引起的束缚态，并将在以后的STM实验中得到验证。
2016-04-16 cond-mat.supr-con
Superconductivity at 44.4 K achieved by intercalating EMIM+ into FeSe
质子化FeSe（Hy-FeSe）在电化学过程中使用离子液体EMM-BF_4，观察到超导转变温度Tc高于40 K的超导电性。然而，到目前为止，真正的超导相还不清楚，并且缺乏详细的结构，磁化和电输运测量。采用类似的质子化技术，在FeSe单晶上制备了Tc高于40 K的超导样品。我们发现，所获得的超导相不是Hy-FeSe，而是实际上的有机离子（C6 H11 N2+称为EMIM+）-插入相（EMIM）xFeSe。利用X射线衍射技术，在质子化样品中检测到两组对应于不同c轴晶格常数的折射率峰，分别属于新形成的插层（EMIM）xFeSe相和残余FeSe相。通过电阻率和磁化率测量证实了（EMIM）xFeSe的超导性，其Tc为44.4 K。电阻率随外加磁场的温度变化关系表明，上临界场Hc 2很高，而不可逆场Hirr随温度的升高而迅速被抑制，直到20 K左右。这表明所得到的化合物具有高的各向异性，其中FeSe层之间的间距大。
2021-07-13 cond-mat.supr-con
High temperature superconductivity (Tc onset at 34K) in the high pressure orthorhombic phase of FeSe
我们用同步辐射和金刚石对顶砧装置研究了四相FeSe在26GPa压力下的结构和超导性质。四方相的体积模量为28.5（3）GPa，远小于其余的Fe基超导体。在12GPa下，我们观察到了从四方对称到正交对称的相变。高压正交相具有较高的Tc，在22GPa下达到34K。
2009-05-21 cond-mat.supr-con
Transition from insulator to superconductor and significant enhancement of superconductivity in FeSe films via tuning Fe-vacancy disorders
与体相晶体相比，FeSe薄膜或层具有更好的超导性能，这在其基础研究和潜在应用方面引起了广泛的兴趣。通过控制薄膜的厚度和Fe/Se比，在高质量的（00 l）取向FeSe薄膜中实现了从绝缘体到超导体的转变和超导电性的显著增强。实验结果表明，在实际厚度（240 nm）的FeSe薄膜中，最高Tc可达15.2 K，Hc 2可达35.5 T，这表明FeSe薄膜在高磁场下的电子器件中具有很大的应用潜力。更重要的是，发现FeSe薄膜中的Fe空位无序是决定超导电性演化的内在因素，而不是厚度效应。在Fe/Se比为1.00：1.09的非超导FeSe薄膜中，具有铁空位无序的绝缘\b{eta} -Fe_（1-x）Se相是主要相，更有可能成为FeSe超导体系的母相。通过改变Fe/Se比来调节Fe空位无序，可以显著改变载流子浓度，引入适当的电子掺杂，最终导致从绝缘体到超导体的转变，并进一步增强超导电性。有趣的是，我们的研究结果还表明，当薄膜的Fe/Se比超过一个临界值时，超导FeSe薄膜将变得不稳定，并发生相分离，新的非超导相沉淀在超导基体中，导致超导电性下降。这些结果有助于我们更好地理解Fe-Se超导体系的内在机制，并为进一步提高Fe-Se超导体系的Tc提供了新的思路。
2017-03-24 cond-mat.supr-con
The Role of SrTiO3 Phonon Penetrating into thin FeSe Films in the Enhancement of Superconductivity
在SrTiO_3上的FeSe薄膜中，界面耦合对超导电性增强的重要作用已被广泛认识。但这种耦合的明确起源还有待确定。利用高分辨电子能量损失谱对薄膜表面声子进行了测量，发现SrTiO 3的Fuchs-Kliewer（F-K）声子模产生的电场能够穿透FeSe薄膜并与其中的电子发生强烈的相互作用。在SrTiO 3上的单层FeSe中，~92 meV F-K声子的模式特定的电子-声子耦合（EPC）常数为~0.25。随着FeSe厚度的增加，穿透场强呈指数衰减，这与观察到的超导能隙的指数衰减很好地匹配。结果表明，SrTiO_3 F-K声子进入FeSe是界面超导电性增强的关键。
2016-08-10 cond-mat.supr-con
Gossamer bulk high-temperature superconductivity in FeSe
铜氧化物和铁基高温超导体具有许多共同的特征：层状的强各向异性晶体结构、强的电子关联、不同类型的电子有序之间的相互作用、掺杂导致的内在空间不均匀性。理解这些因素之间复杂的相互作用对于直接寻找新的高温超导体至关重要。在这里，我们显示的外观不均匀的薄纱超导体FeSe化合物在环境压力和温度高于其零电阻$T_c$的5倍。这一发现有助于理解FeSe的许多显著的超导性质。我们还发现并证明了一个一般性质：如果非均匀超导性在各向异性导体中首先出现在孤立的超导岛的形式，它降低电阻率各向异性与最大的影响沿最小的导电轴。这提供了一个简单和非常通用的工具来检测各向异性化合物中的非均匀超导性，这对于研究高温超导性的开始至关重要。
2016-10-19 cond-mat.supr-con
Plain s-wave superconductivity in single-layer FeSe on SrTiO3 probed by scanning tunneling microscopy
在SrTiO_3（001）衬底上的单层FeSe薄膜是最近发现的界面超导体系的冠军，其超导性比铁基块体超导体有很大的提高。它的超导机制是非常有趣的。虽然薄膜具有简单的费米面拓扑结构，但其对对称性是不稳定的。本文利用低温扫描隧道显微镜（STM）系统地研究了FeSe/SrTiO_3（001）单层薄膜的超导电性。在薄膜中观察到了完全带隙的隧穿谱和磁涡旋晶格。准粒子干涉（QPI）图案揭示了电子袋之间和内部的散射，并对可能的配对对称性提出了限制。通过在样品中引入杂质原子，我们发现磁性杂质（Cr，Mn）可以局部抑制超导电性，而非磁性杂质（Zn，Ag和K）则不能。结果表明，单层FeSe/SrTiO 3具有平坦的s波配对对称性，其序参量在所有费米面截面上具有相同的相位。
2015-04-09 cond-mat.supr-con
Growth and Superconductivity of FeSex Crystals
采用气相自输运法生长了横向尺寸达毫米级的硒化铁（FeSex）晶体。晶体由主要的α相和痕量的β相组成，如通过粉末X射线衍射所鉴定的。通过四探针电阻测量，我们获得了7.5 K的零电阻临界温度和在零磁场中高达11.8 K的超导起始转变温度，以及临界磁场的各向异性为1.5 ± 0.1。对单个晶体的磁化强度测量揭示了超导性和铁磁性的共存。
2009-02-13 cond-mat.supr-con
Direct observation of high temperature superconductivity in one-unit-cell FeSe films
基于异质结构的界面工程已被证明是寻找新的超导体系和提高超导转变温度的有效方法。在先前的工作中，一个单位电池（UC）厚的FeSe薄膜SrTiO 3（STO）衬底上，一个超导类能隙大至20 meV，揭示了原位扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）。角分辨光电子能谱（ARPES）进一步揭示了一个接近各向同性的间隙，其能量超过15 meV，在~ 65 K的温度下关闭。如果这种转变确实是超导转变，那么1-UC FeSe代表了迄今为止发现的最薄的高TC超导体。然而，到目前为止，1-UC FeSe薄膜的直接输运测量尚未报道，主要是因为大规模1-UC FeSe薄膜的生长具有挑战性，并且1-UC FeSe薄膜太薄而不能在大气中存活。在这项工作中，我们成功地制备了1-UC FeSe薄膜上的绝缘STO衬底与非超导FeTe保护层。通过直接输运和磁性测量，我们提供了1-UC FeSe薄膜高温超导性的明确证据，其起始温度TC高于40 K，在2 K时具有极大的临界电流密度JC ~ 1.7 × 106 A/cm ~ 2。我们的工作可能为通过界面工程增强和剪裁超导性铺平道路。
2013-11-21 cond-mat.supr-con
High-Tc superconductivity in FeSe at high pressure: Dominant hole carriers and enhanced spin fluctuations
电子-空穴带间相互作用对铁-磷属元素化物高温超导体的重要性已被广泛认识。然而，在FeSe单层膜和插层铁硒化物中，已经提出了没有空穴载流子的高Tc超导性，这提出了一个根本问题，即铁磷属化物和硫属化物是否具有不同的配对机制。本文通过磁输运测量和第一性原理计算，研究了体相FeSe在压力作用下高温相的电子结构特性。随着压力的增加，低Tc超导相转变为高Tc相，在那里我们发现正常状态的霍尔电阻率从负到正的变化，证明占主导地位的空穴载流子与其他FeSe衍生的高Tc系统形成鲜明对比。此外，霍尔系数显着放大，磁电阻表现出异常的标度行为，证明强烈增强的带间自旋涨落在高Tc相。这些结果在FeSe突出的相似性与高Tc相的铁pnictides，构成了一个统一的理解铁基超导性的一步。
2016-11-23 cond-mat.supr-con
Structural transition and superconductivity in hydrothermally synthesized FeX (X = S, Se)
与固态合成的超导FeSe不同，通过水热反应获得的四相β-FeSe不是超导的，并且在60 K下转变为三斜晶系结构，这在90 K下变为正交晶系。与此相反，从水热合成的四硫化二铁FeS是超导在4.8 K，但没有经历结构转变。我们的研究结果表明，在水热合成的FeSe的超导性的缺乏可能与低温结构的铁原子的锯齿形链，这是不同于已知的正交晶系的Cmme结构的超导FeSe。
2015-09-16 cond-mat.supr-con
Three Dimensional Superconductivity in FeSe with Tczero Up to 10.9 K Induced by Internal Strain
采用自熔盐溶液法合成了FeSe多晶样品，其零电阻温度高达10.9 K，Tconset（90% \rhon，\rhon：正常态电阻率）高达13.3 K。热处理降低了超导转变温度，表明与外压起同样作用的晶体内部应变是其高Tc的原因。研究了波动电导率，其可以很好地用3D Aslamazov-Larkin（AL）幂律描述。相干长度\xic =9.2 μ m的估计值大于导电层之间的距离（~6.0 μ m），表明该化合物中超导性的三维性质。
2010-03-29 cond-mat.supr-con
Unraveling Enhanced Superconductivity in Single-layer FeSe through Substrate Surface Terminations
本研究通过在含TiO2和SrO两种表面终止态的SrTiO3衬底上生长单层FeSe，结合多种表征与理论计算，明确最优电子关联是其超导转变温度提升的核心驱动因素。
2025-02-24 cond-mat.supr-con
Suppression of Superconductivity by Twin Boundaries in FeSe
利用低温扫描隧道显微镜和光谱研究了分子束外延FeSe薄膜中的孪晶晶界。孪晶边界可以通过对来自两侧Fe位杂质的局部电子二聚体取向的90°变化进行成像来明确识别。孪晶界与Fe-Fe键方向成45°角，显著抑制了超导能隙，这与最近在其他铁磷属元素化合物中的实验和理论发现不同。此外，涡旋似乎在孪晶界上积累，这与那里的超导性退化一致。超导电性的变化可能是由于在孪晶边界附近的Se高度增加引起的，这为该高度对超导电性机制的重要性提供了第一个局部证据。
2012-09-27 cond-mat.supr-con
Observation of Ising spin-nematic order and its close relationship to the superconductivity in FeSe single crystals
采用水热离子释放法合成了（001）取向的FeSe超导单晶。通过系统测量面内角相关磁电阻（AMR）和静态磁化强度，确定了Ising自旋-自旋有序。各向异性AMR的开启温度表示伊辛自旋有序化温度Tsn，低于该温度，在铁平面中观察到双重旋转对称。如前所述，在弱面内磁场的静态磁化强度的温度依赖性中，Tsn以下出现向下的曲率。值得注意的是，我们发现在不同的超导样品之间的Tc和Tsn的普遍的线性关系，表明自旋向列性和FeSe的超导电性有一个共同的微观起源。
2016-08-01 cond-mat.supr-con
High Temperature Superconductivity in FeSe Monolayers
本文综述了FeSe化合物和FeSe在SrTiO_3等衬底上的单层膜高温超导性的主要实验和理论观点。我们详细考虑了这些系统的电子结构，这种结构的理论计算和ARPES实验。强调了这些体系的电子能谱与已有研究的FeAs超导体的典型能谱图有质的不同，并讨论了能谱形成的理论描述的有关问题。我们还讨论了可能的机制，库珀配对在单层FeSe和出现的问题。由于FeSe在SrTiO_3上的单层膜可表示为典型的Ginzburg“三明治”结构，我们分析了不同的“激子”超导机制可能提高超导转变的临界温度T_c。结果表明，在它的经典变体中（如Allender，Bray和Barnard对这类系统所提出的），这种机制不能解释T_c的观测值，但当我们考虑SrTiO_3中的光学声子（能量为100 meV量级）而不是“激子”时，情况就不同了。我们考虑了由于与这种声子相互作用而导致的T_c增强的最简单模型和具有主导“前向”散射的更具体的模型，这使得我们能够理解与体FeSe和插层FeSe系统的情况相比T_c的增长。我们还讨论了与这种机制所引起的超导反绝热性质有关的问题。
2016-09-01 cond-mat.supr-con
Muon-spin rotation study of the in-plane magnetic penetration depth of FeSe_0.85: evidence for nodeless superconductivity
用μ子自旋转动方法研究了名义成分为FeSe0.85的铁硒化物超导体的面内磁穿透深度λ ab。λ_{ab}^{-2}（T）的测量结果与带隙中节点的存在以及序参量的简单各向同性s波类型不一致，但在双带隙（s+s）和各向异性s波带隙图像中同样可以很好地描述。这意味着FeSe_（0.85）中的超导能隙不包含节点。
2008-10-09 cond-mat.supr-con
Enhanced Superconductivity on the Tetragonal Lattice in FeSe under Hydrostatic Pressure
用单晶样品通过测量直流磁化强度和电阻率研究了FeSe（$T_{\rm c}$ $\sim$ 7.5 K）在压力下的超导电性。在静水压力高达$\sim$ 34 K，高于7 GPa时，发现$T_{\rm c}$的特征性三步增加。发现在$P$ $\sim$ 2.3 GPa时，从四方相到正交相（$T_{\rm s}$ $\sim$ 87 K）的结构转变消失，高于此值时，$T_{\rm c}$迅速增加，表明四方相环境增强了超导性.在非静水压力下，$T_{\rm c}$的增加被抑制，并且在2GPa以上的四方晶系体积分数显著降低，这可能是由于单轴应力破坏了四方晶系晶格对称性。相图中的四方性（正交性）与增强（抑制）的超导电性之间的密切关系是FeSe和其他铁磷属元素化物超导体的共同特征。
2013-11-18 cond-mat.supr-con
Superconductivity of highly spin-polarized electrons in FeSe probed by $^{77}$Se NMR
最近的一些实验表明，铁硫族化物FeSe提供了长期寻求的可能性，研究在弱耦合的Barthalm-Cooper-Schrieffer（BCS）对和强耦合的玻色-爱因斯坦凝聚（BEC）之间的交叉制度的体超导性。我们报告了FeSe的$^{77}$ Se核磁共振实验，着重于沿$c$轴施加强磁场的超导相，其中报告了具有大自旋极化的独特状态。我们确定这种高场状态为具有高空间均匀性的低能量自旋波动的体超导。此外，我们发现，静态自旋磁化率变得异常小的温度接近超导状态，尽管存在明显的自旋波动。两者合计，我们的结果清楚地表明，FeSe确实具有不寻常的场致超导状态的高度自旋极化费米液体在BCS-BEC交叉制度。
2020-10-20 cond-mat.supr-con
Density functional study of FeS, FeSe and FeTe: Electronic structure, magnetism, phonons and superconductivity
我们报告的电子结构，费米面，声子谱，磁性和电子-声子耦合的超导相FeSe，以及相关的化合物FeS和FeTe的密度泛函计算。我们发现这些化合物的费米面结构与Fe-As基超导体的费米面结构非常相似，在带角处有圆柱形的电子截面，在带中心处有圆柱形的空穴表面截面，并且根据化合物的不同，在带中心处还有其他的小孔截面。如在Fe-As基材料中一样，这些表面由（$π$，$π$）处的2D嵌套向量分开。从FeSe到FeTe，态密度、嵌套和费米面尺寸增加。FeSe和FeTe都显示出自旋密度波基态，而FeS接近于不稳定性。在超导性由SDW嵌套矢量处的自旋涨落介导的情况下，该系列中最强的超导体将是掺杂的FeTe。
2008-07-30 cond-mat.supr-con
Interface enhanced electron-phonon coupling and high temperature superconductivity in potassium-coated ultra-thin FeSe films on SrTiO3
用低温扫描隧道显微镜研究了碱金属（钾）在分子束外延SrTiO 3上生长的FeSe薄膜（厚度从2-UC到4-UC）上的吸附。在适当的钾覆盖率（0.2-0.3单层）下，薄膜的隧穿谱都表现出大于11 meV的类超导带隙（是体FeSe带隙值的5倍），并在11 meV和21 meV处表现出两个明显的特征声子模。结果揭示了界面增强的电子-声子耦合对系统高温超导性的关键作用，并与最近的理论相一致。我们的研究提供了令人信服的证据，这种类型的异质结构超导系统的传统配对机制。
2015-08-26 cond-mat.supr-con
Nematicity and in-plane anisotropy of superconductivity in $β$-FeSe detected by $^{77}$Se nuclear magnetic resonance
最近对$β$ -FeSe单晶中的$^{77}$ Se核磁共振（NMR）的研究提出，铁轨道序破坏了$90^\circ$ $C_4$旋转对称性，从而驱动了顺磁有序。在这里，我们报告了一个核磁共振研究的影响，产生的小应变胶合的状态和自旋波动。我们观察到局部应变强烈影响向列相转变，大大提高了其起始温度。相反，对低能自旋涨落没有影响。此外，我们还研究了超导相和超导电性的相互作用。我们的研究表明，孪晶畴对超导性的响应是不等价的，证明了这种材料中超导性的双重$C_2$对称性。所得到的结果是很好地理解在建议的铁轨道顺序。
2016-05-10 cond-mat.supr-con
Resilient nodeless $d$-wave superconductivity in monolayer FeSe
单层FeSe在铁基超导体中表现出最高的转变温度，并且似乎是完全带隙的，似乎与$s$波超导性一致。在这里，我们发展了一个理论的基础上耦合到棋盘格磁序（具有相同的平移对称性的晶格）的波动的超导性。的电子状态描述的对称性为基础的${\bf k}\cdot {\bf p}$类理论和自然帐户的角度分辨光电子能谱观察到的状态。我们表明，该理论的预测是，由此产生的超导态是一个完全带隙，nodeless，$d$波状态。这种状态通常会有节点，但保持无节点，因为如实验所见，相关的自旋轨道耦合项的能量尺度小于超导能隙。
2017-12-01 cond-mat.supr-con
Eliashberg theory for spin-fluctuations mediated superconductivity -- Application to bulk and monolayer FeSe
我们提出了一种新的方法嵌入自旋和电荷的涨落在各向异性，多带和全带宽Eliashberg处理的超导性。我们的分析框架，基于随机相位近似，允许在相互作用，更具体地说，超导状态的材料的具体特性的自洽计算。我们将这种方法应用于大块FeSe作为代表的铁基超导体，并成功地解决了超导转变温度$T_c$，间隙对称性和间隙大小。我们获得了与实验（$T_c \approx 8$ K）一致的$T_c \approx 6$ K，以及与实验观察良好一致的其他量，从而支持体FeSe中的自旋波动介导的配对。相反，应用我们的方法单层FeSe的SrTiO $_3$，我们发现，在完整的Eliashberg框架内的自旋波动给出了$d$ -波间隙与$T_c\le 11$ K，因此不能提供一个解释的临界温度高达实验观察到的（$T_c \approx 70$ K）。因此，我们的研究结果指向界面的电子-声子耦合作为主导库珀配对介体在这个系统中。
2020-04-03 cond-mat.supr-con
Multichannel superconductivity of monolayer FeSe on SrTiO$_3$: Interplay of spin fluctuations and electron-phonon interaction
我们研究了电子-声子耦合以及自旋和电荷涨落对SrTiO $_3$衬底上单层FeSe超导态的影响。这三个玻色子介质库珀配对平等对待的多通道，全带宽，多频带，各向异性的Eliashberg理论的相互作用状态。我们的自洽计算表明，s波对称的超导能隙是兼容的，只有完全没有自旋涨落。当自旋涨落存在时，总是得到符号变化的无节d波配对对称性，但解释能隙大小和临界温度的基本成分仍然是界面电子-声子相互作用。
2020-09-18 cond-mat.supr-con
The phonon mechanism explanation of the superconductivity dichotomy between FeSe and FeS monolayers on STO and other substrates
这是最近发现的（K。Shigekawa等人，PNAS 116，2470（2019）），虽然SrTiO 3（STO）衬底上的单层铁硫属化物FeSe具有非常高的临界温度，但其化学和结构“孪生”材料FeS=STO（如果有的话）具有非常低的Tc。为了解释这一现象，进一步发展了铁硫族化合物超导性的衬底界面声子模型。主要的粘合剂是氧离子（60 mev）振动的纵向光学（LO）模式。该模式主要在邻近单层的TiO 2层中传播（并且通常也存在于类似的高度极化的离子晶体如BaTiO 3;金红石，金红石）。在FeSe中，它与电子气的电子-声子耦合比已知的（100 mev）硬LO模强.结果表明，当考虑屏蔽库仑排斥效应时，FeSe在STO和TiO_2上的临界温度高于65 K，而FeS的临界温度低于5 K，这是由于两个因素抑制了电子-声子耦合。后者的有效质量比FeS小1倍，而且FeSe中电子气到振动衬底氧原子的距离比FeS中小15%，从而降低了电子-声子相互作用的中心峰。这一理论可推广到其它离子绝缘基片。
2021-02-07 cond-mat.supr-con
