Probing the Relationship between Anisotropic Magnetoresistance and Magnetization of ferromagnetic films
采用有限元法计算了坡莫合金薄带在磁化过程中各阶段的各向异性磁电阻。通过微磁学模拟得到了不同外场下平衡态的磁化强度，通过迭代求解泊松方程直到自洽得到了不同磁化强度下的电阻。我们发现，磁化强度和AMR之间的关系偏离Stoner-Wohlfarth预测时，磁化强度从饱和减少。原因是退磁不一定来自磁矩的相干旋转。我们的结论是，有必要使用数值模拟来优化AMR传感器的响应。
2018-12-26 cond-mat.mtrl-sci
Tunneling anisotropic magnetoresistance driven by resonant surface states: First-principles calculations of Fe(001) surface
对Fe（001）表面的完全相对论第一性原理计算表明，共振表面（界面）态可以在具有单个磁性电极的磁性隧道结中产生相当大的隧穿各向异性磁电阻.这种效应是由自旋-轨道耦合驱动的。当磁化方向改变时，它通过Rashba效应移动谐振表面带。我们发现，在界面处的自旋翻转散射不仅由自旋轨道耦合的强度控制，但强烈依赖于共振表面态的本征宽度。
2006-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Dipolar interactions and anisotropic magnetoresistance in metallic granular systems
我们重新讨论了金属基体中纳米磁性颗粒系统的磁电阻理论。利用一个简单的粒子自旋相关微扰势模型，求解了非平衡电子分布函数中自旋相关分量的Boltzmann方程。对于颗粒系统中的几何参数的典型值，我们发现一个特殊的结构的导电电子的分布函数，这是在方差与两个电流模型的非均匀系统中的导电。我们的治疗明确包括偶极相关性产生的磁阻比的影响，其中包含，除了项成比例的均匀磁化的平方（< { \boldsymbol μ} >），一个弱的各向异性的贡献取决于电场和磁场之间的角度，并产生从偶极相互作用的各向异性的字符。
2002-07-09 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Magnetotransport and Exotic Longitudinal Linear Magnetoresistance in WTe2 Crystals
WTe 2半金属作为一种典型的层状过渡金属双硫族化合物，由于其在垂直磁场下具有极大的非饱和抛物型磁电阻效应，近年来引起了人们的广泛关注。本文系统地研究了WTe_2单晶的磁电阻随角度的变化规律。在不同的磁场方向上观察到明显的各向异性磁输运行为。令人惊讶的是，当所施加的磁场是平行的钨链的WTe 2，一个异国情调的大纵向线性磁阻高达1200%，在15 T和2 K被确定。横向磁电阻中违反Kohler规则可以基于激子形成和热激活的双重效应来理解，而大的纵向线性磁电阻完美地反映了这种平衡的空穴-电子系统的准一维性质的散射和嵌套。我们的工作将促进这种双载流子关联材料和相应的量子物理的研究。
2015-02-16 cond-mat.mtrl-sci
Extremely large and significantly anisotropic magnetoresistance in ZrSiS single crystals
近年来，过渡金属碲化物（如WTe $_2$）由于其在磁传感器中的潜在应用而引起了人们的广泛关注。在这里，我们报告的观察非常大的磁电阻为3.0 $\times$ 10 $^4$ %，在2 K和9 T磁场沿[001]-ZrSiS对齐测量。当磁场从[001]倾斜到[011]-ZrSiS时，样品的磁电阻值发生了显著的变化（~1.4 $\times$ 10 $^4$ %）。这些反常的磁电阻行为可以通过电子空穴补偿和费米面的开轨道来解释。由于这些优异的MR性能，ZrSiS可用于新型磁传感器。
2016-04-07 cond-mat.mtrl-sci
Possible Verification of Tilted Anisotropic Dirac Cone in α-(BEDT-TTF)_2 I_3 Using Interlayer Magnetoresistance
本文提出，在准二维有机化合物α-（BEDT-TTF）_2I_3中实现的层状狄拉克费米子系统中，利用层间磁电阻效应可以验证倾斜各向异性狄拉克锥的存在.利用解析的朗道能级波函数并假设电子局域隧穿，导出了理论公式。结果表明，当狄拉克锥的费米速度各向异性较小时，电阻率沿倾斜方向取最大值。描述了确定倾斜和各向异性参数的过程。
2009-01-26 cond-mat.mtrl-sci
Engineering Large Anisotropic Magnetoresistance in La0.7Sr0.3MnO3 Films at Room Temperature
磁阻（MR）效应广泛应用于从磁读取头到传感器的各种技术中。不同的贡献MR，如各向异性，巨大的，隧道，巨大的，自旋霍尔，揭示了在材料取决于特定的系统和测量配置。半金属锰氧化物具有自旋电子学应用的前景，但竞争相互作用的复杂性不允许理解和控制其磁输运性质，以实现其技术潜力。在这里，我们报告的能力，以诱导一个占主导地位的可切换的磁电阻在La0.7Sr0.3MnO3外延薄膜，在室温下（RT）。通过工程一个外在的磁各向异性，我们表现出各向异性磁阻（AMR），导致在RT，信号的变化远大于其他贡献，如巨磁阻（CMR）的大增强。占主导地位的非本征AMR在低场区的电阻表现出很大的变化，表现出高的灵敏度，所施加的低磁场。这些发现对锰氧化物基器件在高分辨率低场磁传感器或自旋电子学中的实际应用具有很大的影响。
2018-11-26 cond-mat.mtrl-sci
Isothermal anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic metallic IrMn
反铁磁自旋电子学是一个新兴的领域，反铁磁可以提高铁磁体的功能，具有更高的响应时间，并具有对外部磁场屏蔽信息。此外，还存在大量奈耳温度高于室温的反铁磁半导体和金属。在目前的手稿中，我们坚持在追求的极限有多大的各向异性磁阻可以在反铁磁材料具有非常大的自旋轨道耦合。我们选择IrMn作为一级矩（Mn）和自旋轨道（Ir）组合的一个很好的例子。对反铁磁金属（IrMn）/铁磁绝缘体薄膜双层膜进行了等温磁输运测量。在两层之间具有磁耦合的金属/绝缘体结构允许仅在反铁磁层中测量输运性质的调制。已发现各向异性磁阻高达0.15%，这是远远大于裸IrMn层。有趣的是，它已被观察到，各向异性的磁阻强烈的影响，由场冷却条件，信号的依赖性，在磁有序温度下的域的形成所发现的响应。
2016-07-27 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic and extreme magnetoresistance in the magnetic semimetal candidate Erbium monobismuthide
稀土铌酸盐具有丰富的物理行为，其基态的自旋序和轨道序最为显著。在这里，我们生长了ErBi单晶，并研究了它的磁、热、电性质。磁熵和磁化强度的分析表明，ErBi的弱磁各向异性可能来源于混合效应，即Er 3+（4f 11）的各向异性基态与各向同性激发态通过交换相互作用混合。在低温下，观察到一个非常大的磁电阻（~104%）与抛物线磁场的依赖关系，这可以归因于几乎完美的电子空穴补偿和载流子迁移率。当磁场在ab（ac）平面内旋转，电流沿b轴流动时，ErBi中的角磁阻表现出二重（四重）对称性。在LaBi中也观察到类似的情况，其中各向异性费米面主导低温输运。理论计算表明，ErBi在费米能级附近的电子能带结构与LaBi相似。这些结果表明，ErBi的角磁电阻主要由其各向异性的费米面拓扑结构决定。此外，还讨论了自旋相关散射、自旋-轨道散射和退磁关联对ErBi角磁电阻的影响。
2020-09-17 cond-mat.mtrl-sci
Spin flop and crystalline anisotropic magnetoresistance in CuMnAs
最近的研究工作表明，由于两种物理机制：Neel阶自旋轨道矩和各向异性磁电阻，一些反铁磁材料中的磁序可以被电学操纵和检测。虽然这些观察开辟了机会，使用反铁磁体的磁存储设备，需要不同的物理表征方法，以更好地理解这些机制。在这里，我们报告了磁场诱导的反铁磁Neel矢量在外延四重态CuMnAs薄膜的旋转。利用软x射线磁性线性二向色谱，x射线光电子显微镜，积分磁测量和磁输运方法，我们证明自旋翻转和连续自旋重取向的反铁磁薄膜单轴和双轴磁各向异性，分别。通过对材料的磁化强度和磁电阻随磁场变化的测量，得到了材料的各向异性磁电阻系数、磁晶各向异性、自旋翻转场和交换场等关键参数。
2021-06-21 cond-mat.mtrl-sci
Fourfold anisotropic magnetoresistance of L1$_0$ FePt due to relaxation time anisotropy
实验测量表明，L1 $_0$有序FePt外延膜的各向异性磁电阻（AMR）与电流取向和磁化方向的角度依赖关系是两重对称性和四重对称性的叠加。两重AMR表现出强烈的依赖于电流取向，而四重项仅取决于在晶体中的磁化方向，是独立的电流取向。第一性原理计算表明，四重AMR是由于磁化旋转引起费米能级附近态密度变化而引起的弛豫时间各向异性引起的.这种弛豫时间各向异性是铁磁金属的普遍性质，并决定了实验中可观察到的其他各向异性物理性质。
2022-05-27 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Landau level splitting and Lifshitz transition induced magnetoresistance enhancement in ZrTe5 crystals
对ZrTe_5单晶进行了磁输运研究。在低温下观察到的Shubnikov-de Hass量子振荡清楚地证明了ZrTe 5中存在具有小有效质量的非平凡带。此外，我们还揭示了高场朗道能级分裂的三维各向异性性质的ZrTe 5，非常不同于以前的运输研究中测量的二维行为。除此之外，在高温下出现了磁电阻的异常大的增强，这被认为是由于在ZrTe 5中的Lifshitz转变引起的双载流子输运。我们的研究提供了更多的理解ZrTe 5的物理性质，并揭示了潜在的应用ZrTe 5在自旋电子学。
2019-03-27 cond-mat.mtrl-sci
Semitransparent anisotropic and spin Hall magnetoresistance sensor enabled by spin-orbit toque biasing
我们提出了一种基于NiFe/Pt异质结的双折射和双折射各向异性的自旋霍尔磁电阻传感器。使用自旋-轨道力矩有效场用于横向偏置允许将传感器的总厚度减小到3 - 4 nm，从而导致自旋。尽管非常简单的设计，自旋-轨道扭矩有效场偏置NiFe/Pt传感器表现出的线性度和灵敏度的水平相比，传感器使用更复杂的线性化方案。在一个概念验证设计中，使用一个由四个传感元件组成的全惠斯通电桥，我们获得了高达202.9 mΩ/Oe的灵敏度，线性误差低于5%，检测限低至20 nT。该传感器在可见光范围内的透过率超过50%。
2017-07-02 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic tunneling magnetoresistance and tunneling anisotropic magnetoresistance: spin-orbit coupling in magnetic tunnel junctions
研究了自旋轨道相互作用对铁磁/半导体/正常金属隧道结隧穿磁电阻的影响。隧道各向异性磁电阻（TAMR）的解析表达式内推导出的近似中的磁电阻的磁化方向上的依赖性的铁磁体起源于Bychkov-Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合出现在结界面和隧道区之间的干扰。我们还研究了铁磁/半导体/铁磁隧道结的输运性质，表明在这种结构中，自旋轨道相互作用不仅导致TAMR效应，而且导致常规隧道磁电阻（TMR）的各向异性。由此产生的各向异性隧穿磁电阻（ATMR）依赖于铁磁体中的绝对磁化方向。在所提出的模型中，取决于铁磁体的磁化方向，Bychkov-Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合的相互作用在铁磁体/超导导体界面处产生透射和反射自旋速率之间的差异，这导致费米表面处的各向异性局域态密度以及TAMR和ATMR效应。本文给出了Fe/GaAs/Fe隧道结的模型计算。此外，基于相当普遍的对称性考虑，我们推导出的形式的磁阻依赖于在铁磁体的磁化的绝对取向。
2008-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunnelling anisotropic magnetoresistance of Fe/GaAs/Ag(001) junctions from first principles: Effect of hybridized interface resonances
对Fe/GaAs/Ag（001）外延隧道结的第一性原理计算结果表明，在两个界面处形成的界面共振杂化可以增强系统的隧穿各向异性磁电阻（TAMR）。这种机制表现为一个非单调依赖的TAMR效应的隧道势垒的厚度，最大的中间厚度。在二维布里渊区的k分辨传输的详细扫描证明了一些杂交诱导的热点和从附近的伽玛棒点的隧道效应的贡献之间的相互作用。这种解释是支持一个简单的紧束缚模型的交界处，再现定性的第一性原理理论的大部分功能的计算属性。
2012-06-04 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magnetoresistance involves metal-insulator transition in single crystal La0.77Ca0.23MnO3
由于某些原因，这篇论文被撤回了
2008-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Non-Relativistic Anisotropic Magnetoresistance with Collinear and Non-Collinear Magnetic Order
本研究证明在非相对论极限下，无需自旋轨道相互作用，磁序本身即可在多亚晶格系统中引发显著的各向异性磁阻，并通过理论计算、案例研究与对称性分析验证了该效应。
2025-07-16 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magnetoresistance: materials, models and applications
本文综述了铁磁体中各向异性磁电阻的百年研究，涵盖材料与物理机制，并指出该效应已扩展至反铁磁体，为超越硬盘读头和位置传感器等现有应用的工业应用开辟了新可能。
2022-12-08 cond-mat.mtrl-sci
Microscopic mechanism of the non-crystalline anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As
从基于Kohn-Luttinger哈密顿量和动力学p-d交换结合Boltzmann电导率公式的微观模型出发，我们确定磁性Mn的散射结合GaAs价带的强自旋轨道相互作用是（Ga，Mn）As各向异性磁电阻（AMR）的主要机制。这一事实允许构建一个简单的分析模型的AMR组成的两个重空穴带的载流子分散在杂质电位的Mn原子。该模型预测了AMR的正确符号（平行于磁化方向的电阻率小于垂直于磁化方向的电阻率），并确定了其起源于当载流子平行于磁化方向移动时，磁性离子化Mn受体的散射电势的电和磁部分之间的相消干涉。
2009-06-17 cond-mat.mtrl-sci
Fourfold Symmetry of Anisotropic Magnetoresistance in Epitaxial Fe3O4 Thin Films
研究了在MgO（001）衬底上生长的高质量外延Fe_3O_4薄膜在不同温度下的各向异性磁电阻（AMR）和平面霍尔效应（PHE）的角度依赖性。PHE只包含双重的角度依赖，但AMR低于200K是由双重和四重对称项。基于唯象模型的定量拟合表明，AMR的双重分量的非单调温度依赖性可以归因于项和项之间的竞争。在角依赖性AMR中观察到单向分量。当磁场在垂直于电流的平面内旋转时，也存在四重对称AMR。我们的研究结果表明，AMR和PHE在单晶薄膜中有不同的起源，也证明了AMR的四重对称性的起源是与晶格对称性，而不是在反相界附近的自旋散射。
2011-05-29 cond-mat.mtrl-sci
Tunnelling anisotropic magnetoresistance effect of single adatoms on a noncollinear magnetic surface
隧道各向异性磁电阻（TAMR）效应描述了自旋极化电子输运对相对于晶轴的磁化方向的敏感性。由于TAMR效应只需要单个磁电极，与隧道磁阻效应相反，它为替代自旋电子学应用提供了一条有吸引力的途径。在这项工作中，我们考虑TAMR效应在单原子的限制，通过调查的各向异性的局域态密度在真空中的过渡金属吸附原子吸附在非共线磁性表面上，单层的Mn W（110）。该表面呈现摆线自旋螺旋基态，相邻自旋之间的角度为173 $^\circ$，从而允许使用扫描隧道显微镜准连续探索吸附原子的TAMR的角度依赖性。用第一性原理计算研究了Co、Rh和Ir吸附原子在Mn/W（110）表面的TAMR，并将我们的结果与磁化方向相关的局域态密度变化联系起来.各向异性效应被发现显着增强的重过渡金属原子的吸附，从我们的计算预测值高达50%。即使使用非磁性STM尖端，这种效应也是可测量的。
2014-05-08 cond-mat.mtrl-sci
Negative longitudinal magnetoresistance as a sign of a possible chiral magnetic anomaly in the half-Heusler antiferromagnet DyPdBi
半Heusler反铁磁体DyPdBi的磁输运研究揭示了Weyl半金属的标志性特征：巨大的负纵向磁电阻和平面霍尔效应。这两种效应最近都与手性磁异常有关-外尔节点之间的轴向电荷泵。DyPdBi单晶的磁电阻（MR）非常显著。在纵向于电流方向的磁场中，其达到-80%，并且其相对于在横向场中测量的相对差（表示为各向异性磁阻）非常强：在10 K和14 T下为-60%。DyPdBi的平面霍尔效应对温度和磁场的非单调依赖性，这在以往的研究中还未见报道。我们将用样品中线上的电压接触测量的磁电阻与用其边缘上的接触测量的磁电阻进行比较，并表明电流喷射（各向异性负磁电阻的外部来源）的作用很小。我们讨论了化合物的性质和样品质量排除了弱局域化和手征磁异常以外的负和各向异性磁电阻的内在来源。
2019-04-10 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magnetoresistance contribution to measured domain wall resistances of in-plane magnetised (Ga,Mn)As
我们证明了一个重要的各向异性磁电阻的存在下，最近测得的畴壁电阻在薄膜（Ga，Mn）的面内磁各向异性。简单的畴壁方向的分析结果补充的数值计算结果更一般的情况下，表明以前忽略的贡献可以在很大程度上解释所观察到的负电阻。
2006-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Revealing Controllable Anisotropic Magnetoresistance in Spin Orbit Coupled Antiferromagnet Sr2IrO4
反铁磁自旋电子学积极地引入了磁存储的新原理，其中最基本的自旋相关现象，即各向异性磁阻效应，由反铁磁体而不是铁磁体控制。反铁磁各向异性磁电阻效应的一般情况主要源于与自旋轨道耦合有关的磁晶各向异性。本文研究了磁场驱动下的反铁磁Sr 2 IrO 4/SrTiO 3（001）薄膜的四重各向异性磁电阻的轮廓旋转，该薄膜具有强自旋轨道耦合的Jeff=1/2 Mott态.同时，一个有趣的最小磁阻出现。通过第一性原理计算，揭示了由Ir等自旋旋转引起的带隙工程是导致这些涌现现象的原因，这与传统的沿磁易轴施加磁场时通常获得相对更导电的状态的情况不同.我们的研究结果表明，一个新的有效的途径，即通过新的杰夫=1/2状态，实现可控的各向异性磁电阻在反铁磁材料。
2018-05-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Identifying intrinsic and extrinsic mechanisms of anisotropic magnetoresistance with terahertz probes
确定自旋轨道耦合系统中磁输运的内在和外在起源一直是凝聚态物理的中心主题。然而，由于缺乏适当的实验工具，这一点一直难以捉摸。在这项工作中，使用太赫兹时域光谱，我们毫不含糊地解开的各向异性磁电阻（AMR）的坡莫合金薄膜的内在和外在的贡献。我们发现，散射无关的固有贡献AMR是相当大的，是一样大的散射依赖的外在贡献AMR。此外，由于非本征贡献的减少，总AMR的本征贡献的部分随着温度的升高而增加。进一步的研究表明，非本征贡献的减少是由声子/磁振子诱导的负AMR引起的。我们的研究结果将激发对其他自旋-轨道相互作用诱导现象的进一步研究，其中识别内在和外在贡献是重要的。
2021-07-05 cond-mat.mtrl-sci
Combined Magnetic Imaging and Anisotropic Magnetoresistance Detection of Dipolar Skyrmions
磁skyrmions是一种局域化的粒子状非平凡漩涡，在构建高性能拓扑自旋电子器件方面具有重要的应用前景。Skyrmionic设备中的读出功能需要将磁Skyrmion转换为电信号。在这里，我们报告相结合的实空间磁成像和各向异性磁阻研究偶极skyrmions。使用洛伦兹透射电子显微镜成像观察到单个skyrmion链和单个skyrmion。同时，得到了Fe3Sn2纳米结构的各向异性磁电阻随磁场、螺旋度和Skyrmion数的变化关系.结果表明，Skyrmion的各向异性磁电阻与螺旋度无关，与Skyrmion数成正比。我们的工作可以促进基于skyrmion的自旋电子器件的读出操作。
2022-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Large anisotropic magnetoresistance in $α$-MnTe induced by strain
Soochow University（苏州大学）；Georgetown University（乔治城大学）
通过应变调节α-MnTe中[0001]轴，显著增强其平面霍尔效应和各向异性磁电阻，最大可达70%。
2025-12-05 cond-mat.mtrl-sci
Observation of an Unusual Colossal Anisotropic Magnetoresistance Effect in an Antiferromagnetic Semiconductor
寻找具有大磁输运响应的新型反铁磁材料是构建未来高稳定性、快开关速度和高密度自旋电子器件的迫切需求。本文报道了层状结构反铁磁二元稀土二硫属化合物EuTe_2的巨各向异性磁电阻效应。AMR达到40000%，这是4个数量级以上，在传统的反铁磁合金。结合磁化强度、电阻率和理论分析表明，巨磁电阻效应是一种矢量场可调能带结构的新机制，而不是传统的自旋轨道耦合机制.此外，还揭示了具有局域自旋的Eu层和具有巡游载流子的Te层的轨道之间的强杂化对于大AMR效应是极其重要的。我们的研究结果提出了一个新的方向探索AFM材料具有突出的磁输运特性，这创造了一个前所未有的机会，AFM自旋电子学的应用。
2021-03-04 cond-mat.mtrl-sci
Carrier localization and out of plane anisotropic magnetoresistance in $Nd_{0.55-x} Sm_x Sr_{0.45} Mn O_3$ thin films
研究了载流子局域化对NSSMO薄膜各向异性磁电阻效应的影响。载流子局域化是由钙钛矿晶格的A位的平均半径减小和由于较小阳离子取代较大阳离子而增强的尺寸无序引起的。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetization process in epitaxial Fe$_{85}$Co$_{15}$ thin films via anisotropic magnetoresistance
本文研究了外延Fe85Co15薄膜中晶体方向依赖的各向异性磁电阻，通过磁输运测量和Stoner-Wohlfarth模型拟合揭示了磁化过程，并提取了各向异性常数。
2025-04-08 cond-mat.mtrl-sci
Current induced anisotropic magnetoresistance in topological insulator films
拓扑绝缘体在本体中是绝缘的，但具有由时间反转对称性保护的自旋动量锁定的金属表面状态。这些表面态的存在已被角分辨光电子能谱（ARPES）和扫描隧道显微镜（STM）证实。通过输运测量检测这些表面状态，这可能在第一次似乎是最直接的途径，被证明比预期的更具挑战性。在这里，我们报告了一个详细的电子输运研究高品质的Bi 2 Se 3拓扑绝缘体薄膜。在面内磁场、沿偏置电流方向和垂直于偏置电流方向上的测量结果显示了相反的磁阻效应。我们认为，这种对比的行为是有关的自旋和电流方向的锁定提供证据的螺旋自旋结构的拓扑表面状态。
2011-08-06 cond-mat.mtrl-sci
Lithographically and electrically controlled strain effects on anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As
已经证明，（Ga，Mn）As中的磁晶各向异性对小至10^-4的晶格应变敏感，并且可以通过生长期间的晶格参数工程、通过生长后光刻以及通过将（Ga，Mn）As样品与压电换能器结合来控制应变。在这项工作中，我们表明，类似的效果中观察到的各向异性磁电阻（AMR）的晶体组件。光刻或电诱导的应变变化可以产生大于晶体AMR的晶体AMR分量，并且是未处理的（Ga，Mn）As材料的总AMR的显著部分。在这些实验中，我们还观察到新的高阶项的现象学AMR表达式，并发现应变变化效应可以发挥重要作用的微磁和磁输运特性的（Ga，Mn）As横向纳米收缩。
2008-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Giant anisotropic magnetoresistance and nonvolatile memory in canted antiferromagnet Sr2IrO4
反铁磁体由于其零杂散场和超快自旋动力学等特性，引起了自旋电子学领域的广泛关注。虽然反铁磁（AFM）订单的控制已经实现了各种手段，适用的赞赏功能的AFM为基础的设备的读出侧是迫切需要的。在这里，我们报告了显着增强的各向异性磁电阻（AMR）作为巨大的~ 160%，在一个简单的电阻器结构的原子力显微镜Sr 2 IrO 4没有辅助参考层。巨磁电阻的形成机制是类巨磁电阻效应和磁晶各向异性能的有机结合。此外，我们证明了可在原位切换的非易失性存储器状态，而不方便的热辅助程序，并鲁棒地保存，即使在零磁场，由于改性层间耦合的1%的Ga掺杂Sr 2 IrO 4。这些发现代表了原子力显微镜自旋电子器件的直接步骤。
2019-06-10 cond-mat.mtrl-sci
Measurement and simulation of anisotropic magnetoresistance in single GaAs/MnAs core/shell nanowires
我们报告了通过分子束外延合成的单核/壳GaAs/MnAs纳米线的低场磁电阻的四个探针测量，证明了跟踪场相关磁化的各向异性磁电阻的清晰特征。与微磁模拟的比较表明，磁阻数据的主要特征可以明确地归因于具有锌砷化镓芯的纳米线段。磁阻，磁化和晶体结构之间的直接相关性提供了一个强有力的手段，表征个别混合铁磁体/半导体纳米结构。
2012-01-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling anisotropic magnetoresistance in multilayer-(Co/Pt)/AlOx/Pt structures
我们报告的观察隧道各向异性磁阻（TAMR）在垂直隧道器件的铁磁多层（Co/Pt）电极和非磁性Pt反电极分开的AlOx屏障。在堆叠的铁磁电极终止的Co膜的TAMR幅度饱和在0.15%，超过它只显示出弱的依赖于磁场强度，偏置电压和温度。对于由两个单层的Pt终止的铁磁电极，我们观察到的TAMR的数量级增强的顺序（S）和场，温度和偏压的强烈依赖。实验的讨论是基于相对论从头计算的磁化取向依赖的状态密度的Co和Co/Pt模型系统。
2008-01-08 cond-mat.mtrl-sci
Electrical detection of ferromagnetic resonance in ferromagnet/n-GaAs heterostructures by tunneling anisotropic magnetoresistance
在$\mathit{n-}$ GaAs（001）表面外延生长的单层铁磁层样品中，我们观察到了铁磁共振（FMR）的直流电压峰值。FMR峰被检测为具有对称线形的界面电压，并且存在于基于各种FM/ $n$ -GaAs异质结构的样品中，包括Co $_{2}$ MnSi/ $n$ -GaAs、Co $_{2}$ FeSi/ $n$ -GaAs和Fe/ $n$ -GaAs。我们表明，界面偏置电压依赖的FMR信号是相同的隧道各向异性磁电阻（TAMR）在大部分的偏置范围。此外，我们展示了如何旋进磁化产生直流FMR信号通过TAMR效应和如何TAMR现象可以用来预测的FMR信号的角度依赖性。这种TAMR诱导的FMR峰可以在不存在自旋累积并且半导体中没有自旋极化电流流动的条件下观察到。
2014-08-25 cond-mat.mtrl-sci
Tunneling anisotropic magnetoresistance and spin-orbit coupling in Fe/GaAs/Au tunnel junctions
本文报道了在外延金属半导体系统Fe/GaAs/Au中观察到的隧穿各向异性磁电阻效应。所观察到的电阻的两重各向异性可以通过反转偏置电压来切换，这表明该效应源于界面处的自旋-轨道耦合的干涉。相应的模型计算再现实验结果非常好。
2006-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain, magnetic anisotropy, and anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As on high-index substrates: application to (113)A-oriented layers
基于一个详细的理论研究的晶格畸变在高指数外延层的连续介质力学方面，表达式推导出允许的应变张量的计算和实验测定（hhl）取向的（Ga，Mn）As层。推导了单斜和正交晶体对称性下应变相关的自由能量密度和电阻率张量的解析表达式，分别用相应的各向异性和电阻率参数唯象地描述了磁各向异性（MA）和各向异性磁阻（AMR）.将结果应用于具有单斜晶体对称性的（113）A取向，使用该表达式通过高分辨率X射线衍射确定一系列（113）A取向的（Ga，Mn）As层的应变张量和剪切角，并通过角度相关磁输运探测4.2 K下的MA和AMR。而横向电阻率参数几乎不受磁场的影响，描述纵向电阻率的参数是强烈的场依赖性。
2010-02-15 cond-mat.mtrl-sci
Metal-insulator transition and giant anisotropic magnetoresistance in ultra thin (Ga,Mn)As
MBE生长的，5 nm厚的退火Ga 0.95 Mn 0.05 As薄膜，Tc~ 90 K，表现出从金属到绝缘状态的转变低于To~ 10 K，其中薄层电阻Rsh~h/e2和纵向Rxx和横向Rxy分量变得相当。在金属-绝缘体转变下，我们发现巨各向异性磁阻（GAMR），它取决于磁化方向对晶轴的取向，并且在T=1.7K，H//[110]晶向和平行于电流的Rxx处表现为接近50%的正磁阻，而H//方向的磁阻较小且为负。我们将GAMR与各向异性自旋-轨道相互作用联系起来，从而形成沿非等效易轴具有不同局域化的高电阻态和低电阻态。
2008-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Formation and anisotropic magnetoresistance of Co/Pt nano-contacts through aluminum oxide barrier
在Co/AlO $_x$ -NOL/Pt薄膜叠层中，采用离子辅助氧化法制备了AlO $_x$纳米氧化物层（NOL），观察了纳米接触中的各向异性磁电阻（AMR）。NC形成的分析基于\emph{in situ}导电原子力显微镜和透射电子显微镜。根据来自Al污染的NC的纯度，我们在室温下观察到高达29%的AMR比率。
2013-12-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Magnetoresistance in GaMnAs films
测量了一系列Ga_（1-x）Mn_xAs（0.2 =< x =< 0.8）样品在三个相互正交的外磁场方向上的磁电阻。各向异性磁电阻随Mn含量的增加而减小，这意味着磁无序或缺陷散射随Mn含量的增加而增加。随着Mn含量的增加，磁晶各向异性也增加。
2002-11-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling anisotropic magnetoresistance of NiFe/IrMn/MgO/Pt stack: An antiferromagnet based spin-valve
自旋阀是一种利用载流子的电荷和自旋来实现高阻态和低阻态的微电子器件。在现代硬盘驱动器读头和磁性随机存取存储器中使用的自旋阀结构包括两个铁磁（FM）电极，其相对磁化取向可以在平行和反平行配置之间切换，从而产生期望的巨磁阻效应或隧穿磁阻效应。在本文中，我们证明了>100$%的自旋阀的信号在NiFe/IrMn/MgO/Pt堆叠与反铁磁体（AFM）的一侧和非磁性金属的隧道势垒的另一侧。<50 mT的外磁场使NiFe的FM磁矩发生反转，NiFe对IrMn的交换弹簧效应引起了IrMn的AFM磁矩的旋转，这一点可以通过测量的隧道各向异性磁电阻（TAMR）来检测。我们的工作表明，自旋电子元件的传输特性是由原子力显微镜。它表明，低磁场的敏感性可以结合使用单个磁性电极的大，自旋轨道耦合诱导的磁输运各向异性。AFM-TAMR提供了通过电子输运测量来研究AFM膜的磁特性的手段。
2010-11-14 cond-mat.mtrl-sci
Role of orbital hybridization in anisotropic magnetoresistance
理论和数值计算表明，铁磁体中的纵向轨道电流依赖于磁化方向，这有助于各向异性磁电阻（AMR）。轨道对AMR的贡献来自动量依赖的轨道分裂，这通常存在于多轨道系统中，通过轨道各向异性和轨道杂化。我们强调后者的轨道杂交作为AMR的一个未被认识的起源，也作为AMR和轨道霍尔效应的共同起源。
2020-04-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Magnetoresistance and Magnetic Anisotropy in High-quality (Ga,Mn)As Films
我们对一系列Ga_（1-x）Mn_xAs（0.011 ≤ x ≤ 0.09）样品的磁输运进行了系统的研究。我们发现，各向异性磁电阻（AMR）一般随着磁各向异性的增加，随着Mn浓度的增加和低温退火而减小。我们表明，单轴磁各向异性可以清楚地观察到从AMR的样品与x >= 0.02。这在高温下成为主要的各向异性，并且在退火时旋转90 °。我们发现，面内纵向电阻率不仅取决于磁化强度与电流方向的相对夹角，还取决于磁化强度与主晶轴的相对夹角。后一项在低温退火后变得小得多。平面霍尔效应与测量的AMR非常一致，表明样品在大部分磁化反转过程中近似处于单畴状态，两步磁化跳变归因于畴壁成核和传播。
2005-06-10 cond-mat.mtrl-sci
Writing and Reading antiferromagnetic Mn$_2$Au: Néel spin-orbit torques and large anisotropic magnetoresistance
反铁磁体是磁性有序的材料，其不表现出净磁矩，因此对磁场不敏感。反铁磁自旋电子学的目的是利用这种不敏感性来增强稳定性，同时可以进行高达反铁磁体的自然THz动态速度的主动操纵，从而结合了卓越的存储密度和超快开关。然而，Néel矢量（交错矩）方向的主动操纵和读出具有挑战性。最近的预测已经开辟了一条基于新的自旋轨道力矩的道路，它直接与Néel序参量耦合。这种Néel自旋轨道力矩首先在使用半金属CuMnAs的开创性工作中实验证明。在这里，我们证明Mn $_2$金，一个良好的导体，具有高的有序温度适用于应用程序，可靠和可再现的开关，使用电流脉冲和读出的磁阻测量。的扭矩的对称性与理论预测和一个大的读出大于$\simeq 6$ ~ $\%$的磁阻效应是由从头计算输运计算再现。
2017-06-08 cond-mat.mtrl-sci
Electrical Side-Gate Control of Anisotropic Magnetoresistance and Magnetic Anisotropy in a Composite Multiferroic
本研究利用分子束外延在PMN-PT衬底上生长单晶Fe$_{0.75}$Co$_{0.25}$薄膜，通过静电侧栅电压实现了对磁阻和磁各向异性的电学控制，该效应源于压电效应引起的应变介导磁各向异性变化，为未来磁电子学和磁子学器件提供了基础构件。
2025-04-29 cond-mat.mtrl-sci
Tunneling anisotropic magnetoresistance in organic spin valves
本文报道了在一个只有一个铁磁电极的有机自旋阀结构中观察到的隧穿各向异性磁电阻效应。该器件是基于一种新的高迁移率的基于二萘嵌苯二酰亚胺的n型有机半导体。该效应源于来自LSMO接触的隧穿注入，因此即使对于太厚而不能支持隧穿穿过层的假设的有机层也可能发生。磁电阻测量显示出清晰的自旋阀信号，具有由外延磁电极的磁晶各向异性引起的典型的两步开关模式。
2011-04-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Magnetization Characteristic of Ferromagnetic Thin Strip by Measuring Anisotropic Magnetoresistance and Ferromagnetic Resonance
通过测量坡莫合金薄带在面内和离面组态下的各向异性磁阻和铁磁共振，研究了薄带的磁化特性。结果表明，通过改变一定方向的外磁场的强度，磁化矢量既可以在膜面内旋转，也可以在膜面外旋转。磁化特性可以通过考虑退磁和磁各向异性来解释。该方法可用于计算退磁因子、饱和磁矩和磁各向异性。
2013-10-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant anisotropic magnetoresistance with dual-four-fold symmetry in CaMnO3/CaIrO3 heterostructures
在新型3d-5d异质结构中实现四重各向异性磁电阻效应，推动了反铁磁自旋电子学的研究。然而，尽管有可能结合强自旋轨道耦合，但迄今为止只检测到小的AMR信号，这促使人们寻找新的机制来增强信号。在这项研究中，CaMnO 3/CaIrO 3异质结，我们报告了一个独特的双四倍对称70%AMR，信号两个数量级比以前观察到的类似系统。我们发现，一个订单是通过调整一个大的双轴各向异性通过八面体倾斜的组成层中的类似意义上的增强，而第二个订单是由自旋触发器过渡在近莫特型相触发。这两种现象之间的动力学证据的阶梯状AMR和叠加的双轴各向异性诱导AMR捕获一个微妙的相互作用的赝自旋耦合与晶格和外部磁场。我们的研究表明，电荷转移，层间耦合和自旋翻转过渡的组合可以产生一个巨大的AMR相关的传感和反铁磁存储器的应用。
2020-12-29 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Magnetoresistance in Ga$_{1-x}$Mn$_x$As
我们已经测量了一系列的Ga $_{1-x}$ Mn $_x$ As样品的磁电阻与0.033 $\le x \le$ 0.053的三个相互正交的方向的所施加的磁场。这些材料中的自发电阻率各向异性（SRA）是负的（即，当其磁化垂直于测量电流时，样品电阻高于当两者平行时），并且在接近10K及以下的温度下具有5%的量级。这与大多数常规磁性材料的结果形成对比，在大多数常规磁性材料中，对于观察到负号的少数情况，SRA的量值小得多。SRA的幅度从低温时的最大值下降到T $_C$时的零，其下降方式与平均场论一致。这些结果将为新兴的这类新材料的传输理论提供一个重要的测试。
2002-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magnetoresistance in spin-orbit semimetal SrIrO3
SrIrO 3是Ruddlesden-Popper虹彩酸盐的三维成员，是一种顺磁性半金属，其特征在于自旋轨道耦合和库仑排斥之间的微妙相互作用。本文研究了SrIrO_3薄膜的各向异性磁电阻（AMR），它与自旋轨道耦合密切相关，并探讨了电子输运、磁有序和轨道态之间的相关性。我们发现，低温负磁电阻是各向异性的磁场方向，其角度依赖性揭示了一个四重对称组件以上的临界磁场的外观。我们发现，这AMR组件是磁晶起源，并归因于所观察到的转变场诱导的SrIrO 3的磁状态。
2020-01-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-Hall and Anisotropic Magnetoresistance in Ferrimagnetic Co-Gd / Pt layers
研究了铁磁Co 100-xGdx / Pt双层膜的自旋霍尔磁电阻（SMR）和各向异性磁电阻（AMR）随Co-Gd组分的变化关系.随着Gd浓度x的增加，其磁矩在净磁化强度中与Co磁矩的竞争越来越大。我们发现在x = 24时存在一个近补偿的亚铁磁态。AMR随着x的增加从正到负改变符号，在磁化补偿附近消失。另一方面，即使AMR消失，SMR也不会显著变化。这些实验结果表明，非常不同的散射机制负责AMR和SMR。我们讨论了合金成分依赖性的可能起源。
2018-08-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic transverse magnetoresistance temperature dependence in Mn3Ga Weyl semimetal with chiral anomaly
研究了c取向外延GaN/Mn3Ga薄膜的横向磁阻，发现200-300 K下磁阻从负线性转为正二次依赖，230 K处发生金属-半导体转变，不对称性源于磁八极簇自旋极化电流，第一性原理计算证实自旋结构重排。
2024-11-13 cond-mat.mtrl-sci
Boltzmann theory of engineered anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As
我们报告的直流输运系数的理论研究（Ga，Mn）As稀磁半导体铁磁体，占准粒子散射电离Mn $^{2+}$受体与本地时刻$S=5/2$和非磁性补偿缺陷。在金属样品中，玻尔兹曼输运理论与黄金法则散射率解释了平行和垂直于电流的磁化电阻之间测量差异的主要趋势。我们预测，各向异性磁电阻的符号和大小可以通过应变工程或通过改变化学成分来改变。
2002-06-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
