It is proposed that the presence of a tilted and anisotropic Dirac cone can be verified using the interlayer magnetoresistance in the layered Dirac fermion system, which is realized in quasi-two-dimensional organic compound α-(BEDT-TTF)_2 I_3. Theoretical formula is derived using the analytic Landau level wave functions and assuming local tunneling of electrons. It is shown that the resistivity takes the maximum in the direction of the tilt if anisotropy of the Fermi velocity of the Dirac cone is small. The procedure is described to determine the parameters of the tilt and anisotropy.
Structural and electronic properties of $α,β$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ and $κ$-(BEDT-TTF)$_2$X$_3$ (X=I,F,Br,Cl) organic charge transfer salts
（BEDT-TFF）$_2$ I $_3$电荷转移盐具有超导电性和压力诱导的准二维狄拉克锥。在密度泛函理论的框架下，采用从头计算方法研究了三种结构相$α$、$β$和$κ$的结构和电子性质. \edit{We furthermore report about the irreducible representations of the corresponding electronic band structures, symmetry of their crystal structure, and discuss the origin of band crossings. Additionally, we discuss the chemically induced strain in $κ$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ achieved by replacing the Iodine layer with other Halogens: Fluorine, Bromine and Chlorine. In the case of $κ$-(BEDT-TTF)$_2$F$_3$, we identify topologically protected crossings within the band structure. These crossings are forc…
Chemical-Strain Induced Tilted Dirac Nodes in (BEDT-TTF)$_2$X$_3$ (X = I, Cl, Br, F) Based Charge-Transfer Salts
新型多功能狄拉克材料的鉴定一直是一个持续的努力。在这方面，基于准二维（BEDT-TTF）的电荷转移盐被广泛讨论。在这里，我们报告了在假设碘被卤素溴、氯和氟取代的情况下，$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$和$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$的电子结构。阴离子层尺寸的减小对应于施加化学应变，在（BEDT-TTF）$_2$ F $_3$的情况下，化学应变极大地增加。我们进行了结构优化和电子结构计算的密度泛函理论的框架内，结合，第一，最近开发的强约束和适当赋范的半局域密度泛函SCAN，和，第二，范德华修正PBE交换相关功能的dDsC色散校正方法的装置。对于$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ F $_3$，在准二维布里渊区中可以发现过倾斜的Dirac-type-II节点的形成，对于$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ F $_3$，不能揭示最近报道的电子能带结构中的拓扑跃迁.
Pressure-Induced Zero-Gap Semiconducting State in Organic Conductor $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ Salt
我们显示了准二维有机导体$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$盐中的零能隙半导体（ZGS）态，其在沿a轴（BEDT-TTF分子的堆叠轴）的单轴压力下出现。ZGS状态是在费米点周围存在具有线性色散的带谱的狄拉克锥的状态，该狄拉克锥连接未被占据的（电子）带和被占据的（空穴）带。频谱表现出很大的各向异性的速度，这取决于从费米点的方向。通过改变一个紧束缚模型的几个转移能的大小与四个网站每个晶胞，它表明，ZGS状态存在于一个很宽的压力范围内，并归因于大的各向异性的转移能沿堆叠轴。
Electric Conductivity of the Zero-gap Semiconducting State in Alpha-(BEDT-TTF)2I3 Salt
为了理解四分之一填充的$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$盐中的零带隙半导体（ZGS）态，研究了其电导率随温度$T$和寿命$τ$的变化.将$τ$作为参数，利用单圈近似，发现对于$k_B\gg\hbar/τ$，电导率与$T$和$τ$成正比，而对于$k_B T\ll\hbar/τ$，电导率与$T$和$τ$无关.此外，电导率是独立的$T$在ZGS状态下的杂质散射的玻恩近似检查。
Raman signatures of the strong intra- and inter-molecular charge oscillations in bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene (BEDT-TTF) \k{appa}-phase salts
Analysis of Dirac Point in the Organic Conductor $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$
使用具有最近邻转移能和每个单元电池四个分子的紧束缚模型分析了压力下有机导体$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$中的狄拉克电子。通过注意到第一和第二能带之间的狄拉克点出现或合并，随后是在时间反演不变动量（TRIM）处的能级交叉，基于TRIM处的这两个波函数导出有效哈密顿量，这两个波函数具有与围绕反演中心的反演对称性相关联的不同宇称。我们证明了狄拉克点是由两种线的交叉点所确定的，这两种线来自于由TRIM周围的对称和反对称函数所描述的哈密顿量。本方法定量地给出了$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$在较宽压力范围内Dirac点的合理位置。
Gap opening mechanism for correlated Dirac electrons in organic compounds $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ and $α$-(BEDT-TSeF)$_2$I$_3$
为了确定电子关联如何在有机化合物$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$ [ $α$ -（ET）$_2$ I $_3$ ]和$α$ -（BEDT-TSeF）$_2$ I $_3$ [ $α$ -（BETS）$_2$ I $_3$ ]中打开二维无质量狄拉克电子的能隙，我们推导并分析了这两种化合物的$ab$ $initio$低能有效哈密顿量。我们发现在$α$ -（ET）$_2$ I $_3$中，水平条纹电荷有序在无质量的狄拉克电子中打开了一个能隙，而在$α$ -（BETS）$_2$ I $_3$中出现了一个没有明显对称破缺的绝缘相.我们澄清了各向异性转移积分和电子相关性的组合引起自旋相关性的降维，即，一维自旋关联在$α$ -（BETS）$_2$ I $_3$中发展。我们证明了一维自旋关联在无质量的狄拉克电子中打开了一个能隙。我们的发现为利用强电子关联打开无质量狄拉克电子的能隙铺平了道路。
$^{13}$C NMR Study on Zero-Gap State in the Organic Conductor $θ$-(BEDT-TTF)$_{2}$I$_{3}$ under Pressure
我们提出了我们的$^{13}$ C NMR研究的准二维有机导体$θ$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_{3}$在压力下，这是建议由输运测量零间隙导体的结果。我们发现NMR自旋位移与$T$成正比，自旋-晶格弛豫速率遵循幂律$T^α$（$α=3 \sim 4$），其中$T$是温度。这种行为与锥状能带色散一致，并为本材料在压力下实现零能隙态提供了微观证据。
Floquet theory of photoinduced topological phase transitions in the organic salt $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$ irradiated with elliptically polarized light
本文从理论上研究了在单轴压力下有机盐$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$中可能发生的光致拓扑相变。Floquet分析的驱动紧束缚模型，这种材料揭示了丰富的光致变化的能带结构，陈数，霍尔电导率照射下的椭圆偏振光。所得到的相图包含多种非平衡稳定相，例如，Floquet Chern绝缘子、Floquet半金属和Floquet正常绝缘子相。这一工作拓宽了光致拓扑相变研究的目标材料范围，并有助于物质中电子态的光学操纵研究的发展。
