GaTa $_4$ Se $_8$属于多孔尖晶石族。尽管人们对它的一些新性质，如莫特绝缘体相和高压超导性等进行了深入的研究，但它的晶体结构仍然是一个谜。通过第一性原理计算研究了它的声子谱，并提出它很可能存在晶体结构的相变，这与一些实验观测结果相一致。对于立方对称的原型尖晶石结构，空间群为$F\bar{4}3m$，其声子谱在整个布里渊区具有三个软模，表明这种晶体结构具有很强的动力学不稳定性。为了找到动态稳定的晶体结构，进一步计算了GaTa $_4$ Se $_8$的两种新结构，分别对应于$R3m$和$P\bar{4}2_{1}m$，证实了在常压下，当温度降低时，GaTa $_4$ Se $_8$确实存在从$F\bar{4}3m$到其它结构的结构相变.我们还对$R3m$和$P\bar{4}2_{1}m$结构进行了电子结构计算，结果表明$P\bar{4}2_{1}m$结构GaTa $_4$ Se $_8$是带绝缘体，并在单带Hubbard模型下通过DMFT计算得到了当相互作用参数U大于0.40 eV vs.带宽为0.25 eV时，$R3m$结构的莫特绝缘体态.合理的假设是，在降低温度时，$F\bar{4}3m$结构GaTa $_4$ Se $_8$首先变为$R3m$结构GaTa $_4$ Se $_8$，然后变为$P\bar{4}2_{1}m$结构GaTa $_4$ Se $_8$，这是因为经过Jahn-Teller畸变后，$P\bar{4}2_{1}m$的对称性低于$R3m$。结构转变可以解释低温磁化率反常现象。
英文摘要：
GaTa$_4$Se$_8$ belongs to the lacunar spinel family. Its crystal structures is still a puzzle though there have been intensive studies on its novel properties, such as the Mott insulator phase and superconductivity under pressure. In this work, we investigate its phonon spectra through first-principle calculations and proposed it most probably has crystal structure phase transition, which is consistent with several experimental observations. For the prototype lacunar spinel with cubic symmetry of space group $F\bar{4}3m$, its phonon spectra have three soft modes in the whole Brillouin zone, indicating the strong dynamical instability of such crystal structure. In order to find the dynamically stable crystal structure, further calculations indicate two new structures of GaTa$_4$Se$_8$, corresponding to $R3m$ and $P\bar{4}2_{1}m$, verifying that at the ambient pressure, there does exist structure phase transition of GaTa$_4$Se$_8$ from $F\bar{4}3m$ to other structures when the temperature is lowered. We also performed electronic structure calculation for $R3m$ and $P\bar{4}2_{1}m$ structure, showing that $P\bar{4}2_{1}m$ structure GaTa$_4$Se$_8$ is band insulator, and obtained Mott insulator state for $R3m$ structure by DMFT calculation under single-band Hubbard model picture when interaction parameter U is larger than 0.40 eV vs. band width of 0.25 eV. It is reasonable to assume that while lowering the temperature, $F\bar{4}3m$ structure GaTa$_4$Se$_8$ becomes $R3m$ structure GaTa$_4$Se$_8$ first, then $P\bar{4}2_{1}m$ structure GaTa$_4$Se$_8$, because of the symmetry of $P\bar{4}2_{1}m$ is lower than $R3m$ after Jahn-Teller distortion. The structure transition may explain the magnetic susceptibility anomalous at low temperature.
Resistive switching induced by electronic avalanche breakdown in GaTa$_4$Se$_{8-x}$Te$_x$ narrow gap Mott Insulators
由强电场引起的Mott跃迁正受到越来越多的关注。最近的理论建议集中在莫特绝缘体的齐纳介质击穿，但实验研究仍然太少，得出结论的机制。在这里，我们报告的研究，在窄间隙莫特绝缘体GaTa $_4$ Se $_{8-x}$ Te $_x$的介电击穿。我们发现，I-V特性和阈值电场（E $_{th}$）的大小不对应于齐纳击穿，而是雪崩击穿。E $_{th}$随Mott Hubbard能隙（E $_g$）的幂律增加，与半导体雪崩击穿的普遍规律E $_{th}$ $\propto$ E $_g$ $^{2.5}$惊人地一致。然而，我们在莫特绝缘体中观察到的雪崩延迟时间比传统半导体长三个数量级以上。我们的研究结果表明，电场诱导局部绝缘体到金属莫特转变，产生导电域，其生长以形成贯穿样品的导电路径。
Crystal growth and electronic properties of a 3D Rashba material, BiTeI, with adjusted carrier concentrations
3D Rashba材料可以成为自旋相关新现象的主要参与者，从金属极端（非常规超导性）到传输中间体（自旋霍尔效应）再到新的绝缘变体（3D拓扑绝缘态）。作为这种3D Rashba材料的基础和应用研究的重要支柱，这项研究建立了候选化合物BiTeI的相当大的单晶的生长，并调整了载流子浓度。采用三种技术（标准垂直布里奇曼、改进的水平布里奇曼和蒸气传输），并通过所选技术成功地生长了具有从金属到绝缘的根本不同的电子状态的BiTeI晶体（> 1 * 1 * 0.2 mm 3）。通过相对论第一性原理计算，得到了BiTeI晶体中载流子浓度的三维Rashba电子态，包括费米面拓扑.
Novel electronic structure induced by a highly strained oxide interface with incommensurate crystal fields
用角分辨光电子能谱研究了错配氧化物Bi $_{2}$ Ba $_{1.3}$ K $_{0.6}$ Co $_{2.1}$ O $_{y}$，它由岩盐结构的[Bi O/BaO]层和六方CoO $_{2}$层交替组成.首次揭示了这种高应变氧化物界面的详细电子结构。我们发现，在两个无公度的晶场作用下，电子被限制在界面的两侧，并从另一侧受到晶场的umklapp散射。此外，岩盐层上的高应变提高了其化学势，并诱导大的电荷转移到CoO $_{2}$层。此外，还发现了一种新的界面效应，即界面上电子-声子相互作用的增强。这些电子性质的发现为设计未来的功能氧化物界面奠定了基础。
Crystal and electronic structure of the room temperature organometallic ferrimagnet V(TCNE)$_2$. Analysis of numerical DoS and magnetic properties as related to orbital and spin-Hamiltonian models
Combined single crystal polarized XAFS and XRD at high pressure: probing the interplay between lattice distortions and electronic order at multiple length scales in high $T_c$ cuprates
一些最奇特的材料特性来自于具有短相关长度（~10-500 μ m）的电子态，这表明局部结构对称性可能在它们的行为中起着相关的作用。在这里，我们讨论了在高压下结合使用偏振x射线吸收精细结构和x射线衍射作为一种强大的方法来调整和探测在多个长度尺度的结构和电子订单。除了解决一些与这些实验相关的技术挑战，我们说明了这种方法与铜氧化物La $_{1.875}$ Ba $_{0.125}$ CuO $_4$，其中电子顺序的压力的响应只能通过探测在相关的长度尺度的结构中获得的结果。
Can the electronic energy spectra of bulk excitonic states be traced to parent molecular states in fluorene and its hetero-analogues? It depends on the mutual orientation of the respective transition dipoles in the crystal
用透射电子光谱研究了芴和二苯并呋喃不同晶型分子中从吸收开始到电离能的能量范围内分子间相互作用对单个电子跃迁强度再分布的影响（从~4.0 eV到~9.0 eV -电子跃迁，跃迁偶极子与晶轴成斜角（A1对称））在这些晶体中类似于分子光谱。过渡的B2对称性，在这些晶体中有平行的过渡偶极子，类似于表面（基板影响）状态的分子光谱。对于体激子态的光谱，这些过渡具有连续的，均匀的强度分布在整个能量范围内的调查，除了的情况下，当B2过渡是吸收的发病。
Anisotropic superconductivity and unusually robust electronic critical field in single crystal La$_{7}$Ir$_{3}$
报道了多晶La $_{7}$ Ir $_{3}$显示超导性破坏时间反演对称性，同时也具有各向同性的$s$ -波隙。这种非中心对称超导体的单晶对于理解该系统中电子配对机制的性质是非常必要的。本文报道了用提拉法生长La $_{7}$ Ir $_{3}$高质量单晶。利用X射线、磁化强度、电阻率和热容测量研究了这些大晶体的结构和超导性质。我们观察到一个明确的各向异性，在较低和较高的临界磁场施加平行和垂直于六角$c$轴的磁场。我们还报告了一个强大的电子临界场的存在下，偏离从热容量，这是表面超导性的标志来自上临界场。
Main physical characteristics of crystal, magnetic and electronic structures of Ce3+-based perovskites CeTmO3 [Tm3+ = Sc, Ti, V] investigated via the first-principles computational utilizing LDA, PBE-GGA and WC-GGA functionals
Electronic Coupling between the Unoccupied States of the Organic and Inorganic Sub-Lattices of Methylammonium Lead Iodide a Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Single Crystal
Drastic changes of electronic structure and crystal chemistry upon oxidation of SnII2TiO4E2 into SnIV2TiO6: an ab initio study
从基于DFT的计算建立的能量-体积状态方程和电子局域化映射，电子结构和晶体化学的变化，从Sn 2 TiO 4到Sn 2 TiO 6的氧化是合理的，关键的影响是不稳定的二价锡II对四价状态SnIV导致金红石型Sn 2 TiO 6的实验观察。随后的电子结构变化突出显示在电子带隙的相对变化中，其从约1 eV增加到2.2eV，并且体积模量增加1.5倍，这归因于从共价SnII基化合物到更离子化的SnIV基化合物的变化。这种趋势也面临着黑色SnIIO的相关性能，其特征在于非常小的带隙。
Synthesis, crystal and electronic structures, and second harmonic generation of La 4Ge 3S12
Department of Material Science, Graduate School of Science, University of Hyogo（兵库县立大学物质科学研究生院理学研究科）；Institute of Laser Engineering, Osaka University（大阪大学激光工程研究所）
