Doping dependence of the chemical potential and surface electronic structure in YBa2Cu3O6+x and La2-xSrxCuO4 using hard x-ray photoemission spectroscopy
用硬X射线光电子能谱研究了不同x值的YBa_2Cu_3 O_（6 +x）和La_（2-x）Sr_xCuO_4的电子结构。实验结果表明，YBa 2Cu 3 O 6 +x化合物的裂解主要发生在BaCuO 3复合物中，导致在较高的x值带电的表面和在较低的x值不带电的表面。的核心级光谱的散装组件表现出的结合能作为一个函数的x，从其中的化学势作为一个函数的CuO 2层中的空穴浓度的偏移的偏移。从Mott-Hubbard绝缘体到类费米液体金属的过渡中的化学势的掺杂依赖性在这两个系列的化合物中是非常不同的。与文献中以前的研究一致，对于小空穴浓度，La 2-xSrxCuO 4中的化学势位移接近于零。在YBa_2Cu_3O_（6 +x）中，与迄今为止研究的所有其他掺杂铜酸盐类似，检测到低空穴掺杂时化学势的强烈偏移。然而，在小的x下的逆电荷磁化率的结果显示不同掺杂的铜酸盐之间的大的变化。结合各种理论模型对结果进行了讨论。这些模型都不令人满意。
2009-06-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Evolution of Nodal Band Renormalization in Bi2Sr2CuO6+d Superconductor Revealed by Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
用高分辨激光角分辨光电子能谱测量了Bi_2Sr_2CuO_（6 +d）超导体，覆盖了从重欠掺杂到重过掺杂的宽掺杂范围。在节色散中识别出两个明显的能量尺度：一个是众所周知的50-80 meV高能扭折，另一个是<10 meV低能扭折。高能扭折的能量尺度随着掺杂量的增加而单调增加，并表现出较弱的温度依赖性，而低能扭折则表现出非单调的掺杂依赖性，其耦合强度在低于Tc时急剧增强。这些系统的研究，这两个能量尺度的掺杂和温度依赖性有利于电子-声子相互作用的起源。指出了电子-声子耦合对理解高温铜氧化物超导体的物理性质和超导机制的重要性。
2013-05-27 cond-mat.supr-con
Doping-dependence of nodal quasiparticle properties in high-$T_{\rm c}$ cuprates studied by laser-excited angle-resolved photoemission spectroscopy
研究了d波超导体Bi $_{2.1}$ Sr $_{1.9}$ CaCu $_2$ O $_{8+δ}$（Bi 2212）中节状准粒子的掺杂依赖的低能低温（$T$ = 5 K）性质.利用高分辨激光激发角分辨光电子能谱，我们获得了准粒子在$E_{F}$附近的能带色散、平均自由程和散射率（$Γ$）。对于最佳和过掺杂，我们得到非常尖锐的准粒子峰的8 meV和6 meV的半峰全宽，分别符合太赫兹电导率。对于所有的掺杂水平，我们发现的能量依赖性的$Γ\sim |ω|$，而$Γ$（$ω=0$）显示从过掺杂到欠掺杂的单调增加。掺杂的依赖性表明在低温（5 K $\lsim 0.07T_{\rm c}$），显着的欠掺杂区域的节点准粒子散射的电子不均匀性的作用。
2007-10-16 cond-mat.supr-con
X-ray Irradiation-induced Carrier Doping Effects in Organic Dimer-Mott Insulators
我们报道了X射线辐照诱导载流子掺杂对有机二聚体-莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_{2}$ $X$ with $X =$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl和Cu $_{2}$（CN）$_{3}$电导率的影响。对于$κ$ -（ET）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl，我们已经观察到在300 K的辐照下电阻率大幅度降低了40%，并且在50 K左右具有类似金属的温度依赖性。在供体分子位点处预期的辐照诱导的缺陷可能导致晶体中电荷转移的局部不平衡。这种分子缺陷导致载流子有效地掺杂到半填充的二聚体-莫特绝缘体中。
2007-10-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge carrier correlation in the electron-doped t-J model
本文研究了电子掺杂高温超导体的t-t“-t”-J模型。一个，两个和四个载流子的模型求解32位晶格使用精确对角化。我们的研究结果表明，在掺杂水平高达x=0.125的模型具有强大的反铁磁相关。当掺杂有一个载流子时，基态具有动量（\pm π，0）和（0，\pm π）。在进一步掺杂时，载流子是未结合的，并且动量分布函数可以从单载流子基态的动量分布函数构造。费米面类似于单个载流子基态动量处的小口袋，这是轻掺杂反铁磁体的预期结果。这一特征在掺杂到我们实现的最大掺杂水平时仍然存在。因此，我们没有观察到费米表面改变形状的掺杂水平高达0.125。
2006-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping dependence of the $(π,π)$ shadow band in La-based cuprates studied by angle-resolved photoemission spectroscopy
用角分辨光电子能谱（ARPES）研究了镧系铜氧化物（La 214）中$(π,π)$阴影带（SB）在$x=0.01$ ~ $x=0.25$的宽掺杂范围内的变化.与基于Bi的铜酸盐家族的充分研究的情况不同，观察到在费米能级（$E_F$）处的SB强度的整体强的单调掺杂依赖性。与之前的报告相比，SB的存在仅接近$x=1/8$，我们发现它存在于一个很宽的掺杂范围内，与掺杂无关的$(π,π)$波矢量，但强烈的掺杂依赖强度：它是最强的$x\sim 0.03$和系统地减少，因为掺杂的增加，直到它变得可以忽略不计的过掺杂制度。该SB与所观察到的强度的掺杂依赖性原则上可以由反铁磁波动或已知在系统中持续到$x\sim 0.21$的特定形式的低温正交晶格畸变引起，两者都随着掺杂的增加而减弱。然而，一个详细的结合能依赖于SB在$x=0.07$的分析似乎不支持前一种解释，离开后者作为一个更合理的候选人，尽管在定量连接的SB强度和晶格畸变的大小的掺杂依赖性的挑战。我们的发现强调了一个仔细的和全球性的考虑固有的结构复杂性的必要性，正确理解的铜酸盐费米学及其微观含义。
2010-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping of a One-Dimensional Mott Insulator: Photoemision and Optical Studies of Sr$_2$CuO$_{3+δ}$
利用角分辨光电子能谱和光学光谱研究了一维单链莫特绝缘体SrPDMATHABMM CuO $_{3}$在半填充和通过高氧压生长向链中掺杂少量额外电荷的情况下的光谱特性。氧掺杂减小了单粒子的禁带宽度，但没有达到金属态.电荷转移带的带宽随着掺杂而增加，而状态变得更窄，允许在掺杂系统中明确观察分离的自旋子和holon分支。掺杂后的光学带隙没有改变，表明化学势的移动，而不是相关间隙的减少是负责的光电能隙的明显减少。
2004-03-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Monte Carlo study of an unconventional superconducting phase in Ir-oxide J_{eff}=1/2 Mott insulators induced by carrier doping
基于微观理论研究，我们表明，新的超导电性是由载流子掺杂在层状钙钛矿Ir氧化物中诱导的，其中强的自旋轨道耦合导致有效的总角动量J_{eff} =1/2莫特绝缘体。用变分蒙特卡罗方法，在正方晶格上的t_{2g}三轨道哈伯德模型的基态相图中发现了一个非常规超导态.这种超导状态的特征在于由J_{eff} =1/2 Kramers双重态形成的d_{x^2-y^2}波“赝自旋单线态”，因此包含t_{2g}电子的轨道间以及单线态和三线态分量。对于载流子掺杂的Sr_2IrO_4，发现只有电子掺杂才能稳定超导态，而空穴掺杂则不能稳定超导态。我们还研究了一个有效的单轨道哈伯德模型，讨论了它与高T_c铜氧化物超导体的相似性和多轨道效应。
2012-12-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hidden itinerant-spin phase in heavily-overdoped La2-xSrxCuO4 revealed by dilute Fe doping: A combined neutron scattering and angle-resolved photoemission study
我们用实验方法证明了一种直接的方法来探测在具有强费米面嵌套的非磁性金属中自旋密度波（SDW）形成的潜在倾向。用Fe取代微量Cu（1%），在20 K以下的温度下，在重过掺杂La 2-xSrxCuO 4（LSCO）中诱导出了无公度磁序.弹性中子散射表明，这种顺序不能归因于本地化的自旋铜或掺杂的铁。角分辨光电子能谱（ARPES），结合数值计算，揭示了一个强大的费米表面嵌套固有的原始LSCO可能驱动这个顺序。因此，重过掺杂的Fe掺杂的LSCO代表了铜酸盐长期寻求的“巡回自旋极端”的第一个合理的例子，其中巡回掺杂空穴的自旋定义了磁有序基态。这一发现补充了铜氧化物自旋物理的当前图片，突出了本地化的自旋在较低的掺杂的主导作用。所展示的一套方法可能适用于研究隐藏的密度波不稳定性的其他“嵌套”材料的边缘的密度波有序。
2011-08-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical probe of carrier doping by X-ray irradiation in organic dimer Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_{2}$Cu[N(CN)$_{2}]$Cl
研究了有机二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl在X射线辐照下的红外光谱。我们观察到，照射造成了一个大的光谱重量转移从中红外区域，在二聚体和莫特-哈伯德带的带间跃迁发生，德鲁德部分在低能量区域，这导致莫特间隙崩溃。Drude部分的增加表明载流子掺杂到莫特绝缘体中是由于辐照缺陷。光谱权重的强重新分布表明有机莫特绝缘体非常接近带宽控制的莫特跃迁的相边界。
2008-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Evolution of Nodal Electron Dynamics in Trilayer Cuprate Superconductor Bi$_2$Sr$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_{10+δ}$ Revealed by Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
利用高分辨率激光ARPES研究三层铜氧化物超导体Bi2223的节点电子动力学掺杂演化，发现内外层CuO2平面电荷分布差异随掺杂增加而增强，且能带扭折行为不同但费米速度恒定，为理解高温超导机制提供了重要信息。
2025-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Angle-resolved photoemission spectroscopy of electron-doped cuprate superconductors: Isotropic electron-phonon coupling
我们对电子掺杂的铜酸盐超导体Sm_（2-x）CexCuO_4（x=0.10，0.15，0.18），Nd_（2-x）CexCuO_4（x=0.15）和Eu_（2-x）CexCuO_4（x=0.15）进行了高分辨角分辨光电子能谱（ARPES）研究。由于电子-玻色子模耦合，电子去除自能的虚部呈现阶梯状特征。的阶梯状功能被视为沿节点和反节点的方向，但在50和70毫电子伏的能量，分别独立的掺杂和稀土元素。这样的能量尺度可以理解为是由于半呼吸和全呼吸模式声子的优先耦合，揭示了扭结结构的声子起源。从自能估计的电子-声子耦合常数λ与掺杂和动量大致无关。的各向同性性质的λ进行了讨论，在比较与空穴掺杂的情况下，存在一个强的各向异性。
2008-08-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge carrier drop at the onset of pseudogap behavior in the two-dimensional Hubbard model
我们发现，反铁磁自旋密度波秩序在二维哈伯德模型产生的载流子密度下降，在最近的运输测量中观察到的铜氧化物超导体在高磁场进入赝能隙制度。由动力学平均场论（DMFT）得到自旋密度波的振幅和（通常是无公度的）波矢。有限温度结果到零温度的外推在低于临界掺杂$p^*$的宽掺杂范围内产生磁隙$Δ(p) \propto p^*-p$的近似线性掺杂依赖性。磁序导致费米表面重建与电子和空穴口袋，其中电子口袋只存在于一个有限的掺杂范围低于$p^*$。直流电荷输运性质的计算相结合的重整化能带结构，从DMFT与掺杂无关的现象学散射率。在低于$p^*$的窄掺杂范围内，纵向电导率和霍尔数明显下降。
2020-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Relaxation of strongly coupled electron and phonon fields after photoemission and high-energy part of ARPES spectra of cuprates
我们考虑了铜氧化物高温超导体的光电子发射，同时考虑了强耦合场的联合弛豫：相关电子场和声子场。这种弛豫发生在具有占主导地位的长程电子-声子相互作用的系统中，在足够高的载流子浓度下，由于自定域和离域载流子的共存。提出了一种简单的方法来计算解析产生的ARPES谱的高能量的一部分。建议的方法产生所有的高能光谱特征，如高斯形状的宽带和垂直色散模式，在任何掺杂与两种类型的载流子的实验是在良好的定量协议。铜氧化物超导体中自定域和离域载流子的共存对于理解它们的输运和磁性是很重要的。大半径自定位载流子的存在可能有助于解释掺杂铜酸盐中的电荷有序性。
2017-05-05 cond-mat.supr-con
Angle-Resolved Photoemission from Cuprates with Static Stripes
在La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$（LBCO）中发现高温超导性（HTSC）25年后，HTSC继续在材料科学中提出一些最大的挑战。铜氧化物与传统超导体的根本区别在于，金属导电性和超导电性是通过将载流子掺杂到反铁磁有序关联绝缘体中而诱导的。在这样的系统中，正常状态预计将与朗道-费米液体（传统BCS超导理论的基础）完全不同。铜酸盐易受电荷/自旋有序趋势的影响，特别是在低掺杂状态下，这一事实使情况更加复杂。这种倾向对超导现象的作用仍然不完全清楚。在这里，我们目前的研究中的铜酸盐的电子结构的超导电性被强烈抑制的静态自旋和电荷的订单或条纹附近的掺杂水平的$x =1/8$和超导圆顶外，$x<0.055$的发展。我们讨论了这些材料中的条纹、超导电性、赝能隙和所观察到的电子激发之间的关系。
2013-03-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hard X-ray Cu $2p$ Core-Level Photoemission of High-$T_c$ Cuprate Superconductors
用硬X射线光电子能谱（HX-PES）对单层La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$、La掺杂Bi $_2$ Sr $_{1.6}$ La $_{0.4}$ CuO $_{6+δ}$（Bi 2201）和双层Bi $_2$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$（Bi 2212）高温超导体中Cu $2p$芯能级谱进行了详细的研究.我们鉴定了Cu $^{2+}$衍生的（i）Zhang-Rice单线态（ZRS）特征，（ii）$d^{n+1}\underline{L}$（配体屏蔽）特征，（iii）$d^{n}$卫星特征，以及主峰中空穴掺杂衍生的高结合能特征。在Bi基铜酸盐中，与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$相比，$d^{n}$卫星特征的强度似乎强烈增强。从X射线光子能量相关的测量，它表明，在卫星区域的强度增加与Bi $4s$核心水平的光谱强度。修正后的$d^{n}$卫星强度与Cu-O层的掺杂含量或层数无关。我们的研究结果表明，相关的ZRS功能和空穴掺杂引起的高结合能谱的主峰与超导电性的变化的相对强度。
2006-12-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier doping in Pr_{1+x}Ba_{2-x}Cu_3O_7 studied by NMR
用Pr和链位Cu的核磁共振研究了非超导Pr $_{1+x}$ Ba $_{2-x}$ Cu $_3$ O $_7$单晶中$_2$ -面掺杂的载流子类型。固溶体体系中的不同光谱表明，富Pr晶体中的空穴局域在与化学计量比样品中的空穴相似的状态，即Febrishbacher和Rice提出的$4f^2-2pπ$杂化带中。相反，在有利于富Ba相的条件下制备的晶体的光谱表明CuO $_2$平面中的张-赖斯单线态中存在空穴。我们的研究结果强烈支持的模型，最近报道的超导电性Pr 123-晶体是由于在不均匀的样品中的富Ba区域。
1998-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Universality of superconducting gaps in overdoped Ba0.3K0.7Fe2As2 observed by angle-resolved photoemission spectroscopy
我们对过掺杂Ba $_{0.3}$ K $_{0.7}$ Fe $_2$ As $_2$超导体（$T_c$ = 22 K）进行了角分辨光电子能谱研究。我们表明，超导（SC）的间隙在每个费米面（FS）是近各向同性的，而间隙值从4.4到7.9毫电子伏不同的FS。通过与欠掺杂和最佳掺杂的Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$的比较，我们发现在很宽的掺杂范围内（0.25 $\textyen leq$ $x$ $\textyen leq$ 0.7），每个FS上的带隙值与$T_c$几乎成比例。虽然FS体积和SC间隙的大小是强烈的掺杂依赖性，多个无节点的间隙通常可以拟合由一个单一的间隙函数假设配对到第二最近的邻居，表明具有$s_{\yenpm}$波对称性的短程配对状态的普遍性。
2011-01-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping dependence of the nonlinear Hall resistivity in electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4 \pm δ}$
本文系统研究电子掺杂铜氧化物PCCO薄膜中霍尔电阻率的非线性磁场依赖，发现负的$B^{3}$项在最佳掺杂附近最强，并借助双载流子模型揭示类电子载流子密度更高而类空穴载流子迁移率更大。
2024-10-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier-doping effect and anomalous transport properties in Ni-doped CeCoIn5 investigated by Hall resistivity measurements
College of Science, Ibaraki University（茨城大学理学部）；Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo（东京大学固体物理研究所）；Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料科学高等研究所）；Faculty of Education, Shinshu University（信州大学教育学部）
通过霍尔电阻测量研究了Ni掺杂对CeCoIn5中载流子密度和异常输运性质的影响，发现载流子密度随掺杂量增加线性增加，表明Ni掺杂作为电子掺杂剂，同时异常霍尔电阻在超导上临界场附近和超导转变温度以上低场区域显著增强，但Ni掺杂显著抑制了这种异常，探讨了可能的抑制原因。
2026-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous correlation effects and unique phase diagram of electron doped FeSe revealed by angle resolved photoemission spectroscopy
在FeSe衍生的超导体中，缺乏对载流子浓度的系统和干净的控制，阻碍了对相图和不同相之间的相互作用的全面理解。本文通过对FeSe厚膜和FeSe $_{0.93}$ S $_{0.07}$大块晶体的K掺杂和角分辨光电子能谱研究，建立了FeSe与电子掺杂关系的相图，这与其它铁基超导体有很大不同。相关强度显着增加掺杂，而绝缘相出现在重度过掺杂制度。在超导相和绝缘相之间，观察到一个增强的超导电性圆顶，其最高超导转变温度为44 $\pm$ 2 K。这种增强的超导电性与FeSe的厚度无关，表明它是FeSe本征的。我们的研究结果提供了一个理想的系统与可变掺杂理解不同的阶段和丰富的物理FeSe家庭。
2015-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-dimensional superconductivity induced by high-mobility carrier doping in LaTiO3/SrTiO3 hetero-structures
在这封信中，我们表明，超导二维电子气形成在LaTiO_3/SrTiO_3界面，其转变温度可以调制的背栅电压。气体由两种类型的载流子组成：大多数低迁移率的载流子总是存在的，和一些高迁移率的，可以通过静电掺杂注入。对电子在约束势中空间分布的计算表明，导致超导的高迁移率电子位于气体的边缘，其延伸可以通过场效应来调节。
2012-06-04 cond-mat.supr-con
Electronic Structure of Ce-Doped and -Undoped Nd$_2$CuO$_4$ Superconducting Thin Films Studied by Hard X-ray Photoemission and Soft X-ray Absorption Spectroscopy
为了在具有T '型结构的铜酸盐中实现超导电性，不仅需要化学取代（Ce掺杂），而且还需要生长后的还原退火。然而，在薄膜的情况下，没有Ce掺杂的精心设计的还原退火可以在T '型铜氧化物中诱导超导性。为了揭示不掺杂Ce的T '型铜氧化物超导电性的起源，我们对超导和非超导Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（$x=$ 0，0.15，0.19）薄膜进行了体敏硬X射线光电子能谱和软X射线吸收谱研究。通过生长后的退火处理，芯能级谱发生了显著的变化，这是由于CuO $_2$晶面的芯-孔屏蔽增强以及化学势随能带填充变化而发生的移动。结果表明，Nd $_2$ CuO $_4$超导薄膜中掺杂了电子，其电子态与Ce掺杂超导体的电子态相似。
2018-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Analysis of the spectral function of Nd1.85Ce0.15CuO4, obtained by angle resolved photoemission spectroscopy
用角分辨光电子能谱（ARPES）测量了Nd（2-x）Ce（x）CuO（4）的电子掺杂高温超导铜氧化物（HTSC）样品（x = 0.155时接近最佳掺杂）。我们报告的重整化功能的自能（“扭结”）在带色散在50 - 60毫电子伏目前在节点和反节点削减整个费米表面。具体地说，虽然以前只在波腹区域看到扭结，但现在在波节区域也观察到了扭结，这让人想起在空穴掺杂的铜氧化物中观察到的情况。
2008-08-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Manipulating charge-density-wave in $1T$-TaS$_{2}$ by charge carrier doping: A first-principles investigation
过渡金属二硫属化物（TMD）$1T$ $_{2}$具有丰富的电荷密度波（CDW）级.最近的研究表明，利用光或电场可以操纵公度（C）CDW基态。这种操纵被认为是由载流子掺杂决定的。本文用第一性原理计算方法模拟了$1T$中载流子掺杂对CCDW的影响。研究了电荷掺杂对$1T$结构的电子结构和声子不稳定性的影响，分析了电荷掺杂引起的CCDW结构的能量和畸变率的变化。我们发现，无论是在体相还是单层的$1T$ $_{2}$中，CCDW在电子掺杂时都是稳定的，而空穴掺杂可以显著抑制CCDW，这意味着这些报道的操纵的不同机制。光或正垂直电场诱导的空穴掺杂增加了CCDW的能量，使体系转变为NCCDW或类似的亚稳态。另一方面，即使CCDW畸变在平面电场诱导的电子注入时更稳定，一些伴随的效应也可以驱动系统从CCDW跨越能垒到近公度（NC）CDW或类似的亚稳态。我们还估计空穴掺杂可以引入潜在的超导电性，其$T_{c}$为$6\sim7$ K。在$1T$中可以实现CCDW/Mott绝缘态、金属态、甚至超导态等不同状态的可控切换，这使得该新型材料在未来电子器件中具有非常有前景的应用。
2016-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase diagram in 2D Fröhlich model of metal at arbitrary carrier density: pseudogap versus doping
结果表明，在具有最简单的间接玻色子诱导吸引（以爱因斯坦声子交换为例）的费米子二维系统中，伴随着正常相和超导相，出现了一个新的（称为“反常正常”或赝能隙）系统，其中的序参量的绝对值是有限的，但它的相位是一个随机量。重要的是，该新相实际上仅存在于低载流子密度下，即，当掺杂增加时，其收缩。推测了在高温超导体中赝能隙对掺杂的依赖性与所得结果的相关性。
1997-03-13 cond-mat.supr-con
Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy on Electronic Structure and Electron-Phonon Coupling in Cuprate Superconductors
本文综述了角分辨光电子能谱（ARPES）在铜氧化物超导体研究中的最新成果，特别是对电子-声子相互作用的研究。已经出现的是关于反常电子-声子相互作用的丰富信息，远远超出了该学科的传统观点。它表现出强烈的掺杂，动量和声子的对称性依赖，并表现出复杂的相互作用与强的电子-电子相互作用在这些材料。
2006-04-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap, Superconducting Gap, and Fermi Arc in High-Tc Cuprates Revealed by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
本文综述了高温铜氧化物超导体的角分辨光电子能谱（ARPES）研究，旨在阐明超导性、赝能隙和费米弧之间的关系。欠掺杂样品的ARPES研究表明，低于Tc的能隙偏离一个简单的d-波形的动量依赖性，这表明在超导状态下的多个能量尺度的共存。因此，引入了两种不同的能量尺度，即节点附近的能隙（以Δ_0为特征）和反节点区域中的能隙（以Δ ^* 为特征）。它们之间的二分法已被证明从材料，掺杂，和温度依赖的能隙。虽然在相同掺杂水平下的Δ T，max近似为材料无关的，但是Δ T，max的量值跟踪Δ T，max显示出强烈的材料依赖性。与节点附近的间隙相比，反节点间隙在Tc处不闭合，节点附近的间隙遵循更接近BCS样温度依赖性的东西。在费米弧的端点处定义了一个有效的超导能隙Delta_sc，它与各种材料的Tc成正比。
2012-03-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping evolution of the electronic structure in the single-layer cuprates Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+δ}$: Comparison with other single-layer cuprates
我们已经进行了角分辨光电子能谱和芯层X射线光电子能谱研究的单层铜酸盐Bi $_2$ Sr $_{2-x}$ La $_x$ CuO $_{6+δ}$（Bi 2201），并揭示了掺杂的电子结构的演变从轻掺杂到最佳掺杂区域。我们已经观察到的色散准粒子带的形成，费米“弧”的费米面的演变和化学势的移动与空穴掺杂在其他铜酸盐。Bi 2201中的掺杂演变类似于Ca $_{2-x}$ Na $_{x}$ CuO $_{2}$ Cl $_2$（Na-CCOC）中的掺杂演变，其中已经观察到朝向母绝缘体的较低哈伯德带的快速化学势偏移，但是与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$（LSCO）中的掺杂演变完全不同，其中化学势不偏移，而色散带和费米弧/表面已经在轻掺杂区中的费米能级周围形成。利用紧束缚拟合定量分析了费米面形状和能带色散，推导出的次近邻跳跃积分$t'$也证实了与Na-CCOC的相似性和与LSCO的不同.
2008-03-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropies in insulating La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$: angular resolved photoemission and optical absorption
由于晶格的正交畸变，沿$a$和$b$对角线（正交方向）的电子跳跃积分略有不同。我们在LDA中计算它们的差，并找到$t_{a}^{\prime}-t_{b}^{\prime}\approx 8 $ meV。我们认为La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$绝缘相中的电子关联，即. e.在掺杂时，$x\leq 0.055,$显著增强了$a$ -和$b$ -空穴谷之间的$(t_{a}^{\prime}-t_{b}^{\prime}) $ -分裂。特别是，我们预测的角度分辨光电发射和光吸收的强度是非常不同的$a$和$b$节点。
2007-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Orbital and Spin Character of Doped Carriers in Infinite-Layer Nickelates
最近在Nd $_{1-x}$ Sr $_{x}$ NiO $_2$中发现的超导电性引起了该领域的极大关注。一个关键的开放问题是关于空穴掺杂的电子结构的演变。在这里，我们利用X射线吸收光谱（XAS）和共振非弹性X射线散射（RIXS）探测掺杂依赖的NiO $_2$平面的电子结构。在掺杂时，除了主吸收峰之外，还在Ni $L_3$边缘XAS中形成更高能量的特征。通过比较我们的数据与包括$D_{4h}$晶体场的原子多重态计算，掺杂诱导的特征与$d^8$自旋单重态一致，其中掺杂空穴驻留在$d_{x^2-y^2}$轨道中，类似于掺杂的单带哈伯德模型。这进一步得到了RIXS光谱中观察到的轨道激发的支持，其在掺杂时软化，与$d_{x^2-y^2}$轨道中的空穴增加相关的费米能级位移相证实。
2020-11-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping n-type carriers by La-substitution for Ba in YBa_2Cu_3O_y system
到目前为止，还没有一种铜酸盐体系，其中可以掺杂n型和p型载流子而不改变晶体结构。为了研究同一结构下的电子-空穴对称性，我们尝试通过降低氧含量和用La ~（3+）离子取代Ba ~（2+）离子的方法在YBa_2Cu_3 O_y体系中掺杂n型载流子。用Y2 O3坩埚助熔剂法生长了掺La的YBa 2Cu 3 Oy单晶，证实La实际上替代了13%的Ba。通过在具有受控氧分压的气氛中退火晶体，氧含量y可以在6.21和6.95之间变化。发现室温下的面内电阻率rho_ab随着氧含量y的降低而增加，但有趣的是y的进一步降低导致rho_ab的降低。y = 6.21的最大还原样品在室温下显示出约30 mOhm cm的rho_ab，这比y = 6.32时的最大值小多达七个数量级。此外，发现y = 6.21样品的霍尔系数和塞贝克系数在室温下均为负。目前的研究结果表明，非掺杂莫特绝缘状态已被跨越后，减少y和n型载流子被成功地掺杂在这种材料。
2006-09-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Persistence of superconducting condensate far above the critical temperature in YBa$_2$(Cu,Zn)$_3$O$_y$ revealed by $c$-axis optical conductivity measurements for several Zn concentrations and carrier doping levels
利用YBa-$_{2}$（Cu $_{1-x}$ Zn $_{x}$）$_{3}$ O $_{y}$在不同掺杂水平（$p$）和不同Zn浓度下的$c$轴电导率，通过直接测量高温铜氧化物超导体的超导凝聚体，研究了高温铜氧化物超导体中的超导先驱现象.光学电导率的实部和虚部都清楚地表明，超导载流子持续到高于临界温度$T$ $_{c}$但低于赝能隙温度$T$ $^{\ast}$的高温$T$ $_{p}$。与$T$ $^{\ast}$一样，$T$ $_{p}$随着掺杂水平的降低而增加，但与$T$ $^{\ast}$不同，随着Zn取代而降低。
2014-03-17 cond-mat.supr-con
Universal features in the photoemission spectroscopy of high temperature superconductors
电子激发的能隙是超导态最重要的特征之一，因为它直接反映了电子的配对。在铜氧化物高温超导体（HTSC）中，强各向异性的能隙（沿高对称方向消失）是对的d波对称性的明显表现。然而，有一个显着的变化，在形式的间隙各向异性降低载流子浓度（欠掺杂）。虽然消失的间隙沿对角线的正方形的Cu-O键方向是强大的，掺杂的依赖性的大间隙沿Cu-O方向表明，它的起源可能是不同的配对。因此，人们很容易将大能隙与不同于超导性的二阶序参量联系起来。我们使用角分辨光电子能谱（ARPES）表明，两个间隙的行为，以及明确定义的电子激发的破坏，是不是HTSCs的普遍特征，并敏感地依赖于如何欠掺杂材料的制备。根据阳离子取代，欠掺杂的样品要么显示两个间隙的行为或没有。与此相反，高温超导体的许多其他特性，如Tc对掺杂的圆顶状依赖性，沿Cu-O键对角线的长寿命激发，在波腹处的能隙，（下面的费米面和（pi，0）-（pi，pi）线的交叉）随着掺杂单调减小，而在Tc以上持续（赝能隙）存在于所有样品中，而不管它们是否表现出双能隙行为。我们的结果意味着，高Tc超导性的普遍方面是相对不敏感的电子状态沿Cu-O键方向的差异。
2013-09-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disappearance of Superconductivity and a Concomitant Lifshitz Transition in Heavily-Overdoped Bi2Sr2CuO6 Superconductor Revealed by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
通过部分掺杂Pb有效地抑制了Bi_2Sr_2CuO_（6 +δ）（Pb-Bi_（2201））中的超结构，并在真空或高压氧气氛中退火，获得了一系列高质量的Pb-Bi_（2201）单晶，其Tc从17 K覆盖到过掺杂区无超导。高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES）测量进行这些样品的费米表面拓扑结构与掺杂在正常状态下的演变进行调查。在所有的过掺杂Pb-Bi 2201样品中都观察到了清晰完整的费米面，并对其进行了定量分析。当掺杂浓度为~0.35时，随着掺杂浓度的增加，观察到从类空穴费米面到类电子费米面的Lifshitz跃迁。这种转变与样品从超导到非超导状态的变化相一致。我们的研究结果揭示了一个电子的费米面的出现，并在重过掺杂的Bi 2201样品的Lifshitz转变的存在。它们为理解超导电性消失与过掺杂区的Lifshitz跃迁之间的联系提供了重要信息。
2019-01-01 cond-mat.supr-con
Doping dependence of the electron-doped cuprate superconductors from the antiferromagnetic properties of the Hubbard model
利用Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法研究了电子掺杂铜氧化物超导体的$t$ - $t'$-$t''$ - $U$模型的反铁磁性质.由于包含自旋涨落的AF阶随掺杂的降低比Hartree-Fock理论中获得的快得多。在中间{ \it常数} $U$下，计算的光谱强度的掺杂演变令人满意地再现了实验结果，而不需要如前所述的强烈掺杂依赖的$U$。这可能会调和在最近的研究中提出的光电发射和光电导率的差异。
2005-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The effect of Carrier Doping and Thickness on the Electronic Structures of La$3$Ni$2$O$7$ Thin Films
本文通过第一性原理计算，研究了厚度和载流子掺杂对La3Ni2O7薄膜电子结构的影响，发现最佳掺杂下Ni-dz2层间成键态金属化形成γ口袋，与ARPES实验定量吻合，为环境压力超导电性提供理论支持。
2025-03-26 cond-mat.supr-con
Magnetic and electrical properties and carrier doping effects on the Fe-based host compound Sr4Sc2Fe2As2O6
在高压条件下将额外的载流子引入到铁氧砷化物Sr 4Sc 2Fe 2As 2 O 6中，随后测量电阻率、霍尔系数和磁化率。主体化合物Sr 4Sc 2Fe 2As 2 O 6显示金属导电性低至~200 K，并转而显示类似于超导的导电性，伴随着正的磁阻（在70 kOe时为22%）。虽然载流子密度在300 K（5.9 × 1021 cm-3）与其他铁基超导体相当，但在2 K以下没有超导性。这主要是因为净载流子密度在冷却时降低超过3个数量级，另外在~120 K时可能的磁序阻止载流子配对。通过引入额外的载体，性质发生了很大的变化。
2010-12-03 cond-mat.supr-con
Electronic band structure and momentum dependence of the superconducting gap in (Ca, Na)Fe2As2 from angle-resolved photoemission spectroscopy
用角分辨光电子能谱（ARPES）测定了新合成的掺钠砷化钙铁单晶的电子结构，其Tc范围为33 ~ 14 K。测量的能带色散与理论计算基本一致，但意味着在反铁磁矢量处没有费米面嵌套。不同掺杂水平的样品在低于Tc的温度下都出现了明显的超导能隙。最佳掺杂的BCS比$2Δ/k_{\rm B}T_{\rm c}=5.5$远小于相关化合物的数值，这意味着砷化铁中电子色散和超导能隙之间存在着非平凡的关系。
2012-11-19 cond-mat.supr-con
Enhanced superconductivity by strain and carrier-doping in borophene: A first principles prediction
我们通过第一性原理计算预测最近制备的硼化物是一个原始的二维（2D）单层超导体，其中的超导电性可以通过应变和载流子掺杂显著增强。本征金属基态在费米能级处具有高的态密度，费米面嵌套强，导致了相当大的电子-声子耦合，使$T_c$的自支撑硼化物超导体在接近19.0 K的温度下成为超导体。拉伸应变可使$T_c$提高到27.4 K，而空穴掺杂可使$T_c$显著提高到34.8 K。结果表明，在大晶格参数的衬底上生长的硼化物或在光激发下生长的硼化物在液氢温度（20.3K）以上都能表现出高的超导性，其超导性比在室温下的高出$T_c$多得多，这将极大地拓宽这种新型材料的应用。
2016-04-22 cond-mat.supr-con
Local transformation of the Electronic Structure and Generation of Free Carriers in Cuprates and Ferropnictides under Heterovalent and Isovalent Doping
我们以前已经表明，在超导圆顶内的掺杂剂浓度下观察到的铜酸盐和铁磷属元素化物的超导特性中的大多数异常，以及圆顶在相图中的位置，不需要了解它们的电子结构的细节来解释，而是可以在描述超导相的团簇结构的简单模型的框架内高精度地理解和计算。这一事实表明，形成我们对HTSC理解的范式发生了变化。在本文中，我们提出了一个统一的观点上的转换的电子结构的铜酸盐和铁磷族化合物上的异价和等价掺杂，掺杂载流子的自定位的假设的基础上。在该表示中，在最初具有不同电子结构（莫特绝缘体和半金属）的未掺杂的铜酸盐和铁磷族化合物中，局部掺杂形成具有自掺杂激子绝缘体的相同电子结构的渗滤簇，其中实现了超导配对的特定机制，这在这样的系统中是遗传固有的。所提出的模型包括一个机制，用于产生额外的自由载流子下的异价和等价掺杂，并使其能够预测其符号，这在一般情况下，不符合掺杂载流子的符号。
2022-05-25 cond-mat.supr-con
Characteristic electronic structure and its doping evolution in lightly-doped to underdoped YBa2Cu3Oy
我们进行了角度分辨光电子能谱（ARPES）的研究轻掺杂欠掺杂的YBa_2Cu_3O_y（YBCO）非孪晶单晶和芯级的X射线光电子能谱（XPS）的研究YBCO单晶和多晶。在区域对角线（节点）方向上，观察到色散准粒子（QP）的功能，跨越费米能级的空穴浓度~ 4%，这解释了轻掺杂的YBCO的金属输运。从XPS估计的化学势移动比Bi 2212铜酸盐更快。在空穴掺杂时，观察到从高结合能到QP特征的非常快速的光谱重量转移，甚至比La 2-xSrxCuO 4更快。
2010-02-03 cond-mat.supr-con
Superconductivity in La1-xCexOBiSSe: carrier doping by mixed valence of Ce ions
我们报道了Ce取代对层状铋硫族化合物La 1-xCexOBiSSe（x = 0-0.9）的结构、电子和磁性的影响。金属导电性观察x > 0.1，因为电子载流子诱导的混合价的Ce离子，揭示了通过键价和计算和磁化强度测量。当x = 0.2-0.6时，样品的电阻率为零，抗磁化率为零，表明这些化合物中出现了体超导电性。最高转变温度（Tc）为3.1 K，略低于掺F的LaOBiSSe（Tc = 3.7 K）。本研究清楚地表明，混合价态的铈离子可以被用作层状铋硫族化合物中的电子掺杂诱导超导电性的替代方法。
2018-06-06 cond-mat.supr-con
Microscopic Evidence for Evolution of Superconductivity by Effective Carrier Doping in Boron-doped Diamond:11B-NMR study
用~（11）B-NMR研究了掺硼金刚石在异质外延生长的（111）和（100）薄膜上的超导电性。~（11）B-NMR谱表明，所有薄膜的B（1）位为单占据，B（2）位为硼+氢（B+H）络合物。结果表明，B（1）位取代引入的有效载流子是超导的主要原因，而电荷中性的B（2）位不能有效地提供载流子。这一结果也被1/T1 T测量的态密度所证实，表明超导电性的演化是由B（1）位取代引入的有效载流子所驱动的。
2006-12-06 cond-mat.supr-con
Doping dependence and electron-boson coupling in the ultrafast relaxation of hot electron populations in Ba(Fe_{1-x}Co_x)_2As_2
利用飞秒时间和角度分辨光电子能谱研究了Ba（Fe_{1-x} Co_x）_2As_2中电子掺杂对电子动力学的影响。通过分析泵浦激光激发态布居的光电子强度随时间的变化，发现0 < E-E_F <0.2eV的弛豫时间与掺杂有关，最佳掺杂比过掺杂和母体化合物的弛豫时间短约100 fs。弛豫速率的分析还揭示了在E-E_F = 200 meV处弛豫时间中存在一个依赖于泵浦注量的台阶，我们用激发电子系统与该能量的玻色子的耦合来解释。我们比较我们的结果与静态ARPES和运输测量，并发现关于掺杂的依赖性的分歧和协议，分别。我们讨论了电子-玻色子耦合对能量依赖弛豫的影响，并将玻色子的起源归因于磁激发。
2016-05-17 cond-mat.supr-con
Bands, spin fluctuations and traces of Fermi surfaces in angle-resolved photoemission intensities for high-$T_C$ cuprates
计算了纯的和空穴掺杂的$_2$ $_4$的能带结构，并与反铁磁自旋涨落谱进行了比较.结果表明，共存的费米面（FS）弧和封闭的FS口袋的观察是一致的调制AFM自旋波动的不同波长。在低掺杂下，强自旋涨落的大变化使得FS断裂的外部扩散。当自旋涨落较弱时，这部分FS在高掺杂下被抑制。由此产生的叠加光谱权重具有来自FS弧和闭合口袋的特征。的ARPES，中子散射的结果之间的连接，和带的调制AFM自旋波状态的结果，表明自旋-声子耦合是一个重要的机制%pseudogap和其他属性的铜酸盐。
2011-08-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Absence of Superconductivity in the "hole-doped" Fe pnictide Ba(Fe$_{1-x}$Mn$_{x}$)$_{2}$As$_{2}$: Photoemission and X-ray Absorption Spectroscopy Studies
本文用光电子能谱和X射线吸收谱研究了Ba（Fe $_{1-x}$ Mn $_{x}$）$_{2}$ As $_{2}$（$x$ =0.08）的电子结构。随着温度的降低，从顺磁相到反铁磁相的转变，清楚地观察到角分辨光电子能谱。XAS结果表明，取代的Mn原子形成了强杂化基态。Mn $L_{3}$边缘的共振光电子能谱表明Mn的3d部分态密度分布在费米能级以下2-13 eV的宽能量范围内（$E_F$），在$E_F$附近贡献很小.这表明，尽管Mn 3d As $4p$杂化很强，但掺杂Mn 3 $d$态仍是局域化的，并由于原位库仑和交换相互作用而分裂成占据和未占据的部分. Ba（Fe $_{1-x}$ Mn $_{x}$）$_{2}$ As $_{2}$中不存在超导电性可以归因于FeAs平面中不存在载流子掺杂，以及Mn杂质对反铁磁有序的强稳定性。
2013-07-31 cond-mat.supr-con
Anomalous carrier density independent superconductivity in iron pnictides
通过调节载流子掺杂、压力、键角等参数，可以在铜酸盐和铁基体系中观察到圆顶形的超导相图（TM = Co，Ni）掺杂可使Ca_（0.94）La_（0.06）Fe_（2As）_2在35 K附近产生高温超导，其在固有自旋密度波/反铁磁性（SDW/AFM）状态的完全抑制之前突然出现。出乎意料的是，高Tc超导性的起始临界温度对于宽范围的TM掺杂保持恒定。可能的外在因素，如相分离，化学不均匀性，和载流子抵消效应都被排除在外。这种与载流子密度无关的反常超导现象与La_（2-x）Sr_xCuO_（4-La_2CuO_（4））双层膜系统中的界面超导现象非常相似。进一步验证二维（2D）超导性的Tinkham的角依赖临界场模型，以及由角度分辨的磁阻测量共同支持的界面效应诱导的高Tc超导性的想法。
2016-04-11 cond-mat.supr-con
Distribution function of charge carriers in electron-phonon systems with spontaneously broken translational symmetry and 'vertical dispersion' in ARPES spectra of cuprates
我们发现，自发破缺的平移对称性（SBTS）的强相互作用的电子和声子领域承认在轻掺杂铜酸盐解释宽带在其ARPES和光导光谱的影响，载流子分布函数的载流子动量不再是一定的。我们开发了合适的分布，并使用它来计算不同状态下的载流子浓度在本质上掺杂系统与SBTS。这使得研究掺杂和温度演变的ARPES光谱的这种系统。我们发现，在增加温度或掺杂极化子承认占主导地位的双极化子，导致在移动的宽带最大值更高的结合能，因为它发生在ARPES光谱的铜酸盐。在进一步掺杂离域载流子出现，并与双极化子共存。我们发现，系统的密切性质与SBTS是分割的动量空间之间的自定域和离域载流子的泡利不相容规则。我们表明，在ARPES光谱这种分区表现为“垂直分散”或瀑布普遍观察到的所有铜酸盐在基本掺杂和未掺杂的母体化合物。因此，研究电子-声子相互作用破坏平移对称性的系统中的载流子分布，同时导致在显著掺杂和未掺杂的铜酸盐中观察到两种类型的瀑布。本文还介绍了用相干态计算双极化子光解离引起的ARPES谱带和双极化子结合能和半径的方法。
2014-05-03 cond-mat.supr-con
Metallic states in Pb$_{10}$(PO$_4$)$_6$O induced by the Cu/O-insertions and carrier doping
基于密度泛函理论研究发现，Cu/O插入及载流子掺杂可使Pb$_{10}$(PO$_4$)$_6$O金属化，且导电主要沿c轴一维Cu-O链，并呈现类似铜酸盐超导体的特征。
2023-08-13 cond-mat.supr-con
On temperature versus doping phase diagram of high critiical temperature superconductors
本文试图描述高$T_{c}$超导体的临界温度与载流子密度的钟形关系。它的线性增加，在该区域的小密度（欠掺杂制度），提出解释的作用，序参量相二维波动，在这个密度增长变得更少。大载流子密度区域（过掺杂区域）的临界温度抑制与长波玻色子的基本阻尼的出现（由于掺杂）有关，长波玻色子在所提出的模型的框架中定义了间接干涉费米子吸引的机制。
1998-03-02 cond-mat.supr-con
Crossover from superfluidity to superconductivity in a system with doping dependent attraction
研究了二维系统在s波和d波配对通道中随载流子密度增加从超流性到超导电性的零温度过渡。假设粒子吸引相关长度依赖于载流子密度$n_f$为$r_0\sim1/\sqrt{n_f}$。这种依赖性被实验发现的磁关联半径在$La_{2-x}Sr_xCuO_4$。短程库仑排斥也被考虑在内。它示出的行为与掺杂的系统是从根本上不同的情况下与$r_0(n_f)=const$。特别是，类似于d波的情况下，交叉在s通道发生，只有当耦合是较大的一些最小值，否则库珀配对的情况下发生在任何小的载波密度。讨论了该模型与高温超导体的相关性。
2002-03-22 cond-mat.supr-con
Pinned Balseiro-Falicov Model of Tunneling and Photoemission in the Cuprates
Bi_2Sr_2CaCu_2O_8的隧穿能隙从欠掺杂铜氧化物的赝能隙态到最佳掺杂和过掺杂的超导态的平滑演化，被解释为赝能隙是由前驱体配对引起的证据。我们提出了另一种解释，即平滑度反映了布里渊区（N = 3，4，5或6）的（pi，0）点附近隐藏的SO（N）对称性。由于这种对称性，赝能隙实际上可能是由于许多嵌套不稳定性中的任何一种，包括电荷或自旋密度波或更奇异的相位。我们提出了一个详细的分析，这种竞争的一个特定的模型：钉扎Balseiro Falicov模型的竞争电荷密度波和（s波）超导性。我们发现，大多数的隧道效应和光电效应的异常特征自然遵循的模型，包括平滑的交叉，一般形状的赝能隙相图，缩小费米表面的赝能隙相，和隧道间隙的不对称远离最佳掺杂。低于T_c时，在Δ_1处的尖峰和在2 Δ_1附近的隧穿和光电发射中看到的凹陷不能用这个模型详细描述，但我们提出了一个简单的概括来解释不均匀性，这确实提供了足够的描述。我们表明，它应该是可能的，与光电发射和隧穿的组合，以证明费米能级的范霍夫奇点钉扎的程度。初步分析的数据表明钉扎在欠掺杂，但不是在过掺杂制度。
1998-07-04 cond-mat.supr-con
Competition between phonon mediated superconductivity and carriers localization in field-effect doped molybdenum dichalcogenides
超导电性发生在电化学掺杂的二硫属钼样品厚于四层。虽然临界温度（Tc）强烈依赖于场效应几何形状（单或双栅极）和样品（MoS 2或MoSe 2），但Tc总是在高掺杂下饱和。配对机制和复杂的依赖Tc掺杂，样品和场效应几何形状目前还不清楚。以前的理论工作假设均匀掺杂的单层和归因于Tc饱和的电荷密度波的不稳定性，但是在谐波近似的电子-声子耦合的计算值是一个数量级大于实验估计的基础上的传输数据。在这里，通过执行完全相对论性第一性原理计算占样品厚度，场效应几何形状和非谐性，我们排除了发生的电荷密度波在实验掺杂范围内，并表现出抑制的一个数量级的电子-声子耦合，现在在良好的协议与运输数据。通过求解各向异性Migdal-Eliashberg方程，我们解释了Tc在不同系统和几何结构中的行为。从迁移率数据的分析，我们提出的Tc饱和是由于载流子的本地化和无序。
2022-09-05 cond-mat.supr-con
