InAs nanowire with epitaxial aluminium as a single-electron transistor with fixed tunnel barriers
我们报告的单电子晶体管的制造使用InAs纳米线与外延铝与固定的隧道势垒的氧化铝。该器件表现出硬超导能隙诱导的接近铝盖壳，它们表现为金属单电子晶体管。与半导体器件中典型的几个通道接触相比，我们的方法形成了半导体导线的不透明多通道接触，从而提供了一种研究它们的补充方法。此外，我们证实，不需要的额外的量子点可以出现在纳米线的表面。它们的存在是防止在我们的设备，也通过插入之间的InAs和铝，后者是适合于标准的测量方法的GaAs的保护层。
2016-11-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Quantum Interference Effects in InAs Semiconductor Nanowires
我们报道了与超导电极强耦合的InAs半导体纳米线的量子干涉效应。在正常状态下，普遍的电导波动作为磁场，温度，偏压和栅极电压的函数进行了研究。结果被发现是在良好的协议与弱无序一维导体的理论预测。在超导状态下，波动幅度增强了一个因素高达~ 1.6，这是由于通过Andreev反射的电荷传输的两倍。在4.2 K的温度下，电导波动几乎完全被抑制，纳米线电导表现出以e^{2}/h为步长的反常量子化。
2007-12-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Imaging a 1-electron InAs quantum dot in an InAs/InP nanowire
纳米线异质结构定义了用于纳米电子学、自旋电子学和量子信息处理的高质量少电子量子点。我们使用一个冷却的扫描探针显微镜（SPM）的图像和控制的InAs/InP纳米线中的InAs量子点，使用的尖端作为一个可移动的栅极。在T = 4.2 K时，点电导与尖端位置的图像显示，随着电子的加入，从第一个电子开始，形成同心环。SPM可以沿着纳米线定位点，并单独调整其电荷，这种能力对于控制耦合的纳米线点非常有用。
2008-02-21 cond-mat.mes-hall
Fully in-situ InAs nanowire Josephson junctions by selective-area growth and shadow evaporation
采用一种特殊的超导电极阴影蒸镀工艺，原位制备了基于InAs半导体纳米线和Nb超导电极的约瑟夫森结。与其他金属超导体如Al相比，Nb具有更大的超导能隙的优点，这允许在更高的温度和磁场下操作。我们的结是通过在两个相邻的倾斜Si（111）面上选择性生长的InAs纳米线对上阴影蒸发Nb来制造的，并且彼此以很小的距离交叉。相对于沉积源的上部线充当确定下部纳米线上的超导电极的间隙的荫罩。电子显微镜测量表明，完全原位制备方法给出了一个干净的InAs/Nb界面。在电流-电压特性曲线中观察到明显的约瑟夫森超电流，并可通过底栅进行控制。0.68的过量电流表示高的结透明度。在微波辐射下，观察到明显的整数夏皮罗台阶，表明正弦电流-相位关系。由于Nb的临界场很大，在超过1 T的磁场下仍能维持约瑟夫森超导电流。我们的研究结果表明，原位制备的Nb/InAs纳米线接触是非常有趣的候选人超导量子线路需要大磁场。
2020-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Mesoscopic conductance fluctuations in InAs nanowire-based SNS junctions
本文报道了超导/正常/超导（SNS）器件Nb/InAs-纳米线/Nb中介观电导涨落的系统实验研究。这些波动远远超过它们在正常状态下的值，并且即使在低温状态下也强烈依赖于温度。这种依赖性归因于高灵敏度的完美的导电通道的失相和SNS波动，从而提供了一个敏感的探针的失相在正常的运输无法检测到它的政权。此外，电导波动是强烈的非线性偏置电压和揭示子间隙结构。实验结果定性解释的多重Andreev反射在混沌量子点与不完美的接触。
2009-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Doppler Shift in Andreev Reflection from a Moving Superconducting Condensate in Nb/InAs Josephson Junctions
我们研究了窄弹道约瑟夫森弱链接中的InAs量子阱接触Nb电极，并发现一个戏剧性的磁场抑制的Andreev反射振幅，即使发生在平面内的场取向基本上没有磁通量通过结。我们的观察表明，在安德烈耶夫能级的能量，这是由于在混合Nb/InAs银行的抗磁屏蔽电流的多普勒频移的存在。电导，过剩和临界电流的数据可以一致地解释在样品的几何形状和麦克米伦能量，表征Nb/InAs界面的透明度。
2009-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Nonequilibrium ac Josephson effect in mesoscopic Nb-InAs-Nb junctions
微波辐照的Nb-InAs-Nb结揭示了倍频约瑟夫森电流持续到高温，在没有临界电流。一个非平衡动力学模型，依赖于时间的Andreev束缚态的基础上，成功地占所得的半整数夏皮罗步骤和零偏置附近的电导增强。
1999-01-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Supercurrent in Nb/InAs-Nanowire/Nb Josephson junctions
我们报道了平面介观约瑟夫森结的制备和测量，该结由InAs纳米线耦合到超导Nb终端形成。使用具有不同体载流子浓度的Si掺杂的InAs纳米线允许调整结的性质。我们研究了结特性作为温度，栅电压和磁场的函数。在高掺杂浓度的纳米线结中，约瑟夫森超电流值可达100 nA，由于采用Nb作为超导体，约瑟夫森耦合在4K温度下仍能保持。在所有的结中，临界电流随磁场单调下降，这可以用最近发展的超小约瑟夫森结邻近效应的理论模型来解释。对于低掺杂的约瑟夫森结，通过改变栅电压来控制临界电流已被证明。我们研究了纳米线耦合到超导和正常的金属终端的电导波动。超导接触纳米线的电导波动幅度约为接触纳米线的6倍。电导涨落的增强归因于相位相干Andreev反射以及由于Nb电极的大超导能隙而产生的大量相位相干通道。
2012-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Josephson current in ballistic Nb/InAs/Nb highly transmissive junctions
高透射弹道结被证明之间的Nb和二维电子气形成在InAs/AlSb异质结。一个可重复的制造协议产生高临界超电流值。电流-电压特性测量到0.4 K和所观察到的超电流的行为进行了分析，在一个弹道模型中的清洁限制。这项调查使我们能够证明一个内在的界面transmittance接近90%。的制造协议的可重复性，使它的兴趣的InAs为基础的超导体半导体混合器件的实验研究。
2002-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Electronic comparison of InAs wurtzite and zincblende phases using nanowire transistors
我们比较了使用名义上直径相同的单根纯纤锌矿和纯闪锌矿InAs纳米线制成的纳米线场效应晶体管的电子特性。我们比较了这些器件的传输特性和场效应迁移率与温度的关系，以更好地了解InAs相的差异如何控制纳米线晶体管的电子特性。
2013-06-18 cond-mat.mes-hall
Pb/InAs nanowire Josephson junction with high critical current and magnetic flux focusing
我们研究了由高掺杂$n$的InAs纳米线和超导Ti/Pb源漏引线形成的介观约瑟夫森结。通过改变温度和外加面外磁场，研究了系统的电流-电压特性。Pb电极的超导性持续到$ \sim 7$ K，磁场值高达0.4 T。约瑟夫森耦合在零背栅电压观察到高达4.5 K和临界电流被测得高达615 nA。作为磁场的函数的超电流抑制揭示了衍射图案，该衍射图案由形成结的超导电极提供的强磁通量聚焦来解释。
2015-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Microwave spectroscopy of Andreev states in InAs nanowire-based hybrid junctions using a flip-chip layout
基于半导体纳米线的约瑟夫森结是用于电可调量子位结构（例如门控子或Andreev量子位）的潜在构建块。然而，一个实际的实现需要彻底调查的内在激发光谱。在这里，我们展示了低损耗超导微波电路的制造，结合高品质因数与良好的控制栅极架构，利用倒装芯片的方法。利用该平台对原位生长的InAs/Al核/半壳纳米线的Andreev态进行了单色调和双色调实验，并利用荫罩定义的约瑟夫森结对Andreev态进行了测量。在门控和磁通偏置光谱测量中，我们发现了由光子吸收介导的离散Andreev束缚态之间的单个准粒子和准粒子对跃迁的清晰特征。我们的实验结果支持模拟表明，该结驻留在中间通道长度制度。
2021-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
InAs nanowire hot-electron Josephson transistor
在超导体（S）-正常金属（N）结处，配对相关性可以“泄漏”到N区域中。这种邻近效应[1，2]改变了系统的传输特性，并可能导致SNS结中的超电流[3]。最近的实验工作表明，半导体纳米线（NW）作为纳米级器件的构建块的潜力[4-7]，也与超导元件[8-12]相结合。在这里，我们展示了一个InAs NW约瑟夫森晶体管，其中超电流是由热准粒子注入正常金属电极控制。工作原理是基于NW电子能量分布的修改[13-20]，可以产生降低的耗散和高开关速度。我们将认为，利用异质结构半导体纳米线的这一原则开辟了一条道路，以主机的平衡混合纳米器件的概念[7，21]。
2010-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
InAs/MoRe hybrid semiconductor/superconductor nanowire devices
实现能够在强磁场存在下在半导体中邻近诱导大能隙的超导体是半导体/超导体混合材料在未来量子信息技术中应用的主要目标。在这里，我们研究的性能组成的InAs纳米线的电接触的铼-铼（MoRe）超导合金的设备。MoRe薄膜的相变温度约为10 K，临界磁场超过6 T.正常/超导体设备使隧道光谱的相应的诱导超导性，这是保持高达~10 K，和MoRe的约瑟夫森设备表现出超电流和多个Andreev反射。我们确定了一个诱导的超导能隙低于预期的转变温度，并观察在有限的磁场间隙软化。这些可能是基于大间隙II型超导体的混合体的共同特征。这些结果鼓励进一步开发基于MORE的混合动力车。
2022-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
InAs nanowire superconducting tunnel junctions: spectroscopy, thermometry and nanorefrigeration
我们展示了一种原始的方法-基于受控氧化-在超导Al储层和InAs半导体纳米线之间创建高质量的隧道结。我们显示干净的隧道特性与电流抑制超过$4$数量级的结偏压低于铝间隙$Δ_0 \approx 200\,μ{\rm eV}$。实验数据与超导隧道结的BCS理论预期非常一致。所研究的器件结合了作为温度计工作的小规模隧道接触以及提供纳米线中的电子分布的原理验证有源{ \em冷却}的较大电极。在我们的原型装置中，在浴温度$T_{bath}\approx250-350\,{\rm mK}$下实现了约$δT = 10\,{\rm mK}$的峰值制冷。该方法为研究半导体纳米结构中的热电效应和纳米制冷开辟了重要的前景。
2016-11-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Raman sensitivity to crystal structure in InAs nanowires
我们报告了电子透射和拉曼光谱相结合的研究InAs纳米线。我们表明，光学声子能量的温度依赖性行为可以用来确定在InAs纳米线的相对纤锌矿分数。此外，我们建议，锌钛矿和纤锌矿相之间的界面应变沿导线的长度体现在声子线宽的温度演化。从这些研究中，温度依赖拉曼测量出现了一种非侵入性的方法来研究这种纳米线的多型性。
2011-12-24 cond-mat.mes-hall
Superconducting bistability in floating Al islands of hybrid Al/InAs nanowires
本文通过实验与数值计算研究全壳 Al/InAs 纳米线浮置 Al 岛的电流驱动超导—正常转变，揭示电压跳变、磁抑制滞后及低能非平衡修正导致的双稳性，并证明双温模型失效。
2025-09-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Topological energy gaps in the [111]-oriented InAs/GaSb and GaSb/InAs core-shell nanowires
采用$8\times 8$ Luttinger-Kohn $\vec{k}\cdot\vec{p}$哈密顿量对[111]取向的InAs/GaSb和GaSb/InAs核壳纳米线进行了研究，以寻找电子和空穴反转带之间的非零基本能隙。我们重点研究了拓扑非平凡的基本能隙、杂化能隙和有效能隙随纳米线核半径和壳层厚度的变化。所有能隙随结构参数的变化都主要受量子尺寸效应的影响。当核半径固定时，拓扑非平凡的基本能隙只存在于中间壳层厚度处。GaSb/InAs核壳纳米线的最大禁带宽度为$\sim 4.4$ meV，InAs/GaSb核壳纳米线的最大禁带宽度为$\sim 3.5$ meV，而GaSb/InAs核壳纳米线的最大禁带宽度在更宽的几何参数范围内保持不变。这两种纳米线之间存在差异的内在原因是，在壳层中，InAs的类电子态比GaSb的类空穴态更离域，而在芯层中，GaSb的类空穴态比InAs的类电子态更离域，这两种特征都有利于更强的电子-空穴杂化。由于在其他材料的纳米线中也发现了类似的电子态和空穴态的特征，因此将类空穴态置于核中，而将类电子态置于核壳纳米线的壳中可以作为一个共同的规则，以获得更好的拓扑性质。
2016-03-03 cond-mat.mes-hall
Pauli spin-blockade in an InAs nanowire double quantum dot
我们测量了有限偏压下通过InAs纳米线中顶栅形成的双量子点的输运。泡利自旋波卡德被证实与几个电子在点。这是预期的，因为InAs中的小交换相互作用和大的单重态-三重态分裂，这可以通过栅极电压来测量和调节。
2007-09-20 cond-mat.mes-hall
Ultrafast photocurrents and THz generation in single InAs-nanowires
为了澄清发生在单个InAs纳米线为基础的电路中的不同的光电流机制的超快时间相互作用，利用基于共面带状线的片上光电流泵浦-探测光谱。解释的光热电电流和运输的光生空穴的电极作为主导的超快光电流的贡献方面的数据。此外，它表明，太赫兹辐射产生的光激发的InAs纳米线，这是解释在一个占主导地位的光致伸缩效应。结果是相关的基于石英的光电和光伏应用以及基于石英的太赫兹源的设计。
2015-02-12 cond-mat.mes-hall
Epitaxial aluminum contacts to InAs nanowires
我们报告了一种方法，使外延超导接触半导体纳米线。温度和栅极特性证明了无势垒电接触，并在低温下的超导状态下的性能进行了研究。半覆盖铝接触实现，而不需要光刻，我们演示了如何可控地插入高带隙层的界面区域。这些发展与支持马约拉纳零能态的混合超导体纳米线器件有关。
2013-09-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Half-Integer Shapiro Steps in a Short Ballistic InAs Nanowire Josephson Junction
我们报道了在InAs纳米线约瑟夫森结中观察到的半整数Shapiro台阶。我们观察到了短弹道InAs纳米线约瑟夫森结的Shapiro台阶，发现除了传统的整数台阶外，还有反常的半整数台阶。半整数阶跃随着温度的升高或结的透射率的降低而消失。这些实验结果与数值计算短弹道约瑟夫森结中斜电流相位关系的Shapiro响应非常吻合。
2020-04-29 cond-mat.mes-hall
The self-actuating InAs nanowire-based nanoelectromechanical Josephson junction
半个世纪前，布赖恩·约瑟夫森（Brian Josephson）做出了一系列惊人的预测，这些预测与夹在两个超导体之间的隧道势垒有关。一个特别的预测，后来被称为交流-约瑟夫森效应，说在有限的直流偏压下，隧道电流包含一个交流。超导元件，在微波频率下振荡。通过观察与电磁辐射的相互作用修改的结的电流-电压特性，并直接检测从结本身发射的微波辐射，实验验证了这一预测。直流电流-电压特性的行为也被证实是由约瑟夫森结的高频动力学决定的，并可用于研究各种系统，如电子自旋共振中的原子、高温超导体中的光学声子和振动的Nb分子。在这里，我们提出了一个InAs纳米线约瑟夫森结设备，其中振动的纳米线弱连接起着纳米机电谐振器的作用。交流电的流动-通过结的约瑟夫森电流使得能够通过简单的直流传输测量来驱动和检测谐振器的振动模式。
2013-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Engineering Hybrid Epitaxial InAsSb/Al Nanowire Materials for Stronger Topological Protection
强自旋-轨道耦合、大$g$因子以及与超导体的耦合的组合可用于在半导体纳米线中产生拓扑保护状态。在这里，我们报告的混合外延InAsSb/Al纳米线的生长和表征，具有不同的组合物和晶体结构。我们发现最强的自旋-轨道相互作用在中间组成的锌铟砷$_{1-x}$锑$_{x}$纳米线，超过这两种铟砷和InSb材料，证实了最近的理论研究\cite{winkler2016topological}。我们发现，外延InAsSb/Al界面允许硬诱导超导能隙和2 $e$运输库仑充电实验，类似于实验上的InAs/Al和InSb/Al材料，并发现测量拓扑相变在低磁场下由于大的有效$g$ -因素一致。最后，我们提出了一种方法来生长纯纤锌矿InAsSb纳米线，预计表现出更强的自旋轨道耦合比锌结构。
2017-12-29 cond-mat.mes-hall
Dispersive sensing in hybrid InAs/Al nanowires
分散电荷传感实现在混合超导体超导体纳米线在栅极定义的单和双岛器件的几何形状。在频域和时域中测量信噪比（SNR）。频域测量作为频率和功率的函数进行，并且对于11 MHz测量带宽产生$1 \times 10^{-3} e/\sqrt{\rm Hz}$的电荷灵敏度。对于20 $μ$ s积分时间，时域测量产生SNR > 1。在零磁场下，双岛结构中的光子辅助隧穿被分散地检测到，表明两个超导岛的相干杂化。在轴向磁场为0.6 T，subgap状态检测分散，证明了适用性的方法，用于感测的拓扑制度。
2019-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magneto-transport Subbands Spectroscopy in InAs Nanowires
我们报告在大磁场（高达55 T）下的InAs纳米线的磁输运测量，提供了一维电子能带结构的直接光谱。大调制介导的费米能量的精确控制的磁导揭示了朗道碎片，携带的指纹的限制InAs材料。我们的磁能带结构的数值模拟一致地支持实验结果，并揭示了电子约束的关键参数。
2013-11-13 cond-mat.mes-hall
MBE Growth of Al/InAs and Nb/InAs Superconducting Hybrid Nanowire Structures
我们报道了在InAs纳米线上\textit{in situ}生长结晶Al和Nb壳层。采用分子束外延（MBE）技术，在Si（111）衬底上生长了纳米线。金属壳层通过电子束蒸发在金属MBE中沉积。高质量的超导体/半导体混合结构，例如Al/InAs和Nb/InAs，在可选通的约瑟夫森结和量子信息相关研究领域中是令人感兴趣的。系统地研究了适合于金属壳生长的沉积参数。在Al的情况下，衬底温度，生长速率和壳厚度被认为是。探索了Nb壳的衬底温度以及撞击沉积通量的角度。核-壳杂化结构的特征在于通过电子显微镜和X射线光谱。我们的研究结果表明，衬底温度是一个至关重要的参数，以使顺利的铝层的沉积。相反，Nb膜对衬底温度的依赖性较小，但受沉积角度的强烈影响。在200°C的温度下，Nb与InAs反应，溶解纳米线晶体。我们的调查结果在光滑的金属壳表现出无杂质和缺陷，结晶超导体/InAs接口。此外，我们发现超导体的晶体结构是不受堆垛层错存在于InAs纳米线。
2017-07-09 cond-mat.mes-hall
Time- and Spectrally-Resolved PL Study of a Regular Array of InP/InAs/InP Core-multishell Nanowires
时间和光谱分辨PL从InP/InAs/InP核多壳纳米线的周期性阵列。InAs层显示出多峰PL谱。PL衰减是非指数的且非常缓慢，衰减速率取决于能量。
2007-02-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrical control of Kondo effect and superconducting transport in a side-gated InAs quantum dot Josephson junction
我们测量了耦合到超导引线上的单个InAs自组装量子点（QD）中的非耗散超电流。量子点的占据是由背栅电极和横向侧栅调节的。侧栅的几何形状允许在具有适当轨道状态的恒定电子数的区域中调谐QD-引线隧道耦合。使用侧门效应，我们研究了近藤关联和超导配对之间的竞争的量子点，观察减少超导电流时，近藤温度降低到超导能隙以下的定性与理论预测一致。
2009-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Internal field induced enhancement and effect of resonance in Raman scattering of InAs nanowires
报道了内场诱导的InAs纳米线声子激发拉曼散射的共振强度增强。实验观察与模拟结果符合得很好的变化的入射波长下的光的光的散射，起源于增强的内部电场在一个无限大的介质柱。我们的分析表明，在内场诱导共振拉曼散射的第一个较高的直接带隙能量（E1）和InAs纳米线的折射率的综合效果。此外，通过比较纳米线和InAs体材料的LO和TO声子模的强度比，讨论了在一定的激发能范围内，电光效应和形变势对拉曼散射的相对贡献的差异.
2012-05-22 cond-mat.mes-hall
Effect of spin-orbit coupling on spectral and transport properties of tubular electron gas in InAs nanowires
我们构造了InAs纳米线中管状电子气载流子自旋轨道分裂的哈密顿量。使用精确的数值对角化的频谱问题得到解决。结果表明，k-线性类Dresselhaus-like自旋轨道（SO）耦合的贡献导致了所谓的SO-能隙的重整化和子带谱中反交叉的出现。这些特征可以在弹道输运中检测到。
2015-12-25 cond-mat.mes-hall
Diameter-dependent conductance of InAs nanowires
通过InAs纳米线的电导是相关的电子应用以及基本的量子实验。在这里，我们采用名义上未掺杂的，稍微锥形的InAs纳米线来研究其电导的直径依赖性。通过接触每根线的多个部分，我们可以研究单个线内的直径依赖性，而无需比较不同的纳米线批次。在室温下，我们发现直径大于40 nm的直径独立的电导率，指示三维扩散运输。对于更小的直径，电阻显著增加，与流动性的强烈抑制一致。从分析的有效载流子密度，我们发现的表面积累层的迹象。
2009-12-22 cond-mat.mes-hall
One-Dimensional Quantum Confinement Effect Modulated Thermoelectric Properties in InAs Nanowires
我们报告的电导和热电测量InAs纳米线合成的化学气相沉积。在T=40 ~ 300 K的温度范围内，获得了直径约20 nm的InAs纳米线热电势的门调制。在低温下（T< ~ 100 K），InAs纳米线的热电势和功率因数随栅电压的变化而发生振荡，电导随栅电压的变化而逐步增大。这项工作的实验表明，调制半导体纳米线的热电性能的可能性，通过峰值的1D电子态密度的扩散传输制度，在纳米结构热电研究的长期追求的目标。此外，我们指出了散射（或无序）引起的能级展宽的重要性，在涂抹出一维限制增强的热电功率因数在实际温度下（如300 K）。
2013-03-15 cond-mat.mes-hall
Multi-mode Fabry-Pérot conductance oscillations in suspended stacking-faults-free InAs nanowires
我们报告的相干电子输运在悬浮的高品质的InAs单晶器件的观察。采用低温金辅助气液固分子束外延生长InAs纳米线。高质量的纳米线是通过去除典型的发现堆叠故障，并减少可能的金掺入。通过将纳米线悬浮在预定义的凹槽上，实现了器件中衬底诱导的散射最小化。在实验中观察到了涉及多个一维模式输运的相干输运，表现为法布里-珀罗电导振荡。从电导振荡的周期推导出的法布里-珀罗干涉仪的长度被发现接近于设备的物理长度。高的振荡可见度意味着几乎弹道电子输运通过纳米线。
2010-07-30 cond-mat.mes-hall
Charge-neutral nonlocal response in superconductor-InAs nanowire hybrid devices
在正常超导正常（NSN）混合结构的非局域准粒子输运探测子间隙状态的邻近区域，是特别有吸引力的马约拉纳研究的背景下。电导测量只能提供类电子和类空穴准粒子激发的非局域响应的部分信息。在这项工作中，我们将展示如何非本地散粒噪声测量提供了一个失踪的拼图在NSN InAs的基于MEMS的设备。我们表明，在一个平凡的超导相准粒子的响应几乎是电荷中性的，占主导地位的热传输组件的热导的顺序上的电导量子。这是定性地解释了大量的Andreev反射的扩散准粒子，使其电荷完全不确定。一致的，强烈的波动和符号反转观察到的子间隙非局域电导，包括偶尔的Andreev整流信号。我们的研究结果证明电导和噪声作为补充测量，以表征准粒子输运超导邻近装置。
2021-08-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconductivity and parity preservation in as-grown In islands on InAs nanowires
我们报道了在分子束外延生长的InAs纳米线上原位合成结晶铟岛。通过透射电子显微镜的结构分析表明，在晶体生长在两个家庭内的取向相对于纤锌矿InAs的tetraxibody为中心的晶体结构。结晶岛的长度< 500 nm，表面能量低，表明生长主要是由表面能最小化驱动的。通过In/InAs器件的电传输表现出库珀对充电，证明电荷宇称保持和原始的In/InAs界面，诱导的超导能隙约为0.45 meV。库珀对充电持续到温度> 1.2 K和磁场~ 0.7 T，表明In/InAs混合物属于在比最先进的Al基混合物更宽的参数空间上操作的扩展类的半导体/超导体混合物。工程晶体形态，同时使用阴影外延隔离单岛提供了一个有趣的替代以前的半导体/超导体混合形态和设备的几何形状。
2021-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Coulomb Blockade from the Shell of an InP-InAs Core-Shell Nanowire with a Triangular Cross Section
我们报道了InP-InAs核-壳纳米线的生长，并在整个纳米线长度上证明了单量子结构的形成，该结构显示了库仑阻塞效应。核-壳纳米线通过金属有机物气相外延通过选择性区域生长技术生长。所生长的核壳纳米线是纤锌矿晶体。InP核具有六边形截面，而InAs壳优先生长在特定的{1 $\bar{1}$ 00}面上，导致形成具有整体三角形截面的核-壳纳米线。将生长的核-壳纳米线转移到Si/SiO $_2$衬底上，然后与几个窄金属电极接触。低温输运测量显示库仑阻塞效应。我们分析了测得的栅电容和单电子充电能量的设备，并表明，一个量子结构，其中显示的库仑阻塞效应的多电子量子点是形成在一个单一的核壳纳米线的整个长度，并在纳米线的整个InAs壳。
2019-01-28 cond-mat.mes-hall
Photocurrents in a Single InAs Nanowire/ Silicon Heterojunction
研究了垂直生长在p型掺杂硅衬底上的砷化铟纳米线的光电特性。我们应用扫描光电流显微镜来研究单异质结的光电特性。所测得的光电流特性是一致的过剩的载流子运输通过中间的间隙陷阱状态，形成在Si/InAs异质结。也就是说，陷阱态增加了一个额外的跨异质结的传输路径，并且缺陷的电荷改变了结处的能带弯曲。弯曲在小的偏置电压下产生光伏效应。此外，我们观察到的InAs纳米线内的光电导效应在大的偏压。
2015-10-05 cond-mat.mes-hall
Imaging Electrical Conduction through InAs Nanowires
我们展示了如何扫描探针显微镜（SPM）可以用来成像电子流通过InAs纳米线，阐明纳米线器件的物理在当地的规模。一个带电的SPM尖端被用作可移动的栅极。纳米线电导与尖端位置的图像在空间上映射在液体He温度下的InAs纳米线的电导。在没有尖端存在的情况下，电导与背栅电压的曲线图显示了库仑阻塞峰的复杂图案。纳米线电导的图像识别了沿着纳米线定位的多个量子点-每个点被对应于库仑阻塞峰的一系列同心环包围。图像定位点并提供有关其大小的信息。单个量子点周围的环相互干扰，就像串联的多个量子点的库仑阻塞峰一样。通过这种方式，SPM针尖可以通过调整单个点的电荷状态来探测复杂的多点系统。纳米线由金属催化剂颗粒生长，直径约为80 nm，长度为2 - 3 μ m。
2006-10-18 cond-mat.mes-hall
Andreev interference in the surface accumulation layer of half-shell InAsSb/Al hybrid nanowires
了解载流子在III-V纳米线的空间分布接近耦合到超导体的混合量子器件的基础上的实验的设计和解释是很重要的。本文利用平行磁场中的Andreev干涉研究了InAsSb/Al纳米线的栅相关表面积累层。均匀的混合纳米线和具有短约瑟夫森结的装置制造的阴影光刻，表现出周期性调制的开关电流。周期对应于通过纳米线直径的通量量子，并且与占据圆柱形表面累积层的Andreev束缚态一致。空间分布是可调的门电位从静电模型的预期。
2021-04-01 cond-mat.mes-hall
Tunable few electron quantum dots in InAs nanowires
在InAs中实现的量子点是研究自旋-轨道相互作用对自旋相干性的影响以及使用电场操纵单自旋的可能性的通用系统。我们目前的量子点实现InAs纳米线的运输测量。光刻限定的顶栅用于局部耗尽纳米线并形成隧穿势垒。通过使用三个栅极，我们可以形成单个量子点，或者沿着纳米线串联的两个量子点。这两种情况下的稳定性图的测量表明，这种方法是适合于生产高品质的量子点InAs。
2006-09-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mapping of Electronic Band Gap along the Axis of Single InAs/InSbxAs1-x Heterostructured Nanowire
我们报告了沿轴的个别异质结构WZ-ZB InAs/InSb 0.12As 0.88纳米线的电子带隙的梯度。共振拉曼成像已被用来映射的第二激发间隙能量（E1）在布里渊区的高对称点（L点）的轴向变化。我们所观察到的带隙能的演变的起源，从尖端到纳米线的界面的合金组合物的微调。本文用全电子密度泛函理论程序Wien 2k计算了InAs、InSb和InSb_xAs_（1-x）合金系统在x=0.125、0.25、0.50、0.75和0.875时的电子能带结构。沿InAs/InSb 0.12As 0.88纳米线的轴的测量的带隙与计算的间隙能量在A点和L点的布里渊区的InAs和InSb 0.125As 0.875，分别。我们绘制了一个一对一的对应关系之间的变化的E1的间隙和基本的E0的间隙在计算的电子能带结构，并提出了梯度的基本间隙的能量跨越轴的纳米线。
2016-07-22 cond-mat.mes-hall
Observation of Space-Charge-Limited Transport in InAs Nanowires
最近的理论和实验表明，空间电荷限制输运应该是普遍的高纵横比半导体纳米线。我们报告的InAs纳米线表现出这种模式的运输，并利用基本的理论来确定个别纳米线，这两者都被发现是直径依赖的迁移率和有效载流子浓度。焦耳加热有意诱导的故障支持的概念，空间电荷有限的运输，并提出降低由于纳米线的多态性的热导率。
2010-10-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gate tunable parallel double quantum dot in InAs double-nanowire junctions
我们报告的制造和测量的设备，其中紧密放置的两个平行的InAs纳米线（NW）的源极和漏极正常金属电极接触。已建立的技术包括在先前定义的栅极区域上选择性地沉积双纳米线。通过调整与指底栅极的结，我们证实了平行双量子点的形成，每个NW中一个，彼此之间具有有限的静电耦合。随着本研究中建立的制造技术，设备提出更先进的实验，如库珀对分裂和观察的parafermions，可以实现。
2017-03-10 cond-mat.mes-hall
Heat flow in InAs/InP heterostructure nanowires
电子和声子之间的热传递在未来基于纳米线的器件的热管理中起着关键作用，但只有少数实验测量纳米线中的电子-声子（e-ph）耦合。在这里，我们结合实验温度测量的InAs/InP异质结构纳米线系统与有限元建模（FEM），以提取信息的热流介导的E-PH耦合。我们发现，在我们的系统中的电子和声子的温度是高度耦合的，即使在温度低至2 K。此外，我们发现的证据表明，通常的幂律温度依赖的电子-声子耦合可能无法正确地描述耦合在纳米线，并表明这一结果是一致的，与以前的研究类似的一维电子系统。我们还比较了所观察到的E-PH耦合的强度的理论分析的E-PH相互作用在InAs纳米线，这预测了一个显着较弱的耦合强度比实验观察到的。
2012-09-22 cond-mat.mes-hall
Giant fluctuations and gate control of the g-factor in InAs Nanowire Quantum Dots
研究了InAs纳米线量子点中离散电子态的g因子。g值由自旋1/2-近藤效应引起的零偏异常的磁场分裂确定。与先前基于2DEG量子点的研究不同，相邻电子态的g因子显示出惊人的大波动：g可以在2和18之间分散。此外，证明了g因子的电门可调谐性。
2008-08-12 cond-mat.mes-hall
Self-assembly of InAs nanostructures on the sidewalls of GaAs nanowires directed by a Bi surfactant
表面能在三维（3D）纳米结构的自组装中起主导作用。在这封信中，我们表明，使用表面活性剂来修改表面能可以提供一种手段，外部控制纳米结构的自组装，使新的分层纳米结构的合成。我们探索了Bi作为表面活性剂在GaAs纳米线{1-10}侧壁面上生长InAs。表面Bi的存在下诱导形成的InAs 3D岛屿的过程类似的Stranski-Krastanov机制，这不会发生在没有Bi在这些表面上。InAs 3D岛在临界壳厚度以上的{1-10}面的拐角处成核，然后沿着<110>纳米线侧壁的平面中的方向伸长。利用这种生长机制，我们实现了一系列新颖的层次纳米结构，从InAs量子点上的单个{1-10}纳米线方面的锯齿形纳米环完全包围纳米线核心。光致发光光谱和阴极发光谱线扫描表明，小的表面诱导的InAs三维岛的行为作为光学活性量子点。这项工作说明了如何表面活性剂可以提供一个前所未有的水平的外部控制纳米结构的自组装。
2017-04-26 cond-mat.mes-hall
Gate Controlled Anomalous Phase Shift in Al/InAs Josephson Junctions
在标准的约瑟夫森结中，当超导引线之间的相位差为零时，电流为零。这个条件受到宇称和时间反演对称性的保护。然而，自旋-轨道耦合和磁场的组合存在打破了这些对称性，并且即使当相位差为零时也可以导致有限的超电流。这就是所谓的反常约瑟夫森效应--超导自旋电子学的标志性效应--可以用相应的反常相移（$ϕ_0$）来表征。本文报道了用超导量子干涉仪（SQUID）测量InAs/Al约瑟夫森结中的可调谐反常约瑟夫森效应。通过门控InAs的密度，我们能够调谐的约瑟夫森结的自旋轨道耦合超过一个数量级。这使我们能够调整$ϕ_0$，并为超导自旋电子学开辟了几个新的机会，以及实现和表征拓扑超导性的新可能性。
2019-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Ionic liquid gating of InAs nanowire-based field effect transistors
我们报告的操作的场效应晶体管的基础上，一个单一的InAs纳米线门控的离子液体。液体选通产生非常有效的载波调制，其具有比具有SiO2 /Si++衬底的标准背选通大三十倍的λ值。由于这种宽调制，我们展示了纳米线中从半导体到类金属行为的受控演变。这项工作提供了第一个系统的研究离子液体门控在电子设备的基础上个人III-V族半导体纳米线：我们认为这种架构开辟了道路，以广泛的基础和应用研究从相变到生物电子学。
2018-10-23 cond-mat.mes-hall
$g$-factor anisotropy in nanowire-based InAs quantum dots
半导体量子点中电子$g$因子的确定和控制是现代自旋电子学和基于自旋的量子计算概念的基本前提。我们研究了无堆垛层错InAs纳米线上两个金属接触之间形成的量子点中的$g$因子对外部磁场取向的依赖关系。我们从近藤共振的分裂中提取$g$因子，发现它在$|g^*| = 5$和15之间的范围内连续变化。
2013-09-03 cond-mat.mes-hall
Top-gate defined double quantum dots in InAs nanowires
本文介绍了金属有机物气相外延生长的InAs纳米线中双量子点的低温输运测量。两个点串联创建光刻定义的顶栅的过程中，不涉及额外的绝缘层。我们证明了从强到弱耦合点之间的完整的可调谐性。耦合的量子力学性质导致在两个点上延伸的分子状态的形成。单个点的激发光谱可通过它们在非线性输运中的特征来观察。
2006-09-19 cond-mat.mes-hall
Electron-hole interactions in coupled InAs-GaSb quantum dots based on nanowire crystal phase templates
我们报道了一种耦合量子点结构的生长和表征，该结构利用纳米线模板进行径向异质结构的选择性外延。起点是具有纤锌矿结构薄段的闪锌矿InAs纳米线。这些部分具有双重作用：它们作为隧道势垒的电子输运在InAs的核心，他们也局部抑制生长的GaSb壳，导致同轴InAs-GaSb量子点与集成的电探针。平行量子点结构的主机空间分离的电子和空穴的相互作用，由于II型中断的间隙的InAs-GaSb异质结。研究了电子和空穴输运过程中的库仑阻塞现象，观察到了电子和空穴的周期性相互作用，并通过模拟再现了这种相互作用。扭曲的库仑菱形表示电压引起的基态跃迁，可能是由于薄的GaSb壳层中空穴的空间分布的变化。
2016-10-25 cond-mat.mes-hall
Strong tuning of Rashba spin orbit interaction in single InAs nanowires
自旋电子学新兴领域的一个关键概念是通过Rashba自旋轨道相互作用产生的有效磁场控制自旋进动的栅极电压或电场。在这里，我们展示了电场诱导的Rashba自旋轨道相互作用在InAs纳米线中的产生和调谐，其中强电场是由双栅极或围绕栅极的固体电解质产生的。特别地，电解质门控使得能够在仅1V的栅极偏压内实现Rashba系数的六倍调谐和自旋弛豫时间的近三个数量级调谐。纳米线中自旋轨道相互作用的这种戏剧性的调谐可能在基于纳米线的自旋电子器件中具有意义。
2012-05-07 cond-mat.mes-hall
Spin-1/2 Kondo effect in an InAs nanowire quantum dot: the Unitary limit, conductance scaling and Zeeman splitting
我们报道了在高质量InAs纳米线中实现的强耦合量子点中自旋1/2近藤效应的全面研究。纳米线量子点与其两个引线相对对称地耦合，因此近藤效应达到了幺正极限。测得的近藤电导证明缩放与温度，塞曼磁场，和平衡偏置。用磁场对近藤电导的抑制比基于从近藤峰的塞曼分裂提取的g因子所预期的强得多。这可能与InAs中强的自旋轨道耦合有关。
2012-01-16 cond-mat.mes-hall
