Synthesis of ultrahigh-quality monolayer molybdenum disulfide through in-situ defect healing with thiol molecules
过渡金属二硫属化合物（TMDC）是一种具有广泛应用前景的二维材料。化学气相沉积（CVD）是合成这些材料的一种很有前途的方法。然而，CVD生长的材料通常具有比机械剥离的材料更差的质量，并且由于在使用固体前体的生长期间难以控制前体的分布和浓度而包含更多的缺陷。在这里，我们建议使用硫醇作为CVD生长高质量和均匀的2D MoS2的液体前体。原子分辨结构表征表明，硫空位的浓度在从硫醇生长的二硫化钼是所有报道的CVD样品中最低的。低温光谱表征进一步揭示了所生长的MoS2的非线性光学质量。密度泛函理论模拟表明，硫醇分子可以与MoS2中的硫空位相互作用，并在MoS2生长过程中修复这些缺陷，从而获得高质量的MoS2。该工作为制备具有超低硫空位和高光学质量的高质量二维材料提供了一种简便可控的方法，这将有利于其光电应用。
2020-07-18 cond-mat.mtrl-sci
Comparison of GaN nanowires grown on c-, r- and m-plane sapphire substrates
在喷淋头金属有机化学气相沉积系统中，使用镍催化剂和三甲基镓和氨作为前体，在c面、r面和m面蓝宝石衬底上生长氮化镓纳米线。我们研究了载气，生长温度，反应器压力，反应物流速和衬底取向的影响，以获得薄的纳米线。纳米线的生长方向取决于衬底的取向。<10-11><10-10>这些纳米线的进一步特征在于使用X射线衍射，电子显微镜，光致发光和拉曼光谱。
2016-01-04 cond-mat.mtrl-sci
Kinetics and Parameters of Epitaxial Monolayered Continuous large area Molybdenum disulfide Growth
通过化学气相沉积（CVD）生长具有所需形态的大微晶连续单层材料如二硫化钼（MoS $_2$）仍然是一个挑战。在CVD中，各种因素如生长温度、前体和衬底性质的复杂相互作用决定了所生长的MoS $_2$单层的结晶度、微晶尺寸和覆盖面积。在目前的工作中，我们报告的三氧化钼（MoO $_3$），硫，和载气流量对成核和单层生长的重量分数的作用。发现MoO $_3$重量分数的浓度控制自引晶过程并决定影响形貌和覆盖面积的成核位点的密度。100 sccm氩气的载气流导致具有较低覆盖面积（70%）的大微晶连续膜，而150 sccm的流速导致具有减小的微晶尺寸的92%覆盖面积。通过系统地改变实验参数，我们建立了适合于光电子器件的大晶粒原子级薄MoS $_2$的生长配方。
2022-05-27 cond-mat.mtrl-sci
Growth of GeO2 on R-plane and C-plane Sapphires by MOCVD
本研究针对金红石型GeO2这一超宽禁带半导体外延生长尚不成熟的问题，采用MOCVD在C面和R面蓝宝石上生长GeO2，探究了多类生长参数的影响，明确了生长窗口，为其MOCVD生长提供了开创性指导。
2024-05-13 cond-mat.mtrl-sci
Doping Concentration Modulation in Vanadium Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors
掺杂是改变二维材料电子性质并赋予其新功能的有效方法。然而，在2D材料中，具有大尺度均匀性的替代掺杂浓度的宽范围控制仍然具有挑战性。在这里，我们报告了原位化学气相沉积生长的钒（V）掺杂的单层二硫化钼（MoS 2）具有广泛的可调掺杂浓度范围从0.3至13.1原子%。调节掺杂浓度的关键在于使用合适的具有不同掺杂能力的V前驱体，这也产生了大范围的均匀掺杂效应。首次采用重掺杂MoS_2作为沟道材料制备了人工突触晶体管。突触增强，抑郁症和重复学习过程中模仿的栅极可调沟道电导的变化，在这样的晶体管具有丰富的V原子捕获/脱陷电子。这项工作显示了一种可行的方法来掺杂单层2D半导体，并展示了它们在人工突触晶体管中的用途。
2021-03-23 cond-mat.mtrl-sci
Structural and Electrical Properties of MoTe$_2$ and MoSe$_2$ Grown by Molecular Beam Epitaxy
我们展示了用分子束外延在蓝宝石衬底上生长二碲化钼和二硒化钼的薄膜。原位结构和化学分析表明，化学计量层状薄膜生长与原子级光滑的表面形貌。通过X射线衍射证实了沿（001）方向的膜生长，并且通过拉曼光谱证实了在2H相中生长的结晶性质。透射电子显微镜被用来确认层状膜结构和表面原子的六边形排列。依赖于温度的电测量显示出的绝缘行为，同意以及与一个二维的可变范围的跳跃模型，这表明在这些薄膜中的运输是由本地化的电荷载流子状态为主。
2016-03-09 cond-mat.mtrl-sci
Network of vertically c-oriented prism shaped InN nanowalls grown on c-GaN/sapphire template by chemical vapor deposition technique
使用CVD技术在c-GaN/蓝宝石模板上生长垂直c取向的棱柱形InN球的网络，其中纯铟和氨用作金属和氮前体。对这些样品的生长、结构和电子性质的系统研究表明，岛沿[11-20]和[0001]方向的优先生长导致形成这样的网络结构，其中垂直[0001]取向的锥形壁沿三个[11-20]方向之一横向对齐。这些壁的倾斜面被识别为纤锌矿InN的r-平面[（1-102）-平面]。观察到这些样品的吸收起始高于InN的带隙，表明该材料中的高背景载流子浓度。通过XPS对价带边缘的研究表明，在壁的r面侧刻面下方形成了正耗尽区。这是在观察c-平面InN外延层，其中电子积累，经常报告的顶面以下的对比。
2017-06-24 cond-mat.mtrl-sci
Rapid synthesis of dual-element isotope-enriched alpha-MoO3 crystals by reactive vapor transport
The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学）；Oak Ridge National Laboratory（橡树岭国家实验室）；University of Virginia（弗吉尼亚大学）；Vanderbilt University（范德堡大学）
本研究开发了一种快速反应蒸气传输技术，通过高效利用有限的同位素纯前驱体，特别是气体18O2，快速合成毫米级高质量晶体。通过使用高源温度（900°C）和总压力（1 atm）的金属钼前驱体，最大化前驱体效率和产率，进而在不同排列中生长具有高且均匀的98Mo和18O同位素富集水平的MoO3单晶。通过拉曼光谱探测，发现98Mo和18O富集分别导致适度和显著的声子能红移。通过控制钼和氧的同位素分数，建立了利用MoO3推进纳米光子学和热管理目标的强大工具。这项工作受到增强和工程化晶格振动模式现象（包括热传导和双曲声子极化子（HPhP）色散）的可能性的启发，特别是比较轻元素和重元素富集效果。
2025-12-15 cond-mat.mtrl-sci
MOCVD growth and band offsets of \k{appa}-phase Ga2O3 on sapphire, GaN, AlN and YSZ substrates
本文利用MOCVD在多种衬底上制备κ-Ga2O3薄膜，结合HR-STEM与XPS揭示其相纯度、界面结构及不同类型能带排列。
2025-01-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
GaN Nucleation Landscape on Patterned Sapphire Shaped by the Growth Temperature of Directly Grown Boron-Compound Masks
Kyung Hee University（庆熙大学）；Korea Institute of Science and Technology (KIST)（韩国科学技术院）
研究直接生长的硼化合物掩模生长温度如何通过调控蓝宝石表面局部可及性，改变GaN在圆形SiO2开口内的成核位置分布，并利用动力学蒙特卡洛模拟解释实验趋势。
2026-06-16 cond-mat.mtrl-sci
Temperature Dependence of $β-Ga_2O_3$ Heteroepitaxy on c-plane Sapphire using Low Pressure Chemical Vapor Deposition
由于$β-Ga_2O_3$具有约4.4 - 4.9 eV的宽带隙和约7-8 MV/cm的高电击穿强度，其在电力电子和深紫外（UV）光电探测器中引起了极大的关注。最近报道了使用低压化学气相沉积（LPCVD）技术以高生长速率生长$β-Ga_2O_3$外延薄膜。在这项工作中，我们已经研究了生长温度的影响$β-Ga_2O_3$薄膜生长在c面蓝宝石衬底上使用LPCVD。我们通过从800 $^°$ C到950 $^°$ C改变温度来进行生长，同时保持所有其他生长参数（Ar/O $_2$气体流速、生长压力和镓前体到衬底的距离）恒定。进行光学、结构和表面表征以确定生长的薄膜的带隙、相纯度、晶体取向和晶体质量。在800 $^°$ C的生长温度下观察到$Ga_2O_3$的非晶岛，而在850 $^°$ C至950 $^°$ C的生长温度下获得连续和结晶（-201）取向的$β-Ga_2O_3$薄膜。薄膜的结晶度随生长温度的升高而提高，在925 $^°$ C生长的样品中，最小摇摆半峰全宽为1.52 $^°$。对于在875 $^°$ C及以上生长的所有样品，透射率测量显示光学带隙为~4.77-4.80 eV，高生长速率为~6 $μ$ m/hr。
2021-02-07 cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of built-in highly strained monolayer MoS2 using liquid precursor chemical vapor deposition
本研究发现液态前驱体CVD法生长的单层MoS₂内置应变由尺寸主导，20μm为临界尺寸，60μm时应变达1.2%，且大尺寸下传统拉曼层数评估法失效。
2023-03-28 cond-mat.mtrl-sci
New Sol-Gel Synthesis of Ordered Nanostructured Doped ZnO Films
报道了一种新的溶胶-凝胶法制备c轴取向的未掺杂和Co、Fe、Mn和V掺杂ZnO薄膜。溶胶由水合乙酸锌前体和二甲基甲酰胺（DMF）溶剂制备。将薄膜旋涂到亲水性蓝宝石衬底上，然后干燥，退火和后退火，产生几乎纯单轴ZnO微晶和高度的长程结构有序。六方微晶的特定取向被证明垂直和平行于衬底表面。钴掺杂导致柱状ZnO纳米晶的形成。钒掺杂薄膜形成尖晶石氧化物ZnAl 2 O 4，这是ZnO与蓝宝石衬底反应的结果。结构，光学和形态表征证明了高品质的薄膜。
2003-07-10 cond-mat.mtrl-sci
Phenomenological Growth Regimes in Liquid-Precursor CVD of MoS$_2$ on Functional Substrates
Faculty of Physics and CENIDE, University of Duisburg-Essen（杜伊斯堡-埃森大学物理学院与CENIDE）；Université Caen Normandie, CEA, ENSICAEN, CNRS, Normandie Univ, CIMAP UMR6252（卡昂诺曼底大学、CEA、ENSICAEN、CNRS、诺曼底大学、CIMAP UMR6252）
该研究针对二维TMDCs在功能衬底集成受气相生长动力学限制的问题，采用液相前驱体CVD法，结合多种衬底揭示了MoS₂的衬底相关生长模式及结构光学性质调控机制。
2026-09-18 cond-mat.mtrl-sci
Tailored Molybdenum Carbide Properties and Graphitic Nano Layer Formation by Plasma and Ion Energy Control during Plasma Enhanced ALD
我们展示了广泛的研究如何膜密度和结晶度碳化钼（$MoC_{x}$）可以定制在等离子体增强ALD（PEALD）通过控制等离子体暴露时间或离子能量。我们研究了在150°C和300°C之间的温度下使用$Mo(^tBuN)_2(NMe_2)_2$作为前体和$H_2/Ar$等离子体作为共反应物生长的$MoC_{x}$膜。我们发现在PEALD循环过程中，在高平均离子能量下石墨层形成的阈值。所提供的高能量剂量允许形成杂化的$sp^{2}$碳键，类似于高温退火。$MoC_{x}$表面的石墨化在300 $^{\circ}C$的温度下发生。X射线衍射（XRD）显示石墨膜的（101）面衍射峰占主导，X射线光电子能谱（XPS）显示石墨膜的$sp^{2}$ C1 s峰和碳化物金属峰。膜的表面粗糙度在沉积的石墨化制度下显著降低。在PEALD期间通过高能等离子体离子的这种低温石墨化显示出通过PEALD在低温下推进石墨烯和石墨复合材料用于未来应用的巨大前景。
2019-11-12 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
NaCl-Assisted Substrate Dependent 2D Planar Nucleated Growth of MoS2
在不同基底上合成大规模、均匀、易于转移和高度结晶的单层（1 L）二硫化钼（MoS 2）是一项挑战，可能决定其是否适用于光电器件应用。在此，我们报告了一个简易的NaCl辅助化学气相沉积（CVD）合成高品质的二硫化钼在非晶，晶体和层状基板。光学显微镜和拉曼光谱表明，蓝宝石和SiO2/Si是合适的衬底大1 L-MoS 2薄片生长，而云母是优秀的大面积连续薄膜。蓝宝石上的1 L-MoS 2的光致发光光谱中的主要A激子峰（其与K点处的直接带隙相关联）的相对较小的半峰全宽（FWHM）表明其高结晶质量。然而，在其他衬底上，特别是在石英和裸Si上的1 L-MoS 2显示出差的结晶质量。该研究描绘了NaCl有助于在衬底上形成晶种促进剂，例如Na 2S和/或Na 2SO 4的水溶性层，其有助于MoS 2的2D平面成核。这种中间晶种层的形成也有助于层转移，这是由于其容易的水溶性。该研究可用于在不同衬底上大规模合成1 L-MoS 2，用于高性能光电子器件。
2020-03-27 cond-mat.mtrl-sci
Cm2 Scale Synthesis of MoTe2 Thin Films with Large Grains and Layer Control David
由于其多晶型物之间的能量差很小，MoTe 2可以获得全谱的电子态，从2H半导体态到1T半金属态，以及在低温下从Td Weyl半金属态到1T和Td相的超导态。因此，它是相变研究以及量子自旋霍尔效应和拓扑超导等量子现象的模型系统。对MoTe 2及其潜在应用的深入研究要求MoTe 2薄膜具有高的结晶度和厚度可控性。在这里，我们提出了厘米2级合成的2H MoTe 2薄膜层控制和大晶粒，跨越几个微米。通过控制前体MoOx薄膜的初始厚度来实现层控制，所述前体MoOx薄膜通过原子层沉积而沉积在蓝宝石衬底上并且随后被碲化。尽管范德华外延，衬底界面被发现，以严格确定所得到的MoTe2薄膜的厚度和晶粒尺寸的均匀性：MoTe2生长在蓝宝石上显示均匀的膜，而MoTe2生长在非晶SiO2衬底上形成岛屿。这种合成策略将层控制从生长条件的可变性中分离出来，以获得稳健的生长结果，并且适用于生长具有层控制的其他过渡金属二硫属化物。
2020-10-19 cond-mat.mtrl-sci
Structural, electrical and magnetic properties of Mo1-xFexO2 (x=0-0.05) thin films grown by pulsed laser ablation
我们报道了未掺杂和Fe（2和5原子）的生长。%）掺杂的氧化钼薄膜。X射线衍射结果表明，薄膜为（100）取向，具有以MoO 2相为基础的单斜结构，拉曼光谱也证实了这一点。X射线光电子能谱学表明，Fe以+2价态存在，有利于Fe离子在MoO 2基体中的置换占位。所有薄膜的室温电阻率都很低（约100微欧姆-厘米）。Fe掺杂的样品在室温下表现出铁磁行为。
2009-12-05 cond-mat.mtrl-sci
Apparent Differences between Single Layer Molybdenum Disulfide Fabricated via Chemical Vapor Deposition and Exfoliation
基于二维固体的创新应用需要具有成本效益的制造工艺，从而产生大面积的高质量材料。化学气相沉积是满足这些要求的最有前途的方法之一。然而，对于以这种方式制备的2D材料，通常认为它们与基础研究中常用的剥离的2D材料相比质量较差。在这项工作中，我们挑战这一假设，并旨在量化的原型过渡金属dichalcogenide MoS $_2$的质量差异。为此，单层的MoS $_2$通过不同的技术（剥离，生长通过不同的化学气相沉积方法，转移技术，并作为垂直异质结构与石墨烯）进行了研究，拉曼和光致发光光谱，原子力显微镜的补充。我们表明，制备的MoS $_2$，直接生长在SiO $_2$，不同剥离的MoS $_2$在较高的光致发光，较低的电子浓度，和增加的应变。一旦插入水膜（例如，通过转移）在生长的MoS $_2$下面，特别是（光）电子性质变得实际上与剥离的MoS $_2$的那些相同。两种最常见的前体的比较表明，与MoO $_3$的生长导致更大的应变和/或缺陷密度偏差比生长与七钼酸铵。作为异质结构的一部分，直接生长的MoS $_2$与衬底的相互作用强得多，并且在这种情况下，插层水膜不会导致完全解耦，这对于剥离或转移是典型的。我们的工作表明，生长的2D过渡金属二硫属化物的质量较差确实是一种误解。
2020-06-10 cond-mat.mtrl-sci
The Integration of High-k Dielectric on Two-Dimensional Crystals by Atomic Layer Deposition
我们研究了通过原子层沉积（ALD）在氮化硼（BN）和二硫化钼（MoS 2）的二维（2D）晶体上集成Al 2 O3高k电介质。我们证明了直接ALD生长的可行性与三甲基铝（TMA）和水作为前体的二维晶体。通过理论和实验研究，我们发现初始ALD循环起着关键作用，在此期间，物理吸附占主导地位的前体吸附在半导体表面。我们通过分析Lennard-Jones势来模拟2D表面上的初始ALD生长阶段，这可以指导2D晶体上ALD工艺的未来优化。
2012-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Direct imaging of dopant and impurity distributions in 2D MoS$_2$
二硫化钼（MoS $_2$）纳米片是一种具有高电子迁移率的二维材料，在催化和电子学领域具有很高的应用潜力。我们使用一锅法湿化学合成路线合成了具有和不具有Re掺杂的MoS $_2$纳米片。原子探针断层扫描显示，3.8at.% Re均匀地分布在Re掺杂的片材内。其他杂质也被发现整合在材料中：轻元素包括C、N、O和Na，局部富集高达0.1原子%，以及V和W等重元素。对未掺杂样品的分析表明，W和V可能源自Mo前体。
2021-02-10 cond-mat.mtrl-sci
Large Area Single Crystal (0001) Oriented MoS2 Thin Films
层状金属二硫属化物材料是一类具有广泛能带隙和性质的半导体材料，具有开拓物理和技术应用新领域的潜力。然而，在大面积上获得高晶体质量的薄膜仍然是一个挑战。在这里，我们表明，化学气相沉积（CVD）可以用来实现大面积的电子级单晶二硫化钼（MoS2）薄膜具有最高的迁移率在CVD生长的薄膜迄今为止。发现生长温度和衬底的选择对薄膜的生长质量有重要影响，并且首次在（0001）取向的蓝宝石上的高温生长产生了高度取向的单晶MoS2薄膜。在最佳条件下生长的薄膜被发现是高结构质量的高分辨率X射线衍射，透射电子显微镜和拉曼测量，接近参考地质二硫化钼的质量。光致发光和电学测量证实了具有低背景载流子浓度和高迁移率的光学活性MoS2的生长。本文报道的用于生长高质量MoS2薄膜的CVD方法为各种层状2D硫族化物半导体及其异质结构的生长铺平了道路。
2013-02-26 cond-mat.mtrl-sci
Oxygen as a dual function regulator in MoS2 CVD synthesis: enhancing precursor evaporation while modulating reaction kinetics
Indian Institute of Science（印度科学学院）
研究通过实验与模拟揭示氧在MoS2合成中的双重作用，通过调节源毒化和生长动力学，实现高质量大面积单层MoS2的可控合成。
2026-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Direct observation of the CVD growth of monolayer MoS$_2$ using $in-situ$ optical spectroscopy
实时监测对于理解和最终精确控制二维过渡金属二硫属化物（2D TMDCs）的生长至关重要。然而，在化学气相沉积（CVD）上进行此类研究是非常具有挑战性的。在这里，我们报告的第一个实时$in-situ$研究的CVD生长的二维TMDC。更具体地说，已经使用差分透射光谱法（DSC）监测$in-situ$在蓝宝石衬底上的二硫化钼（MoS $_2$）单层的CVD生长。通过观察特征光学特征的演变，可以精确地跟踪MoS $_2$单层的生长。因此，已揭示了MoS $_2$单层的生长速率与CVD反应器中的温度分布之间的强相关性。我们的研究结果表明，实时$in-situ$光谱学在实现二维半导体材料的精确控制生长方面具有巨大的潜力。
2018-10-15 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Wafer-Scale and Deterministic Patterned Growth of Monolayer MoS2 via Vapor-Liquid-Solid Method
气相输运是化学气相沉积（CVD）生长过渡金属二硫属化合物（TMDC）的核心过程。一个不可避免的问题是蒸汽的空间不均匀性。过渡金属前体和硫族元素的非化学计量供应导致对产品的位置、形态、结晶度、均匀性和批次间再现性的控制不良。而气-液-固（VLS）生长涉及在高于其熔点的生长温度下的熔融前体。当用硫蒸气饱和时，液体Na 2SO 4可以沉淀固体MoS 2单分子膜。利用VLS生长技术，我们取得了三项重要成果：（a）在SiO2/Si衬底上实现了4英寸圆片级均匀生长MoS 2薄片;（b）在蓝宝石衬底上实现了2英寸圆片级晶粒尺寸超过100 μ m的连续MoS 2薄膜生长;（c）实现了MoS 2薄片和薄膜的图案化（位置控制）生长。我们阐明了VLS生长从而为高效、可扩展的二维TMDC单层合成铺平了新的道路。
2019-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optimizing Metal-Organic Chemical Vapor Deposition for Ultrawide Band-Gap MgSiN2 Thin Films
本研究通过探索更高生长温度窗口优化 MgSiN2 薄膜的 MOCVD 生长工艺，在 GaN 衬底上成功实现高质量正交单晶外延，测得其超宽带隙，证实其与现有 III 族氮化物器件平台兼容。
2025-04-01 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Vapor-Liquid-Solid Growth of Monolayer MoS2 Nanoribbons
二维（2D）材料（例如单层MoS 2）的化学气相沉积（CVD）通常涉及在可被描述为气-固-固（VSS）模式的工艺中将气相前体转化为固体产物。在这里，我们报告的第一个示范的气-液-固（VLS）单层二硫化钼生长产生高度结晶的带状结构，宽度为几十纳米到几微米。VLS生长模式是由氧化钼和氯化钠之间的反应触发的，这导致形成熔融的Na-Mo-O液滴。这些液滴介导的MoS 2带状物的生长在“爬行模式”时，饱和与硫的结晶基板上。我们的增长产生直和扭结带与本地定义良好的方向，反映了在增长过程中的液滴的定期水平运动。使用原子分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）和二次谐波发生（SHG）显微镜，我们表明，带状物是同质外延在单层二硫化钼表面主要是2 H或3R型堆叠。这些发现为具有混合维度结构的新型设备铺平了道路。
2018-01-31 cond-mat.mtrl-sci
Cr2O3 thin films grown at room temperature by low pressure laser chemical vapour deposition
由于氧化铬（Cr2 O3）在单一氧化物材料中具有多种机械、物理和化学性质，因此为了开发广泛的工业应用而对其进行了广泛的研究。各种方法已被用于大面积合成Cr2 O3薄膜。然而，对于选择性区域生长和热敏材料上的生长，可以有利地应用激光辅助化学气相沉积（LCVD）。在这里，我们报告的单层纯Cr2 O3蓝宝石衬底上的生长在室温下通过低压光解LCVD，使用UV激光辐射和Cr（CO）6作为铬前体。论证了LCVD技术用于选择性区域沉积氧化铬薄膜的可行性。最好的结果，获得了120毫焦耳cm-2的激光能量密度和分压比的O2的Cr（CO）6的1.0。用这些实验参数生长的样品是多晶的，并且它们的微观结构的特征在于其尺寸遵循对数正态分布的高密度颗粒。测得这些薄膜的沉积速率为0.1 nm s-1，平均粒径为1.85 μm。
2011-01-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Extrinsic Dopants as Growth Modifiers in Cu-Cr-O delafossites: A Study of Incorporation Limits and Film Properties
本研究通过 MOCVD 制备多种外在掺杂的 Cu-Cr-O 铜铁矿薄膜，发现掺杂实际掺入受限，但仍通过应变和结构无序改变光学性质。
2025-06-16 cond-mat.mtrl-sci
Lattice-guided growth of dense arrays of aligned transition metal dichalcogenide nanoribbons with high catalytic reactivity
本文提出在各向异性蓝宝石上利用晶格引导CVD生长宽度低于10 nm、沿zigzag方向排列的致密MoS2纳米带阵列，并扩展至WS2及异质纳米带，验证其一维特性与高边缘催化活性。
2025-01-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optimization for growth condition of ultrathin hexagonal boron nitride on dielectric substrates via LPCVD
Gazi University（加齐大学）；Turkish Energy, Nuclear and Mineral Research Agency (TENMAK) Boron Research Institute（土耳其能源、核和矿物研究署硼研究所）；Sivas University of Science and Technology（锡瓦斯科技大学）；Niğde Ömer Halisdemir University（尼代奥默尔哈利斯德米尔大学）
通过LPCVD优化在介电基板上直接合成超薄h-BN薄膜，以提升深紫外光电探测器的性能。
2025-12-08 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
