Electron-electron interaction effects on optical excitations in semiconducting single-walled carbon nanotubes
我们报道了十个直径范围很宽的半导体单壁碳纳米管的光学激发态的相关电子计算。光激发发生激子的结合能随着纳米管直径的增加而减小，并且小于聚-（对苯撑乙烯）的孤立链的结合能。沿纳米管轴向极化的第二光学激子的能量与最低激子的能量之比小于单粒子理论预测的值。实验观察到的弱光致发光是半导体纳米管的固有特征，并且是偶极禁戒激子发生在光激子下方的结果。
2004-09-08 cond-mat.mtrl-sci
Tunable bandgaps and excitons in doped semiconducting carbon nanotubes made possible by acoustic plasmons
半导体的掺杂在现代电子和光子器件中是必不可少的。虽然掺杂在体半导体中得到了很好的理解，但用于纳米电子和纳米光子应用的碳纳米管和纳米线的出现提出了一些关于低维掺杂的作用和影响的关键问题。在这里，我们表明，对于半导体碳纳米管，带隙和激子结合能可以显着降低实验相关的掺杂，并可以在较宽的能量范围内逐渐调整，相反，更高的维度系统。后者的功能是可能的一种新的机制，涉及强动态屏蔽效应介导的声等离子体。
2010-05-02 cond-mat.mtrl-sci
Ab initio study of semiconducting carbon nanotubes adsorbed on the Si(100) surface: diameter- and registration-dependent atomic configurations and electronic properties
我们提出了半导体碳纳米管吸附在未钝化的Si（100）表面的第一性原理研究。我们已经发现金属性的组合系统所造成的n-掺杂的硅板代表的表面由单壁碳纳米管。我们确认这种金属性的纳米管的不同直径和手性角，并发现效果是独立的表面上的纳米管的取向。我们还提出了吸附能量和配置，显示半导体单壁碳纳米管远离表面和转移较少的电荷，与类似直径的金属单壁碳纳米管相比。
2006-06-22 cond-mat.mtrl-sci
Reentrant semiconducting behavior in polymerized fullerite structures with increasing sp3-carbon content
本研究利用密度泛函理论探究不同维度聚合富勒体的电子行为，发现随sp³碳含量升高材料带隙先减小至金属态后重开呈重入半导体行为，揭示了其成因并指明富勒体聚合物是调控电子性质的优良平台。
2023-12-19 cond-mat.mtrl-sci
Theory and it ab initio calculation of radiative lifetime of excitons in semiconducting carbon nanotubes
本文对半导体碳纳米管中激子的辐射寿命进行了理论分析和第一性原理计算。的顺序为10 ps的固有寿命计算的最低光学活性的亮激子。然而，本征寿命是激子动量的快速增加的函数。此外，纳米管的电子结构决定了暗激子的存在，暗激子的能量在每个亮激子附近。这两种效应强烈影响测量寿命。假设一个热占领的明亮和黑暗的激子带，我们发现在室温下的有效寿命为10纳秒的顺序，与最近的实验符合得很好。
2005-07-08 cond-mat.mtrl-sci
Many-body effects on the electronic and optical properties of strained semiconducting carbon nanotubes
我们提出了多体\textit{ab initio}计算的电子和光学性质的半导体锯齿形碳纳米管在单轴应变。GW方法被用来获得准粒子带隙，并与Bethe-Salpeter方程相结合，以获得光学吸收谱。我们发现电子带隙对应变的依赖性比之前基于紧束缚模型或密度泛函理论预测的更加复杂。此外，我们表明，激子能量和激子结合能显着依赖于应变，与几十毫电子伏每百分之应变的变化，但尽管这些强烈的变化的吸光度被发现几乎是独立的应变。我们的研究结果为理解和设计基于碳纳米管的光机系统提供了新的指导。
2013-06-24 cond-mat.mtrl-sci
Electron spin relaxation in semiconducting carbon nanotubes: the role of hyperfine interaction
基于与$^{13}$ C同位素的自旋I=1/2的无序核的超精细相互作用，发展了半导体碳纳米管中电子自旋弛豫理论.结果表明，强径向约束的电子增强了电子-核重叠，随后电子自旋弛豫（通过超精细相互作用）在碳纳米管。分析还揭示了一个不寻常的温度依赖性的纵向（自旋翻转）和横向（退相）的弛豫时间：随着温度的升高，作为一个结果的特殊性在一维结构中固有的电子态密度的松弛变得更弱。数值估计表明，这种弛豫机制相比，在散装金刚石类似的过程相对较高的效率。然而，预期的自旋弛豫时间的数量级为1秒的碳纳米管仍然比那些发现在传统的半导体结构长得多。
2006-02-17 cond-mat.mtrl-sci
Zener Tunneling in Semiconducting Nanotube and Graphene Nanoribbon p-n Junctions
提出了半导体碳纳米管和石墨烯纳米管pn结二极管的带间隧穿理论。特征长度和能量尺度，决定隧穿概率和电流进行评估。通过比较这些结构与传统的IV族和III-V族半导体中的齐纳隧穿过程，证明了对于相同的带隙，碳基一维结构具有更高的隧穿概率。一维碳结构的高隧穿电流幅度表明了高性能隧穿场效应晶体管的独特可行性。
2008-06-08 cond-mat.mtrl-sci
Mobility in semiconducting carbon nanotubes at finite carrier density
碳纳米管场效应晶体管在由栅极电压控制的宽范围的电子或空穴密度上操作。在这里，我们计算的迁移率在半导体纳米管作为载流子密度和电场的函数，对于不同的管径和温度。低场迁移率是载流子密度的非单调函数，并且在室温下变化多达4倍。在低密度下，随着电场的增加，漂移速度达到最大值，然后表现出负的微分迁移率，由于带结构的非抛物线性。在临界密度$ρ_c\sim$为0.35-0.5电子/nm时，漂移速度在费米速度的约三分之一处饱和。在$ρ_c$以上，速度随场强增加而增加，没有明显的饱和。
2005-10-24 cond-mat.mtrl-sci
Deformation Potential Carrier-Phonon Scattering in Semiconducting Carbon Nanotube Transistors
单壁碳纳米管中载流子输运的理论计算与最近的实验进行了比较。载流子声子散射占使用变形势近似。通过与实验的比较，确定了半导体碳纳米管的形变势耦合常数为14 eV。理论表明，密切预测的低场迁移率，电导，和场效应晶体管的电阻作为感应纳米管电荷密度，直径和温度的函数。结果表明，由于强的子带间散射，多个子带通道导通时器件电导降低。与实验的比较允许识别的平均自由程（Lm）在半导体碳纳米管。当器件开启时，发现Lm显著增加。当器件处于开启状态时，平均自由程（Lm-ON）与管直径成线性变化，与温度成反比。子带间散射被发现强烈降低Lm-ON时，几个子带被占用。在室温下考虑3个子带通道时，当考虑子带间散射时，对于4 nm直径的管，Lm-ON从570 nm减小到200 nm。由于子带间距随着管直径的减小而增加，因此对于较小的直径，子带间的影响减小。
2006-10-27 cond-mat.mtrl-sci
Temperature Dependence of the Band Gap of Semiconducting Carbon Nanotubes
半导体单壁碳纳米管（SWNTs）的带隙的温度依赖性的计算通过直接评估的电子-声子耦合内的“冻结声子”计划。一个有趣的直径和手性依赖的$E_g(T)$，包括非单调的行为，某些管和不同的“家庭”的行为。这些结果被追溯到一个强大的和复杂的带边状态和最低能量的光学声子模式之间的耦合。的$E_g(T)$曲线由直径和手性依赖参数的解析函数建模，这些提供了一个有价值的指导系统估计$E_g(T)$为任何给定的单壁碳纳米管。在300 K的温度变化的幅度小于12毫电子伏，不应影响$(n,m)$分配的基础上光学测量。
2004-12-09 cond-mat.mtrl-sci
Giant Seebeck coefficient in semiconducting single-wall carbon nanotube film
我们在半导体单壁碳纳米管（SWCNT）薄膜中发现了巨大的塞贝克效应，其表现出与商业Bi2Te3合金相当的性能。半导体单壁碳纳米管薄膜的载流子掺杂进一步提高了热电性能。这些结果被复制以及基于一个简单的单壁碳纳米管结模型的第一性原理输运模拟。这些发现为新兴的印刷、全碳、柔性热电设备铺平了道路。
2014-01-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Narrow-gap Semiconducting Superhard Amorphous Carbon with Superior Toughness
在极端压力下，可以从纳米结构的前体中产生具有非凡物理化学性质的新碳形式。然而，这种令人着迷的材料的合成往往没有得到很好的理解，结果，如C60前体的情况下，在结果的不可再现性和阻碍材料设计的进一步进展。在这里，具有0.1-0.3 eV带隙的半导体非晶碳以及各向同性超硬度和优于单晶金刚石和无机玻璃的韧性的优点由富勒烯在高压和中等温度下的转化产生。通过使用丰富的互补表征方法，这有助于建立一个模型的转换，可用于进一步的高p，T合成的新型纳米碳系统的先进应用进行了系统的调查的结构和键合的演变。所生产的无定形碳材料具有金刚石和石墨烯无法实现的苛刻光电应用的潜力
2021-06-15 cond-mat.mtrl-sci
Universal temperature dependence of optical excitation life-time and band-gap in chirality assigned semiconducting single-wall carbon nanotubes
利用共振拉曼散射测量了单壁碳纳米管（SWCNTs）巴基纸和双壁碳纳米管（DWCNTs）内管的光激发寿命γ和跃迁能Eii随温度的变化关系。两种样品的γ和E_ii的温度依赖性是相同的，并且与管的手征性无关。结果表明，电子-声子相互作用是影响Eii（T）温度依赖性的主要原因。在单壁碳纳米管样品中，与温度无关的非均匀性对伽马的贡献要大得多，这可以通过两种类型样品中不同的单壁碳纳米管环境来解释。用于巴基纸DWCNT样品的内管的伽马低至\sim 30 meV，这与对于单个SWCNT所发现的伽马相当。
2006-06-27 cond-mat.mtrl-sci
Two semiconducting three-dimensional all-sp2 carbon allotropes
利用第一性原理方法研究了两种三维全sp2碳同素异形体sp2-金刚石和sp2-石墨的能量稳定性、动力学稳定性和电子性质。1992年，Michael O 'Keeffe预测了石墨的存在（Phys. Rev. Lett.，68，15，1992.）空间群为Pn-3 m（224），而空间群为Fd-3 m（227）的sp2-金刚石未见报道。结果表明，sp2-金刚石结构比K4-碳和T-碳结构更稳定，sp2-石墨结构比超硬M-碳、W-碳和Z-碳结构更稳定，振动性质计算表明两种结构都是动力学稳定的。有趣的是，sp2-金刚石和石墨都表现为半导体，这与以前提出的全sp2碳同素异形体相反。sp2-金刚石是直接带隙为1.66 eV的半导体，而石墨是间接带隙为2.89 eV的半导体。sp2-金刚石和石墨的低密度和完全的sp2构型在储氢、光催化剂和分子筛等方面具有潜在的应用前景。
2012-06-30 cond-mat.mtrl-sci
Novel metastable metallic and semiconducting germaniums
通过从头算方法，我们探索了锗相图的低压区。在金刚石和tI4之间出现了一个机械稳定的金属bct-5相，它是一个具有四元环的单斜锗相，密度小于金刚石，可压缩为β-tin相（tI4）。mC 16是一种窄隙半导体，而bct-5是金属的，在非常低的压力范围内仍然可能是超导的。这一发现可能有助于解决悬而未决的实验问题。
2012-09-17 cond-mat.mtrl-sci
Strain control of the competition between metallic and semiconducting states in single-layers of TaSe$_3$
TaSe $_3$是一种金属层状材料，其结构由TaSe $_3$三角棱柱链构成。在这项工作中，我们报告的第一性原理密度泛函理论研究TaSe $_3$单层，我们发现，尽管存在不可忽略的Se... Se层间相互作用，TaSe $_3$单层被发现是金属。然而，一个有趣的金属和半导体状态之间的竞争被发现下的应变的影响。虽然空穴载流子的性质发生了变化，但在双轴应变下，单层薄膜仍保持了金属特性。相反，沿链方向的单轴应变诱导半导体状态的稳定。潜在的电子不稳定性，由于费米面嵌套被发现为单层下的双轴应变或单轴应变沿长（链间）轴的层。双层和三层也被考虑。分析了这些意外观测背后的结构和电子特征。
2020-09-16 cond-mat.mtrl-sci
Optical Properties of Ultrashort Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube Capsules Down to Sub-10 nm
单壁碳纳米管（SWNTs）通常较长（>100 nm），并且已经作为具有有趣的电学、机械和光学性质的新型准一维系统而被很好地建立。在这里，准零维单壁碳纳米管与有限的长度下降到分子尺度（平均7.5 nm），通过长度分离，使用密度梯度超离心法获得。利用不同长度的碳纳米管在密度梯度中的不同沉降速率，对单壁碳纳米管进行长度分类。单壁碳纳米管馏分的光学实验表明，紫外-可见-近红外吸收和光致发光峰的超短单壁碳纳米管蓝移高达30毫电子伏相比，长的纳米管，由于量子限制效应沿长度的超短单壁碳纳米管。这些纳米管胶囊基本上对应于SWNT量子点。
2008-04-29 cond-mat.mtrl-sci
Exciton splitting in semiconducting carbon nanotubes in ultrahigh magnetic fields above 300 T
在高磁场中，半导体单壁碳纳米管的激子吸收光谱由于Aharonov-Bohm磁通量而分裂。利用电-磁通量压缩破坏脉冲磁线圈技术产生370 T的磁场，对单手性半导体碳纳米管进行磁场处理。利用条纹光谱，我们证明了在150 T以上暗态和亮态混合后，布里渊区K和K'点处的独立带边激子态的分离。这些结果使得在单壁碳纳米管的Aharonov-Bohm效应的全貌的定量讨论。
2015-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Direct Band Gap Semiconducting Holey Graphyne: Structure, Synthesis and Potential Applications
本文报道了以1，3，5-三溴-2，4，6-三乙炔基苯为原料，通过Castro-Stephens偶联反应，在界面双溶剂体系中合成二维（2D）单晶多孔石墨炔（HGY）。HGY是一种新型的二维碳同素异形体，其结构由六顶点环和八顶点环组成。HGY的碳-碳二维网络由苯环和sp（碳-碳三键）键交替连接。sp与sp2键的比例为50%。通过DFT计算证实了HGY是稳定的。对HGY的振动、光学和电学性质进行了理论和实验研究。它是一种p型半导体，具有自然直接带隙（~ 1.0 eV），在室温下具有高空穴迁移率和电子迁移率。这份报告有望帮助开发一种新型的高迁移率碳基半导体器件。
2019-07-08 cond-mat.mtrl-sci
Experimental determination of the local optical conductivity of a semiconducting carbon nanotube and its modification at individual defects
纳米级光学特性的测量对于光电子器件的表征具有重要意义。然而，传统的光探针测量方法很难确定具有纳米不均匀性的单个量子物体的局域光学性质。在这里，我们展示了第一次成功的测定的绝对光学常数，包括光学电导率和吸收系数，为一个单独的碳纳米管的缺陷，通过比较能量损失光谱和光吸收。从某种类型的缺陷获得的光学电导率确实呈现出在最低激发峰（E11）附近的特征修改，其中强烈涉及激子和非辐射跃迁以及声子耦合激发。对E11峰的详细线形分析清楚地表明了不同程度的激子寿命缩短和电子态修改，这是可变的缺陷类型。
2017-09-12 cond-mat.mtrl-sci
Schottky barriers at metal-finite semiconducting carbon nanotube interfaces
利用自洽紧束缚理论研究了金属-半导体碳纳米管界面的电子性质随碳纳米管长度的变化。我们发现势垒的形状取决于电荷转移的长程尾，导致注入势垒厚度相当于纳米管长度的一半，直到纳米管达到体积极限。随着纳米管长度的增加，纳米管结的电导表现出从隧穿到热激活输运的转变。
2003-12-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electroabsorption study of index-defined semiconducting carbon nanotubes
报道了具有良好识别性的指数定义的半导体碳纳米管的电吸收光谱。高清晰度的电吸收光谱的测量可以直接与独特的纳米管手性。结果表明，至少在有限的直径范围内，电吸收与纳米管的激子结合能成正比。电吸收是一种直接探测碳纳米管激子态的有力技术，有望成为未来基于碳纳米管的光子器件如电吸收调制器中激子原位研究的有用工具。
2015-08-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Nearly Exclusive Growth of Small Diameter Semiconducting Single-Wall Carbon Nanotubes from Organic Chemistry Synthetic End-Cap Molecules
单壁碳纳米管（SWCNTs）的制备一直是制约其广泛应用的主要障碍。近年来，人们对探索和合成包括富勒烯、短纳米管和纳米管侧壁在内的明确的碳纳米结构越来越感兴趣，旨在控制单壁碳纳米管的合成。这种方法的一个显著优点是不使用金属催化剂，并且所产生的纳米管将没有金属污染。然而，这些方法中的许多方法具有低产量或纳米管均匀性的可控性差的缺点。在这里，我们报告了一种全新的方法来实现高效率的无金属生长的近纯SWCNT半导体，广泛的光谱表征，电输运测量和密度泛函理论计算的支持。我们的策略结合了自下而上的有机化学合成与气相外延延伸。我们确定了在纳米管生长的单壁碳纳米管的电子性质和它们的直径之间的强相关性。本研究不仅为半导体单壁碳纳米管的电子应用提供了材料平台，而且有助于对单壁碳纳米管的生长机理和可控合成的基本理解。
2014-12-18 cond-mat.mtrl-sci
Ion-Exchange Doping of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes
本研究采用离子交换掺杂法系统改变半导体单壁碳纳米管薄膜的抗衡离子尺寸，探究其对热电性能的影响，发现大阴离子可提升电导率与掺杂稳定性，并用随机电阻模型解释了相关机制，为掺杂无序系统热电性能研究提供参考。
2025-03-20 cond-mat.mtrl-sci
Chemically Functionalized Semiconducting Carbon Nanotubes: Limits for High Conductance Performance
我们提出了第一性原理研究的电子输运性质的微米长的半导体碳纳米管随机覆盖的卡宾官能团。而以前的研究表明，金属管几乎不受这种粘附的影响，我们在这里表明，与标准直径的半导体管的电导是相反的严重损坏。提取了作为管径函数的构型平均电导，并具有多达一百个官能团的覆盖率。我们的研究结果表明，寻找一个电导保持共价官能化路线仍然是一个具有挑战性的问题。
2010-03-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Avalanche-Induced Current Enhancement in Semiconducting Carbon Nanotubes
在高电场应力（~10 V/um）下的半导体碳纳米管由于自由电子和空穴的雪崩产生而显示出惊人的指数电流增加。与其他材料不同，这种一维量子线中的雪崩过程涉及到第三子带的访问，对温度不敏感，但强烈依赖于直径~exp（-1/d^2）。通过与理论模型的比较，提出了一种新的方法，得到了非弹性光学声子发射长度L_OP，ems ~ 15 d nm。综合结果强调了一维分子线中多带传输的重要性。
2008-08-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A comparative study of the magnetic and magnetotransport properties between a metallic (x=0.6) and a semiconducting (x=0.2) member of the solid solution LaNixCo1-xO3
我们提出了一个比较研究的两个成员的钙钛矿型固溶体LaNixCo 1-xO 3（x=0.2，0.6）位于化学诱导的金属-绝缘体过渡的相对两侧的磁性和磁输运性质。LaNi_（0.6）Co_（0.4）O_3在低温下表现为金属性和小的负磁电阻，而LaNi_（0.2）Co_（0.8）O_3在低温下表现为半导体性和巨负磁电阻。另一方面，我们观察到这两种化合物的磁性明显相似。一个一致的解释有关的起源在两个成员的固溶体的磁阻。
2002-07-18 cond-mat.mtrl-sci
Function follows form: From semiconducting to metallic towards superconducting PbS nanowires by faceting the crystal
在胶体纳米结构领域，凭借其巨大的形状和维度控制能力，形式无疑是半导体或金属材料中光学和电学性质可调谐性的驱动因素。然而，影响的基本属性仍然是具有挑战性的，需要复杂的表面或维度操纵。在这项工作中，我们提出了这样一个修改的胶体硫化铅纳米线的例子。我们表明，硫化铅纳米结构的电性能可以改变从半导体到金属与超导性的迹象，通过利用胶体合成的灵活性，以塑造晶体，并形成不同的表面刻面。通过形成{111}表面刻面合成了一种特殊形态的硫化铅纳米线，与包含其他表面刻面（{100}和{110}）的其他形式的这种半导体晶体相比，{111}表面刻面显示出金属和超导性质。这种效果，这已经与几个实验和理论方法进行了研究，是由于丰富的{111}方面的铅的存在。这些见解促进了调整晶体性质的新策略以及硫化铅纳米结构的新应用。
2020-03-18 cond-mat.mtrl-sci
Optical microcavity with semiconducting single-wall carbon nanotubes
我们报道了基于半导体单壁碳纳米管的光学法布里-珀罗微腔的研究，其品质因数为160。我们实验证明了一个巨大的光致发光信号增强的一个因素，30倍，与相同的膜相比，和一个因素的180倍，如果与一个薄膜含有非纯化的（8，7）纳米管。此外，光致发射的光谱半峰全宽降低到8 nm，在约1.3 $μ$ m的波长处具有非常好的方向性。这些结果证明了碳纳米管在光子应用方面的巨大潜力。
2010-10-25 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Chirality of internal metallic and semiconducting carbon nanotubes
我们已经分配的手性的双壁碳纳米管的内管的催化化学气相沉积使用的径向呼吸模式（RB）在非弹性光散射实验中的高灵敏度。推导出的手征对应于几个半导体和只有两个金属内管。RB模式系统地转移到更高的能量相比，理论值。本文从管内外层间距的减小和电子共振效应两个方面讨论了金属管和半导体管RB模的实验能量与理论能量之间的差异。我们发现了几对RB模式对应于不同直径的内部和外部管。
2001-11-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electrostatic deflections of cantilevered semiconducting single-walled carbon nanotubes
碳纳米管在外加电场中的行为？电场的强度和管子的变形之间有什么关系？几何形状对碳纳米管对电场的响应有什么影响？为了回答这些问题，我们发展了一种新的计算技术来研究静电场引起的碳纳米管变形。在本工作中，我们发现悬臂式半导体单壁碳纳米管的偏转角与电场强度的平方成正比，当电场角度在45 ~ 60度范围内时，碳纳米管的弯曲最大。此外，还发现偏转角与纵横比L/R成正比。我们的研究结果提供了一个很好的定性协议与以前的实验研究。
2018-10-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric Properties of Intermetallic Semiconducting RuIn3 and Metallic IrIn3
报道了半导体RuIn 3和金属IrIn 3的低温（<400 K）热电性能。RuIn 3是一种窄带隙半导体，在室温下具有大的n型Seebeck系数（S（290 K）~400 μV/K），但由于电阻率和热导率较高（κ（290 K）~ 2.0 W/m K），热电优值（ZT（290 K）= 0.007）较小。IrIn 3是一种在室温下具有低热电势（S（290 K）~20 μV/K）的金属。钌位置上的铱取代对输运性质具有显著影响，这导致功率因数和相应的品质因数（ZT（380 K）= 0.053）的大的改善，从而将材料的效率提高了超过一个数量级。
2013-01-22 cond-mat.mtrl-sci
Semiconducting (Half-Metallic) Ferromagnetism in Mn(Fe) Substituted Pt and Pd Nitrides
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算，我们提出了一类迄今尚未探索的稀磁半导体和半金属。在这里，我们研究了最近合成的$ 4d $和$ 5d $过渡金属二氮化物的电子性质。特别是，我们解决Mn和Fe取代PtN $_2$和PdN $_2$。结构弛豫表明，所得到的有序化合物Pt $_{0.75}$（Mn，Fe）$_{0.25}$ N $_2$和Pd $_{0.75}$（Mn，Fe）$_{0.25}$ N $_2$保持母体化合物的立方晶体对称性。在取代时，所有化合物都表现出长程铁磁有序。虽然Pt $_{0.75}$ Mn $_{0.25}$ N $_2$和Pd $_{0.75}$ Mn $_{0.25}$ N $_2$都是半导体，但Fe取代导致两种母体材料的半金属行为。
2011-01-09 cond-mat.mtrl-sci
Atomic mechanism of phase transition between metallic and semiconducting MoS2 single-layers
利用原子级精度的原位STEM技术系统研究了单层MoS 2的金属相（1 T）和半导体相（2 H）之间的结构转变。1 T/2 H相变由S和/或Mo原子平面滑移组成，并且需要中间相（α相）作为必不可少的前驱体。两种晶界（β-和γ-晶界）的迁移也是第二相生长的原因。在400~700°C的高真空条件下，利用高剂量电子束可以在2 H基体中有意引入1 T相，并且尺寸可控。这项工作可能会导致具有不同的电子特性的局部域制成的复合纳米器件的制造。
2013-10-09 cond-mat.mtrl-sci
Enhancement of semiconducting single-wall carbon nanotubes photoluminescence
报道了不同金属单壁碳纳米管（m-SWNT）浓度的半导体单壁碳纳米管（s-SWNT）薄膜的光致发光特性。通过聚合物辅助选择性萃取获得s-SWNT纯化样品。我们表明，在样品中的几个m-SWNT产生急剧淬火的发射。因此，高度纯化的s-SWNT薄膜是一种强发光材料，并且是未来光子学应用的良好候选者，例如近红外发射器、调制器和探测器。
2010-01-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other physics.optics
Universal properties of quasi-one-dimensional excitons in semiconducting single-walled carbon nanotubes and $π$-conjugated polymers
半导体单壁碳纳米管（S-SWCNT）中的初级光激发的性质是当前的强烈兴趣。我们研究了S-SWCNTs和两种不同的$π$共轭聚合物在溶液和薄膜中的发射光谱，并对这些系统进行了超快泵浦-探测光谱。相对于吸收带的发射光谱在S-SWCNT和聚合物中非常相似，在膜中具有红移的光致发光，显示激子迁移。单壁碳纳米管和$π$共轭聚合物中的瞬态光致发光（PA）也非常相似，在所有情况下都具有低能量PA $_1$和较高能量PA $_2$.理论计算了相关$π$ -电子哈密顿量内的激发态跃迁，发现S-SWCNT和$π$ -共轭聚合物具有相同的激子能谱，说明了碳基$π$ -共轭体系中准一维激子的普遍特征。在这两种情况下，PA $_1$是从光学允许激子到双光子激子的激发态吸收，其发生在连续带阈值以下。因此，PA $_1$给出了最低光学激子的结合能的下限。通过实验和理论方法确定了薄膜中直径为$\geq$ 1 nm的最宽S-SWCNTs的最低激子结合能为0.3- 0.4 eV。
2005-06-04 cond-mat.mtrl-sci
Electrical Nanoprobing of Semiconducting Carbon Nanotubes using an Atomic Force Microscope
我们使用原子力显微镜（AFM）的尖端，局部探测半导体碳纳米管晶体管的电子特性。在三探针测量装置中，镀金AFM针尖用作电压或电流探针。使用的尖端作为一个可移动的电流探针，我们调查的缩放与沟道长度的设备属性。利用针尖作为电压探针，我们研究了接触的性质。我们发现，Au使一个很好的接触在p区，没有肖特基势垒。在n-区域中，发现大的接触电阻，占主导地位的传输特性。
2003-11-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Switching behavior of semiconducting carbon nanotubes under an external electric field
我们从理论上研究了连接在金电极上的半导体碳纳米管在外加电场作用下的开关特性。我们发现，外部引入的空穴是必要的，占实验观察。我们确定金属诱导间隙状态（MIGS）的接触，并发现一个未掺杂的管的MIGS不会显着影响开关行为，即使是非常短的管长度。我们还探讨了纳米管晶体管的小型化限制，并在其开关比的基础上，我们得出的结论是，晶体管的通道短至50欧姆将有足够的开关特性。
2001-06-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scaling analysis of Schottky barriers at metal-embedded semiconducting carbon nanotube interfaces
我们提出了一个原子的自洽紧束缚研究的电子和传输特性的金属半导体碳纳米管接口作为纳米管通道长度的函数时，纳米管线的末端埋在电极内。我们表明，相对于金属费米能级的纳米管能带结构的阵容强烈地依赖于金属的功函数，但弱的接口的细节。我们分析了长度依赖的传输特性，预测从隧穿热激活的运输与增加纳米管通道长度的过渡。
2004-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electric Field-Dependent Charge-Carrier Velocity in Semiconducting Carbon Nanotubes
研究了高偏压下具有肖特基势垒接触的半导体单壁纳米管（SWNTs）中的电荷输运。我们观察到几乎对称的双极传输与电子和空穴电流显着超过25微安，在金属单壁碳纳米管由于光学声子发射报告的电流极限。在单极状态下，研究了四种简单的场相关速度模型（弹道、电流饱和、速度饱和和恒定迁移率）;饱和速度为2 x 10^7 cm/s的速度饱和模型可以最好地解释高偏压行为。
2005-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coherent monochromatic phonons in highly-purified semiconducting single-wall carbon nanotubes
我们利用飞秒泵浦-探测脉冲拉曼技术研究了高纯度定向半导体单壁碳纳米管（SWCNTs）中相干光学声子的偏振依赖性。相干声子谱的径向呼吸模式（RBM）表现出不同的单色频率之间的薄膜和溶液样品，表明存在不同的激子激发过程。通过改变入射泵浦光在取向单壁碳纳米管薄膜上的偏振态，我们发现相干RBM激发的各向异性取决于激光波长，我们认为这与RBM激发的共振和非共振行为有关。
2013-05-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Multi-Band Mobility in Semiconducting Carbon Nanotubes
我们提出了一个新的数据和一个紧凑的单壁碳纳米管迁移率模型，只有两个可调参数，弹性和非弹性碰撞平均自由程在300 K。的迁移率随直径增加，随温度降低，并有一个更复杂的依赖于电荷密度。模型和数据表明，由于第二子带的强散射效应，对于典型的单壁纳米管直径，在高载流子密度（n > 0.5 nm-1）下，室温迁移率不超过10，000 cm 2/V.s。
2009-07-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic-cyclicgraphene: A new two-dimensional semiconducting carbon allotrope
通过分子和从头算方法相结合的两阶段搜索策略，合成了一种新型的、单原子厚的半导体二维石墨烯类材料，称为各向异性环状石墨烯。从进化算法和分子模拟的候选人，然后深刻地分析了使用第一性原理密度泛函理论从结构，机械，声子和电子性质的角度来看。所提出的石墨烯多晶型物（rP 16-P1 m1）是机械、动态和热稳定的，并且可以是半导体的，具有0.829 eV的直接带隙。
2018-01-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Self-Assembly of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes into Dense, Aligned Rafts
单壁碳纳米管是很有前途的纳米电子材料，但面临着长期的挑战，包括生产纯半导体单壁碳纳米管和集成到有序结构。在这里，高纯度的半导体单壁碳纳米管从散装材料中分离出来，并在耗尽吸引力的驱动下自组装成密集排列的筏。显微镜和光谱学揭示了高度的对齐和高填充密度的约100管/微米内的单壁碳纳米管筏。由对齐的SWNT筏制成的场效应晶体管提供了短沟道（~150 nm长）器件，该器件由在< 1微米沟道宽度内从化学分离得到的数十个纯半导体SWNT组成，实现了前所未有的高导通电流（每个器件高达~120微安）和高开/关比。平均导通电流为每管约3-4微安。结果表明，密集排列的高品质半导体单壁碳纳米管集成到高性能的纳米电子。
2013-07-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Topological Defects in Semiconducting Carbon Nanotubes as Triplet Exciton Traps and Single-Photon Emitters
本研究通过密度泛函理论揭示(6,5)碳纳米管中螺旋Stone-Wales缺陷可捕获三重态激子，并凭借弱电子-声子耦合成为电信波段单光子发射体。
2025-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coherent Control of Photocurrents in Graphene and Carbon Nanotubes
利用低能电子态的长波长理论研究了石墨烯和碳纳米管的相干单光子（$2 ω$）和双光子（$ ω$）电子激发.对于石墨烯片，我们发现，这些激发的相干叠加产生的激发载流子的动量空间分布的极性不对称性的角度依赖性，这取决于入射场的相对偏振和相位。对于半导体纳米管，我们发现一个类似的效果，取决于半导体间隙的平方，我们计算其频率依赖性。我们发现，控制光电流方向的三阶非线性对半导体管是稳健的，而对导体管则在连续介质理论中消失。我们计算了高阶晶场对能带结构的影响对这些结果的修正，并简要讨论了该理论的一些应用。
1999-11-10 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical Analysis of a Two-Dimensional Metallic/Semiconducting Transition-Metal Dichalcogenide NbS2//WSe2 Hybrid Interface
我们报告了一个单层厚的横向异质结构（LH）加入两个不同的过渡金属二硫属化物（TMDC）：NbS 2和WSe 2的第一原理理论研究。NbS 2//WSe 2 LH可以被认为是导电（NbS 2）/半导体（WSe 2）二维（2D）混合异质结的原型示例。我们首先生成和验证现实的NbS 2//WSe 2 LH的原子模型，推导出它们的能带结构，并将其进行碎片分解和静电势分析，以提取一个简单但定量的模型，这个界面系统。还研究了化学计量波动模型，发现不会改变定性情况。然后我们进行电子输运模拟，通过能带排列分析来分析它们。我们的结论是，NbS 2//WSe 2 LH出现作为一个强大的无缝面内2D模块化结的光电器件超越目前的小型化技术的潜在用途。
2020-06-17 cond-mat.mtrl-sci
Excitonic Effects and Optical Spectra of Single-Walled Carbon Nanotubes
多电子效应常常会显著地改变降维系统的性质。我们报告的计算，基于多电子格林函数方法，电子空穴相互作用对小直径单壁碳纳米管的光谱的影响。激子效应定性地改变了半导体管和金属管的光谱。激子在半导体（8，0）管中被约1 eV束缚，在金属（3，3）管中被约100 meV束缚。这些大的多电子效应解释了以前的理论和实验之间的差异。
2004-08-12 cond-mat.mtrl-sci
Possible High Thermoelectric Power in Semiconducting Carbon Nanotubes ~A Case Study of Doped One-Dimensional Semiconductors~
本文采用Kubo公式结合自洽的$t$矩阵近似，对氮取代碳纳米管（CNTs）掺杂一维半导体的热电性质进行了理论研究。N-取代的CNT表现出极高的热电功率因数（$PF$）值，这源于一维材料的特性，其中载流子密度的降低增加了低N状态下的电导率和塞贝克系数。半导体CNT的$PF$值的化学势依赖性也已经作为场效应晶体管进行了研究，结果发现$PF$值在带边缘附近显示出明显的最大值。这一结果表明，“带边工程”将是高性能热电材料的坚实发展的关键。
2017-12-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chemical exfoliation of MoS2 leads to semiconducting 1T' phase and not the metallic 1T phase
仅作为小块存在于化学剥离的几层上的三角相，MoS 2的化学稳定的1H相被认为对基于MoS 2的器件的性能有关键影响。该相通常被认为是金属1 T相。我们调查的电子结构的化学剥离二硫化钼几层系统使用空间分辨（小于120 nm的分辨率）的光电子能谱和拉曼光谱结合国家的最先进的电子结构计算。在这些结果的基础上，我们建立了这个阶段的基态是一个小间隙（~90 meV）的半导体在文献中的大多数索赔相反，我们还确定了特定的三角（1 T '）结构，它有许多建议。
2017-03-02 cond-mat.mtrl-sci
Bias Dependence and Electrical Breakdown of Small Diameter Single-Walled Carbon Nanotubes
研究了催化化学气相沉积法（CCVD）生长的大量直径很小的单壁碳纳米管（SWCNTs）的电子击穿和电导随偏压的变化规律。通过在电极结构上生长和随后的化学钯沉积，可以方便地制造数千个适当接触的SWCNT。几乎所有测量的单壁碳纳米管在室温下显示出至少弱的栅极依赖性。对于“正常”半导体SWCNT和小带隙半导体（SGS）SWCNT，已经发现电导和击穿行为的较大差异。
2004-10-13 cond-mat.mtrl-sci
Low-frequency Current Fluctuations in Individual Semiconducting Single-Wall Carbon Nanotubes
我们提出了一个系统的研究由一个单一的半导体纳米管，它表现出显着的1/f型噪声的纳米器件的低频电流波动。通过检查具有不同的开关机制，载流子类型（电子与空穴），和沟道长度的设备，我们表明，在半导体纳米管的1/f波动水平是相关的传输载流子的总数存在于系统中。然而，每个载流子的1/f噪声水平不大于大多数体常规半导体（例如Si）的1/f噪声水平。在纳米管器件中观察到的显著噪声水平仅仅反映了参与传输的少量载流子。这些结果不仅为量化一维输运系统中的噪声行为提供了基础，而且为基于1/f波动现象表征低维纳米结构提供了一种有价值的方法。
2005-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Charge transport in semiconducting carbon nanotube networks
半导体单壁碳纳米管网络中有效和受控的电荷传输是其在电子器件中应用的基础，特别是在场效应晶体管和热电器件中。半导体甚至单手性碳纳米管的选择性生长、纯化和分选方面的最新进展使场效应晶体管具有高载流子迁移率和开/关电流比，这在几年前是不可能的。它们还使研究人员能够检查纳米管长度、密度、直径分布、载流子密度、有意和无意缺陷、介电环境等参数的微观相互作用，以及它们对宏观电荷输运性质的影响。这篇评论讨论了各种模型，被认为是在纳米管网络和实验方法来表征和调查运输超越简单的电导率或晶体管测量的电荷传输。静态和动态吸收、光致发光和电致发光光谱以及扫描探针技术（例如，导电原子力显微镜，开尔文探针力显微镜），以及他们在给定纳米管网络中载流子分布和由此产生的电流路径方面的独特见解将被介绍。最后，建议进一步优化纳米管网络设备和剩余的挑战列表。
2021-11-18 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
