Low-temperature formation of platinum silicides on polycrystalline silicon
用X射线光电子能谱学、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射仪研究了多晶Si上铂硅化物薄膜在磁控溅射和不同温度热处理过程中的相形成和相变。非晶和多晶Pt $_3$ Si和Pt $_2$ Si的相示出形成在室温Pt沉积在Pt层下方的多晶硅上。在125 - 300 $^{\circ}$ C的温度范围内热处理30分钟的结果是界面膜的弛豫和Pt $_3$ Si向Pt $_2$ Si的部分转化。由于在320至480 $^{\circ}$ C的温度下退火相同的时间段，Pt $_3$ Si和Pt $_2$ Si相结晶成PtSi。
2020-02-28 cond-mat.mtrl-sci
Thin amorphous molybdenum silicide superconducting shells around individual nanowires deposited via magnetron co-sputtering
Institute of Solid State Physics, University of Latvia（拉脱维亚大学固体物理研究所）；Institute of Chemical Physics, University of Latvia（拉脱维亚大学化学物理研究所）
本研究通过磁控共溅射在纳米线周围沉积非晶钼硅超导壳层，优化其临界温度至7.25 K，为量子器件应用提供新途径。
2026-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Optical Properties of Manganese Doped Wide Band Gap ZnS and ZnO
ZnMnO层的光学性质在低温下生长的原子层沉积和金属有机气相外延进行了讨论，并比较ZnMnS样品所获得的结果。目前的研究结果表明，在ZnO晶格中的Mn离子的二价。强吸收（开始于约2.1 eV）初步与Mn 2+到3+的光电离有关。ZnMnO发射失活的机制进行了讨论，并解释了假设的Mn2+到3+充电后的过程。
2011-07-26 cond-mat.mtrl-sci
Critical Oxide Thickness for Efficient Single-walled Carbon Nanotube Growth on Silicon Using Thin SiO2 Diffusion Barriers
将碳纳米管，特别是单壁碳纳米管，无缝地集成到硅上的能力将大大扩展应用范围。虽然使用化学气相沉积的直接集成是最简单的方法，但由于形成非催化硅化物，单壁碳纳米管在裸硅和超薄氧化物上的生长受到极大抑制。使用X射线光电子能谱学，我们表明，硅化物的形成发生在超薄氧化物由于热激活金属扩散通过氧化物。硅化物对单壁纳米管生长的影响大于多壁纳米管，这是由于在较高的单壁纳米管生长温度下增加的动力学。我们证明，镍和铁催化剂，当沉积在干净的硅或超薄二氧化硅层，开始形成硅化物在相对较低的温度下，并通过900 ℃，所有的催化剂已被纳入硅化物，使其不活跃的后续单壁纳米管的生长。我们进一步表明，4 nm的二氧化硅层是最小的扩散阻挡层的厚度，它允许有效的单壁纳米管的生长。
2007-10-09 cond-mat.mtrl-sci
Effect of manganese incorporation on the excitonic recombination dynamics in monolayer MoS$_2$
利用X射线光电子能谱学（XPS）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱（Raman）技术研究了用微腔化学气相沉积（CVD）法在蓝宝石衬底上生长的单层（1 L）-MoS $_2$中Mn的掺入。这些层涂覆有不同量的Mn的脉冲激光沉积（PLD）技术和温度依赖的光致发光（PL）光谱研究帮助我们了解这种沉积如何影响该系统中激子复合的动力学。该研究进一步揭示了两个明显不同的Mn掺入制度。低于一定的临界沉积量的Mn，薄Mn涂层与大面积的覆盖率被发现在MoS $_2$层，并在此制度下，通过XPS检测到由Mn的Mo离子的替代。当Mn沉积越过临界标记时发生去湿，这导致在MoS $_2$层上形成Mn液滴。在此制度下，取代掺入锰被抑制，而拉曼研究表明，在晶格中的Mn沉积时间的无序增强。从PL研究中发现，Mn沉积量的增加不仅增强了激子的非辐射复合通道的密度，而且提高了这种复合发生的势垒高度。该研究将这些非辐射跃迁归因于某些与Mo相关的缺陷（Mo空位或扭曲的Mo-S键），这些缺陷被认为是由于Mn离子从Mo取代位点撤回而在Mn液滴形成阶段期间大量产生的。
2022-01-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Atomic layer deposition and superconducting properties of NbSi films
以NbF 5和Si 2 H6为前驱体，采用原子层沉积法制备了化学计量比为1：1的硅化铌（NbSi）薄膜。用石英晶体微天平（QCM）和四极质谱仪（QMS）研究了200 ℃下的生长机理。该研究显示了自限性反应，生长速率为4.5 μ g/周期。发现NbSi仅生长在使用卤化前体制备的无氧化物膜上。在150- 400摄氏度的沉积温度范围内研究了薄膜的电子性质、生长速率、化学组成和结构。在所有温度下，薄膜均为化学计量比为1：1的NbSi薄膜，无氟杂质，密度为6.65g/cm ~ 3的非晶态薄膜，厚度大于35 nm的薄膜在300 K时电阻率ρ=150 μΩ·cm。在150- 275 ℃之间的沉积温度下，生长速率几乎是恒定的，但在300 ℃以上则会增加，这表明非自限性生长的开始。在1.2K温度下测量了薄膜的电子性质，发现在Tc=3.1K时发生了超导转变。据我们所知，以前从未用任何技术生长过化学计量比为1：1的超导硅化铌薄膜。
2011-04-18 astro-ph.IM cond-mat.mtrl-sci
Synthesis and optical characterization of Mn-doped ZnS nanocrystalline thin films prepared via chemical bath deposition
本研究通过化学浴沉积法合成掺锰ZnS纳米晶薄膜，并通过XRD、SEM和光谱分析证实其晶体结构和光学性能，为光电子和光伏应用提供材料基础。
2025-11-24 cond-mat.mtrl-sci
Structural and magnetic properties of E-Fe_{1-x}Co_xSi thin films deposited via pulsed laser deposition
本文报道了在Si（111）衬底上脉冲激光沉积制备多晶Fe_（1-x）Cox-Si薄膜的方法及其表征。X射线衍射，透射电子显微镜和原子力显微镜显示膜是致密的，非常光滑的，并且具有立方B20晶体结构的单相。铁磁性与显着的磁滞被发现为所有的薄膜，包括名义上纯FeSi薄膜在体FeSi的顺磁性非常弱的对比。对于Fe 1-xCoxSi，这意味着从体的螺旋磁性到薄膜的铁磁性的变化。这些铁磁薄膜是有前途的磁硅化物/硅系统的极化电流的生产，操纵和检测。
2009-06-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of temperature and wavelength on the switchable photovoltaic response of a BiFe0.95Mn0.05O3 thin film
研究了脉冲激光沉积外延BiFe_（0.95）Mn_（0.05）O_3薄膜在较宽温度范围内的光伏响应。波长依赖的光伏效应示出了最可能与钙钛矿单元电池的B-位点上的锰掺杂和缺陷（Bi和O空位）的存在相关的间隙能级状态的贡献。PV响应的温度依赖性响应排除了电迁移和/或肖特基势垒作为主要机制。这与所观察到的可切换光伏效应相印证，所述可切换光伏效应可以由去极化场或体光伏效应来解释。此外，PV响应显示出与低温极化子样传导机制的强相关性，并且在所研究的垂直电容几何结构中检测到高开路电压（2.5V）。
2019-01-05 cond-mat.mtrl-sci
Controllable Growth and Characterization of α- and β-phase MnSe by Chemical Vapor Deposition
Laboratory for Physical Sciences（物理科学实验室）；Institute for Research and Applied Physics, University of Maryland（马里兰大学应用物理研究所）
通过三区化学气相沉积法可控生长α相和β相MnSe，系统研究生长参数对形貌和磁性的影响，揭示β相多层膜的反铁磁行为。
2026-06-18 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Magnetic anisotropy of polycrystalline high-temperature ferromagnetic Mn$_x$Si$_{1-x}$ ($x\approx0.5$) alloy films
采用脉冲激光沉积（PLD）法在Al $_2$ O $_3$（0001）基片上生长了一系列Mn/$_x$ Si $_{1-x}$合金薄膜样品，在4 - 300 K温度范围内，采用宽频率范围的铁磁共振（FMR）测量方法进行了研究（f = 7 - 60 GHz）和磁场（H = 0 - 30 kOe）。对于x = 0.52 ~ 0.55的样品，铁磁共振数据显示出明显的铁磁性，居里温度T $_\text{C}$ ~ 300 K。这些样品表现出复杂的和不寻常的字符的磁各向异性描述的框架中的唯象模型作为一个组合的基本的二阶易平面各向异性贡献和额外的四阶单轴各向异性贡献的易方向垂直于膜平面。我们解释所获得的结果由多晶（马赛克）结构的薄膜所造成的薄膜-衬底晶格失配。在微晶边界处的额外应变的存在导致在膜平面中的基本不均匀的磁各向异性。
2015-10-09 cond-mat.mtrl-sci
Reaction-Diffusion Driven Patterns in Immiscible Alloy Thin Films
Indian Institute of Technology Hyderabad（印度理工学院海德拉巴分校）
通过银铜薄片与基板相互作用调控其微结构，揭示了'光环'现象及生长机制，提出半解析动力学模型解释产物和光环的生长行为。
2026-04-28 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial growth and magnetic properties of Mn5(SixGe1-x)3 thin films
利用分子束外延共沉积在Ge(111)衬底上生长了Mn5(SixGe1-x)3薄膜，发现随Si含量增加晶格收缩、结晶度降低，且所有浓度均保持铁磁性，未发生体材料的铁磁-反铁磁转变。
2024-03-21 cond-mat.mtrl-sci
Development of High-Quality $α$-Ta Film at Room Temperature via Seed Layer Engineering
针对室温制备高质量α-Ta超导薄膜的需求，本研究采用晶体籽晶层替代传统非晶金属氮化物籽晶层，有效降低了薄膜表面粗糙度、提升了相取向性与转变温度，为量子器件制备提供了新方案。
2025-03-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con quant-ph
Accelerated development of amorphous InZnO thin films as transparent conductive Cu diffusion barriers
Empa, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology（瑞士联邦材料科学与技术研究所）；ETH Zurich（苏黎世联邦理工学院）；Marburg University（马尔堡大学）
针对太阳能电池中铜扩散问题，采用2D组合方法筛选In-Zn-O薄膜的Zn/(In+Zn)比和氧含量，发现最佳组成为Zn/(In+Zn)~0.12且中等缺氧的非晶薄膜可作为有效的透明导电铜扩散阻挡层。
2026-07-01 cond-mat.mtrl-sci
