重电子掺杂Lix（NH3）yFe2Se2单晶的极端各向异性和反常输运性质

六方重掺硼碳化硅的超导电性

Superconductivity of hexagonal heavily-boron doped silicon carbide

2004年，重掺硼金刚石（C：B）超导性的发现引起了人们对宽禁带半导体超导相的兴趣。随后，在重掺硼的立方硅（Si：B）中发现了超导性，最近在重掺硼的碳化硅（SiC：B）的化学计量“混合物”中发现了超导性。与II型超导体C：B和Si：B相比，后者系统令人惊讶地表现出I型超导性。在这里，我们将集中在两个不同的超导样品的硼掺杂SiC的比热。其中之一包含立方和六方SiC，而另一个主要由六方SiC没有任何可检测的立方相分数。两种样品SiC：B超导态的电子比热可以通过假设BCS型指数温度依赖性或幂律行为来描述。

Unconventional Multi-gap Superconductivity and Antiferromagnetic Spin Fluctuations in New Iron-arsenide LaFe2As2 in Heavily Electron-doped Regime

We report 75As-NMR/NQR results on new iron-arsenide compounds (La0.5-xNa0.5+x)Fe2As2. The parent compound x=0 exhibits a stripe-type antiferromagnetic (AFM) order below T_N=130 K. The measurement of nuclear spin relaxation rate at hole-doped x=+0.3 and heavily electron-doped x=-0.5 revealed that the normal-state properties are dominated by AFM spin fluctuations (AFMSFs), which are more significant at x=+0.3 than at x=-0.5. Their superconducting (SC) phases are characterized by unconventional multi-gap SC state, where the smaller SC gaps are particularly weaken in common. The experimental resul…

重空穴掺杂金刚石的超导和正常态性质

Superconducting and Normal State Properties of Heavily Hole-Doped Diamond

本文报道了用非晶硼和石墨在高温高压条件下反应制备的掺硼金刚石的比热、霍尔效应、上临界场和电阻率的测量结果。这些实验建立了明确的证据，体超导性，并提供了一套一致的材料参数，有利于传统的，弱耦合的电子-声子解释的超导机制在高空穴掺杂。

重掺硼碳化硅的超导电性

Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide

2004年在重掺硼金刚石（C：B）和2006年在硅（Si：B）中发现的超导性重新引起了人们对半导体超导态的兴趣。宽禁带半导体的电荷载流子掺杂导致金属相，在进一步掺杂时可以出现超导性。最近，我们在一个密切相关的系统中发现了超导性：重硼掺杂碳化硅（SiC：B）。用于该研究的样品由立方和六方SiC相组成，因此这导致了它们中哪一个参与超导性的问题。在这里，我们专注于一个样品，主要由六方SiC没有任何迹象的立方修改通过X射线衍射，电阻率和交流磁化率。

重空穴掺杂Ba0.1K 0.9Fe 2As 2中Lifshitz转变可能出现的节超导能隙

Possible nodal superconducting gap emerging at the Lifshitz transition in heavily hole-doped Ba0.1K0.9Fe2As2

利用高能量分辨率的ARPES方法研究了过掺杂Ba_（0.1）K_（0.9）Fe_2As_2（Tc = 9K）的晶体结构.这种材料的费米表面拓扑结构与KFe2As2相似，与掺杂量稍低的Ba0.3K0.7Fe2As2不同，这意味着在x=0.7和x=0.9之间发生了Lifshitz跃迁。尽管在出现的偏离M中心的费米面袋瓣尖端发现了一个垂直节点，但超导能隙结构与Ba 0.3K 0.7Fe 2As 2的超导能隙结构相似，表明配对相互作用不是由费米面拓扑结构驱动的。

Crystalline anisotropy induces a second antiferromagnetic phase in the absence of SDW in the heavily hydrogen-doped LaFeAsO$_{1-x}$H$_x$ $(x\sim0.5 )$

Electronic and magnetic properties of the heavily H-doped LaFeAsO$_{1-x}$H$_x$ $(x\sim0.5 )$ were studied in the framework of the density functional theory combined with the dynamical mean field theory (DFT+DMFT). We found a stripe-like-ordered structure of hydrogen and oxygen atoms, as a ground state, with the same configuration as the antiferromagnetic (AF) order. The new configuration could explain the existing experimental results related to the heavily H-doped LaFeAsO$_{1-x}$H$_x$, such as an in-plane electronic anisotropy and a non-uniform magnetic behavior. A significant anisotropy was …

Importance of Fermi surface and magnetic interactions for the superconducting dome in electron doped FeSe intercalates

The van-der-Waals gap of iron chalcogenide superconductors can be intercalated with a variety of inorganic and organic compounds that modify the electron doping level of the iron layers. In Lix(C3N2H10)0.37FeSe, a dome in the superconducting transition temperature Tc has been reported to occur in the doping range of x=0.06 to x=0.68. We use a combination of density functional theory and spin fluctuation theory to capture the evolution of superconducting transition temperatures theoretically. We clearly demonstrate how the changing electronic structure supports an increasing superconducting Tc.…

Hidden robust presence of a hole Fermi surface in a heavily electron doped iron based superconductor LaFe$_2$As$_2$

We investigate the electronic structure of a recently discovered, heavily electron-doped iron based superconductor LaFe$_2$As$_2$. Although first principles calculation shows apparent absence of hole Fermi surfaces around the $Γ$ point, we reveal, by hypothetically removing the La $d$ orbital contribution, that a hole Fermi surface around the $Γ$ point is essentially present. In the collapsed phase of LaFe$_2$As$_2$, which is non-superconducting, the hole Fermi surface is found to be absent, and the difference from the uncollapsed superconducting phase can be naturally understood within the sp…

LiBC的合成及超导电性研究

Synthesis and search for superconductivity in LiBC

在Rosner等人[1]最近对空穴掺杂LiBC的超导电性的理论预测之后，我们尝试合成Li缺乏的LixBC（x = 1，0.8，0.6和0.4）并在该系统中寻找超导电性。我们的合成程序，按照配方的MgB 2，涉及反应的元素成分在钽坩埚在900 ° C下，在50巴的氩气压力。X-射线衍射测量表明，P63/mmc结构的形成高达x=0.6。然而，在300 ~ 4K的温度范围内，没有观察到对应于超导转变的抗磁信号或零电阻。这可能与B-C堆叠中存在的无序有关;通过红外光谱研究LixBC的振动模式可以证明这一点。

用高分辨康普顿散射和正电子湮没谱研究重掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的体费米面和动量密度

Bulk Fermi surface and momentum density in heavily doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ using high resolution Compton scattering and positron annihilation spectroscopies

本文用康普顿散射法观察了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的过掺杂（$x$ =0.3）单晶体费米面（FS）。根据测量的康普顿剖面进行的二维（2D）动量密度重建在沿[100]的第三布里渊区产生了清晰的FS特征。密度泛函理论（DFT）计算与动量密度实验之间的定量一致表明，费米液体物理恢复在过掺杂制度。特别是预测的FS拓扑被发现是在良好的符合相应的实验数据。我们发现测量的正电子湮没辐射（2D-ACAR）谱的二维角相关和基于DFT的计算之间类似的定量协议。然而，无论是在理论上还是在实验上，2D-ACAR都没有给出扩展动量空间中FS的清晰特征。

重电子掺杂铁基超导体中的自旋涨落和$s\pm$配对

Robust spin fluctuations and $s\pm$ pairing in the heavily electron doped iron-based superconductors

本文从理论上研究了La_（1111）和Sm_（1111）铁基超导体在宽范围电子掺杂下的自旋涨落和超导电性。当我们考虑到电子掺杂的能带结构变化时，源自$d_{X^2-Y^2}$轨道的空穴费米面对电子掺杂是鲁棒的，这引起了大的自旋波动，因此即使在重掺杂的情况下也会产生$s\pm$配对。Sm 1111的稳定空穴费米面比La 1111的大，这可以被认为是相图中明显差异的起源。

重掺杂石墨烯的电子结构：外来原子态的作用

Electronic structure of heavily-doped graphene: the role of foreign atom states

利用密度泛函理论计算了掺杂原子对石墨烯电子结构的影响。我们证明，随着电荷转移到石墨烯层的增加，原始石墨烯片的能带结构受到很大影响。当Ca原子以CaC $_{6}$化学计量沉积在石墨烯上时，这特别相关。与超导石墨夹层化合物中发生的情况类似，Ca带出现在费米能级。其与C态的杂化在费米能级以下的$π^{*}$带之一中产生强非线性，其能量与石墨烯E $_{2g}$声子频率相当。这种强的非线性，而不是manybody效应，如先前提出的，解释了大的和各向异性的值的表观电子-声子耦合角分辨光电发射测量。

重过掺杂（Bi，Pb）_2Sr_2CuO_6中Eliashberg函数的定量测定及电子与多声子模强耦合的证据

Quantitative Determination of Eliashberg Function and Evidence of Strong Electron Coupling with Multiple Phonon Modes in Heavily Over doped (Bi,Pb)2Sr2CuO6

用超高分辨激光角分辨光电子能谱测量了重掺杂（Bi，Pb）_2Sr_2CuO_6（Tc> 5K）超导体。利用准粒子色散在不同温度下的细微变化的高精度数据，我们开发了一个通用的程序来确定裸带色散和定量提取玻色子谱函数。我们的研究结果明确表明，70毫电子伏的节点扭结是由于电子耦合的多声子模式，具有很大的质量增强因子λ = 0.42，即使在重度过掺杂制度。

Enhanced superconductivity and moderate spin fluctuations suppressed at low energies in heavily electron-doped La1111-based superconductor

To elucidate the origin of re-enhanced high-$T_c$ phase in the heavily electron-doped Fe-pnictides, systematic $^{75}$As NMR studies are performed on heavily electron-doped LaFe$Pn$O$_{0.75}$H$_{0.25}$ by controlling the pnictogen height ($h_{Pn}$) from the Fe plane through the substitution at $Pn$(=As) site with Sb or P. The measurements of nuclear spin relaxation rate (1/$T_1$) and Knight shift ($K$) reveal that the moderate spin fluctuations at high temperatures are suppressed toward low temperatures. Such characteristic spin fluctuations with gap like feature at low energies are more enlar…

Effect of on-site Coulomb repulsion on ferromagnetic fluctuations in heavily over-doped cuprates

We theoretically study ferromagnetic (FM) fluctuations that are experimentally observed in the heavily overdoped region of cuprate superconductors. To explore the origin of FM fluctuations, we evaluate the spin susceptibilities of a single-band Hubbard model within the fluctuation exchange approximation. Model parameters are derived using the Wannierization technique and the constrained random phase approximation method based on the maximally localized Wannier functions. The constrained random phase approximation calculations reveal that the on-site Coulomb interaction decreases with an increa…

重掺氢铁基超导体LaFeAsO的压力量子相变

Quantum Phase transition under pressure in a heavily hydrogen-doped iron-based superconductor LaFeAsO

掺氢LaFeAsO是一种典型的铁基超导体。然而，它的相图超出了标准框架，其中超导（SC）相在载流子掺杂后跟随反铁磁（AF）相;相反，SC相夹在轻和重H掺杂制度中出现的两个AF相之间。我们在压力下进行了核磁共振（NMR）测量，重点是在重H掺杂制度的第二AF相。当压力为3.0 GPa时，第二AF相被强烈抑制，并且明显地转移到高度H掺杂的区域，从而出现“裸”量子临界点（QCP）。在QCP附近的顺磁状态下出现量子临界区，然而，AF临界涨落对SC相的影响仅限于QCP附近的窄掺杂区。最佳SC条件（$T_c \sim$ 48 K）不受AF波动的影响。

Zn掺杂和重欠掺杂YBa2Cu3O7-d低温下的异常电荷局域化

Unusual Charge Localization in Zn-doped and Heavily Underdoped YBa2Cu3O7-d at Low Temperatures

在磁场高达18 T的条件下，测量了Zn掺杂YBa_2Cu_3 O_（7-d）和重欠掺杂纯YBCO单晶的面内正常态电阻率。我们发现，正常态rho_ab的温度依赖性不服从log（1/T），在低温极限下不趋于发散。结果表明，YBCO正常态的"基态"是金属态.

重空穴掺杂超导体CsFe2As2中单自旋流体模型的击穿

Breakdown of single spin-fluid model in heavily hole-doped superconductor CsFe2As2

虽然铁基超导体是多轨道关联电子系统，但先前的核磁共振（NMR）测量表明，单个自旋流体模型足以描述其自旋行为。在此，我们首次通过择址核磁共振测量在重空穴掺杂的铁基超导体CsFe_2As_2中观察到单自旋流体模型的击穿。在高温区，133 Cs和75 As核的Knight位移和自旋-晶格弛豫都表现出明显的温度依赖性，表明CsFe 2As 2中单自旋流体模型被打破.这是由于在3d轨道上同时存在定域自旋自由度和巡游自旋自由度，这与轨道选择性Mott相一致。然而，随着温度的降低，通过在3d轨道之间发展相干态，单自旋流体行为逐渐恢复。提出了低温相干态的近藤液体方案。本文的工作对铁基超导体的理论模型提出了严格的限制。

Andreev反射谱中重掺Zn的$YBa_2Cu_3O_{7-δ}$中s波配对的证据

Evidence of a s-Wave Pairing in Heavily Zn-doped $YBa_2Cu_3O_{7-δ}$ from Andreev Reflection Spectra

当在$YBa_2Cu_3O_{7-δ}$中通过Zn掺杂抑制$d_{x^2-y^2}$波配对时，发现一些Andreev反射光谱与常规超导体的s波光谱相似。能隙是相当可重复的（2.3-3.0meV）。它被低磁场（$H_C^{PC}=120-270mT$）抑制，这与d波谱（$H_C^{PC}>3T$）形成了很大的对比，具有相似的能隙值。我们假设s波配对发生在Zn杂质附近。

重掺硼（111）金刚石薄膜的超导电性优势

Advantage on Superconductivity of Heavily Boron-Doped (111) Diamond Films

在高硼掺杂浓度为8.4E21cm-3（4.7atomic%）的同质外延（111）金刚石薄膜上实现了目前金刚石中最高的超导转变温度Tc（onset）为11.4K，Tc（offset）为7.4K。在相同的硼浓度下，（111）金刚石薄膜的Tc值比（100）金刚石薄膜的Tc值高一倍以上。掺硼（111）金刚石的Tc随着硼含量的增加而增加，直到最大掺入浓度，并且与使用McMillan方程估计的值一致。（111）金刚石膜的有利Tc是由于较高的载流子浓度超过其硼浓度。

Superconductivity at 48 K of heavily hydrogen-doped SmFeAsO epitaxial films grown by topotactic chemical reaction using CaH2

High-critical-temperature (Tc) superconductivity at 48 K is reported for hydrogen-doped SmFeAsO epitaxial films on MgO single-crystal substrates. The key processes are pulsed laser deposition to grow undoped SmFeAsO epitaxial films and subsequent topotactic chemical reaction using CaH2 powders under evacuated silica-glass ampule atmosphere. Based on this post-deposition thermal annealing treatment that we have developed, a maximum hydrogen concentration x = ~0.35 was realized in SmFeAs(O1-xHx). Disordered hydrogen-substitution at O sites is experimentally confirmed directly by atomic-scale mic…

重掺杂LaFeAsO $_{1-x}$ H $_x$磷属元素化物超导体量子临界行为的核磁共振分析

Quantum critical behavior in heavily doped LaFeAsO$_{1-x}$H$_x$ pnictide superconductors analyzed using nuclear magnetic resonance

用$^{75}$ As和$^{1}$ H核磁共振技术研究了重电子掺杂高- $T_c$磷族化合物LaFeAsO $_{1-x}$ H $_x$中第二反铁磁相的量子临界行为.在第二AF阶段，我们观察到一个空间调制的自旋密度波的状态$x$ =0.6从NMR谱线的形状和检测到一个低能量激发间隙从核弛豫时间的$T_1$ As。激发能隙在$x \approx 0.49$的AF量子临界点（QCP）处闭合。在较低掺杂制度中的超导（SC）相仅在AF QCP处接触第二AF相，并且两相彼此分离。AF临界涨落的消失和面内电各向异性的增强是超导电性发展的关键因素。

Elastoresistivity of heavily hole doped 122 iron pnictides superconductors

Nematicity in the heavily hole-doped iron pnictide superconductors remains controversial. Sizeable nematic fluctuations and even nematic orders far from a magnetic instability were declared in RbFe$_2$As$_2$ and its sister compounds. Here we report a systematic elastoresistance study of series of isovalent- and electron-doped KFe$_2$As$_2$ crystals. We found divergent elastoresistance upon cooling for all the crystals along their [110] direction. The amplitude of elastoresistivity diverges if K is substituted with larger ions or if the system is driven towards a Lifshitz transition. However, w…

AxFe2Se2（A=K，Cs）中重电子掺杂的电子结构和各向同性超导能隙

Heavily electron-doped electronic structure and isotropic superconducting gap in AxFe2Se2 (A=K,Cs)

用角分辨光电子能谱研究了新发现的超导体AxFe_2Se_2（A=K，Cs）的低能能带结构和费米面。与铁磷属元素化物超导体相比，AxFe_2Se_2（A=K，Cs）是电子掺杂最重的超导体，Tc~30 K。在铁基超导体中，只观察到电子口袋，其超导能隙约为10.3 meV，而在带中心附近没有空穴费米面，表明口袋间跳跃或费米面嵌套不是铁基超导体非常规超导性的必要组成部分.因此，改变符号的s $_\pm$配对对称性，铁基超导体的主要候选者，在这里描述超导态时变得概念上无关紧要。一个更传统的s波配对是一个更好的描述。

重掺硼硅外延层中Bardeen-Cooper-Schrieffer超导电性的亚开尔文隧道谱研究

Subkelvin tunneling spectroscopy showing Bardeen-Cooper-Schrieffer superconductivity in heavily boron-doped silicon epilayers

在亚开尔文温度范围内对掺硼的超导硅外延层进行了扫描隧道谱研究。由此产生的局部微分电导表现为均匀超导体的预期，能隙色散低于+/-10%。超导能隙的光谱形状、振幅和温度依赖性符合BCS模型，进一步支持了弱耦合极限下声子介导的空穴配对机制的假设.

Pressure-induced quantum critical point in a heavily hydrogen-doped iron-based superconductor LaFeAsO

An iron-based superconductor LaFeAsO$_{1-x}$H$_x$ (0 $\leq x \leq$ 0.6) undergoes two antiferromagnetic (AF) phases upon H doping. We investigated the second AF phase ($x$=0.6) using NMR techniques under pressure. At pressures up to 2 GPa, the ground state is a spin-density-wave state with a large gap; however, the gap closes at 4.0 GPa, suggesting a pressure-induced quantum critical point. Interestingly, the gapped excitation coexists with gapless magnetic fluctuations at pressures between 2 and 4 GPa. This coexistence is attributable to the lift up of the $d_{xy}$ orbital to the Fermi level,…

常压下重锶掺杂的La$_{2}$SrNi$_{2}$O$_{7-δ}$作为四方Ruddlesden-Popper相

Heavily Sr-Doped La$_{2}$SrNi$_{2}$O$_{7-δ}$ as a Tetragonal Ruddlesden-Popper Phase at Ambient Pressure

该研究合成了重锶掺杂的La$_{2}$SrNi$_{2}$O$_{7-δ}$，证实其为常压下的四方RP相，发现该材料无超导电性，归因于Ni-3d$_{z^2}$带偏离半填充状态，为双层镍酸盐超导研究提供了关键线索。

重掺杂石墨烯的双能隙超导性：从头算Migdal-Eliashberg理论

Two-gap superconductivity in heavily n-doped graphene: ab initio Migdal-Eliashberg theory

石墨烯是从零维到三维材料的碳家族中唯一尚未观察到超导性的成员。目前尚不清楚对超导石墨烯的探索是否受到技术挑战的阻碍，或者是二维序参量的波动。在这一领域，从头计算是有用的，以指导实验工作，缩小搜索空间。本着这种精神，我们从第一原理研究了使用由Wannier-Fourier插值提供动力的完全各向异性Migdal-Eliashberg理论在掺杂石墨烯中诱导超导性的可能性。为了解决最好的情况下，我们考虑在高载流子密度的电子和空穴掺杂，以便对准费米能级的范霍夫奇点。在这些条件下，我们发现超导间隙的$s$波对称性，与轻微的各向异性引起的三角形翘曲，并在$n$掺杂的石墨烯的情况下，一个意想不到的两个间隙结构联想到MgB $_2$。我们的Migdal-Eliashberg计算表明，对于载流子密度超过$10^{15}$ cm $^{-2}$的$n$掺杂的石墨烯，在低温下观察到超导性应该是可能的。

重电子掺杂BaFe $_{1.7}$ Co $_{0.3}$ As $_2$电子结构的角分辨光电子能谱研究

Electronic structure of heavily electron-doped BaFe$_{1.7}$Co$_{0.3}$As$_2$ studied by angle-resolved photoemission

我们对重电子掺杂非超导BaFe $_{1.7}$ Co $_{0.3}$ As $_2$进行了高分辨角分辨光电子能谱研究。我们发现在空穴掺杂的超导体Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$中观察到的两个空穴费米面口袋在该化合物中不存在或非常小，而在M点处的两个电子口袋由于Co替代的电子掺杂而显著膨胀。非SC和SC样品的费米面的比较表明，通过反铁磁波矢连接的空穴和电子口袋的共存是实现铁基超导体的超导性机制的必要条件。

Neutron Spin Resonance in the Heavily Hole-doped KFe$_{2}$As$_{2}$ Superconductor

We report high-resolution neutron scattering measurements of the low energy spin fluctuations of KFe$_{2}$As$_{2}$, the end member of the hole-doped Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$ family with only hole pockets, above and below its superconducting transition temperature $T_c$ ($\sim$ 3.5 K). Our data reveals clear spin fluctuations at the incommensurate wave vector ($0.5\pmδ$, 0, $L$), ($δ$ = 0.2)(1-Fe unit cell), which exhibit $L$-modulation peaking at $L=0.5$. Upon cooling to the superconducting state, the incommensurate spin fluctuations gradually open a spin-gap and form a sharp spin resonance…

用核磁共振技术探测重掺杂LaFeAsO1-xHx磷属元素化物超导体中的反铁磁有序

Detection of antiferromagnetic ordering in heavily doped LaFeAsO1-xHx pnictide superconductors using nuclear-magnetic-resonance techniques

利用~（75）As-和~ 1H-核磁共振技术研究了LaFeAsO_（1-x）H_x中的双超导（SC）穹，意外地发现在进一步掺H时，在双SC穹之后出现了一个新的反铁磁（AF）相，在电子相图中形成了AF相和SC相的对称排列。我们证明了新的AF排序起源于电子口袋之间的嵌套，不像在大多数未掺杂的pnictides中看到的电子和空穴口袋之间的嵌套。新的AF排序是来自于共同的高Tc磷属元素化物的功能：然而，它还没有被报道，因为它们的电子掺杂能力差的其他高Tc磷属元素化物。

Irradiation induced modification of the superconducting properties of heavily boron doped diamond

Diamond, a wide band-gap semiconductor, can be engineered to exhibit superconductivity when doped heavily with boron. The phenomena has been demonstrated in samples grown by chemical vapour deposition where the boron concentration exceeds the critical concentration for the metal-to-insulator transition of $n_{MIT} \gtrsim 4\times10^{20}/\text{cm}^3$. While the threshold carrier concentration for superconductivity is generally well established in the literature, it is unclear how well correlated higher critical temperatures are with increased boron concentration. Previous studies have generally…

重电子掺杂Li $_{1+x}$ FeAs中高能扭折结构的磁起源

Magnetic origin of high-energy kink structure in heavily electron-doped Li$_{1+x}$FeAs

我们报道了用三维角分辨光电子能谱观察到的重电子掺杂非超导Li $_{1+x}$ FeAs的高能扭结结构的起源。在布里渊区中心的$d_{xy}$轨道强烈重整化，表明更强的电子相关性，超过化学计量比的LiFeAs，尽管事实上，所有频带的轨道特征保持不变。在$d_{yz}$能带上发现了两种类型的扭折结构：在20 meV的结合能处的各向同性扭折和仅在（110）方向上观察到的位于100 meV处的另一种扭折。较高能量的扭结被认为是源于磁相互作用，因为峰值能量与自旋激发的能量一致。

Heavily Hydride-ion-doped 1111-type Iron-based Superconductors: Synthesis, Physical Properties and Electronic Structure

Iron-based superconductors have grown to be a new continent of high Tc superconductors comparable to cuprates. The optimal critical temperature (Tc) of 56 K in electron-doped 1111-type iron oxypnictides attracts considerable attention of physicists and chemists. Carrier doping is not only essential to induce superconductivity but also is a critical parameter that governs the electronic, magnetic, and crystallographic properties of ground states in high-Tc superconductors. Hydride ion (H-) which is an anionic state of hydrogen acts as an efficient electron donor in the 1111-type, leading to sev…

重掺杂MoS2中的相互作用和超导电性

Interactions and superconductivity in heavily doped MoS2

我们分析了最近在MoS $_2$中观察到的超导相的微观起源和物理性质。我们展示了如何的导带的谷结构的组合，密度依赖的屏蔽的远程库仑相互作用，短程电子排斥，和相对薄弱的电子-声子相互作用，使得可能存在的超导序参量具有相反的符号在不同的山谷，类似的超导性中发现的pnictides和铜酸盐的相。

重电子掺杂铁硒超导体中由多Q自旋涨落驱动的电荷序

Charge order driven by multiple-Q spin fluctuations in heavily electron-doped iron selenide superconductors

本文利用扫描隧道显微镜在Fe位缺陷抑制超导的重电子掺杂铁硒化物中发现短程棋盘状电荷序，并通过模拟证明其由多Q自旋密度波驱动，揭示了竞争序的存在及电荷序探测自旋涨落的潜力。

重空穴掺杂铁基超导体中的电子向列性

Reemergeing electronic nematicity in heavily hole-doped Fe-based superconductors

在关联电子系统中，电子晶相的量子熔化往往会产生许多新的电子相。在铜氧化物超导体中，熔融莫特绝缘相和载流子掺杂导致液晶相的量子版本，电子向列性，其打破旋转对称性并表现出高温超导性的紧密扭曲。最近，在铁基超导体中也观察到了电子向列性。然而，它是否与其铜酸盐对手有类似的情况仍然难以捉摸。在这里，通过测量核磁共振在CsFe_2As_2，一个原型的铁基超导体被认为是从一个莫特绝缘相在3d 5配置，我们报告的各向异性四倍展宽效应作为局部旋转对称性破缺的直接结果。首次建立了Mott绝缘相和电子向列性之间的明确联系，并将其推广到铁基超导体。这一发现将促进对电子向列性及其与高温超导性关系的普遍理解。

Charge-doping-induced variation of BaFe$_2$As$_2$ electronic structure and the emerging physical effects

We studied the relationship between the charge doping and the correlation, and its effects on the spectral function of the BaFe$_2$As$_2$ compound in the framework of the density functional theory combined with the dynamical mean field theory (DFT+DMFT). The calculated mass enhancements showed that the electronic correlation varies systematically from weak to strong when moving from the heavily electron-doped regime to the heavily hole-doped one. Since the compound has a multi-orbital nature, the correlation is orbital-dependent and it increases as hole-doping increases. The Fe-3d$_{xy}$ (xy) …

Co取代NaFeAs的能带结构从最佳掺杂到重过掺杂的演化

Evolution of band structure from optimally doped to heavily overdoped Co-substituted NaFeAs

用角分辨光电子能谱研究了NaFe $_{1-x}$ Co $_x$ As从最佳掺杂超导化合物（$x=0.028$）到重过掺杂非超导化合物（$x=0.109$）的电子结构。与“122”型铁磷属元素化合物的情况类似，我们的数据表明，在NaFe $_{1-x}$ Co $_x$ As中的Co掺杂提供了额外的载流子，并相应地移动了费米能级。在$x=0.109$化合物中，围绕带中心$Γ$的空穴状带移动到更深的结合能，而出现电子口袋。在整个掺杂范围内，我们研究的整体能带重整化基本上保持不变，这表明局部磁/电子相关性不受载流子掺杂的影响。我们推测，流动载流子的巡游特性和局域相互作用之间的平衡可能对超导性起着重要的作用。

重电子掺杂FeSe体系的配对机制：配对截止能的动态调谐

Pairing Mechanism of the Heavily Electron Doped FeSe Systems: Dynamical Tuning of the Pairing Cutoff Energy

研究了重电子掺杂FeSe（HEDIS）体系的配对机制，该体系在布里渊区（BZ）的$Γ$点和$M$点处通常都有一个初始空穴带--一个在费米能级之下有限能距$ε_b$的带顶.我们发现该系统允许两个简并超导解在干净极限下具有完全相同的$T_c$：初始$s^{\pm}_{he}$ -能隙（$Δ_h^{-} \neq 0$，$Δ_e^{+} \neq 0$）和$s_{ee}^{++}$ -能隙（$Δ_h =0$，$Δ_e^{+} \neq 0$）解，它们分别具有不同的配对截止值，$Λ_{sf}$（自旋涨落能）和$ε_b$.因此，$s_{ee}^{++}$ -间隙解决方案（其中系统将原始配对截止$Λ_{sf}$动态地重整为$Λ_{phys}=ε_b$（$< Λ_{sf}$））主动地消除了形成库珀对的初始空穴带，但没有$T_c$的损失，变得对杂质对断裂免疫。结果表明，HEDIS系统通过动态调整配对截止值和选择$s_{ee}^{++}$配对状态，可以使退化$s^{\pm}_{he}$解在理想清洁极限下的$T_c$始终达到最大值，即使在脏极限下也是如此.

重掺杂Ba $_{1-x}$ K $_{x}$ Mn $_{2}$ As $_{2}$中新的弱铁磁金属态

Novel weak-ferromagnetic metallic state in heavily doped Ba$_{1-x}$K$_{x}$Mn$_{2}$As$_{2}$

成功地生长了重掺杂Ba $_{1-x}$ K $_{x}$ Mn $_{2}$ As $_{2}$（$x$ =0.19和0.26）单晶，并对其电阻率和各向异性磁化率进行了测量。与未掺杂的BaMn $_{2}$ As $_{2}$的反铁磁绝缘基态相反，K掺杂的晶体在低于$\sim$ 50 K时显示出金属导电性，具有弱铁磁性，而在高于$\sim$ 50 K时显示出Curie-Weiss类面内磁化率。在高达6 GPa的高压下，低温金属性转变为以Kondo型电阻率最小值为特征的状态，而在2.5K以上没有任何超导性特征。使用$2\times2\times1$超晶胞对$x$ =0.25的电子结构计算再现了空穴掺杂金属态。费米能级处的态密度具有明显的As 4 $p$分量，表明4 $p$空穴是金属导电的主要原因.我们的研究结果表明，巡游4 $p$空穴和本地3 $d$矩之间的相互作用是主要负责的新的金属状态。

重电子掺杂Li0.8Fe 0.2ODFeSe超导体的自旋激发结构

Structure of spin excitations in heavily electron-doped Li0.8Fe0.2ODFeSe superconductors

重电子掺杂硒化铁（HEDIS）高转变温度（高- $T_{\rm{c}}$）超导体，其没有空穴费米口袋，但具有显著高的$T_{\rm{c}}$，已经挑战了最初针对包含电子和空穴口袋的铁磷属元素化物提出的流行的$s$ $_\pm$配对方案。HEDIS中增强的超导电性的微观机制仍然不清楚。在这里，我们使用中子散射来研究HEDIS材料Li $_{0.8}$ Fe $_{0.2}$ ODFeSe（$T_{\rm{c}}$ = 41 K）的自旋激发。我们的数据显示，在$\sim$ 21 meV的近环形磁共振激发周围（$π$，$π$）。随着能量的增加，自旋激发呈现菱形，并且它们向外分散，直到能量达到$\sim$ 60 meV，然后在更高的能量下向内分散。所观察到的能量依赖的动量结构和扭曲的色散附近的自旋激发（$π$，$π$）是类似的空穴掺杂的铜氧化物在几个方面，从而意味着这种自旋激发是必不可少的显着高的$T_{\rm{c}}$在这些材料。

什么控制了电子掺杂FeSe的超导穹顶？

What controls the superconducting dome of electron-doped FeSe?

通过分子束外延、碱金属表面掺杂、真空电输运和角分辨光电子能谱，研究电子掺杂FeSe的整个超导穹顶，发现Tc与残余电阻率ρ0之间存在稳健的标度关系，表明弹性散射率主导了超导穹顶的形成。

重过掺杂La2-xSrxCuO4中隐藏的巡游自旋相的中子散射和角分辨光电子能谱研究

Hidden itinerant-spin phase in heavily-overdoped La2-xSrxCuO4 revealed by dilute Fe doping: A combined neutron scattering and angle-resolved photoemission study

我们用实验方法证明了一种直接的方法来探测在具有强费米面嵌套的非磁性金属中自旋密度波（SDW）形成的潜在倾向。用Fe取代微量Cu（1%），在20 K以下的温度下，在重过掺杂La 2-xSrxCuO 4（LSCO）中诱导出了无公度磁序.弹性中子散射表明，这种顺序不能归因于本地化的自旋铜或掺杂的铁。角分辨光电子能谱（ARPES），结合数值计算，揭示了一个强大的费米表面嵌套固有的原始LSCO可能驱动这个顺序。因此，重过掺杂的Fe掺杂的LSCO代表了铜酸盐长期寻求的“巡回自旋极端”的第一个合理的例子，其中巡回掺杂空穴的自旋定义了磁有序基态。这一发现补充了铜氧化物自旋物理的当前图片，突出了本地化的自旋在较低的掺杂的主导作用。所展示的一套方法可能适用于研究隐藏的密度波不稳定性的其他“嵌套”材料的边缘的密度波有序。

用~（75）NQR和Specific Heat研究重空穴掺杂超导体KFe2As2中可能的线结多能隙超导性

Possible Multiple Gap Superconductivity with Line Nodes in Heavily Hole-Doped Superconductor KFe2As2 Studied by 75As-NQR and Specific Heat

报道了重空穴掺杂超导体KFe_2As_2（Tc = 3.5K）的~（75）As核四极共振（NQR）和比热测量结果。超导态的自旋-晶格弛豫速率1/T1表现出相当平缓的温度依赖性，在Tc以下没有相干峰。准粒子比热C_QP/T在低于Tc时有很小的比热跃变，约为电子比热系数的30%。此外，在最低测量温度T = 0.4 K \simeq Tc/10时，还存在低能准粒子激发.这些1/T1和C_QP/T的温度依赖性可以用多节超导能隙方案来解释，而不是简单能隙分析中的多个全能隙s_ \pm波方案。

Na掺杂Ca2CuO2Cl2单晶的角分辨光电子能谱：重欠掺杂超导体中磁性绝缘体的指纹

Angle-resolved photoemission spectroscopy of Na-doped Ca2CuO2Cl2 single crystals: Fingerprints of a magnetic insulator in a heavily underdoped superconductor

首次在高压下成功生长的四元Ca（1.9）Na（0.1）CuO（2）Cl（2）单晶的角分辨光电子能谱实验揭示了从反铁磁体到高温超导体的电子演化过程。在这种低掺杂的超导体中，我们发现了母体绝缘体的清晰指纹：阴影带和大的赝能隙。这些观察结果很可能被描述为“化学势位移”，这与从原型La（2-x）Sr（x）CuO（4）中了解到的“钉扎化学势”的流行观点形成鲜明对比，表明通往高Tc超导体的途径并不独特。

掺钾FeSe薄膜双顶超导电性的观察

Observation of Double-Dome Superconductivity in Potassium-Doped FeSe Thin Films

本文报道了在石墨化SiC（0001）衬底上生长的掺碱金属钾（K）的FeSe超薄膜中出现的两个不连续的超导圆顶。超导电性表现出超敏性K剂量在较低的Tc圆顶，而在重电子掺杂的较高的Tc圆顶，它成为空间均匀和强大的对无序，支持传统的库珀配对机制。此外，重K掺杂的多层FeSe膜都显示出~ 14 meV的大的超导能隙，与膜厚度无关，仅在最顶部的FeSe层中验证了较高的Tc超导性。双圆顶超导相的不寻常的发现已经朝着FeSe衍生超导体中超导性的机理理解迈进了一步。

重空穴掺杂Ba1-xKxFe2As2中空穴袋间符号反转的超导能隙

Superconducting gap with sign reversal between hole pockets in heavily hole-doped Ba1-xKxFe2As2

为了深入了解铁磷族元素化物的非常规超导性，没有电子口袋，我们测量了重空穴掺杂制度的Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$的热导率$κ$和穿透深度$λ$。剩余热导率$(κ/T)_{T \rightarrow 0\,{\rm K}}$和$λ$的$T$依赖性一致地表明在$x=0.76$处的完全带隙超导性和在较高空穴浓度处的（线）节超导性。在低温下的$\fracκ{T}\cdot T_c|_{T \rightarrow 0\,{\rm K}}$和$\frac{dλ}{d(T/T_c)}$的大小，这两者都是由低能量激发的性质决定的，表现出非常不寻常的非单调x依赖性。这些结果表明，在一个狭窄的掺杂范围内的节点特性的显着变化，表明掺杂交叉的s波状态之间的间隙函数与$Γ$中心的空穴袋之间的符号反转和没有。

重掺杂Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$的轨道和泡利限幅效应

Orbital and Pauli limiting effects in heavily doped Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$

研究了Fe基轻无序超导体Ba $_{0.05}$ K $_{0.95}$ Fe $_2$ As $_2$在沿FeAs层（H//ab面）外加磁场H中的热力学性质.该掺杂水平的超导（SC）转变温度为T $_c$ = 6.6 K。对T < T $_c$的比热C（T，H）的分析表明，在不同的费米口袋中，超导序参量的符号发生了变化。为三组分超导序参量提供了实验依据。我们发现，所有这三个组件的值与以前报道的化学计量化合物KFe $_2$作为$_2$。我们的C（T，H）和电阻率ρ（T，H）的数据可以解释为有利于占主导地位的轨道贡献的对破缺机制在低场，而泡利限制效应占主导地位，在高场，产生一个无带隙超导态，只有领先的非零间隙。

重掺杂块状单晶金刚石与石墨烯/金刚石异质结构中的超导性和金属行为

Superconductivity and metallic behavior in heavily doped bulk single crystal diamond and graphene/diamond heterostructure

该研究通过硼氮共掺杂制备高载流子浓度单晶超导金刚石，并揭示迁移率调控下的超导—金属转变，还利用石墨烯/金刚石异质结构使单层石墨烯超导。

高临界温度s±波超导性在重电子掺杂无限层镍酸盐中的可能性理论研究

Theoretical study on the possibility of high $T_c$ s$\pm$-wave superconductivity in the heavily hole-doped infinite layer nickelates

该研究探讨了在重电子掺杂无限层镍酸盐中实现高临界温度s±波超导性的可能性，通过电子构型和能带相互作用分析，发现超导性增强源于d_{x²−y²}带与其他轨道的能量偏移。

重掺杂石墨烯中（d+id）波超导态的缺陷

Defects in the (d+id)-wave superconducting state in heavily doped graphene

一个手征时间反转对称性破缺（d+id）波超导态很可能出现在石墨烯掺杂接近范霍夫奇点。由于重掺杂程序预计将引入缺陷，我们在这里研究的（d+id）波超导状态在范霍夫奇点的微观缺陷的影响。我们发现，虽然超导秩序减少附近的缺陷，（d+id）波状态保持不变，并恢复在指数的方式远离缺陷。恢复长度被发现是一个晶格常数弱耦合的顺序。这与常规s波状态的恢复长度相当，表明非常规（d+id）波状态对缺陷具有相当的弹性。此外，我们发现一个单一的网站缺陷和更广泛的缺陷，如双空位之间没有显着的变化。虽然（d+id）波状态是完全带隙的，我们也表明，缺陷引入本地化的midgap状态与非零能量，这应该是通过扫描探针实验访问。

重电子掺杂FeSe块材表层的20 K超导电性

20 K superconductivity in heavily electron doped surface layer of FeSe bulk crystal

最近在SrTiO_3（STO）上生长的单层（1 ML）FeSe中发现了高达100 K的超导转变温度。这一发现立即引发了人们的努力，以确定从其体积值7 K急剧增强Tc的机制。目前，有两个主要观点的起源增强Tc;在第一个视图中，增强来自界面效应，而在另一个它是从过剩的电子与强关联强度。这个问题是有争议的，有证据支持每一种观点。找到Tc增强的起源可能是实现更高Tc和确定铁基材料中超导性的微观机制的关键。在这里，我们报告的20 K的超导电性在电子掺杂的FeSe的表面层的观察。表面层的电子态具有STO上1 ML FeSe的所有关键光谱方面。在没有任何界面效应的情况下，发现表面层态具有20 K的中等Tc，具有4 meV的较小间隙开口。我们的研究结果清楚地表明，过剩的电子与强相关强度不能单独诱导的最大Tc，这反过来又强烈建议需要一个界面效应，以达到增强Tc发现在1 ML FeSe/STO。

重空穴掺杂Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$超导超导能隙结构的掺杂演化：热输运研究

Doping evolution of the superconducting gap structure in heavily hole-doped Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$: heat transport study

我们对重空穴掺杂的Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$单晶进行了系统的热导率测量，其中0.747 $\leq x \leq$ 0.974。当$x$ = 0.747时，$κ_0/T$可忽略，表明无节点超导能隙。在$x$ = 0.826处出现一个小的残余线性项$κ_0/T$（$\approx$ 0.035 mW/K $^2$ cm），它缓慢增加到$x$ = 0.974，随后急剧增加到纯KFe $_2$ As $_2$（$x$ = 1.0）的20倍以上。$κ_0/T$的这种掺杂依赖性清楚地表明，节点间隙出现在$x = 0.8$附近，可能与费米表面拓扑结构的变化有关。$x$ = 0.826至0.974的$κ_0/T$的小值支持“$\curlyvee$“形节$s$ -波隙，该波隙最近由$x$ = 0.9的角分辨光电子能谱实验揭示。此外，$κ_0/T$从$x$ = 0.974到1.0的急剧增加与KFe $_2$ As $_2$中的一个非对称的$d$ -波隙不一致，并讨论了KFe $_2$ As $_2$中可能的节隙结构.