TiO$_2$-based Memristors and ReRAM: Materials, Mechanisms and Models (a Review)

Probabilistic Memristive Networks: Application of a Master Equation to Networks of Binary ReRAM cells

The possibility of using non-deterministic circuit components has been gaining significant attention in recent years. The modeling and simulation of their circuits require novel approaches, as now the state of a circuit at an arbitrary moment in time cannot be precisely predicted. Generally, these circuits should be described in terms of probabilities, the circuit variables should be calculated on average, and correlation functions should be used to explore interrelations among the variables. In this paper, we use, for the first time, a master equation to analyze the networks composed of proba…

基于氧化还原的电阻开关中的纳米电池需要扩展忆阻器理论

Nanobatteries in redox-based resistive switches require extension of memristor theory

基于氧化还原的纳米离子电阻存储单元（ReRAM）是未来信息技术中最有前途的新兴纳米器件之一，其应用于存储器、逻辑和神经形态计算。最近，ReRAM与忆阻器和忆阻器件之间联系的偶然发现进一步加强了该领域的研究。在这里，我们在理论和实验水平上表明，纳米离子型忆阻元件固有地由非平衡态控制，从而产生纳米电池。因此，忆阻器理论必须加以扩展，以适应所观察到的非过零的I-V特性。纳米电池的初始电动势取决于材料系统的化学和传输特性，但也可以在ReRAM电池操作期间引入。电动势对纳米级存储器的动态行为有很大的影响，因此，它的控制是未来器件开发和精确建模的关键因素之一。

导电金属氧化物与氧化铪双层忆阻器（ReRAM）：一项从头算研究

Conductive metal oxide and hafnium oxide bilayer ReRAM: an ab initio study

本研究通过GGA从头算模拟双层ReRAM中TaO/TiO与立方$HfO_2$的界面，揭示氧空位细丝的降阻效应、CMO氧过剩的电阻调制机制及两种CMO器件的阻态差异。

Oxide layer thickness effects on the resistance switching characteristics of Ti/TiO2-NT/Au structure

Self-ordered nanotubular titania TiO2-NT with outer tube diameter of 45 nm are synthesized using the anodic oxidation of titanium foil. Four sets of memristors with 100 $μm$ diameter based on Ti/TiO2-NT/Au sandwich structures with an oxide layer thickness of 80, 120, 160 and 200 nm are fabricated. Current-voltage (CV) characteristics for the obtained samples in the static and dynamic operation modes are studied. Resistance in high and low resistance states is estimated. Basing on the analysis of the CV characteristics in dynamic mode (> 14 000 switchings) a prospective of use for synthesized T…

忆阻器器件的关系型制备-建模数据库

A relational fabrication-to-modeling database for memristor devices

针对忆阻器数据集稀缺问题，构建整合制备、表征与建模的关系型数据库，关联6190个器件与16万余实验，支持溯源查询与数据分析，助力忆阻器技术发展。

忆阻纳米结构的分析方法

An Analytical Approach for Memristive Nanoarchitectures

由于传统的存储器技术受到其技术物理限制的挑战，由新型材料驱动的新兴技术正在成为未来存储器架构的有吸引力的选择。在这些技术中，电阻存储器（ReRAM）由于其纳米特征和独特的$I$ - $V$特性而创造了新的可能性。限制最大阵列尺寸的一个特定问题是由于潜路径电流引起的来自相邻单元的干扰。解决这个问题的可能的器件级解决方案是使用互补电阻开关（CRS）来实现存储器阵列。虽然CRS的存储机制与忆阻器的存储机制（低电阻和高电阻）有根本的不同，但CRS只是由两个极性相反的串联双极忆阻器组成。在本文中，我们的目的是介绍建模原则，以前已经通过测量验证和扩展的模拟原理的基础上忆阻器的CRS设备，从而提供了一个分析方法的CRS阵列的设计。所提出的方法创建必要的设计方法平台，将有助于设计人员在未来的系统中实施CRS设备。