Memory Effects in the Charge Response of Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}
利用几种实验方案研究了单晶La_{1.97} Sr_{0.03} CuO_{4}在低温T下的面内磁电阻（MR）。在T远低于自旋-玻璃化转变温度时，MR变为正的，并表现出几种玻璃化特征，如历史依赖性、记忆性和滞后性。这些观察结果与先前报道的面外电阻的行为定性相似。结果表明，在MR的记忆效应有关的玻璃化的掺杂空穴的动力学的发病。
2011-12-29 cond-mat.str-el
The magnon-mediated attraction between two holes doped in a CuO$_2$ layer
使用一个现实的多带模型的两个空穴掺杂到一个CuO $_2$层，我们设计了一种方法来关闭磁振子介导的相互作用之间的孔。这使我们能够验证这种相互作用是有吸引力的，因此确实可能是超导胶的一部分。我们推导了它的解析表达式，并表明它由一种新的对跳跃+自旋交换项。它的耦合常数是由变分精确对角化得到的基态能量拟合的，它忠实地再现了整个布里渊区中磁振子介导的吸引效应。对于现实的参数值，这种有效的相互作用是边界足够强，绑定成预制对孔。
2019-10-30 cond-mat.str-el
Doping Asymmetry of a 3-orbital CuO$_2$ Hubbard Model
虽然空穴和电子掺杂的铜氧化物都可以表现出$d_{x^2-y^2}$波超导性，但已知掺杂载流子的局部分布显著不同，掺杂空穴主要在O位点上，而掺杂电子在Cu位点上。在这里，我们报告的CuO $_2$晶格的三轨道模型的密度矩阵重整化计算的结果。除了不对称的依赖性的内单元格占用的铜和O的空穴和电子掺杂，我们发现重要的差异，在较长范围的自旋和电荷的相关性。正如预期的那样，对场响应具有$d_{x^2-y^2}$样结构的空穴和电子掺杂系统。
2015-03-05 cond-mat.str-el
History dependent magnetoresistance in lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} thin films
在磁场B ~ 9 T范围内，测量了分子束外延生长的原子级光滑La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的面内磁电阻（MR）。x=0.03和x=0.05的薄膜是绝缘的，在T<4K时出现正磁电阻。正磁共振显示玻璃状特征，包括历史依赖性和记忆，对所有的取向的B。结果表明，这种行为，这反映了玻璃化的掺杂空穴的动力学中的发病，是一个强大的绝缘状态的功能。
2011-12-30 cond-mat.str-el
Spin Dynamics in the LTT Phase of ~1/8 Doped Single Crystal La_{1.67}Eu_{0.2}Sr_{0.13}CuO_4
本文报道了单晶La_{1.67} Eu_{0.2} Sr_{0.13} CuO_4中La和Cu的NMR弛豫测量结果。在自旋有序状态下观察到的La自旋-晶格弛豫速率的强峰由BPP机制[1]很好地描述，并且是由于电子自旋波动随着温度降低而连续减慢而产生的;这些自旋波动在有序状态下表现出类似XY的各向异性。自旋赝能隙在LTT阶段被静态电荷条纹序增强。
2000-01-25 cond-mat.str-el
Microwave Electrodynamics of the Electron-Doped Cuprate Superconductors Pr_(2-x)Ce_(x)CuO_(4-y) and Nd_(2-x)Ce_(x)CuO_(4-y)
电子掺杂的铜氧化物超导体的对态对称性被认为是s波性质，而空穴掺杂的超导体则表现出d波对称性。我们重新审视这个问题的基础上，我们的电子掺杂材料和我们的测量技术的最新进展。本文报道了Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4-y）和Nd_（2-x）Ce_xCuO_（4-y）晶体穿透深度与温度关系的微波腔微扰测量。我们的数据有力地表明，在这些材料中的配对对称性不是s波。
2000-01-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Non-Gaussian Noise in the In-Plane Transport of Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_4: Evidence for a Collective State of Charge Clusters
对自旋玻璃相深处的高质量La_{1.97} Sr_{0.03} CuO_{4}单晶的面内电阻噪声的研究揭示了非高斯性的开始和噪声对面内磁场的不敏感性。结果表明，随着温度T -> 0. 05 ℃，电荷动力学变得越来越慢，并具有相关性。高阶噪声统计的分析提供了证据的存在的集体基态的电荷团簇，这似乎是共存的电荷贫反铁磁畴，冻结在这样的低T。
2011-06-02 cond-mat.str-el
Magnetic susceptibility of optimally doped HgBa$_{2}$CuO$_{4+δ}$
最佳掺杂的HgBa $_2$ CuO $_{4+δ}$（Hg1201）超导体在正常状态下的粉末自旋磁化率的大小与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$在最佳掺杂水平附近的粉末自旋磁化率的大小几乎相同。Hg 1201的Stoner增强因子大于La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$。Stoner增强因子的大小相关性与最近理论上的3个$d$电子间的库仑排斥和电荷转移型超交换相互作用的影响不一致。
2017-12-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Revisiting and modeling the magnetism of hole-doped CuO_2 spin chains in Sr{14-x}Ca_xCu_{24}O_{41}
对Sr{14-x}Ca_ xCu_{24} O_{41}（0 <= x <=12）在磁场中的磁化强度测量表明，Ca掺杂后，CuO_2自旋链的低温磁响应发生了强烈的变化.对于x=0的量子统计模拟结果表明，磁化强度的温度和场依赖性可以很好地用有效的海森堡模型来描述，其中的基态构型由自旋二聚体、三聚体和单体组成。当x>0时，低温磁化率的贡献是恒定的，这不能用简单的链模型来解释。概述了替代方案。
2006-06-15 cond-mat.str-el
Suppression of the impurity-induced local magnetism by the opening of a spin pseudogap in Ni-doped Sr$_2$CuO$_3$
用$^{63}$ Cu核磁共振研究了掺Ni杂质的反铁磁海森堡自旋链化合物Sr $_2$ CuO $2 \%$.自旋晶格弛豫速率$T_1^{-1}$在低温下的大幅下降指向自旋能隙，而拉伸指数$λ< 1$和频率依赖性的$T_1^{-1}$表明，这种自旋能隙在空间上变化，而应被表征为自旋赝能隙。自旋赝隙的大小与掺杂水平成比例。因此，我们的研究结果证明了这种现象的有限尺寸特征。此外，一个不寻常的变窄的低温NMR线揭示了抑制杂质诱导的交错顺磁响应随着掺杂水平的增加。
2015-08-11 cond-mat.str-el
Dispersion of the high-energy phonon modes in Nd$_{1.85}$Ce$_{0.15}$CuO$_4$
用中子非弹性散射研究了电子掺杂高温超导体Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_4$中高能声子模的色散。当从布里渊区中心沿[100]方向移动时，具有Cu-O键伸缩特征的声子模的频率突然下降，这种色散与空穴掺杂铜氧化物中的观察结果定性相似。我们还发现了沿[110]方向的键拉伸模式的软化，但它是较弱的，并表现出正弦色散。声子异常进行了讨论，比较空穴掺杂的铜酸盐超导体和其他金属钙钛矿。
2005-07-07 cond-mat.str-el
Structural transitions in a doped lanthanum cuprate
139La NMR and relaxation measurements have been performed on La{1.8-x}Eu{0.2}Sr{x}CuO{4} (x = 0.13 and 0.2) single crystals. The temperature dependence of the 139La NMR spectra in all the structural phases (HTT -> LTO -> LTT) reveals the non-vanishing tilt angle of the CuO6 octahedra in the HTT phase, opposed to the case of La{2-x}Sr{x}CuO{4} where the tilt angle disappears immediately above the transition. Since 139La relaxation data provide evidence of the thermodynamic critical fluctuations associated with the structural phase transitions , HTT -> LTO and LTO -> LTT, we conclude that the st…
2013-05-10 cond-mat.str-el
New Electron-Doped Superconducting Cuprate Li_x_Sr_2_CuO_2_Br_2_
采用电化学嵌锂技术成功地合成了一种新的电子掺杂超导体Li_x_Sr_2_CuO_2_Br_2_（x = 0.15）。磁化率显示了体相超导性，超导转变温度Tc = 8K。该化合物是第一个具有K_2_NiF_4_结构的电子掺杂超导铜酸盐。
2004-10-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Half-skyrmion picture of single hole doped CuO_2 plane
基于Zhang-Rice单重态图，我们认为在具有N 'eel有序的单空穴掺杂高T_c铜氧化物中，半skyrmion是由掺杂空穴产生的。在非线性σ模型和CP^1模型下研究了具有两个不同d轨道空穴自旋态叠加形式的Zhang-Rice单重态周围的自旋组态.我们得到了每个空穴自旋态的自旋组态，发现这些自旋组态的叠加是半skyrmion，其特征是有一半的拓扑荷.利用有效理论中的Lorentz不变性，得到了半skyrmion的激发谱，并与母体化合物的角分辨光电子能谱定性一致。的激发光谱中所包含的参数的估计值与实验获得的值吻合得很好。半skyrmion理论为空穴掺杂化合物和电子掺杂化合物之间的差异提供了一个图像。
2005-07-28 cond-mat.str-el
Freezing of stripes in lightly-doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} as manifested in magnetic and transport properties of untwinned single crystals
利用电阻率和磁化强度测量研究了轻掺杂La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}中AF畴界的横向滑移。我们讨论，这是冻结的横向边界运动是负责的外观的“自旋玻璃”功能在低温下。
2003-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A computational approach to a doped antiferromagnet: correlations between two spin-polarons in the lightly doped CuO$_2$ plane
我们扩展了最近在物理学评论快报中介绍的方法。106 036401（2011）研究了准二维CuO 2层中两个自旋极化子之间的相关性。低能量波函数的两个掺杂孔引入半填充的CuO 2平面与32个铜和64个氧的网站明确计算使用一个高效而准确的截断计划来模拟反铁磁背景。能量学和波函数表明，电荷形成三自旋极化子，自旋由围绕三自旋极化子核的扰动携带。低能带是由动能和有利于d（x^2-y^2）态的局部吸引势之间的竞争产生的。最后，我们指出的功能，预计将是强大的大型系统。
2011-09-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Peculiar roles of spins in the thermal conductivity of pure and doped La_{2}CuO_{4}: Comparison with CuGeO_{3}
测量了纯La_{2}、1%空穴掺杂和1% Zn掺杂CuO_{4}单晶的面内和面外热导率（κ_{ab}和κ_{c}）。讨论了磁振子和自旋条纹在热输运中的作用。与CuGeO_{3}中的热输运相比，它显示出与La_{2} CuO_{4}相似的κ（T）行为，这给了我们一个教训，即热输运如何探测自旋基态的差异。
2003-04-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Angle-resolved photoemission study of untwinned PrBa$_2$Cu$_3$O$_7$: undoped CuO$_2$ plane and doped CuO$_3$ chain
我们对非孪晶PrBa $_2$ Cu $_3$ O $_7$进行了角分辨光电子能谱研究，该化合物具有低电阻率但不显示超导性。我们已经观察到一个色散的功能与带最大值（$π$/2，$π$/2），表明该带是来自未掺杂的CuO $_2$平面。我们观察到另一个色散带表现出一维的字符，我们归因于从掺杂的CuO $_3$链的信号。一维能带的色散与$t-J$模型计算的结果一致，只是费米能级附近的强度在实验中受到了很大的抑制.
1999-08-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strong correlations and the anisotropy of acceptor states in insulating La(2-x)Sr(x)CuO(4)
我们使用格林函数的形式主义来讨论的作用，强关联的受主态掺杂到一个二维的Mott-Hubbard反铁磁绝缘体的空间结构。当在嵌套波矢量${\bf Q}=(π,π)$处掺杂载流子之间的散射足够强以产生动量依赖的散射率$Γ_{\bf k}$时，相应的受主态变为空间各向异性。作为一个例子，我们计算了一个简单形式的$Γ_{\bf k}$的受体态束缚到一个有吸引力的二维狄拉克δ势的空间结构。然后，我们讨论了这种空间各向异性的作用，以了解在轻掺杂的La（2-x）Sr（x）CuO（4）的低温输运数据和光电子能谱之间的明显差异。
2010-12-15 cond-mat.str-el
Electric--field effect on electron-doped infinite-layer Sr$_{0.88}$La$_{0.12}$CuO$_{2+x}$ thin films
我们已经使用的电场效应调制欠掺杂的Sr $_{0.88}$ La $_{0.12}$ CuO $_{2+x}$薄膜的表面的电阻率，允许相反的修改的电子和空穴密度在CuO $_2$平面，一个原始的情况相对于传统的化学掺杂在电子掺杂材料。当霍尔效应表明空穴带的贡献较大时，电场对正常态电阻率的影响主要由电子决定，载流子从空穴转移到电子时，超导转变温度升高。
2011-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dependence of the gap parameter on the number of CuO2 layers in a unit cell of optimally doped BSCCO, TBCCO, HBCCO and HSCCO
我们用Andreev谱、隧道谱和ARPES谱测量了BSCCO、TBCCO、HBCCO和HSCCO最佳掺杂样品的超导能隙Ds。我们发现，在实验误差范围内，低温带隙值随所研究的HTSC族的晶胞中CuO_2层的数目n（n < 4）线性增加。
2001-11-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Impurity susceptibility and the fate of spin-flop transitions in lightly-doped La(2)CuO(4)
我们研究了当纵向磁场作用于轻空穴掺杂La（2）CuO（4）时，两步自旋翻转转变和自旋重取向的发生.我们发现对于大的和强烈的挫败杂质，例如La（2-x）Sr（x）CuO（4）中的Sr，纵向磁化率的巨大增强抑制了中间翻转，并且自旋的重新取向是平滑和连续的。相反，对于较小且弱令人沮丧的杂质，例如La（2）CuO（4+y）中的O，会发生不连续的自旋重取向（两步自旋翻转转变）。此外，我们表明，对于La（2-x）Sr（x）CuO（4）的磁振子间隙的场依赖性从性质上不同于La（2）CuO（4）的情况下，预测与拉曼光谱或中子散射验证。
2007-02-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of magnetic field effect on static magnetic order in electron-doped superconductor Nd_{1.86}Ce_{0.14}CuO_4
利用中子散射实验研究了磁场对电子掺杂铜氧化物超导体Nd_{1.86} Ce_{0.14} CuO 4的影响，结果表明磁有序与超导电性共存。当磁场垂直于CuO_{2}平面施加到高于上临界场10 T时，（1/2 3/2 0）的磁布拉格强度不依赖于磁场，它主要来源于低温下Cu和Nd磁矩的量级.这一结果与文献报道的在磁场作用下准静态磁序明显增强的空穴掺杂铜氧化物超导体的结果有很大不同。
2002-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for a quantum phase transition in electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4-δ}$ from Thermopower measurements
在高$T_c$铜氧化物超导圆顶下的量子相变的证据一直是有争议的。本文报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$（x = 0.11 ~ 0.19）的低温正常态热电势（S）随掺杂量的变化。我们发现在2K时，S和S/T都从x=0.11到0.16急剧增加，然后在过掺杂区饱和。这一行为与以前Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$中的霍尔效应结果具有显著的相似性。我们的研究结果进一步证明了在x=0.16附近的电子掺杂铜氧化物中存在反铁磁到顺磁的量子相变。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Phase Diagram of the Hole-doped Ca$_{2-x}$Na$_{x}$CuO$_{2}$Cl$_{2}$ Cuprate Superconductor
本文报道了空穴掺杂铜酸盐Ca $_{2-x}$ Na $_{x}$ CuO $_{2}$ Cl $_{2}$的磁相图，它不受CuO $_2$平面的屈曲影响，由μ子自旋旋转和弛豫决定。其特征在于在一定钠浓度范围内的准静态自旋玻璃状相（$0.05\leq x\leq 0.12$），其保持在长程反铁磁（AF）相（$x\leq 0.02$）和超导相之间，其中系统对于$x\geq 0.15$是非磁性的。所得到的相图定性地与空穴掺杂的高\tc铜酸盐的相图一致，这强烈地表明对$x>0.02$的AF顺序的不完全抑制是空穴掺杂的铜酸盐的基本特征。
2004-12-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
AC and DC Conductivity Anisotropies in Lightly Doped La(2-x)Sr(x)CuO(4)
轻掺杂La（2-x）Sr（x）CuO（4）低温正交相的交流和直流电导各向异性归因于Sr离子俘获掺杂空穴而产生的旋转对称破缺的局域杂质态。两个最低能量的类p波态被斜方性分裂，部分充满空穴。这在AC电导率中留下了独特的印记，其显示出两种不同的红外连续吸收能量。此外，存在两个独立的通道跳跃电导率，相关的两个正交方向，定量地解释了所观察到的低温各向异性直流电导率。
2008-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nodal metallic behavior of lightly-doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
用角分辨光电子能谱研究了轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的“绝缘”自旋玻璃/斜条纹相。在d波超导能隙的节点方向上观察到一个与费米能级交叉的准粒子峰，形成费米面的“弧”，这与最近观察到的轻掺杂材料的高温金属输运行为一致。节点QP的光谱权重随着空穴掺杂而平滑地增加，对应于欠掺杂和轻掺杂区域中载流子数的$n \sim x$行为。
2003-07-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic response of optimally doped Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$
利用Cu-O平面的t-J模型、Mori投影算符技术和由光电子能谱实验得到的电子带色散，计算了最佳掺杂Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$超导态的磁化率.电子带折叠跨越反铁磁布里渊区边界，这是晶体中固有的，导致相称的低频响应。同样的能带折叠导致了一个补充的自旋激发分支的出现。两个自旋激发分支的共存解释了在磁化率的频率依赖性中观察到的两个最大值。计算的动量和频率的依赖关系接近实验观察。电子和空穴掺杂的铜氧化物的磁响应的相似性和差异进行了讨论。
2012-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity and Spin Fluctuations in the Electron-Doped Infinitely-Layered High Tc Superconductor Sr$_0.9$La$_0.1$CuO$_2$ (Tc=42K)
本文首次报道了电子掺杂的无限层状高温超导体Sr $_0.9$ La $_0.1$ CuO $_2$（Tc= 42 K）的~（63）Cu NMR研究。在正常状态下的自旋动力学Tc以上表现出定性的一些空穴掺杂材料具有显着增强的自旋波动相同的行为。低于Tc时，我们没有观察到Hebel-Slichter相干峰的特征，这表明超导序参量的对称性具有非常规性质。
2001-12-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic Magnetoresistance in Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}: Impact of Anti-Phase Domain Boundaries on the Electron Transport
详细研究了轻掺杂反铁磁La_{1.99} Sr_{0.01} CuO_{4}中的磁阻行为，其中由于自旋倾斜产生的弱铁磁矩，反铁磁（AF）畴结构可以被磁场控制.磁共振行为表明CuO_2晶面确实存在反相AF畴界，电荷被限制在其中，形成反相条纹。数据表明，高磁场将反相条纹转变为同相条纹，并且后者似乎比前者提供更好的传导，这挑战了条纹的反相特性促进电荷运动的概念。
2003-05-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping dependence of 2-spinon excitations in the doped 1D cuprate Ba$_2$CuO$_{3+δ}$
Stanford Institute for Materials and Energy Sciences, SLAC National Accelerator Laboratory（斯坦福材料能源科学研究所，SLAC国家加速器实验室）；Department of Applied Physics, Stanford University（斯坦福大学应用物理系）；Department of Physics, Southern University of Science and Technology（南方科技大学物理系）；Diamond Light Source（钻石光源）；National Synchrotron Light Source II, Brookhaven National Laboratory（美国布鲁克海文国家实验室第二代同步辐射光源）
通过RIXS测量掺杂一维铜氧化物Ba$_2$CuO$_{3+δ}$中2-spinon激发的色散，发现其能量尺度较Hubbard模型预测显著软化，支持空穴间存在额外吸引势，可能与高$T_c$超导中库珀对形成相关。
2025-02-28 cond-mat.str-el
The Magnetism of Li doped La$_{2}$CuO$_4$: the antiferromagnetic spin-shard state
我们研究了Li和Sr掺杂La $_{2}$ CuO $_4$中的单个空穴的动力学及其扩展到有限空穴浓度。我们比较了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$和La $_{2}$ Cu $_{1-x}$ Li $_x$ O $_4$的物理性质，并解释了为什么这些系统是显着不同的。我们表明，在La $_{2}$铜$_{1-x}$ Li $_x$ O $_4$中的空穴总是局部化的，并且存在一个临界浓度，$x_c\approx 0.03$，在该浓度以上，空穴将全局反铁磁状态打破成弱耦合反铁磁簇（反铁磁碎片）的阵列。我们表明，自旋碎片状态提供了一个描述的磁性和电性能的La $_{2}$铜$_{1-x}$锂$_x$ O $_4$。提出了两个实验来验证我们的理论。
2005-04-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
$d$-wave superconducting gap observed in protect-annealed electron-doped cuprate superconductors Pr$_{1.3-x}$La$_{0.7}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
对于电子掺杂的铜氧化物，强抑制的反铁磁自旋相关有效的还原退火的“保护退火”的方法导致超导不仅具有较低的Ce浓度，但也具有较高的转变温度。为了揭示这种超导态的本质，我们对保护退火的电子掺杂超导体Pr $_{1.3-x}$ La $_{0.7}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$进行了角分辨光电子能谱测量，并直接研究了超导能隙。发现该间隙与$d$波对称性一致，表明强电子相关性持续存在，因此反铁磁自旋波动仍然是介导保护退火的电子掺杂的铜氧化物中的铜配对的候选者。
2019-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field of electron-doped Pr$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4-δ}$ in parallel magnetic fields
本文系统地研究了电子掺杂铜氧化物Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$在1.5 K温度下，在平行于导电ab面的58 T磁场下的电阻超导转变。我们发现，零温平行临界场（H $_{c2\parallel ab}$（0））超过58 T的欠掺杂和最佳掺杂的薄膜。对于过掺杂薄膜，58 T足以抑制超导电性。我们还发现，塞曼能量$μ_B$ H $_{c2\parallel ab}$（0）达到超导能隙（$\triangle_0$），即$μ_B$ H $_{c2\parallel ab}(0)\simeq \triangle_0$，对于所有的掺杂，强烈表明，平行临界场是由泡利顺磁极限在电子掺杂铜氧化物。
2007-07-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous broadening of the spin-flop transition in the reentrant spin-glass phase of La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ ($x=0.018$)
测量了轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.018$）单晶的磁化强度。在垂直于CuOPDMATHABMQ平面的磁场下，在空穴掺杂的反铁磁有序态中清楚地观察到自旋翻转转变。在低于25 K的自旋玻璃相中，自旋翻转转变变得宽，但与转变相关的磁化曲线中的阶跃在最低温度下保持有限。我们表明，在这份报告中，在低温下，均匀的反铁磁秩序被打乱的重新分布的孔，和周围的$x=0.018$的局部空穴浓度的空间方差增加。
2002-09-18 cond-mat.str-el
Doping and energy evolution of spin dynamics in the electron-doped cuprate superconductor Pr$_{0.88}$LaCe$_{0.12}$CuO$_{4-δ}$
基于动能驱动的超导机制，研究了电子掺杂铜氧化物超导体Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_{4-δ}$在超导态的掺杂和磁激发的能量演化.结果表明，在低能区存在一个宽的公度散射峰，共振能位于该公度散射峰的范围内。这种低能量的公度散射在高能量下向外分散成连续的环状非公度散射。该理论还预测了一个圆顶形的掺杂依赖的共振能量。
2008-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
"Spin-Flop" Transition and Anisotropic Magnetoresistance in Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_{x}CuO_{4}: Unexpectedly Strong Spin-Charge Coupling in Electron-Doped Cuprates
我们使用运输和中子散射测量表明，磁场诱导的过渡从非共线共线的自旋排列在相邻的CuO_{2}平面的轻电子掺杂Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_{x} CuO_{4}（x=0.01）晶体的影响显着的面内和面外电阻率。在高场共线状态下，磁阻（MR）不会饱和，但表现出有趣的四重对称角度依赖性，从B//[100]处的正向振荡到B//[110]处的负向。观察到的MR超过30%，在低温下诱导的适度修改的自旋结构表明一个意想不到的强自旋-电荷耦合在电子掺杂的铜酸盐。
2004-04-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Identification of Nodal Kink in Electron-Doped (Nd$_{1.85}$Ce$_{0.15}$)CuO$_4$ Superconductor from Laser-Based Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy
对电子掺杂的（Nd $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$）CuO $_4$高温超导体进行了高分辨激光角分辨光电子能谱测量。我们揭示了一个明确的扭结在$\sim$ 60毫电子伏的色散沿（0，0）-（$π$，$π$）节方向，伴随着峰-谷-驼峰功能的光电子能谱。这表明，在电子掺杂的超导体中，节点电子与集体激发（玻色子）耦合，声子是最有可能的玻色子候选者。这一发现建立了一个普遍性的节点电子耦合在空穴和电子掺杂的高温铜氧化物超导体。
2008-08-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Breakdown in the electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$: the reconstructed Fermi surface survives in the strongly overdoped regime
本文报道了电子过掺杂铜氧化物超导体Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的半经典角度相关磁电阻振荡（AMRO）和Shubnikov-de Haas效应。我们的数据提供了令人信服的证据磁击穿系统。这表明，一个重建的多连接费米表面持续存在，至少在强磁场，直到超导制度的最高掺杂水平。结果表明，在电子掺杂铜氧化物超导体中，平移对称破缺与超导配对之间存在着密切的联系。
2010-11-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unambiguous evidence for nearly isotropic s-wave gap in the bulk of optimally electron-doped Nd_{1.85}Ce_{0.15}CuO$_{4-y}
我们解决了一个重要的问题，无论是体敏感的数据的拉曼散射，光学电导率，磁穿透深度，定向点接触隧穿光谱，并在最佳的电子掺杂Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-y}的超导对断裂效应支持无节点的s波或d波超导能隙。我们数值计算拉曼强度，定向点接触隧穿光谱，和s-wave和d-wave间隙对称性方面的双破效应。我们发现，所有这些体积敏感的数据是在定量协议与近各向同性的s波间隙。T_{c}几乎与剩余电阻率无关的事实排除了任何d波间隙对称性。
2010-03-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic ordering in electronically phase separated Sr/O co-doped La(2-x)Sr(x)CuO(4+y)
本文报道了x=0.09的La（2-x）Sr（x）CuO（4+y）（LSCO+O）体系的磁中子衍射实验结果。研究了自旋密度波，发现T_N以下的长程无公度反铁磁有序与超导有序温度T_c=40 K相一致。不可逆值与空穴掺杂n_h~1/8一致，但与空穴掺杂接近n_h ~ 1/8的非过氧化La（2-x）Sr（x）CuO（4）相反，磁序参量不依赖于场。我们把这归因于磁秩序正在充分发展LSCO+O在其他条纹镧铜酸盐系统。
2009-06-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping Dependence of Low-energy Spin Fluctuations in Electron-Doped Cuprates Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$
研究了电子掺杂Pr $_{1-x}$ LaCe $_{x}$ CuO $_{4}$在0.07 $\leqslant$ $x$ $\leqslant$ 0.18的宽浓度范围内的低能自旋涨落，该浓度范围从反铁磁和非超导相跨越到超导和顺磁相.对于所有考虑的浓度，低能量激发表现出相称的峰值集中在（$π$，$π$）的位置。我们的数据表明，当系统进入超导相时，激发的特性，如弛豫速率和总谱权，迅速变化。自旋刚度也随着$x$的增加而减小，并且当超导性消失时，自旋刚度在$x$ = 0.21处外推到零。这表明电子掺杂体系中自旋涨落与超导电性之间存在着密切的关系。
2007-07-02 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Theory of superconducting and nonsuperconducting stripe phases in the hole-doped superconductor Ca{2-x}Na{x}CuO{2}Cl{2} (x=1/8,1/16)
基于最新发展的实空间自旋平行配对理论和超导理论，我们对空穴掺杂的Ca{2-x}Na{x}CuO{2}Cl{2}铜酸盐超导体中观察到的棋盘格图案进行了简单的解释.在空穴浓度x=1/8=0.125时，分析结果表明，非超导的4a* 4 b（a=b）棋盘相和8a*2c超导涡旋相之间存在相竞争，其中a，b和c为超导体的晶格常数。在较低的空穴浓度x=1/16=0.0625时，亚稳的4 \sqrt{2} a*4 \sqrt{2} a棋盘相可以重组为更稳定的具有4 a * 4 a棋盘对称性的八面体相.
2009-02-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase transitions to dipolar clusters and charge density waves in high Tc superconductors
我们发现，空穴载流子的掺杂导致在铜酸盐的电偶极团簇的形成。它们是由外面的掺杂剂离子和CuO平面内的空穴之间的多体相互作用产生的。由于二次简并，CuO平面上的空穴团簇形成与掺杂离子结合的四粒子共振价键斑。这种偶极子可以根据掺杂和温度排列成电荷密度波（CDW）或条纹，或者形成无序状态。有序系统的最低能量对应于局部反铁电有序。单个无序偶极子的迁移率在低温下非常低，并且它们优先结合成偶极子-偶极子对。电磁辐射与电偶极子强烈相互作用，当样品受到电磁辐射时，迁移率发生显着变化。这导致偶极团簇的分形生长。电偶极和CDW的存在导致了两个随温度升高的相变，即有序态的熔化和偶极态的消失。低掺杂的铁电性是这种偶极矩的自然结果。我们发展了一个基于二能级系统和偶极-偶极相互作用的理论来解释作为温度和电场函数的极化行为。
2016-08-29 cond-mat.str-el
A `checkerboard' electronic crystal state in lightly hole-doped Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2}
空穴掺杂铜氧化物的相图显示在零温度下存在四种不同的电子相。其中常见的有莫特绝缘体、高转变温度超导体和金属相。第四阶段，ofunknown身份，发生在轻掺杂沿零温度约束的“pseudogap”制度。该政权富含奇特的电子现象，促使人们提出许多建议，认为它包含某种形式的隐藏电子秩序。在这里，我们提出了低温电子结构成像研究的轻空穴掺杂氧化铜：Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。隧道光谱（在能量|E| >100 meV）显示电子提取概率大大超过那些注入，如预期的掺杂莫特绝缘体。然而，对于<100 meV的|E|，光谱表现出以E=0为中心的V形能隙。在这个间隙内的状态进行强烈的空间调制，与四个CuO_{2} -unit-cell正方形棋盘的空间相关性，独立于能量。复杂的原子尺度电子结构变化也存在于棋盘中。这些数据是一致的一个意想不到的晶体电子状态，可能是隐藏的电子秩序，存在于零温度赝能隙制度的Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。
2004-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Structure of Ce-Doped and -Undoped Nd$_2$CuO$_4$ Superconducting Thin Films Studied by Hard X-ray Photoemission and Soft X-ray Absorption Spectroscopy
为了在具有T '型结构的铜酸盐中实现超导电性，不仅需要化学取代（Ce掺杂），而且还需要生长后的还原退火。然而，在薄膜的情况下，没有Ce掺杂的精心设计的还原退火可以在T '型铜氧化物中诱导超导性。为了揭示不掺杂Ce的T '型铜氧化物超导电性的起源，我们对超导和非超导Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（$x=$ 0，0.15，0.19）薄膜进行了体敏硬X射线光电子能谱和软X射线吸收谱研究。通过生长后的退火处理，芯能级谱发生了显著的变化，这是由于CuO $_2$晶面的芯-孔屏蔽增强以及化学势随能带填充变化而发生的移动。结果表明，Nd $_2$ CuO $_4$超导薄膜中掺杂了电子，其电子态与Ce掺杂超导体的电子态相似。
2018-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Melting the Superconducting State in the Electron Doped Cuprate Pr$_{1.85}% $Ce$_{0.15}$CuO$_{4-δ}$ with Intense near-infrared and Terahertz Pulses
利用近红外和窄带THz脉冲泵浦，研究了电子掺杂铜氧化物Pr $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO $_{4-δ}$的超导态耗尽过程.当泵浦太赫兹脉冲调谐以上的SC间隙，我们发现所需的吸收能量密度耗尽超导性，$A_{dep}$，热力学凝聚能相匹配。相反，通过NIR泵浦，$A_{dep}$高一个数量级，尽管SC能隙比相关玻色子激发的能量小得多。这个结果意味着只有一小部分玻色子对配对有贡献。
2016-03-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic dressing of charge-carriers in the electron-doped cuprate superconductor Sm(1.85)Ce(0.15)CuO(4) from angle-resolved photoemission measurements
对电子掺杂的铜酸盐Sm（1.85）Ce（0.15）CuO（4）的角分辨光电子能谱测量表明，由于多体相互作用，载流子的各向异性修整。最重要的是，沿区域边界的散射率饱和的结合能大于~200 meV，而沿对角线方向，它几乎线性增加的结合能在能量范围~150-500 meV。这些结果表明，沿对角线方向的多体相互作用是强大的带的底部，而沿带边界，他们变得非常弱的能量以上~200 meV。
2009-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic phase separation in lightly-doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
研究了极轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x<$ 0.02）中空穴浓度对磁关联的影响，结果表明在低温下存在三维反铁磁（AF）长程有序相和自旋玻璃相.发现在共存区中的自旋玻璃相也表现出与La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（0.02 $\le x\le$ 0.055）中的纯自旋玻璃相一样的对角自旋调制。在$x\sim$ 0.02以下，对角线条纹结构与$x\sim$ 0.02中的对角线条纹结构相同，其体积分数几乎与空穴浓度成正比，这表明掺杂空穴发生电子相分离，从而形成空穴浓度为$h_c\sim$ 0.02的一些区域和$h_c\sim$ 0的其余区域。这一结果还表明，AF和自旋玻璃相之间的过渡约PDMATHAMT =0.02是一级。
2002-01-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic response of Pr$_{1-x}$LaCe$_x$CuO$_4$ in comparison with hole-doped cuprates
利用t-J模型、Mori投影算符技术和光电发射实验中载流子的色散，研究了Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$ with $x=0.11-0.12$和中等掺杂$p$型铜氧化物的磁响应差异的原因.这些差异与前一种晶体靠近反铁磁相边界以及$p$型化合物远离反铁磁相边界有关，这导致了这些晶体中载流子色散的低频等能轮廓线的不同嵌套矢量。Pr $_{1-x}$ LaCe $_x$ CuO $_4$中反铁磁动量作为嵌套矢量的强嵌套导致了低频响应的公度性和两个自旋激发分支的共存，而$p$型晶体中的非公度嵌套矢量导致了低频响应的非公度性和磁化率最大值的沙漏色散。
2013-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin dynamics in lightly doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$: Relaxation function within the $t - J$ model
在考虑空穴子系统以及电子和反铁磁关联的情况下，给出了掺杂二维$S=1/2$ Heisenberg反铁磁（AF）系统在顺磁态下的弛豫函数理论.在$t-J$模型中推导了松弛形函数四阶频率矩的表达式。该演示服从旋转对称的自旋相关函数，是有效的所有波矢量通过布里渊区。自旋扩散的弛豫速率的贡献进行评估，并显示出在无载流子和掺杂反铁磁体中发挥重要作用，与精确的对角化计算一致。在低温下，对平面$^{63}$ Cu的核自旋-晶格弛豫速率$^{63}(1/T_1)$的主要贡献来自AF涨落，而对平面$^{17}$ O的$^{17}(1/T_1)$的贡献来自$(π,π)$附近的波矢和小的$q \sim 0$ .结果表明，该理论能够解释无载流子LaPDMATHABMUCuOPDMATHABMV和掺杂$_{2-x}$ SrPDMATHABMXCuOPDMATHABMV化合物顺磁态下$^{63}(1/T_1)$随温度和掺杂的实验数据的主要特征.
2004-01-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by structural reorganization in the electron-doped cuprate Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$
电子掺杂和空穴掺杂的超导铜氧化物表现出对称的相图作为掺杂的函数。然而，这种对称性只是近似的。事实上，电子掺杂的铜酸盐只有在特定的退火过程后才能成为超导体：这种退火对氧含量的影响很小，但对样品的电子性质有很大的影响。在这里，我们报告的发生在缺氧的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$薄膜生长在无氧环境中，纯氩气流退火后的超导性。如通过X射线衍射所验证的，退火引起晶体结构中CuO $_2$平面之间的层间距离的增加。由于这个距离是相关的顶点位置的氧的浓度，并且由于氧含量不能在退火过程中大幅增加，我们的实验表明，超导相变必须归因于氧离子的迁移到顶点位置在退火过程中。此外，我们确认通过第一性原理密度泛函理论计算，在薄膜的结构和传输特性的变化可以在理论上描述的特定重新分配的现有的氧离子在顶点位置相对于CuO $_2$平面，重新调制的电子能带结构，抑制反铁磁秩序，允许出现空穴超导性。
2022-02-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of vortices and hidden pseudogap from scanning tunneling spectroscopic studies of electron-doped cuprate superconductor $Sr_{0.9}La_{0.1}CuO_2$
我们首次展示了电子型铜氧化物超导体中的涡旋，即最高$T_c$（= 43 K）电子型铜氧化物$Sr_{0.9}La_{0.1}CuO_2$。我们的空间分辨准粒子隧穿谱揭示了一个隐藏的低能量赝能隙内的涡核和非常规的光谱演化与温度和磁场。这些结果不能简单地用高$T_c$超导性的基态纯超导性的方案来解释。
2008-12-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-Fermi-surface superconducting state and a nodal d-wave gap in the electron-doped Sm(1.85)Ce(0.15)CuO(4-d) cuprate superconductor
本文报道了电子掺杂铜氧化物Sm（1.85）Ce（0.15）CuO（4-d）的激光激发角分辨光电子能谱（ARPES）。结果表明，在正常态和超导态下都存在一个节孔袋费米面。通过对主带和折叠带相干因子的分析，证明了它的起源是长程反铁磁性。这种长程反铁磁性和超导性的共存意味着电子掺杂的铜氧化物是双费米面超导体。在节孔袋中测量的超导能隙与d波对称性相容。
2011-04-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
