Layered Kondo lattice model for quantum critical beta-YbAlB4
我们分析了量子临界重费米子超导体β-YbAlB_4的磁性和电子性质，计算了费米面和与deHaas-van Alphen测量相关的极值轨道的角度依赖性。结合真实材料模型和单离子晶体场分析，我们提出了该系统的层状Kondo晶格模型，其中二维硼层通过层间Yb矩在$J_{z}=\pm 5/2$态下进行Kondo耦合.该模型适合测量的单离子磁化率和预测的电子各向异性的实质性变化的系统是通过量子临界点的压力调谐。
2009-03-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport signatures of Kondo physics and quantum criticality in graphene with magnetic impurities
局域磁矩已被预测发展在石墨烯样品与空位或吸附。这种磁性杂质和石墨烯的狄拉克准粒子之间的相互作用导致了显着的多体现象，到目前为止，实验工作已经证明了这一点。在这篇文章中，我们研究了石墨烯中原子杂质稀系综的量子临界性和近藤物理的热力学、光谱和输运特征。我们考虑空位和吸附原子，要么打破或保持石墨烯的$C_{3v}$和反转对称性。在中性石墨烯样品中，所有情况下显示依赖于量子临界性，从而导致非对称杂质的增强的杂质散射，其方式类似于由非对称共振散射体形成的束缚态。近藤的相关性只出现在存在一个背门，估计近藤温度以及在实验范围内的所有杂质类型。对于电荷中性的破介杂质，通过$T^{-2}$电阻率缩放来指示量子临界性，从而导致低温下的完全绝缘行为，而低温电阻率平台出现在非临界和近藤区域。相比之下，从对称的空缺和中空的网站吸附的电阻率的贡献消失在电荷中性和任意背栅电压，分别。这意味着，本地探测方法需要检测近藤和量子临界签名，在这些保密的情况下。
2017-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Concurrence of directional Kondo transport and incommensurate magnetic order in the layered material AgCrSe$_2$
本研究在层状材料AgCrSe$_2$中发现了方向性Kondo行为与非公度磁序的共存，通过实验确定杂质自旋并揭示了Néel温度与Kondo温度相等的异常现象。
2024-05-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spectral changes in layered $f$-electron systems induced by Kondo hole substitution in the boundary-layer
我们研究了无序对层状$f$ -电子系统动力学谱的影响。随着随机稀释的$f$ -网站在一个单一的近藤绝缘层，我们探讨的范围和程度，近藤孔不相干可以渗透到相邻的层。我们考虑三种情况下的相邻层：带绝缘体，近藤绝缘体和简单的金属。这里用于量化邻近效应的无序诱导的谱权转移，随着与边界层的距离代数地衰减。此外，我们表明，频谱权重转移是高度依赖于所考虑的频率范围以及在干净的相邻层的相互作用的存在。当相邻层为金属或近藤绝缘时，低频谱的变化非常相似，因此与相互作用无关。与此形成鲜明对比的是，一个独特的图片出现在大的能量尺度的光谱权重转移。当相邻层之间没有相互作用时，所有能量尺度上的谱权转移都比它们是强相互作用的近藤绝缘体时高得多。因此，在所有尺度上，相互作用显著地屏蔽了障碍效应。我们讨论了在粒子-空穴非对称系统中，当清洁层与无序层的比例增加时，从非费米液体到费米液体行为的交叉的可能性。
2014-11-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Fermi- to non-Fermi-liquid crossover and Kondo transition in two-dimensional Cu$_{2/3}$V$_{1/3}$V$_2$S$_4$
通过比热（$C$）和电阻率（$\varrho$）的研究，我们给出了一个显着的费米液体（FL）的行为与相当大的质量重整化，$m^{\ast}/m = 30$，高达异常高的温度$\sim$ 70 K的层状系统Cu $_{2/3}$ V $_{1/3}$ V $_2$ S $_4$的证据。在低温下，$C$和$\varrho$的显著上升被磁场抑制，这表明在VS $_2$层中的传导电子和位于层之间的V $^{3+}$离子的杂质自旋之间的近藤耦合的图片。这张照片开启了控制简单分层材料中电子相关性和FL与非FL交叉的可能性。例如，我们设想由杂质自旋提供的层间耦合可以实现双通道近藤态。
2018-11-13 cond-mat.str-el
Kondo Lattice without Nozieres Exhaustion Effect
我们讨论了金属电子被限制在二维xy平面内，绝缘层中的局域自旋在z方向上形成链的层状Anderson/Kondo晶格的性质。在这个模型中，每个自旋都有自己的2D近藤云，所以Nozieres的耗尽问题不会发生。模型的激发谱在电荷和自旋扇区都是无带隙的。无序相和可能的实验实现的模型进行了简要讨论。
2005-04-13 cond-mat.str-el
V$_5$S$_8$: a Kondo lattice based on intercalation of van der Waals layered transition metal dichalcogenide
自从石墨烯被发现以来，大量的二维（2D）材料已经浮出水面。它们的电子性质通常可以很好地理解，而不考虑电子之间的相关性。另一方面，强电子关联已知会产生各种奇异性质和新的量子相，例如高温超导性、重费米子和量子自旋液体。对这些现象的研究一直是凝聚态物理的主要焦点之一。有强烈的动机将电子相关性引入2D材料。通过插入范德华层状化合物VS $_2$，我们发现了近藤晶格的出现，一个广泛研究的强关联系统，通过磁，比热，电和热电输运研究。特别是，一个非常大的索末菲系数，440 mJ $\cdot$ K $^{-2}\cdot$ mol $^{-1}$，表明一个强的电子相关。所获得的Kadowaki-Woods比率，$2.7\times 10^{-6}$ $μΩ\cdot$ cm $\cdot$ mol $^2\cdot$ K $^2\cdot$ mJ $^{-2}$，也支持强的电子-电子相互作用。电阻率和热电势的温度依赖性证实了近藤晶格图像。插层化合物是$d$电子近藤晶格的少数几个罕见的例子之一。进一步证明了近藤物理在超薄膜中的存在性.因此，这项工作展示了在2D材料中产生强相关性的途径。
2018-09-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Engineering Surface Oxygen Vacancies in $\mathrm{SrTiO_3}$ to Form a High Mobility and Transparent Quasi Two dimensional Electron System
准二维电子系统（q-2DES）形成在各种异质结构中，包括氧化物界面。已知氧化物如$\mathrm{SrTiO_3}$中的氧空位（OV）产生电子载流子。这里显示了一种使用低能量$\mathrm{H_2}$等离子体在表面上产生$\mathrm{SrTiO_{3-δ}}$的新方法。这导致q-2DES的迁移率高达$μ\sim 20,000 \; cm^2V^{-1}s^{-1}$，显示量子振荡的磁阻。我们可以通过调整工艺压力来实现更尖锐或更弱的限制势。具有更尖锐约束的系统显示出更清晰的量子振荡和近藤式的电阻温度依赖性。靠近表面的OV表现得像相关的安德森杂质是近藤行为的原因。量子振荡在弱约束系统中不太突出。随着温度的升高，出现了从弱局域化到反局域化的交叉，但没有近藤行为。该方法还产生了适于光刻图案化的透明导体。该导体的标准品质因数在可见光范围内与多晶ITO膜相当，并以类似的性能延伸到$λ$ $\sim 1.5$ $μm$电信波长。
2022-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic Weyl and Dirac Kondo semimetal phases in heterostructures
我们研究了一种层状三维异质结构，其中两种类型的近藤绝缘体交替堆叠。其中之一是拓扑Kondo绝缘体SmB 6，另一个是同构Kondo绝缘体AB 6，其中A是稀土元素，例如，Eu、Yb或Ce。我们发现，如果后者的顺序铁磁，异质结构一般成为磁性Weyl Kondo半金属，而反铁磁秩序可以产生磁性狄拉克Kondo半金属。我们详细的情况下，一般的对称性的考虑，以及具体的紧束缚计算，并表明，I型以及II型磁性Weyl/狄拉克近藤半金属相是可能的，在这些异质结构。我们的研究结果表明，近藤绝缘体异质结构是一个通用的平台，设计强相关的拓扑半金属。
2017-11-05 cond-mat.str-el
Observation of Weak Kondo Effect and Angle Dependent Magnetoresistance in Layered Antiferromagnetic V$_5$S$_8$ Single Crystal
本研究在层状反铁磁V$_5$S$_8$单晶中观测到弱近藤效应，揭示其源于27 K奈耳温度以下插层V原子的反铁磁交换作用，同时发现该材料反铁磁态下强磁各向异性及角度依赖磁电阻的高度各向异性特征。
2023-02-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo holes in the 2D itinerant Ising ferromagnet Fe3GeTe2
在关联量子材料中，由于局域磁矩和巡游电子的相互作用，重费米子（HF）态出现，但由于d电子的高度巡游性，在3d电子系统中很少出现。在Fe_3GeTe_2（一个最近发现的具有近藤晶格和二维巡游铁磁性的3d-HF系统）中，在Fe空位的近藤孔处观察到了近藤屏蔽的异常增强.建立了一个巡游的Kondo-伊辛模型来再现实验结果，从而揭示了伊辛铁磁性与Kondo屏蔽之间的竞争。这一工作解释了d电子HF态的微观起源，并启发了对Ising铁磁体中近藤空穴富集量子多体现象的研究。
2020-08-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hidden and coexistent magnetic phases in Kondo-type Cerium Hexaboride (CeB6)
重费米子材料CeB 6显示出隐藏的磁性有序相。除了众所周知的铁磁（FM）和反铁磁（AFM）相，CeB 6被推测形成一个独特的反铁四极（AFQ）相，这是轨道的性质。隐藏在许多表征方法，不能评估轨道排序，辩论继续对起源。从电子结构的计算，我们发现，这三个阶段的能量几乎简并，这表明磁畴壁的形式，可能与缺陷边界。只有自旋-轨道耦合的计算才能再现实验中发现的大多数能带结构和费米面，这表明了晶体场分裂的重要性。模拟电离峰，即，Ce的f0和f1态也与光电子能谱数据一致。小的压力使AFM稳定在FM阶段，这是在低温下观察到的阶段。我们建议在各种情况下实现这种小的物理压力，例如本征缺陷的影响，如空位，反位，表面效应等。
2016-12-13 cond-mat.str-el
Vacancy-induced tunable Kondo effect in twisted bilayer graphene
本文通过从头计算与Anderson杂质模型结合数值重整化群，揭示扭曲双层石墨烯中空位诱导的近藤效应在魔角附近具有堆叠位置依赖的可调行为，并提出扫描隧道显微镜可探测其临界单粒子态与多体基态。
2024-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in a CuO chain created by Kondo interaction
本文在半填充一维 CuO 链模型中研究金属–绝缘体转变，并以 Kondo–Zener 双电子交换替代传统 SDW 框架中的交换机制，以解释层状铜酸盐的电子性质。
2025-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Kondo holes in strongly correlated impurity arrays: RKKY driven Kondo screening and hole-hole interactions
固体中局部磁矩的产生和屏蔽已经研究了60多年。在石墨烯或重费米子中的局部空位可以诱导导致局部矩形成的解耦束缚态。在本文中，我们解决了令人困惑的问题，这些地方的时刻可以筛选，是什么决定了额外出现的低温规模。我们从两个互补的角度回顾半满导带的初始问题：通过在不相关极限下的单粒子超原胞分析和通过具有大库仑相互作用的系统的Lieb-Mathis定理$U$。我们证明了稳定的本地时刻受到三种不同的机制筛选。首先，局域矩被一个超越单粒子束缚态的有限$U$离域。我们发现了一个Kosterlitz无相变型由一个指数抑制的低能量标度的一个违反直觉的近藤形式与$J_{\rm eff} \propto U^n$小$U$，其中$n>1$依赖于精确的模型。其次，我们表明，远离半填充的本地时刻阶段变得不稳定，并取代了两种类型的单态相，是相互连接的。在临界值的带中心，物理是由指数抑制近藤规模接近强耦合相，取代了单重态形成通过反铁磁RKKY相互作用的临界值的大偏差。第三，我们表明，本地磁矩可以屏蔽的近藤孔轨道在有限的能量，即使轨道的占用是可以忽略不计的：一个额外的低能量标度出现低于本地化的时刻淬火。指出了Ce $_{1-x}$ La $_x$ Pd $_3$与实验结果的相似性。
2021-04-08 cond-mat.str-el
Diamagnetic Sm$^{3+}$ in the topological Kondo insulator SmB$_6$
六硼化钐是一种拓扑近藤绝缘体，其绝缘能带结构表现出金属表面态。由于绝缘体本身是由强相关性驱动的，所以体和表面都有引人注目的磁和电子现象。我们采用X射线吸收光谱（XAS）和X射线磁性圆二色性（XMCD）在Sm M $_{4,5}$边缘测量Sm $^{2+}$和Sm $^{3+}$在Sm B $_6$中的表面和体磁性质。在低于$T = 75$ K时，Sm的$^{3+}$磁偶极矩和Sm的总轨道矩在低于30 K时，都与外加磁场反向排列。在8 K和6 T下，解理表面的诱导Sm $^{3+}$磁矩意味着总Sm的1.5%为磁化Sm $^{3+}$。Sm $^{3+}$ XMCD二向色性在8 K下的场依赖性是抗磁性的并且近似线性。然而，在2 K下的体磁化由Sm $^{2+}$ Van Vleck磁化率以及具有$μ_{\rm Eff} = 5.2(1)~μ_{\rm B}$的1%顺磁性杂质驱动。这表明抗磁性Sm $^{3+}$在体相内得到补偿。Sm空位和碳掺杂对XAS和XMCD谱的影响很小，而抛光对XAS谱的影响很大。
2018-04-18 cond-mat.str-el
YbNiSi3: a new antiferromagnetic Kondo lattice with strong exchange interaction
本文报道了用助熔剂法生长的高质量YbNiSi_3单晶的结构、热力学和输运性质。该化合物以Cmmm空间群的SmNiGe 3层状结构类型结晶。在T_N = 5.1 K以下，一般的物理行为是Kondo晶格的反铁磁基态。这是Yb基金属间化合物的最高有序温度之一，表明Yb离子之间的强交换相互作用，基于4.45 μ B/f. u的有效矩，Yb离子接近+3价。该化合物具有中等重电子行为，索末菲系数为190 mJ/mol K^2。电阻率是高度各向异性的，并且表现出低于局部最小值的签名对数增加，随后是相干/磁有序状态的急剧下降，导致1.5微欧姆cm的剩余电阻率和RRR = 40。在低于1 K的温度下，可以清楚地观察到费米液体行为与基态双峰相一致。
2004-07-21 cond-mat.str-el
Protracted Kondo coherence with dilute carrier density in Cerium based nickel pnictides
本研究利用密度泛函和动力学平均场理论，揭示了铈基镍磷族化合物在低载流子密度下的长期Kondo相干屏蔽机制，并发现压缩及化学压力导致的Kondo共振与费米面拓扑变化及量子相变。
2019-09-29 cond-mat.str-el
Magnetic-field-induced superconductivity in layered organic molecular crystals with localized magnetic moments
随着磁场的增加，合成的有机化合物λ-（BETS）2FeCl 4经历从反铁磁绝缘体到金属，然后到超导体的连续转变。我们使用Hubbard-Kondo模型来阐明Fe（3+）磁性离子在这些相变中的作用。在高场状态下，作用于电子自旋的磁场由磁性离子引起的交换场He补偿。这表明，场致超导态与零场超导态是相同的，零场超导态是在压力下或当Fe（3+）离子被非磁性Ga（3+）离子取代时发生的。我们展示了如何他可以从观察到的分裂的Shubnikov-de Haas频率提取。此外，我们用这种提取He的方法预测了其他材料中场致超导的场范围。
2001-07-26 cond-mat.str-el
Interplay of Orbital Degeneracy and Vacancies in Stabilizing Collinear Magnetic Order in Cr$_{1+δ}$Te$_2$
研究揭示空位通过增强轨道简并性调控Cr$_{1+δ}$Te$_2$中列状磁序稳定性。
2025-12-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic correlation effects by the topological zero mode in a hydrogenated graphene vacancy $V_{111}$
从理论上讨论了吸附三个氢原子的氢化石墨烯空位$V_{111}$拓扑零模引起的电子关联效应。从多参考表示的密度泛函理论推导出一个Kondo模型，估计了狄拉克锥中零模和低能模之间的交换散射过程.即使狄拉克锥稍微偏离电荷中性点，孤立$V_{111}$的零模的有限的现场相关能$U_0$也允许局部能级的半填充，给出自旋$s=1/2$。在空位的稀释极限，由高阶散射过程介导的反铁磁近藤屏蔽成为主导。我们对相关两体相互作用的估计证实了低温下近藤效应的出现。
2014-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Protracted Kondo screening and kagome bands in heavy-fermion metal Ce$_{3}$Al
Ce $_{3}$ Al是具有多晶相的典型重费米子化合物。本文尝试用密度泛函理论和单点动力学平均场理论相结合的方法研究其在六方相（$α$ -Ce $_{3}$ Al）和立方相（$β$ -Ce $_{3}$ Al）中的电子结构.我们证实，在这两个阶段的4个$f$价电子巡回，伴随着强烈的价态波动。它们的4个$f$能带结构被电子关联严重重整化，导致大的有效电子质量。Ce $_{3}$ Al中的近藤屏蔽将在宽的温度范围内延长，因为单杂质近藤温度$T_{K}$远高于相干近藤温度$T^{*}_{K}$。特别地，$α$ -Ce $_{3}$ Al的晶体结构形成层状kagome晶格.在准粒子能带结构中，我们观察到明显的kagome平坦带和狄拉克锥（或能隙）。因此，Ce $_{3}$ Al的六方相将是一种很有希望的重费米子可果梅金属的候选者。
2020-04-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-Orbit Interaction and Kondo Scattering at the PrAlO$_3$/SrTiO$_3$ Interface: Effects of Oxygen Content
本文报道了生长过程中氧分压（$P_{O_{2}}$）对在$\rm TiO_{2}$封端的SrTiO $_3$衬底上生长的PrAlO $_3$薄膜的电磁性质的影响。电阻率测量显示，随着$P_{O_{2}}$的增加，薄层电阻增加。在低温下薄层电阻的温度依赖性与$P_{O_{2}} \ge 10^{-5}$的近藤理论一致。霍尔效应数据表现出复杂的温度依赖性，表明补偿载流子密度。我们观察到的行为与两种不同类型的运营商在界面生长在$P_{O_{2}} \ge 10^{-4}$硅。对于这些接口，我们测量到一个温和的正磁阻（MR）由于一个强大的自旋轨道（SO）在低磁场的相互作用，演变成一个更大的负MR在高场。正的高MR值与其中一部分载流子来自氧空位的样品相关联。MR数据的分析允许提取SO相互作用临界场（例如，对于$P_{O_{2}}=10^{-5}$，$ H_{SO}=$ 1.25 T）。弱的反本地化效应，由于一个强大的SO相互作用变得更小的$P_{O_{2}}$生长的样品，其中MR值是由近藤效应，特别是在高磁场占主导地位。
2016-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Possible devil's staircase in the Kondo lattice CeSbSe
四元层状化合物CeSbSe的温度（$T$）-磁场（$H$）相图由磁化强度、比热和电阻率测量确定。该系统在$T_{\rm{M}}$ $=$ 3 K下表现出复杂的磁有序，并且磁场的施加导致$H$ $\lesssim$ 1.8 T的磁有序状态的级联，其特征在于分数整数大小的步骤：即，一个可能的魔鬼楼梯被观察到。电输运测量显示出弱的温度依赖性和大的剩余电阻率，这表明小的电荷载流子密度和强的散射从$f$ -时刻。这些特征揭示了近藤晶格行为，其中$f$ -矩不完全屏蔽，从而导致由RKKY相互作用介导的不同Ce邻居之间的精细平衡的磁相互作用。这产生了在施加的磁场下接近的近简并磁有序状态。
2017-06-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport anomalies in the layered compound BaPt4Se6
我们报告了一个层状三元硒化物BaPt 4Se 6具有倍半硒化物Pt 2Se 3层之间的Ba原子。该化合物中的Pt 2Se 3层可以来自Dirac-半金属PtSe 2相，其具有形成蜂窝结构的Se空位。这种结构导致Pt（VI）和Pt（II）混合价化合物具有PtSe 6八面体和PtSe 4正方形网状配位构型。温度相关的电输运测量表明两个明显的异常：电阻率交叉，模仿金属-绝缘体（M-I）的转变在~ 150 K，和电阻率在温度低于10 K的平台。电阻率交叉与任何结构、磁性或电荷阶数调制的相变无关。磁阻，霍尔和热容测量同时建议在这个系统中低于5 K的现有隐藏状态。角分辨光电子能谱测量揭示了金属状态，并没有显着的重建的电子结构高达200 K。
2021-09-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of a spin-textured nematic Kondo lattice
在层状近藤磁体USbTe中观测到自旋织构向列态，利用STM/STS可视化重电子液晶相，揭示关联介导有序及其与近藤物理的关联。
2025-06-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Symmetry-Broken Kondo Screening and Zero-Energy Mode in the Kagome Superconductor CsV3Sb5
本研究通过扫描隧道显微镜发现，Kagome超导体CsV3Sb5中磁性Cr杂质诱导的Kondo屏蔽打破晶格镜面对称，V空位产生类似马约拉纳零模的零偏压电导峰，揭示拓扑超导新机制。
2025-02-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Investigation of the Paramagnetic State of the Kagome Kondo Lattice Compound YbV$_6$Sn$_6$: a $^{51}$V Nuclear Magnetic Resonance Study
本文利用$^{51}$V核磁共振研究kagome近藤晶格化合物YbV$_6$Sn$_6$的顺磁态，通过Knight位移和自旋-晶格弛豫率测量揭示了面内自旋涨落显著增强的各向异性行为。
2025-06-05 cond-mat.str-el
Electric double-layer transistor using layered iron selenide Mott insulator TlFe1.6Se2
A1-xFe 2-ySe 2（A = K，Cs，Rb，Tl）是最近发现的铁基超导体，其临界温度（Tc）可达32 K。与其他铁基超导体相比，它们的母相具有独特的性质;例如，它们的晶体结构包括有序的Fe空位，它们的正常状态是反铁磁（AFM）绝缘相，并且它们具有极高的Néel转变温度。然而，由于其固有的相分离，控制母AFM绝缘体中的载流子掺杂一直是困难的。在这里，我们制作了铁空位有序TlFe1.6Se2绝缘外延膜与原子级平坦的表面，并检查其静电载流子掺杂使用双电层晶体管（EDLT）结构与离子液体栅极。正栅极电压在25 K下产生三个数量级的电导调制，并进一步诱导和操纵相变;即，通过静电掺杂产生的离域载流子是相变的起源。据作者所知，这是EDLT使用莫特绝缘体铁硒化物通道的第一次演示，并开辟了一条探索铁基层状材料中高Tc超导性的途径，其中通过常规化学手段进行载流子掺杂是困难的。
2014-03-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
X-ray absorption spectroscopic studies of oxygen-deficient double perovskite oxide NdBaCo$_2$O$_{5+δ}$ ($δ\sim 0.65$)
Indian Institute of Technology Mandi（印度技术学院曼迪分校）；National Synchrotron Light Source-II, Brookhaven National Laboratory（美国国家同步光源二号，布鲁克海文国家实验室）
本研究利用XANES光谱与DFT+U计算，研究氧缺陷双钙钛矿氧化物NdBaCo₂O₅₊δ的氧空位分布，发现其δ≈0.75且氧空位可出现在基体位，解释了相关磁相与导电机理，为优化氧传感性能提供依据。
2026-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Intrinsic Low-Temperature Magnetism in SmB6
通过新的μ子自旋弛豫实验，我们解开了候选拓扑近藤绝缘体（TKI）SmB 6的低温体磁性的外在和内在来源。Al助熔剂生长的SmB 6单晶的结果进行了比较，在一个大的浮区生长的^{154}Sm^{11}B6单晶，其中14 meV的体自旋激子已被检测到的非弹性中子散射。低于~ 10 K，我们检测到由于稀土杂质和Sm空位的准静态磁性的逐渐发展。我们的测量还揭示了另外两种形式的内在磁性：1）低能量（~ 100 neV）弱磁矩（~ 10^{-2} mu_B）波动，类似于在相关候选TKI YbB 12中检测到的波动，其持续到毫开尔文温度，和2）磁波动与零磁场下的2.6 meV体磁激发一致，这似乎阻碍了~ 4.5 K以上的表面电导率。我们讨论了磁性的潜在起源。
2019-12-12 cond-mat.str-el
Investigation of Planckian behavior in a high-conductivity oxide: PdCrO$_2$
本研究以高纯度层状铜铁矿型金属PdCrO$_2$为平台，通过引入点缺陷、测量热导率等方法探究普朗克金属物理，发现其高温T线性电阻率源于多种弹性散射机制的叠加，且总散射速率接近普朗克值。
2023-01-25 cond-mat.str-el
t-J model on the effective brick-wall lattice for the recently discovered high-temperature superconductor Ba$_2$CuO$_{3+δ}$
层状铜氧化物在环境压力下具有最高的超导转变温度。它的形成机制一直是凝聚态物理的一大难题。二维铜氧层的基本物理过程可用单带Hubbard模型或其强耦合极限t-J模型在二维正方晶格中进行描述。最近发现的高温超导体Ba $_2$ CuO $_{3+δ}$与$δ\sim 0.2$具有不同的晶体结构，具有大部分面内氧空位。我们观察到氧空位打断了两个相邻铜原子的键，并提出Ba $_2$ CuO $_{3+δ}$中的有序空位导致有效砖墙晶格上的扩展t-J模型。对于最近邻跳变，brick-wall模型可以映射到蜂窝格子上的t-J模型。我们的理论解释了Ba $_2$ CuO $_{3+δ}$在高载流子密度下的超导电性，并预言了一个时间反演对称破缺对态。
2020-04-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
LaAlO$_3$/SrTiO$_3$: a tale of two magnetisms
这本书的章节回顾了磁性现象在LaAlO 3/SrTiO 3界面的实验证据。我们认为，基本上所有的磁性特征都可以分为两个不同的类别：（1）磁相（例如，铁磁或近藤），涉及本地磁矩和他们的耦合巡回电子;（2）变磁效应，介导的吸引力电子-电子相互作用，不涉及本地的时刻。我们审查可能的候选人产生的铁磁相的本地时刻，并专注于一个潜在的来源：氧空位的参数。对于变磁性输运特征，带结构效应（例如，Lifshitz转变）和强吸引力的电子-电子相互作用可以帮助巩固不同的实验结果。
2016-10-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous resistivity upturn in Co intercalated TaS$_2$
本研究针对Co插层TaS$_2$的低温反常电阻率上升现象展开，发现其具有$T^{1/2}$标度且不受强磁场影响，证实该现象源于轨道两通道近藤效应的非费米液体态。
2024-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Multiscale Excitations in the Diluted Two-dimensional S = 1/2 Heisenberg Antiferromagnet
研究稀释二维S=1/2海森堡反铁磁体的激发谱，通过QMC解析延拓发现磁振子反常色散、低能局域化峰及中间模式，并揭示其源于空位邻近自旋，可被中子散射实验观测。
2025-05-25 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Kondo-like behavior in a mixed valent oxypnictide $\mathrm{La_{3}Cu_{4}P_{4}O_{2}}$
本研究合成了混合价态氧磷族化合物 $\mathrm{La_{3}Cu_{4}P_{4}O_{2}}$，通过磁、电、热测量及DFT计算，揭示了其13.7 K处的电阻率极小值源于近藤散射，并阐明了其与同构超导体因费米能级电子态差异而缺乏超导性的原因。
2025-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Glassy Relaxation Dynamics in the Two-Dimensional Heavy Fermion Antiferromagnet CeSiI
本文通过厚度依赖的磁输运测量研究了原子级薄CeSiI器件，揭示了其重费米子行为和反铁磁性的内禀二维特性，并发现了磁阻和霍尔电阻中的玻璃态弛豫动力学，表明可能存在自旋玻璃相或多极有序，为研究磁有序与Kondo效应的相互作用提供了新平台。
2024-11-22 cond-mat.str-el
Electronic structures and magnetism in van der Waals flat-band material Ni$_{3}$GeTe$_{2}$
本研究利用动力学平均场理论计算发现，范德华材料 Ni$_{3}$GeTe$_{2}$ 因层状三角晶格几何阻挫产生平带，其磁性和电子结构受 Coulomb 作用与 Hund 耦合共同影响，且空位会显著抑制 Fermi 能级态密度。
2025-06-21 cond-mat.str-el
Frustrated magnetism in antiferromagnetic nonsymmorphic square-net lattice: NdSbSe
该研究合成了NdSbSe磁性拓扑材料，通过磁化、比热和电阻率测量揭示了其受挫反铁磁有序、自旋重取向及强电子关联导致的近藤效应。
2025-01-19 cond-mat.str-el
Structural and Physical Properties of the Heavy Fermion Metal Ce$_2$NiAl$_6$Si$_5$
本研究合成了新型四元铈基重费米子化合物Ce$_2$NiAl$_6$Si$_5$，表征其层状四方结构与低温物理性质，发现该材料天然处于自旋密度波量子临界点附近，为强关联电子体系研究提供了新的量子临界材料体系。
2025-01-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
