To the synthesis and characterization of layered metal phosphorus triselenides proposed for electrochemical sensing and energy applications
最近的研究报道了层状金属三硒代亚磷酸盐MPSe $_3$（M =过渡金属）的几种块状晶体的合成和表征。在这些工作中，通过结合不同的体积和表面敏感的实验方法进行表征伴随着DFT计算。然而，现有的实验和理论数据的严格检查表明，这些结果不支持的电化学传感和研究的三硒亚磷酸酯的能源应用的结论。这些结论与所讨论数据的年龄以及实验和理论方法的最新进展没有任何关系。
2021-12-22 cond-mat.mtrl-sci
Black Arsenic-Phosphorus: Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties
在过去的十年中，具有不同性质的二维（2D）层状材料引起了人们极大的兴趣。到目前为止，发现的层状材料已经覆盖了从半金属石墨烯、绝缘氮化硼到带隙从中红外到可见光的半导体的广泛但不连续的电磁光谱范围。在这里，我们介绍新的层状半导体，黑砷磷（b-AsP），具有高度可调的化学成分和电子和光学特性。运输和红外吸收的研究表明，半导体性质的b-AsP与可调的带隙，范围从0.3至0.15 eV。这些带隙落入长波红外（LWIR）区域，并且不能被其他层状材料容易地达到。此外，偏振分辨红外吸收和拉曼光谱研究揭示了b-AsP的面内各向异性特性。这一系列层状b-AsP材料将2D层状材料覆盖的电磁光谱扩展到LWIR区域，并可能为未来基于所有2D层状材料的器件找到独特的应用。
2015-05-26 cond-mat.mtrl-sci
Charge Trap Memory Based on Few-Layered Black Phosphorus
原子级薄层二维材料，包括过渡金属硫属化合物（TMDC）和黑磷（BP），（1）由于其有前途的物理性质和在柔性和透明电子器件中的潜在应用而受到广泛关注。在这里，我们第一次展示了非易失性电荷陷阱存储器件，基于具有大滞后的场效应晶体管，由几层黑磷沟道和三维（3D）Al2O3/HfO2/Al2O3电荷陷阱栅堆叠组成。一个前所未有的内存窗口超过12 V的观察，由于非凡的捕获能力的HfO2。该设备显示出高的耐久性和稳定的保留？10年后25%的电荷损失，甚至大大低于报道的MoS2闪存。高编程/擦除电流比、大存储窗口、稳定的保持和高开/关电流比为利用原子级薄的二维材料的柔性和透明存储器件提供了一条有前途的路线。二维材料与传统的高k电荷陷阱栅堆叠的结合开辟了非易失性存储器件的令人兴奋的领域。
2015-11-24 cond-mat.mtrl-sci
High stability of faceted nanotubes and fullerenes of multi-phase layered phosphorus: A computational study
我们提出了一个范例，在构建非常稳定的，刻面纳米管和富勒烯结构的横向加入纳米带或补丁不同的平面磷烯相。我们的从头计算密度泛函计算表明，这些阶段可能会形成非常稳定的，非平面关节。不同于富勒烯和纳米管通过变形的单相平面单层在大量的能量惩罚，我们发现刻面富勒烯和纳米管是几乎一样稳定的平面单相单层。由此产生的丰富多样的多晶型物允许不仅通过手性指数，而且通过不同磷烯相的组合来调节磷烯纳米管（PNTs）和富勒烯的电子性质。在所选的PNT中，金属-绝缘体转变可以由应变或改变壁的数量引起。
2014-11-05 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropy-driven quantum capacitance in multi-layered black phosphorus
报道了以掺钾多层黑磷（BP）为沟道材料的双栅器件的量子电容（C $_{q}$）测量及其光学调谐的分析结果。二维（2D）分层BP是高度各向异性的半狄拉克色散标记的线性和二次贡献。C $_{q}$计算反映了这种不对称排列。进一步增加的不对称性，因此C $_{q}$的预测通过光子敷料的BP分散。为了实现这一点并调整场效应晶体管（FET）中的C $_{q}$，我们提出了一种配置，其中一对静电（顶部）和光学（背部）栅极箝位BP沟道。背栅发射光脉冲以重新排列2D BP的色散。分析计算与Floquet哈密顿在非共振制度。这种C $_{q}$计算的值，此外，它在调整FET的电流驱动的作用进行了讨论的上下文中的金属-绝缘体和拓扑相变和增强的热电品质因数。
2017-08-08 cond-mat.mtrl-sci
Single-Layered Hittorf's Phosphorus: A Wide-Bandgap High Mobility 2D Material
我们在这里提出了一个二维材料的基础上的一个单一的紫色或希托夫的磷层。使用第一性原理密度泛函理论，我们发现它是非常稳定的，与其他以前提出的单层磷结构。它只需要一个小的能量成本约$0.04~\text{eV/atom}$从它的本体结构，希托夫的磷，或结合能$0.3-0.4~\text{J/m}^2$每层创建，这表明在实验中剥离的可能性。我们发现单层Hittorf磷是一种宽带隙半导体，其直接带隙约为$2.5$ ~eV，并且我们的计算表明，它预计具有高且高度各向异性的空穴迁移率，其上限介于$3000-7000$ ~cm $^2$ V $^{-1}$ s $^{-1}$之间。这些综合性能使得单层Hittorf磷成为未来应用于各种技术的非常好的候选者，特别是用于高频电子学和在低波长蓝色范围内操作的光电子器件。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Native point defects of semiconducting layered Bi2O2Se
Bi 2 O2 Se是一种新兴的半导体、空气稳定的层状材料（Nat.Nanotechnol. 2017，12，530; Nano Lett. 2017，17，3021），在电子迁移率方面可能超过MoS 2和磷烯，并在下一代高速和低功率电子器件中与典型的范德华堆叠层状材料相媲美。它具有功能多样性的承诺，引起了包括光电子学、热电子学和压电学在内的各个学科的迅速增长的兴趣。在这项工作中，我们全面研究了Bi 2 O2 Se中的本征点缺陷的电学性质，作为理解这种材料的基本原理的重要一步。研究了缺陷形貌与费米能和原子组分化学势的关系。随着体缺陷分析，表面性质的补充检查，在电荷中性水平模型的简单背景下，阐明了所观察到的n型特性的Bi 2 O2 Se基FET。这项工作提供了重要的指导，工程缺陷的Bi 2 O2 Se所需的性能，这是成功应用的关键，这种新兴的层状材料。
2021-09-11 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous photo-thermal effects in multi-layered semi-Dirac black phosphorus
多层掺钾黑磷作为带隙半狄拉克二维正常绝缘体（NI）存在的光激发将其转变为时间反演对称破缺陈氏绝缘体（CI）。从NI到CI的这种转变发生在对应于周期性扰动的Floquet理论的非共振状态的高频辐射下，这里是入射光束。这种光诱导的拓扑CI相表现为有限的Berry曲率，并在纵向温度梯度的存在下形成异常横向热流的基础。本文对厄廷豪森效应（EE）和里吉-勒杜克效应（RLE）的反常变体，通过它们各自的系数进行了定量分析。异常EE和RLE系数的强度是一个直接的结果的Berry曲率的总和超过占用频带，并示出下降的费米能级位于高的导电状态或深的价区域。这种下降归因于导带和价带中Berry曲率的翻转符号。此外，当费米能级位于带隙中时，对于大得多的系数值，导带和价带的贡献在数值上可能彼此超过。最后，我们指出如何超越贝里曲率的作用，几个实验室可访问的方法可以用来调制EE和RLE系数，包括应变的应用程序，在掺杂剂浓度的变化，和入射辐射的频率。
2020-07-14 cond-mat.mtrl-sci
Pressure induced evolution of band structure in black phosphorus studied by $^{31}$P-NMR
本文用$^{31}$ P-核磁共振研究了二维层状半导体黑磷（BP）的能带结构.还进行了能带计算以估计态密度$D(E)$。用导出的$D(E)$很好地再现了半导体相核自旋晶格弛豫速率$1/T_1$的温度和压力依赖性，得到的半导体带隙的压力依赖性与以前的报道很好地一致，很好地证实了BP能带计算是相当可靠的.本分析的$1/T_1$数据与补充的理论计算，使我们能够提取必要的信息，如$D(E)$和化学势的压力依赖性，以及分解观察到的$1/T_1$到内在和外在的贡献。$1/T_1$在1.63GPa下的突然增加表明半导体间隙闭合，导致电导率的增强。
2019-05-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Realization of Semiconducting Layered Multiferroic Heterojunctions via Asymmetrical Magnetoelectric Coupling
二维（2D）半导体多铁性材料能够有效地耦合磁性和极化（P）有序，在纳米尺度的基础研究和技术应用中具有重要意义，但在自然界中却很少见。在这项研究中，我们提出了一个通用的机制，通过VDW异质结工程实现半导体二维多铁性，如在一个典型的异质结构组成的磁性双层CrI 3（双CrI 3）和铁电单层In 2Se 3。有趣的是，Se 4p和Cr 3d轨道之间的新型间接轨道耦合，由界面I 5 p轨道介导，在相反的P配置中是可切换的，从而导致意想不到的强非对称磁电耦合机制。因此，随着In_2Se_3引起的铁电势垒的显著增加，在相反的P组态中实现相反的磁序最终导致了Bi-CrI_3/In_2Se_3的新颖的多铁性。最后，我们证明，我们的机制一般可以应用到设计其他VDW多铁性，即使层厚度可调。
2020-09-21 cond-mat.mtrl-sci
2D Black Phosphorus Carbide: Rippling and Formation of Nanotubes
最近，人们预测了一种新型层状材料--碳化磷（PC）的同素异形体，并且已经成功地制备了其中的一些结构。在这里，通过使用第一性原理计算，我们研究了波纹的PC单层，层状PC的最稳定的修改之一，在大的压缩应变的影响。与磷烯类似，层状PC被发现具有非凡的弯曲能力，并在沿其扶手椅方向施加足够大的应变下形成具有大曲率的波纹。的带隙尺寸，功函数，和杨氏模量的波纹PC单层的预测是高度可调的应变工程。此外，直接-间接的带隙转变下观察到的压缩应变范围从6到11%。PC单层沿扶手椅方向波纹的另一个重要特征是其在极端压缩应变下滚动成PC纳米管（PCNT）的可能性。这些不同尺寸的管表现出高的热稳定性，具有很高的杨氏模量，以及可调谐的带隙，可以从0到0.95 eV变化。此外，对于这两种结构，波纹PC和PCNTs，我们已经解释了它们在压缩应变下的性质的变化，其结构参数的修改。
2020-02-19 cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic defects, fluctuations of the local shape, and the photo-oxidation of black phosphorus
黑磷是一种单原子半导体层状材料，在光和环境污染物的存在下会发生化学降解。其降解动力学基本上仍不清楚。即使在退化之前，局部探测研究表明，由于不可避免地存在固有缺陷，通过非恒定的高度分布，存在不可忽略的局部曲率。我们确定这些固有缺陷是光氧化位点，因为它们将理想黑磷的化学吸附势垒（> 10 eV并且在可见光范围外的光激发）降低到可见光和紫外线范围（1.6至6.8 eV），从而使得能够光诱导氧化和氧二聚体的解离。的材料的形状和其电子性质在氧化过程的早期阶段的一个完整的表征。因此，这项研究提供了这种新型层状材料的降解动力学的基本见解。
2015-07-31 cond-mat.mtrl-sci
High-throughput screening assisted discovery of a stable layered anti-ferromagnetic semiconductor: CdFeP2Se6
二维（2D）磁性的最新进展提高了人们对层状磁性材料的兴趣，因为它们具有自旋电子学的潜力。特别是，层状半导体反铁磁体表现出有趣的低维半导体行为与电荷和自旋作为载流子控制。然而，这些化合物的合成是具有挑战性的，并且仍然罕见。在这里，我们进行了基于第一性原理的高通量搜索，以筛选潜在稳定的混合金属磷三硫属化物（MM'P2X6，其中M和M'是过渡金属，X是硫属化物），其具有宽范围的可调带隙和有趣的磁性。在潜在的候选人，我们成功地合成了一个稳定的半导体层状磁性材料，CdFeP2Se6，表现出短程反铁磁秩序在TN = 21 K的间接带隙为2.23 eV。我们的工作表明，高通量筛选辅助合成是发现层状磁性材料的有效方法。
2022-12-18 cond-mat.mtrl-sci
Topological analysis of chemical bonding in the layered FePSe3 upon pressure-induced phase transitions
从理论上研究了层状铁磷三硒化物（FePSe 3）的两个压力诱导相变。基于周期线性原子轨道组合（LCAO）方法和混合Hartree-Fock-DFT B3 LYP泛函的第一性原理计算结果，对FePSe 3中的化学键进行了拓扑分析.第一次相变发生在6 GPa附近，对称性从R-3转变为C2/m，而第二次相变发生在13 GPa附近，对称性从C2/m转变为P-31 m。我们发现，在约13 GPa的带隙的崩溃发生由于在压力下沿c轴方向的磷或硒原子的相对位移引起的FePSe 3的电子结构的变化。电子密度及其Laplacian的拓扑分析结果表明，压力不仅改变了原子间的距离，而且改变了层内和层间磷原子之间的键性质。两种非金属FePSe 3相均不存在层间P-P相互作用，而SMT后，层内P-P相互作用减弱，出现层间P-P相互作用。
2020-11-03 cond-mat.mtrl-sci
Spatial-Temporal Imaging of Anisotropic Photocarrier Dynamics in Black Phosphorus
黑磷（BP）作为一种新型的低对称性面内单元素层状材料，由于其独特的电子和光电性质，包括宽可调的带隙、偏振相关的光响应和高度各向异性的面内电荷输运等，引起了人们极大的研究兴趣。尽管对BP中的稳态电荷输运进行了广泛的研究，但还没有直接表征和可视化的光激发后BP中的热载流子动力学，这对于理解基于BP的光电子器件的性能至关重要。在这里，我们使用新开发的扫描超快电子显微镜（SUEM）直接可视化的BP表面上的光激发的热载流子在空间和时间的运动。我们观察到热空穴的高度各向异性的面内扩散，沿扶手椅（x-）方向比沿锯齿形（y-）方向的扩散率高15倍。我们的研究结果提供了BP中各向异性热载流子输运的直接证据，并证明了SUEM解决层状二维材料中超快热载流子动力学的能力。
2017-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Effects of the Substitutions and Vacany Defects on the Stable monolayer structures of Black and Blue Arsenic Phosphorus: A First Principles Study
采用密度泛函理论中的第一性原理平面波方法，在广义梯度近似下研究了砷磷（AsP）的二维单层结构.砷磷的两种结构被称为屈曲（B-AsP）和褶皱（Pu-AsP）。从我们的数值计算，我们预测了优化状态的单层屈曲和起皱蜂窝状同素异形体的AsP。我们表明，屈曲和起皱的砷磷是半导体单层带隙能量分别为1.858 eV和0.924 eV。特别地，我们发现褶皱单分子膜具有直接带隙。此外，我们还研究了砷磷晶体中单空位、双空位、反位和置换等点缺陷的电子和磁性。我们的结论是，AsP单分子膜可以达到磁状态的空位和半导体性质可以变成金属的各种缺陷类型。在所考虑的系统中，B-AsP的带隙也可以从金属特性调谐到1.858 eV，并且对于Pu-AsP，从金属调谐到0.924 eV，这些范围对于雷达和大气应用特别重要。
2016-09-29 cond-mat.mtrl-sci
Layered semiconducting electrides in p-block metal oxides
本文报道了双层SnO和PbO中一类基于p-block金属的层状半导体电子化合物，其价带和导带均具有电子化合物态，带隙高达2.5 eV且具备高载流子迁移率，是有前景的p型半导体材料。
2024-11-19 cond-mat.mtrl-sci
Four allotropes of semiconducting layered Arsenic which switch into a topological insulator via an electric field: A computational study
我们提出了四种不同的砷单分子膜的从头算密度泛函理论计算的基础上，所有这些都经历了一个垂直电场的应用拓扑相变的结构相。所有四种砷单层同素异形体具有宽的带隙，从1.21 eV到3.0 eV（基于GW计算）变化，并且通常它们在施加单轴层内应变时经历金属-绝缘体量子相变。此外，增加的横向电场在所有四个单层同素异形体中的Γ点处诱导带反转，导致非平凡拓扑相（对于三个同素异形体是绝缘的，对于一个同素异形体是金属的），其特征在于Z 2指数从0（带反转之前）切换到1（带反转之后）。由横向电场调谐的拓扑相位应该支持自旋分离的无带隙边缘态，这应该在量子自旋霍尔效应中表现出来。
2016-06-29 cond-mat.mtrl-sci
The Renaissance of Black Phosphorus
在1914年首次以散装形式成功合成100年后，最近从二维（2D）层状材料的角度重新发现了黑磷（黑P），吸引了凝聚态物理学家，化学家，半导体器件工程师和材料科学家的极大兴趣。与石墨和过渡金属二硫属化物（TMD）类似，黑P具有层状结构，但具有独特的褶皱单层几何结构。由于薄膜黑P的直接电子带隙可以从0.3到大约2 eV变化，这取决于其膜厚度，并且由于其高载流子迁移率和各向异性的面内性质，黑P有希望用于不同于石墨烯和TMD的纳米电子学和纳米光子学中的新应用。黑P作为一种纳米材料，在过去的一年里已经引起了研究人员的广泛关注。在这里，我们对这种新兴材料提出了自己的看法，目的是激励和鼓舞2D材料社区的研究人员和PNAS的广大读者讨论并为这个令人兴奋的新领域做出贡献。我们也给出了我们的观点，对未来的二维和薄膜黑P的研究方向，旨在帮助研究人员来自不同的学科谁是渴望在这个令人兴奋的研究领域的工作。
2015-03-28 cond-mat.mtrl-sci
Phase coexistence and metal-insulator transition in few-layer phosphorene: A computational study
基于{ \em ab initio}密度泛函计算，我们提出了$γ$ -P和$δ$ -P是层状磷的两个额外的稳定结构相，除了层状的$α$ -P（黑色）和$β$ -P（蓝色）磷同素异形体。这些同素异形体中的一些的单层具有宽的带隙，而包括$γ$ -P的其它的单层显示由层内应变或改变层数引起的金属-绝缘体转变。一个不可预见的好处是可以在没有能源成本的情况下连接不同的结构阶段。这在组装异质结构时变得特别有价值，该异质结构在一个连续层中具有良好限定的金属和半导体区域。
2014-07-07 cond-mat.mtrl-sci
Structural Transition in Layered As$_{\sf\textbf{1-x}}$P$_{\sf\textbf{x}}$ Compounds: A Computational Study
作为进一步改善V族层状半导体电子性质的一种方法，我们提出形成黑磷和灰砷的层内二维异质结构。我们使用\textit{ab initio}密度泛函理论来优化几何形状，确定电子结构，并确定最稳定的同素异形体作为组成的函数。由于纯黑磷和纯灰砷单层在其平衡结构不同，我们预测的结构转变和变化的前沿状态，包括从直接间隙的变化，间接间隙半导体，随着组成的变化。
2015-07-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic thermo-mechanical response of layered hexagonal boron nitride and black phosphorus: application as a simultaneous pressure and temperature sensor
本研究利用原位高温高压同步辐射X射线衍射精确测量hBN与bP沿晶轴的热膨胀和压缩率，并基于bP的各向异性提出其可作为0–5 GPa、298–1700 K范围内的温压同测传感器。
2023-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dirac-semimetal phase diagram of two-dimensional black phosphorus
黑磷（BP）是一种层状范德华材料，据报道具有对外部扰动敏感的带隙，并且当其带隙闭合时表现出Dirac半金属相。以前的研究集中在每个扰动的影响，缺乏一个统一的图片带隙关闭和狄拉克半金属相。在这里，使用赝自旋从滑移反射对称性，我们研究的电子结构的单层和双层BP和构建的Dirac半金属相的相图在有关的压力，应变，和电场的参数空间。我们发现BP层中的Dirac-半金属相在相图中是单连通的，表明无论间隙闭合机制如何，该相都是拓扑相同的。我们的研究结果可以推广到各向异性层状材料中的Dirac半金属相，并对寻找新的拓扑材料和器件具有指导作用。
2016-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-Dimensional Magnetotransport in a Black Phosphorus Naked Quantum Well
黑磷（bP）是第二种已知的具有层状晶体结构的元素同素异形体，其可以机械剥离至原子层厚度。我们已经制造了bP裸量子阱的背栅场效应晶体管的几何形状与bP的厚度范围从$6\pm1$ nm到$47\pm1$ nm。使用封装聚合物覆盖层，我们已经抑制了bP氧化，并观察到场效应迁移率高达600厘米$^2$ /Vs和开/关电流比超过$10^5$。重要的是，在高达35 T的磁输运测量中观察到的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡揭示了在bP/氧化物界面的积累层中存在具有薛定谔费米子特征的2-D空穴气。我们的工作证明了二维电子结构和二维原子结构是相互独立的。二维载流子限制可以在层状半导体材料中实现，而不必接近原子层厚度，这对于在少数层限制中变得越来越反应性的材料例如bP是有利的。
2014-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A black phosphorus photo-detector for multispectral, high-resolution imaging
黑磷是一种层状半导体，鉴于其在光电子学中的应用而被深入研究。本文研究了一种在可见光（λ_{VIS}= 532 nm）和红外（λ_{IR}= 1550 nm）波段都能获得高对比度（V>0.9）图象的多层黑磷光电探测器。在第一步中，通过使用光电流显微镜，我们映射设备的有源区，我们表征响应度和增益。在第二步中，通过将黑磷设备部署为共焦显微镜设置中的点状探测器，我们获得具有亚微米分辨率的衍射极限光学图像。结果表明，黑磷作为高光谱成像应用的光电材料的有用性。
2014-07-30 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Designing isoelectronic counterparts to layered group V semiconductors
在类比III-V族化合物，这大大拓宽了IV族半导体的范围，我们提出了IV-VI化合物作为层状V族半导体的等电子对应物。利用{ \em ab initio}密度泛函理论，我们研究了一硫化硅（SiS）尚未实现的结构相.我们发现黑磷样$α$ -SiS与蓝磷样$β$ -SiS几乎同样稳定。$α$ -SiS和$β$ -SiS单层都显示出显著的间接带隙，该带隙敏感地依赖于层内应变。与具有相应非平面结构的V族元素的2D半导体不同，不同的SiS同素异形体在层内或垂直于层显示出强极化。我们发现，SiS可以形成横向和纵向异质结构与磷烯在一个非常小的能量惩罚，提供了前所未有的可调谐性的SiS-P化合物的结构和电子性质。
2015-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultralow-frequency collective compression mode and strong interlayer coupling in multilayer black phosphorus
黑磷（BP）作为一种二维2D层状材料的最近复兴，在其可调的电子带隙和高度各向异性的输运特性，为器件应用提供了新的机会，产生了巨大的兴趣。许多这些杰出的性能归因于其独特的结构特征，仍然需要阐明。在这里，我们展示了拉曼测量，揭示了超低频集体压缩模式（CCM），这在类似的2D分层材料中是前所未有的。这种新的CCM表明，异常强的层间耦合BP，这是定量支持的声子频率分析和第一性原理计算。此外，CCM和低频拉曼模式的另一个分支随着层数的变化而敏感地移动，从而可以精确确定高达数十个原子层的厚度，这比以前通过使用高频拉曼模式实现的厚度高得多。这些结果提供了基本的见解和实用的工具，探索多层BP在新的设备应用。
2015-06-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Synthesis of layered gold tellurides AuSbTe and Au$_2$Te$_3$ and their semiconducting and metallic behavior
本研究探讨了层状金碲化物 AuSbTe 和 montbrayite 的合成、热稳定性及电子特性，发现前者为非同熔半导体，后者为同熔金属，并确定了二者的有效合成方法及单晶合成挑战。
2025-02-03 cond-mat.mtrl-sci
Direct observation of structural phase transformations during continuous phosphorus deposition on Cu(111)
本研究通过原位显微镜直接观察Cu(111)上磷沉积过程，发现磷化物中间相转化为蓝磷烯层及多层岛生长的新模式，归因于高浓度P2二聚体，为二维材料生长提供新机制。
2024-08-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrogen-impurity induced unconventional magnetism in semiconducting molybdenum ditelluride
本研究结合多种光谱与理论计算，发现半导体2H-MoTe2处于磁性临界状态，可通过类氢杂质诱导产生非常规磁性，且该磁态能维持到自由表面，有望用于薄膜范德华异质结的磁性组分。
2022-06-07 cond-mat.mtrl-sci
Electromechanical Switching and Momentum-Selective Transport in Geometry-Defined Blue Phosphorus Homojunctions
Shenzhen University（深圳大学）；Beijing Institute of Technology（北京理工大学）
研究通过几何定义的蓝磷异质结实现机电开关和动量选择性传输，利用第一性原理计算和量子输运模拟揭示了带隙形成、隧穿传输及轨道分辨散射特性，提出机械可切换存储元件和纳米滑动变阻器的概念。
2026-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Coexistence of interacting charge density waves in a layered semiconductor
本研究通过时间分辨光电子能谱发现EuTe4中Te单层与双层分别承载两种相互作用的电荷密度波，其能隙演化不同且存在层间耦合，揭示了该材料半导体性的微观起源。
2024-04-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
