莫特绝缘体的第一性原理处理：线性化QSGW + DMFT方法

莫特绝缘体中氧空位的DFT + DMFT研究

DFT+DMFT study of oxygen vacancies in a Mott Insulator

氧空位是复合氧化物中过量电子的常见来源。在莫特绝缘体中，这些额外的电子可以诱导金属-绝缘体转变（MIT），从根本上改变系统的电子性质。在这里，我们研究了氧空位的影响，在LaTiO 3，一个原型的莫特绝缘体接近MIT。我们表明，引入氧空位创建一个空位相关的带下面的部分填充的Ti-t2 g带。我们使用密度泛函理论和动力学平均场论（DFT+DMFT）相结合的方法研究了这个额外的能带对Mott MIT的影响。我们发现，莫特绝缘状态的LaTiO 3是强大的空位带的存在下，它仍然完全占据，即使在存在一个本地的库仑排斥。

从莫特绝缘体到带状绝缘子：DMFT的研究

From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study

莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。

DMFT中受抑哈伯德模型的基态：ePT和QMC中莫特绝缘体和金属的能量

Ground state of the frustrated Hubbard model within DMFT: energetics of Mott insulator and metal from ePT and QMC

我们提出了一种新的方法，ePT，外推几个已知的微扰膨胀系数。通过与量子MonteCarlo（QMC）模拟结果的比较，将Bethe晶格上哈伯德模型的10阶强耦合微扰理论（PT）可靠地外推到无限阶.在动力学平均场论（DMFT）中，我们得到了莫特绝缘体在其稳定边U_{c1} =4.78以上的能量E和双占据数D的连续估计，其精度为O（10^{-5}），以及临界指数.此外，我们得到相应的精确估计E和D在金属基态从广泛的低温QMC模拟使用一个适合弱耦合PT，同时执行热力学一致性。

莫特转变附近自旋涨落的影响：DMFT研究

Influence of spin fluctuations near the Mott transition: a DMFT study

本文用动力学平均场论和从转子理论相结合的方法研究了带有完全阻挫随机海森堡耦合的哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变附近的磁矩动力学。在顺磁莫特态下，自旋子分解允许产生Sachdev-Ye自旋液体，而不是通常在没有磁关联的情况下发生的独立局部矩的集合。冷却到自旋液相中，发现自旋磁化率偏离纯居里行为的开始与莫特转变线经历显著弯曲的温度标度相关。我们还证明了从海森堡极限接近莫特边界时的有效交换能的减弱，由于量子涨落与零和双占据的网站。

库仑长程相互作用对Mott跃迁的影响

Effect of coulomb long range interactions on the Mott transition

我们重新考虑了存在长程库仑相互作用时的莫特跃迁问题。使用一个扩展的DMFT，总结了一个重要的类的图在普通的DMFT缺席，我们表明，在库仑的存在下，在二维和三维的莫特过渡是不连续的莫特设想。

Mott跃迁的团簇动力学平均场分析

Cluster Dynamical Mean Field analysis of the Mott transition

我们研究莫特转变使用集团扩展的动力学平均场论（DMFT）。在没有挫折的情况下，我们没有发现有限温度莫特转变的证据。相反，在一个沮丧的模型中，我们观察到一个有限的温度莫特临界点与卡帕有机物的实验研究和单网站DMFT协议的签名。随着莫特转变的接近，一个明确的动量依赖的电子寿命的费米表面上的布里渊区的对角线方向上形成的冷区。此外，有效质量的变化不再等于准粒子残留的倒数，在DMFT，并减少接近莫特转变。

Mott跃迁的集团动力学平均场论

Cluster Dynamical Mean Field Theory of the Mott Transition

我们解决的性质Mott过渡的哈伯德模型在半填充使用集群动态平均场论（DMFT）。我们比较集群DMFT的结果与单站点DMFT。我们表明，列入的短程相关性的顶部的现场相关性，已经完全在单站点DMFT处理，不改变顺磁性金属和顺磁性莫特绝缘体之间的过渡的性质，这仍然是第一顺序。然而，短程关联大大降低了临界$U$，并改变了跃迁线的形状。此外，它们导致过渡附近的金属相和绝缘相的非常不同的物理性质，特别是在两种溶液共存的相图区域中。从金属的角度研究跃迁，我们发现在低至$T=0.01t$的温度下，存在一个相干尺度很低的反常金属态。绝缘状态的特征在于相对窄的莫特间隙，在间隙边缘具有明显的峰。

莫特绝缘体和DMFT中掺杂诱导的Mott跃迁：单带哈伯德模型的精确结果

Mott insulators and the doping-induced Mott transition within DMFT: exact results for the one-band Hubbard model

在动力学平均场论的框架内，研究了零温下单带哈伯德模型的顺磁相，并对一般的粒子-空穴不对称性进行了掺杂诱导的Mott跃迁。我们的主要焦点是莫特绝缘体（MI）相，我们的主要目标是建立什么可以显示到底it. To处理本地双简并MI需要两个不同的自能，这反映了破缺对称性质的相位和共同确定的标准单自能。精确的结果得到的本地电荷，本地磁矩和相关的自旋磁化率，相互作用重整化的水平，和低能量的行为中的MI相的自能。金属相也被认为是简要的，并示出获得一个紧急的粒子-空穴对称性的莫特过渡接近。在整个金属中，Luttinger定理反映在Luttinger积分的消失中;相比之下，对于一般MI，这被证明是非零的，但再次具有普遍的量值。数值结果也得到使用NRG，金属/MI相边界，作为莫特过渡aproached从金属的电荷的标度行为，以及相关的普遍的单粒子动力学的标度作为低能量近藤规模消失。

有限温度Mott-Hubbard跃迁的量子Monte Carlo计算

Quantum Monte Carlo calculation of the finite temperature Mott-Hubbard transition

我们提出了明确的数值证据共存的金属和绝缘的动力学平均场论（DMFT）解决方案在半填充的单带哈伯德模型裸半圆形密度的状态在有限的温度。采用量子蒙特卡罗方法求解DMFT方程。我们讨论了DMFT-QMC的重要技术方面，需要考虑到，以获得可靠的结果附近的共存区域。其中包括在相位边界附近迭代解的临界减慢、DMFT迭代的收敛准则、离散格林函数的插值以及QMC统计误差和系统误差的减小。我们的结果与其他数值方法的结果进行了比较，并在相图中给出。

Local interpretation of time-resolved X-ray absorption in Mott insulators: Insights from nonequilibrium dynamical mean-field theory

We present a formalism based on nonequilibrium dynamical mean field theory (DMFT) which allows to compute the time-resolved X-ray absorption spectrum (XAS) of photo-excited solids. By applying this formalism to the photo-doped half-filled and quarter-filled two-orbital Hubbard models in the Mott insulating regime we clarify how the time-resolved XAS signal reflects the nonequilibrium population of different local states. Apart from the missing broadening associated with continuum excitations, the atomic XAS spectrum computed with the nonthermal state populations provides a good approximation t…

掺杂Mott材料Na $_x$ CoO $_2$中从Hubbard带到自旋极化子激发

From Hubbard bands to spin-polaron excitations in the doped Mott material Na$_x$CoO$_2$

我们研究了强关联钴酸钠的激发光谱在一个现实的多体描述超越动力学平均场论（DMFT）。在$x$ =0.3附近的较低掺杂，而接近莫特临界半填充，Na $_x$ CoO $_2$的单粒子光谱函数显示在DMFT内捕获的上哈伯德带。在较高的掺杂量下，超过DMFT的动量依赖的自能效应成为主导。当掺杂浓度为$x\sim 0.67$时，非相干激发转变为有限能自旋极化子激发，这与光学实验结果非常吻合。这些激发是准粒子和顺磁子之间在接近面内铁磁有序的束缚态的形成的直接后果。

极相关费米液体理论与动力学平均场论：对掺杂驱动的莫特跃迁的分析

Extremely correlated Fermi liquid theory meets Dynamical mean-field theory: Analytical insights into the doping-driven Mott transition

本文在最近发展起来的极端相关费米液体（ECFL）理论和动态平均场论（DMFT）理论的大尺度极限下，研究了掺杂Mott绝缘体。我们表明，一般结构的ECFL揭示了丰富的频率依赖性的DMFT自能。使用领先的费米液体形式的两个关键的辅助功能中引入的ECFL理论，我们得到了一个解析的分析，它提供了一个很好的定量描述的DMFT自能下降到空穴掺杂水平0.2。特别是，费米液体行为的偏离和相应的粒子-空穴不对称性发展在低能量标度，很好地再现了这个anterior。DMFT在大维数下是精确的，我们的研究也提供了一个基准的ECFL在这个限制。我们发现，在O（λ ^2）"最小方案"中，对于不太低的掺杂水平> 0.3，ECFL计算很好地再现了自能和谱线形状的主要特征。这里报道的DMFT计算是使用最先进的数值重整化群杂质求解器进行的，它可以产生精确的结果，精确到前所未有的小掺杂水平0.001。

配体在位相互作用对DFT+DMFT描述Mott绝缘体的重要性

Importance of ligand on-site interactions for the description of Mott-insulators in DFT+DMFT

本研究强调在DFT+DMFT计算中修正配体p态的重要性，证明仅改进过渡金属d态会导致绝缘行为错误，而施加简单经验或类Hartree-Fock修正可正确描述典型Mott绝缘体。

Mott-Hubbard跃迁的“线性化”动力学平均场论

``Linearized'' Dynamical Mean-Field Theory for the Mott-Hubbard transition

用简化的动力学平均场论（DMFT）研究了Mott-Hubbard金属-绝缘体相变，其中杂质能级与导带之间的耦合近似为费米能级处的单极。在这种方法中，DMFT方程被线性化，并且临界库仑排斥U_{\rm c}的值可以被解析地计算。对于零温下的对称单带哈伯德模型，临界值为自由态密度（U=0）二阶矩的平方根的6倍.这一结果与用射影自洽方法和最近的数值重整化群计算得到的无限维Bethe和超立方晶格的数值结果是一致的。并讨论了对更复杂格的推广。"线性化DMFT“为临界相互作用的完全几何依赖性产生了合理的结果。

用LDA + DMFT（QMC）计算掺杂莫特绝缘体La_{1-x} Sr_xTiO_3的光电子谱

Calculation of photoemission spectra of the doped Mott insulator La_{1-x}Sr_xTiO_3 using LDA+DMFT(QMC)

采用量子化学从头计算方法LDA+DMFT（QMC）计算了具有强库仑关联的掺杂莫特绝缘体$_{1-x}$ $_{x}$ $_{3}$的光谱性质.它从局域密度近似（LDA）计算的非相互作用电子能带结构出发，引入动力学平均场论（DMFT）的丢失关联，采用数值精确量子Monte-Carlo（QMC）技术求解由此产生的自洽多带单杂质问题。用LDA+DMFT（QMC）方法计算了La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ TiO $_{3}$的光电子能谱，计算结果与实验符合得很好，并且在定性和定量上都比标准LDA方法有了很大的改进.

Hall effect in doped Mott insulator: DMFT-approximation

In the framework of dynamical mean field theory (DMFT) we analyze Hall effect in doped Mott insulator as a parent cuprate superconductor. We consider the partial filling (hole doping) of the lower Hubbard band and calculate the dependence of Hall coefficient and Hall number on hole doping, determining the critical concentration for sign change of the Hall coefficient. Significant temperature dependence of Hall effect is noted. A good agreement is demonstrated with concentration dependence of Hall number obtained in experiments in the normal state of YBCO.

无限维Mott金属-绝缘体相变的局域纠缠熵

Local Entanglement Entropy at the Mott Metal-Insulator Transition in Infinite Dimensions

研究了无限维哈伯德模型中Mott金属-绝缘体相变时单点纠缠熵S的临界行为。对于这个模型，可以准确地计算出一个单一的网站和其余的晶格之间的纠缠，使用动力学平均场论（DMFT）。采用精确对角化的数值解和采用二位DMFT的解析解都给出了S-Sc \propto α \log_{2} [（1/2-Dc）/Dc]（U-Uc），其中Dc是Uc处的双占据率，α< 0在跃迁的两侧是不同的。

VO2中的金属-绝缘体转变：DFT + DMFT观点

Metal-insulator Transition in VO2: a DFT+DMFT perspective

我们提出了一个理论研究的电子结构的金红石（金属）和M $_1$和M $_2$单斜（绝缘）相的VO $_2$采用完全自洽的结合密度泛函理论和嵌入式动力学平均场论计算。我们描述了VO $_2$的金属和绝缘相的电子结构，并提出了一个独特的间隙开放机制。我们发现，莫特物理起着至关重要的作用，在所有阶段的VO $_2$：undimerized钒原子进行经典莫特过渡通过本地矩形成（在M $_2$阶段），而V-二聚体内的强超交换增加了显着的动态intersite相关性，这消除了奇异性的二聚V-原子的自能。从金红石到二聚M $_1$相的转变与Peierls样转变有密切联系，但在强的位间交换存在下更好地表征为Mott转变。作为Mott物理学的结果，二聚M $_1$相中的能隙是温度依赖性的。电子温度的唯一增加会使间隙塌陷，这让人想起最近的实验。

赝能隙和Mott相变的细胞动力学平均场论研究

Pseudogap and Mott Transition Studied by Cellular Dynamical Mean Field Theory

我们研究了莫特绝缘体和金属之间的金属-绝缘体转变。从其团簇扩展出发，提出了与原动力学平均场论（DMFT）完全不同的跃迁机制，一致的图象表明，准粒子重量$Z$在金属中保持非零，在跃迁时突然跳到零，而在绝缘体中能隙连续打开.这与原始DMFT相反，在原始DMFT中，$Z$连续地消失，但是间隙不连续地打开。目前的结果所产生的电子分化的动量空间同意最近令人困惑的体积敏感的实验CaVO $_3$和SrVO $_3$。

正方格点上t-J-V模型键序不稳定性的非线性玻色子和DMFT研究

Auxiliary-boson and DMFT studies of bond ordering instabilities of t-J-V models on the square lattice

我们研究了强现场库仑相互作用的影响，对不稳定性的金属状态的正方形晶格上的一般形式的键序。莫特关联占的非线性玻色子方法，并通过动力学平均场论计算，补充我们最近的工作（arXiv：1402.4807）使用Gutzwiller投影变分波函数。通过本文的方法，我们发现在位Mott关联并没有显著改变保持时间反演对称性的键序不稳定性的结构，但它们确实增强了向时间反演对称性破缺的“交错通量”态的不稳定性。

接近 Mott 转变时非局域关联对电荷涨落的抑制

Suppression of the charge fluctuations by nonlocal correlations close to the Mott transition

本文用 lDΓA 研究二维 Hubbard 模型接近 Mott 转变时的非局域关联，发现其在半填充附近抑制 DMFT 预测的电荷极化率，并在较高掺杂下增强载流子迁移率与金属化。

评论“双带哈伯德模型中的轨道选择莫特跃迁”

Comment on ``Orbital-selective Mott transitions in two-band Hubbard models''

Bluemer等人最近的一篇论文[cond-mat/0609758]再次批评了Liebsch的早期QMC/DMFT结果[Phys. Rev. B { \bf 70}，165103（2004）]。这种批评是没有根据的。

动态平均场论中周期Anderson模型中非费米液体行为的Mottness方案

Mottness scenario for non-Fermi liquid behavior in the periodic Anderson model within Dynamical Mean Field Theory

本文用动力学平均场场论（DMFT）研究了周期Anderson模型中的Mott金属-绝缘体相变。在量子跃迁附近，我们发现一个非费米液态金属态下降到一个消失的温度标度。我们确定的起源的非费米液体的行为，由于磁散射的掺杂载流子的本地化时刻。非费米液体状态可以通过掺杂或外部磁场来调节。我们的研究结果表明，耦合到空间磁涨落（缺乏在DMFT）是不是一个先决条件，以实现重费米子系统的非费米液体的情况。

非均匀团簇DMFT研究Hubbard晶格中p-n结Mott能隙闭合

Inhomogeneous cluster DMFT study on p-n junction Mott gap closing in Hubbard lattice

本研究通过正方晶格Hubbard模型和动力学平均场理论，研究了p-n结中电势梯度导致的Mott能隙闭合，发现金属相在电势降接近激发能时占优，且激发能几乎与方向无关，为实验阈值提供了理论解释。

How to recognize the universal aspects of Mott criticality?

In this paper we critically discuss several examples of two-dimensional electronic systems displaying interaction-driven metal-insulator transitions of the Mott (or Wigner--Mott) type, including dilute two-dimension electron gases (2DEG) in semiconductors, Mott organic materials, as well as the recently discovered transition-metal dichalcogenide (TMD) moiré bilayers. Remarkably similar behavior is found in all these systems, which is starting to paint a robust picture of Mott criticality. Most notable, on the metallic side a resistivity maximum is observed whose temperature scale vanishes at t…

莫特绝缘体中高次谐波产生的Floquet DMFT分析

Floquet DMFT Analysis of High Harmonic Generation in Mott Insulators

利用Floquet动态平均场论（DMFT）研究了莫特绝缘体中的高次谐波产生（HHG）。我们发现莫特绝缘体中的高次谐波的主要来源是双光子-空穴复合，并且高次谐波谱的特征随电场强度的不同而不同。在弱场区，HHG光谱显示出单一的平台，如在HHG气体，和它的截止能量$ε_{\rm cut}$与场强$E_0$的比例线性为$ε_{\rm cut}=Δ_{\rm gap} + αE_0$，其中$Δ_{\rm gap}$是莫特间隙。另一方面，在较强的场区，出现多个平台，$m$的截止尺度为$ε_{\rm cut,m}=U + m E_0$。我们表明，这种差异源于不同的动力学的强，弱场制度的doublons和holons。我们还评论了HHG从莫特绝缘体和从半导体之间的异同。这篇论文补充了我们最近的工作，物理学。121，057405（2018），以及其他结果和分析。

The Bethe-Salpeter equation at the critical end-point of the Mott transition

Strong repulsive interactions between electrons can lead to a Mott metal-insulator transition. The Dynamical Mean-Field Theory (DMFT) explains the critical end-point and hysteresis region with single-particle concepts such as the spectral function and the quasiparticle weight. In this work, we reconsider the critical end point of the metal-insulator transition on the two-particle level. We show that the relevant eigenvalue and eigenvector of the non-local Bethe-Salpeter kernel provide a unified picture of the hysteresis region and of the critical end point of the Mott transition. In particular…

三角格子上半填充哈伯德模型Mott相变的动力学平均场研究

Dynamical mean field study of the Mott transition in the half-filled Hubbard model on a triangular lattice

利用量子蒙特卡罗原子求解器和动力学平均场论研究了三角晶格上最近邻跃迁的哈伯德模型在半满时的有限温度Mott跃迁.通过磁矩、谱函数、内能和比热随相互作用$U$和温度$T$变化的演化，我们估计临界相互作用的值为$U_c=12.0 \pm 0.5$，单位为跳跃幅度$t$.这项工作还提出了DMFT和有限尺寸行列式量子蒙特卡罗（DQMC）之间的比较，并讨论了这两种方法的优点和局限性。

关联薄膜中电场驱动的Mott金属-绝缘体相变：非均匀动力学平均场论方法

An electric-field driven Mott metal-insulator transition in correlated thin films: an inhomogeneous dynamical mean-field theory approach

基于动态平均场论（DMFT）进行了模拟，以研究化学势、温度、相互作用强度和外加横向电场的不同值下相关薄膜的性质。在半填充时对薄膜施加足够强的场会导致在膜的表面附近出现导电区域，而在掺杂的平板中，施加场会导致膜的一侧上的导电性增强，并且在相对侧上逐渐过渡到绝缘状态。除了非均匀的DMFT，独立层近似（ILA）被认为是，其中每一层的属性近似的均匀的散装环境。这两种方法之间的比较表明，较便宜的ILA的结果是在良好的协议与DMFT的方法，除了接近的金属到绝缘体的过渡点，并在层立即在膜表面。体掺杂驱动的Mott转变的滞后行为（记忆效应）特征在板中持续存在。

顺磁性V_2O_3的电子结构：强关联金属相和Mott绝缘相

Electronic Structure of Paramagnetic V_2O_3: Strongly Correlated Metallic and Mott Insulating Phase

本文采用LDA+DMFT（局域密度近似和动力学平均场论相结合的计算方案）计算了V_2O_3的相关顺磁金属相和Mott绝缘相的费米能级以下和费米能级以上的光谱以及自旋和轨道占据。用量子蒙特卡罗模拟求解了自洽的DMFT方程。室温计算提供了与实验的直接比较。与1160 K时的结果相比，准粒子高度有明显的增加。对V_2O_3的Mott-Hubbard相变的性质也有了新的认识。也就是说，它被发现是显着不同的单带哈伯德模型，由于轨道自由度。此外，我们还解决了掺Cr的V_2O_3的Mott带隙异常小的难题。

高维Mott-Hubbard绝缘体的计算机代数强耦合微扰理论与动力学平均场论的比较

Comparison of computer-algebra strong-coupling perturbation theory and dynamical mean-field theory for the Mott-Hubbard insulator in high dimensions

本文用组合图解法计算了高维哈伯德模型强耦合Kato-Takahashi微扰级数的高阶贡献。Mott绝缘相的基态能量精确地确定到15阶，单位为1/U。微扰展开外推到无限阶，并使用Domb-Sykes方法确定临界行为。我们比较微扰的结果与两个动力学平均场论（DMFT）计算使用量子蒙特卡罗方法和密度矩阵重整化群方法作为杂质的解决方案。比较表明，外推的强耦合微扰理论和基于量子Monte Carlo的DMFT，甚至接近临界耦合的莫特绝缘体变得不稳定的协议和准确性。

高维Mott-Hubbard绝缘体的动力学密度矩阵重整化群

Dynamical Density-Matrix Renormalization Group for the Mott--Hubbard insulator in high dimensions

研究了零温下顺磁绝缘相无限配位数Bethe晶格半带填充时的哈伯德模型。我们使用动态平均场论（DMFT）映射到一个单杂质的安德森模型与浴，其性质必须确定自洽。为了控制和系统地实现自洽方案，我们使用固定能量（FE）的DMFT方法。在FE-DMFT中，Hubbard谱带的起始和宽度自洽地调整，但在计算杂质和浴位点之间的自洽杂交强度期间，浴水平的能量相对于两个谱带边缘保持固定。使用动态密度矩阵重整化群方法（DDMRG），我们计算了能隙附近的态密度，其分辨率范围从高能时裸带宽$W=4t$的3%到0.5%。DDMRG的分辨率和精度的态密度和间隙是优于与其他数值方法在以前的DMFT调查。我们发现Mott能隙在临界耦合$U_{\rm c}/t=4.45 \pm 0.05$处闭合。在$U=4.5t$，我们观察到Hubbard带起始处附近的突出肩部。它们是金属相中准粒子共振的激发子，当能隙在$U_{\rm c}$处打开时，金属相中的准粒子共振出现分裂。

莫特绝缘体的金属表面.金属的莫特绝缘表面

Metallic surface of a Mott insulator - Mott insulating surface of a metal

利用动力学平均场论（DMFT）研究了半无限哈伯德模型在零温、半充满条件下的Mott相变。我们考虑三维简单立方晶格的低指数表面，并系统地改变模型参数在非常表面。在DMFT的问题是自洽映射到一组耦合的有效杂质模型对应的平行于表面的不等价层。假设在临界点处Hubbard带对低能准粒子共振的影响可以忽略，则半无限伊辛模型的简化"线性DMFT“形式上等价于Weiss分子场论.这意味着定性的丰富的现象的朗道描述的二级相变在表面有一个直接的模拟表面莫特转变。受此形式类比的启发，我们详细地计算了线性DMFT的预测。发现在某些情况下，莫特绝缘体的表面可以是金属的，而普通金属的莫特绝缘表面是不可能的。导出了相应的相图、（平均场）临界指数和准粒子重量的临界分布。的DMFT方程，使用精确对角化（ED）方法的完全数值评估的结果得到证实。

Cr掺杂V $_2$ O $_3$的晶格软化效应

Lattice softening effects at the Mott critical point of Cr-doped V$_2$O$_3$

我们在（V $_{1-x}$ Cr $_x$）$_2$ O $_3$中进行了一阶Mott转变线临界点附近的声速测量。在恒定温度下的压力扫描揭示了$c_{33}$压缩模量的大的下降，该下降随着接近临界点而尖锐。我们没有观察到的剪切模量$c_{44}$，这是一致的过渡由一个标量序参量，根据DMFT描述的过渡临界迹象。然而，效果的幅度是一个数量级小于从DMFT计算获得的一个单带哈伯德模型。我们分析我们的结果，使用一个简单的模型与电子响应函数从电导率的标度关系。

二维弱拓扑绝缘体的$\mathbb{Z}$分类的简化-实空间DMFT研究-

Reduction of $\mathbb{Z}$ classification of a two-dimensional weak topological insulator - real-space DMFT study -

拓扑绝缘体的一个显著相互作用效应是自由费米子系统拓扑分类的减少。我们在双层蜂窝晶格模型中解决这个问题，考虑到温度对还原的影响。基于实空间动力学平均场论，我们的分析阐明了以下结果。(i)即使当减少发生时，由格林函数定义的绕组数可以在零温度下取非平凡值。(ii)取非平凡值的缠绕数变得与无间隙边缘模式的不存在一致，这是由于Mott行为仅在边缘出现。(iii)温度效应可以恢复无带隙的边缘模式，只要相互作用的能量尺度小于体带隙。另外，我们只在有限温度区域观察到拓扑边的Mott行为.

Mott-Hubbard跃迁和安德森局域化：广义动力学平均场论方法

Mott-Hubbard Transition and Anderson Localization: Generalized Dynamical Mean-Field Theory Approach

在广义动力学平均场论（DMFT+ NFT近似）下，分析了强关联强无序顺磁哈伯德模型的态密度、动态（光）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广自洽理论的本地化。利用数值重整化群（NRG）方法求解三维半椭圆态密度系统的DMFT有效单杂质问题。通过态密度和动态电导率的演化确定了相关金属、莫特绝缘体和相关Anderson绝缘体相，证明了Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，并构造了完整的Anderson-哈伯德模型零温相图.相当不寻常的是无序诱导莫特绝缘体向金属转变的可能性。

Mott物理和集体模：四粒子不可约泛函的原子近似

Mott physics and collective modes: an atomic approximation of the four-particle irreducible functional

我们讨论了一个推广的动力学平均场论（DMFT）的强关联系统接近莫特过渡的基础上的系统近似的完全不可约的四点顶点。它是单粒子和双粒子格林函数的泛函的原子极限近似，用相对于双粒子格林函数的自由能的第二勒让德变换建立。该泛函用四粒子不可约图（4PI）图解表示。像动力学顶点近似（D $Γ$ A）一样，完全不可约的顶点是从量子杂质模型计算的，该模型的浴是通过求解parquet方程自洽确定的。然而，与D $Γ$ A和DMFT相反，杂质模型的相互作用项也是自洽确定的。该方法插值之间的拼花近似在弱耦合和原子的限制，它是准确的。它适用于具有短程和长程相互作用的系统。

Mott模型之外的层状PerxO 2铱酸盐的体性质：体灵敏光电发射研究方法

Bulk Nature of Layered Perovskite Iridates beyond the Mott Scenario : An Approach from Bulk Sensitive Photoemission Study

我们提出了真正的散装Ir 5d杰夫态的层状钙钛矿铱酸盐获得硬X射线光电子能谱（HAXPES）与s-和p-偏振光。用局域密度近似和动力学平均场论（LDA+DMFT）计算的准粒子态密度很好地再现了Sr_2IrO_4和Ba_2IrO_4的HAXPES谱。结果表明，铱酸盐的绝缘性质是由反铁磁关联（斯莱特型）和电子关联（莫特型）相结合触发的。极低能量的体敏光电子能谱揭示了“坏金属”状态的顺磁相的铱酸盐，这表明强烈重整化的金属状态以上的尼尔温度预测的LDA+DMFT。

Phase diagram和两格点簇DMFT中哈伯德模型的准粒子性质

Phase diagram and quasiparticle properties of the Hubbard model within cluster two-site DMFT

本文采用集团动力学平均场方法处理正方晶格上的哈伯德模型，研究了磁性和准粒子性质随电子填充和相互作用强度的变化.我们求解动力学平均场方程的方法是Potthoff的“两点”方法的推广[Phys.Rev.B. 64，165114（2001）]，其中自洽浴由高度受限的一组状态表示。以及预期的反铁磁性接近一半填充，我们观察到费米表面的扭曲。范霍夫点的接近和初始的反铁磁性导致从远离Mott转变的类电子费米面演化到接近半填充的类空穴费米面。我们的研究结果还表明，在费米表面附近的莫特转变（让人想起的pseudogap现象中看到的铜氧化物高温超导体）的间隙各向异性开放。这就留下了费米弧，它们被带有非常小准粒子残留的线封闭在口袋里。

基于原子极限附近二阶微扰的动态平均场论杂质快速求解器

Fast Impurity Solver for Dynamical Mean Field Theory based on second order perturbation around the atomic limit

提出了一种用于莫特绝缘体动力学平均场研究的杂质求解器，它基于杂化函数的二阶微扰。经过仔细的基准与量子蒙特卡罗结果的反铁磁相的Hubbard模型，我们得出结论，这种杂质求解器可以捕获的主要物理特征，在强耦合制度，可以是一个非常有用的工具，LDA+DMFT研究的莫特绝缘体与长程序。

DFT + DMFT泛函稳态实现的自由能

Free energy from stationary implementation of the DFT+DMFT functional

全电子密度泛函加动力学平均场论（DFT+DMFT）的形式主义进行自由能计算和结构弛豫的固定功能是第一次实施。这里，密度中的一阶误差导致自由能中的小得多的二阶误差。该方法适用于几个众所周知的相关材料，金属SrVO $_3$，莫特绝缘FeO，元素铈，表明它预测的晶格常数具有非常高的精度。在铈，我们表明，我们的方法预测之间的同构过渡的$α$和$γ$阶段，并解决了长期存在的争议，这种转变的驱动机制。

Impact of electron correlations on the $\mathbf{k}$-resolved electronic structure of PdCrO$_{2}$ revealed by Compton scattering

Delafossite PdCrO$_2$ is an intriguing material which displays nearly-free electron and Mott insulating behaviour in different layers. Both angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) and Compton scattering measurements have established a hexagonal Fermi surface in the material's paramagnetic phase. However, the Compton experiment detected an additional structure in the projected occupancy which was originally interpreted as an additional Fermi surface feature not seen by ARPES. Here, we revisit this interpretation of the Compton data. State-of-the-art density functional theory (DFT) wit…

Is the orbital-selective Mott phase stable against interorbital hopping?

The localization-delocalization transition is at the heart of strong correlation physics. Recently, there is great interest in multiorbital systems where this transition can be restricted to certain orbitals, leading to an orbital-selective Mott phase (OSMP). Theoretically, the OSMP is widely studied for kinetically decoupled orbitals, but the effect of interorbital hopping remains unclear. Here, we show how nonlocal interorbital hopping leads to local hybridization in single-site dynamical mean-field theory (DMFT). Under fairly general circumstances, this implies that, at zero temperature, th…

Hund耦合引起的非定域关联：团簇DMFT研究

Nonlocal correlations induced by Hund's coupling: a cluster DMFT study

我们研究了多轨道系统中的空间相关效应，特别是在顺磁金属态受洪德耦合。我们将动力学平均场论（DMFT）的团簇扩展应用于远离半填充的三轨道哈伯德模型，其中以前的单位DMFT研究揭示了Hund耦合引起的局域关联效应带来了不寻常的强关联金属行为。我们发现，洪德耦合显着影响的非局部相关性，太;它强烈调制的动量空间中的电子分布，使动量区域几乎半满，因此强相关。它导致了一种不同于费米液体和莫特绝缘体的反常电子态。我们确定的异常状态的机制与Hund的耦合诱导的位间铁磁关联。

非均匀系统的非平衡动力学平均场模拟

Nonequilibrium dynamical mean field simulation of inhomogeneous systems

我们扩展的非平衡动力学平均场（DMFT）形式主义的非均匀系统适应“实空间”DMFT方法Keldysh格林函数。用强耦合微扰理论解决耦合杂质问题，我们将形式主义应用于具有强局部相互作用的均匀和非均匀分层系统，最多可达39层。我们研究了Mott绝缘体系统中由光激发产生的双光子和空穴的扩散，多层结构中线性偏压引起的极化和电流随时间的变化，以及偏压下莫特绝缘体中的光感应电流.

Nonequilibrium-DMFT based RIXS investigation of the two-orbital Hubbard model

Resonant inelastic X-ray scattering (RIXS) detects various types of high- and low-energy elementary excitations in correlated solids, and this tool will play an increasingly important role in investigations of time-dependent phenomena in photo-excited systems. While theoretical frameworks for the computation of equilibrium RIXS spectra are well established, the development of appropriate methods for nonequilibrium simulations are an active research field. Here, we apply a recently developed nonequilibrium dynamical mean field theory (DMFT) based approach to compute the RIXS response of photo-e…

掺杂3d 1过渡金属氧化物LaTiO3的绝缘体-金属转变

Insulator-Metal transition in the Doped 3d1 Transition Metal Oxide LaTiO3

用从头算LDA+DMFT方法研究了$La_{1-x}Sr_{x}TiO_{3}$中掺杂诱导的绝缘体-金属相变。结合LDA能带结构的实际，扭曲的结构，最近发现的多轨道DMFT治疗电子相关性，我们发现：$(i)$铁轨道顺序在莫特绝缘状态下没有轨道简并，$(ii)$连续填充诱导过渡到顺磁金属（PM）与$x$，和$(iii)$优秀的定量协议与发表的光电发射数据的情况下，6%的掺杂。我们的结果表明，该系统可以被描述为一个没有轨道（液体）简并的Mott-Hubbard系统。

关联金属与掺杂 Mott-Hubbard 绝缘体中的热电势和霍尔效应：DMFT 近似

Thermoelectric Power and Hall Effect in Correlated Metals and Doped Mott-Hubbard Insulators: DMFT approximation

本文用 DMFT 研究 Hubbard 模型中关联金属与空穴掺杂 Mott 绝缘体的热电势和霍尔效应，揭示符号改变、温度反常及电子-空穴不对称机制，并结合 ARPES 与 DFT 估算载流子数目及输运系数。

Mott-Anderson转变附近的无序屏蔽

Disorder screening near the Mott-Anderson transition

在Mott-Anderson跃迁的典型介质动力学平均场论（TMT-DMFT）中研究了关联驱动的无序屏蔽。在强关联区，表征有效无序势的格位能ε_R^i由于近藤钉扎现象而被强重整化。当相互作用U强于无序W时，这种效应产生非常强的屏蔽，但只适用于相反极限（U<W）的一小部分位点。

DMFT + NRG方法研究三带Hund金属的自旋轨道分离

DMFT+NRG study of spin-orbital separation in a three-band Hund's metal

我们表明，数值重整化群（NRG）是一个可行的多带杂质求解动力学平均场论（DMFT），提供前所未有的实时频谱分辨率在任意低的能量和温度。我们用它来获得一个数字精确的DMFT解决方案的Hund的金属问题的填充因子$n_d=2$的三轨道模型。基态是费米液体。单粒子谱函数具有很强的粒子-空穴不对称性，仅在正频率下具有明显的幂律。随着温度的升高，它表现出一个相干-非相干交叉，光谱权重从低能量转移到高能量，并与掺杂的莫特绝缘体的演变有质的不同。自旋和轨道的光谱函数显示出“自旋-轨道分离”：自旋屏蔽发生在比轨道屏蔽低得多的能量。重整化群流清楚地揭示了所有能量尺度下的相关物理。

关联绝缘体的量子化学加动力学平均场方法：应用于La_{2} CuO_{4}

A Quantum Chemistry Plus Dynamical Mean Field Approach for Correlated Insulators: Application to La_{2}CuO_{4}

虽然传统的局域密度近似（LDA）不能描述莫特绝缘体，但例如Hubbard $U$的{ \it ab-initio}确定限制了LDA+动态平均场论（DMFT）方法。在这里，我们试图通过实现量子化学（QC）方法与DMFT的融合来克服这些瓶颈。QC+DMFT通过其QC对应物取代LDA带结构作为DMFT的输入。使用QC+DMFT，我们表明，未掺杂的$La_{2}CuO_{4}$是一个$d$ -莫特绝缘体，并定性地讨论了循环电流和非相干金属相，在小，但有限的空穴掺杂。与实验光电发射光谱和光学光谱非常好的定量一致性构成了QC+DMFT有效性的有力支持。因此，我们的工作开辟了一个新的途径，真正的{ \it从头}相关为基础的方法来描述相关的电子系统一般。

利用DFT+DMFT探究Ba$_2$MgReO$_6$的莫特绝缘行为

Probing the Mott-insulating behavior of Ba$_2$MgReO$_6$ with DFT+DMFT

本研究结合DFT与DMFT确定双钙钛矿Ba₂MgReO₆的莫特绝缘特性，分析其电子结构与多极矩有序特征，对比两种轨道描述及DFT+U方法的差异，为强关联5d体系研究提供参考。

人工$SU(3)$自旋-轨道耦合和奇异莫特绝缘体

Artificial $SU(3)$ Spin-Orbit Coupling and Exotic Mott Insulators

基于光晶格中类碱土原子实现人工规范场和$SU(N)$莫特绝缘体的最新进展，我们发展了一种无偏的$SU(N)$实空间动力学平均场理论（DMFT）方法，研究了自旋轨道耦合和Hubbard相互作用对$U$费米子系统的影响.我们研究了局域磁化强度、双占据率和三重占据率与Hubbard相互作用在金属到莫特绝缘体跃迁中的行为。我们绘制了大$U$极限下的磁相图，并表明自旋-轨道耦合可以稳定$SU(3)$莫特绝缘体中具有不同取向的长程序，如铁磁、螺旋和条纹。

单交叉近似描述Mott跃迁的可靠性

Reliability of the one-crossing approximation in describing the Mott transition

我们评估的可靠性的一个交叉近似（OCA）的方法在定量描述的莫特过渡的框架内的动力学平均场论（DMFT）。OCA方法已被应用于与DMFT结合的一些重费米子，锕系元素，过渡金属化合物，和纳米级系统。然而，最近在杂质模型框架内的一些研究指出了OCA的严重缺陷，并对其可靠性提出了质疑。在这里，我们考虑一个单带哈伯德模型的Bethe晶格在有限的温度和比较OCA的结果的数值精确的量子蒙特卡罗（QMC）方法。在粒子-空穴对称情况下，OCA得到的温度-局域排斥U相图与QMC的结果吻合得很好，并且很好地捕捉到了金属-绝缘体相变。然而，我们发现，绝缘体到金属的过渡被转移到更高的值的U，同时，在金属相的相关性显着高估。这种违反直觉的行为是由于同时低估了金属相的近藤尺度和绝缘间隙的大小。我们跟踪低估的绝缘间隙的杂质谱密度的高频扩展的二阶矩。计算系统远离粒子-空穴对称的情况下，也提出和讨论。