Origin of superconductivity in Ni-doped SrFe_2As_2 , an Insight from DMFT
用LMTO能带结构计算和多轨道动力学平均场论，讨论了母体和Ni掺杂的铁磷属元素化物超导体SrFe 2As 2正常态的竞争有序问题.强的电子关联和最小的反铁磁不稳定性产生了部分带隙的费米表面，与早期的实验定性一致。一个很好的半定量相似性，在正常和有序状态与早期的实验传输数据观察到随着抑制磁有序和解释内的相关，多- tiorbital观点。这些结果表明，软电子涨落介导的超导电性在广泛的类母和欠掺杂的122 pnictides与磁有序的抑制。
2018-08-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical Weights and Waterfalls in Doped Charge Transfer Insulators: an LDA+DMFTStudy of LSCO
我们采用局域密度近似结合动力学平均场论来研究铜氧化物的中能性质。我们确定的相干和非相干的光谱特征，结果从掺杂的电荷转移绝缘体，即准粒子，张赖斯单线带，和上下哈伯德带。角度解决这些功能，我们确定了一个\emphasize{waterfall}一样的功能，准粒子部分和非相干部分的张赖斯带。我们研究了粒子和空穴掺杂之间的不对称性。在空穴掺杂侧，在单粒子光谱中掺杂时，光谱权重的转移非常迅速。光谱权重在空穴掺杂侧超线性增加，与实验结果一致。
2008-04-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
DFT+DMFT study of oxygen vacancies in a Mott Insulator
氧空位是复合氧化物中过量电子的常见来源。在莫特绝缘体中，这些额外的电子可以诱导金属-绝缘体转变（MIT），从根本上改变系统的电子性质。在这里，我们研究了氧空位的影响，在LaTiO 3，一个原型的莫特绝缘体接近MIT。我们表明，引入氧空位创建一个空位相关的带下面的部分填充的Ti-t2 g带。我们使用密度泛函理论和动力学平均场论（DFT+DMFT）相结合的方法研究了这个额外的能带对Mott MIT的影响。我们发现，莫特绝缘状态的LaTiO 3是强大的空位带的存在下，它仍然完全占据，即使在存在一个本地的库仑排斥。
2019-05-08 cond-mat.str-el
Thermoelectric Power and Hall Effect in Correlated Metals and Doped Mott-Hubbard Insulators: DMFT approximation
本文用 DMFT 研究 Hubbard 模型中关联金属与空穴掺杂 Mott 绝缘体的热电势和霍尔效应，揭示符号改变、温度反常及电子-空穴不对称机制，并结合 ARPES 与 DFT 估算载流子数目及输运系数。
2023-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From Mott Insulator to Band Insulator: A DMFT Study
莫特绝缘体和带状绝缘体是否有本质上的不同，这个问题最近一直是深入研究的问题。在这里，我们考虑一个简单的模型，它允许通过调整一个参数，连续地从莫特绝缘体带绝缘体。该模型由两个通过单粒子跳跃连接的Hubbard系统组成。Hubbard哈密顿量由动力学平均场论求解，使用量子蒙特卡罗来解决由此产生的量子杂质问题。计算了准粒子谱函数。在这里，我们专注于光学电导率，特别是可以通过实验测量的Drude重量。从我们的计算中，我们得出结论，有一个连续的过渡带绝缘体的莫特绝缘体相在有限的温度。
2006-05-23 cond-mat.str-el
Calculation of photoemission spectra of the doped Mott insulator La_{1-x}Sr_xTiO_3 using LDA+DMFT(QMC)
采用量子化学从头计算方法LDA+DMFT（QMC）计算了具有强库仑关联的掺杂莫特绝缘体$_{1-x}$ $_{x}$ $_{3}$的光谱性质.它从局域密度近似（LDA）计算的非相互作用电子能带结构出发，引入动力学平均场论（DMFT）的丢失关联，采用数值精确量子Monte-Carlo（QMC）技术求解由此产生的自洽多带单杂质问题。用LDA+DMFT（QMC）方法计算了La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ TiO $_{3}$的光电子能谱，计算结果与实验符合得很好，并且在定性和定量上都比标准LDA方法有了很大的改进.
2000-07-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ground state of the frustrated Hubbard model within DMFT: energetics of Mott insulator and metal from ePT and QMC
我们提出了一种新的方法，ePT，外推几个已知的微扰膨胀系数。通过与量子MonteCarlo（QMC）模拟结果的比较，将Bethe晶格上哈伯德模型的10阶强耦合微扰理论（PT）可靠地外推到无限阶.在动力学平均场论（DMFT）中，我们得到了莫特绝缘体在其稳定边U_{c1} =4.78以上的能量E和双占据数D的连续估计，其精度为O（10^{-5}），以及临界指数.此外，我们得到相应的精确估计E和D在金属基态从广泛的低温QMC模拟使用一个适合弱耦合PT，同时执行热力学一致性。
2004-07-16 cond-mat.str-el
Influence of spin fluctuations near the Mott transition: a DMFT study
本文用动力学平均场论和从转子理论相结合的方法研究了带有完全阻挫随机海森堡耦合的哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变附近的磁矩动力学。在顺磁莫特态下，自旋子分解允许产生Sachdev-Ye自旋液体，而不是通常在没有磁关联的情况下发生的独立局部矩的集合。冷却到自旋液相中，发现自旋磁化率偏离纯居里行为的开始与莫特转变线经历显著弯曲的温度标度相关。我们还证明了从海森堡极限接近莫特边界时的有效交换能的减弱，由于量子涨落与零和双占据的网站。
2013-07-12 cond-mat.str-el
Effect of coulomb long range interactions on the Mott transition
我们重新考虑了存在长程库仑相互作用时的莫特跃迁问题。使用一个扩展的DMFT，总结了一个重要的类的图在普通的DMFT缺席，我们表明，在库仑的存在下，在二维和三维的莫特过渡是不连续的莫特设想。
1999-03-11 cond-mat.str-el
A Quantum Chemistry Plus Dynamical Mean Field Approach for Correlated Insulators: Application to La_{2}CuO_{4}
虽然传统的局域密度近似（LDA）不能描述莫特绝缘体，但例如Hubbard $U$的{ \it ab-initio}确定限制了LDA+动态平均场论（DMFT）方法。在这里，我们试图通过实现量子化学（QC）方法与DMFT的融合来克服这些瓶颈。QC+DMFT通过其QC对应物取代LDA带结构作为DMFT的输入。使用QC+DMFT，我们表明，未掺杂的$La_{2}CuO_{4}$是一个$d$ -莫特绝缘体，并定性地讨论了循环电流和非相干金属相，在小，但有限的空穴掺杂。与实验光电发射光谱和光学光谱非常好的定量一致性构成了QC+DMFT有效性的有力支持。因此，我们的工作开辟了一个新的途径，真正的{ \it从头}相关为基础的方法来描述相关的电子系统一般。
2009-02-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Cluster Dynamical Mean Field analysis of the Mott transition
我们研究莫特转变使用集团扩展的动力学平均场论（DMFT）。在没有挫折的情况下，我们没有发现有限温度莫特转变的证据。相反，在一个沮丧的模型中，我们观察到一个有限的温度莫特临界点与卡帕有机物的实验研究和单网站DMFT协议的签名。随着莫特转变的接近，一个明确的动量依赖的电子寿命的费米表面上的布里渊区的对角线方向上形成的冷区。此外，有效质量的变化不再等于准粒子残留的倒数，在DMFT，并减少接近莫特转变。
2003-08-27 cond-mat.str-el
Cluster Dynamical Mean Field Theory of the Mott Transition
我们解决的性质Mott过渡的哈伯德模型在半填充使用集群动态平均场论（DMFT）。我们比较集群DMFT的结果与单站点DMFT。我们表明，列入的短程相关性的顶部的现场相关性，已经完全在单站点DMFT处理，不改变顺磁性金属和顺磁性莫特绝缘体之间的过渡的性质，这仍然是第一顺序。然而，短程关联大大降低了临界$U$，并改变了跃迁线的形状。此外，它们导致过渡附近的金属相和绝缘相的非常不同的物理性质，特别是在两种溶液共存的相图区域中。从金属的角度研究跃迁，我们发现在低至$T=0.01t$的温度下，存在一个相干尺度很低的反常金属态。绝缘状态的特征在于相对窄的莫特间隙，在间隙边缘具有明显的峰。
2008-09-29 cond-mat.str-el
Floquet DMFT Analysis of High Harmonic Generation in Mott Insulators
利用Floquet动态平均场论（DMFT）研究了莫特绝缘体中的高次谐波产生（HHG）。我们发现莫特绝缘体中的高次谐波的主要来源是双光子-空穴复合，并且高次谐波谱的特征随电场强度的不同而不同。在弱场区，HHG光谱显示出单一的平台，如在HHG气体，和它的截止能量$ε_{\rm cut}$与场强$E_0$的比例线性为$ε_{\rm cut}=Δ_{\rm gap} + αE_0$，其中$Δ_{\rm gap}$是莫特间隙。另一方面，在较强的场区，出现多个平台，$m$的截止尺度为$ε_{\rm cut,m}=U + m E_0$。我们表明，这种差异源于不同的动力学的强，弱场制度的doublons和holons。我们还评论了HHG从莫特绝缘体和从半导体之间的异同。这篇论文补充了我们最近的工作，物理学。121，057405（2018），以及其他结果和分析。
2019-11-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Mott insulators and the doping-induced Mott transition within DMFT: exact results for the one-band Hubbard model
在动力学平均场论的框架内，研究了零温下单带哈伯德模型的顺磁相，并对一般的粒子-空穴不对称性进行了掺杂诱导的Mott跃迁。我们的主要焦点是莫特绝缘体（MI）相，我们的主要目标是建立什么可以显示到底it. To处理本地双简并MI需要两个不同的自能，这反映了破缺对称性质的相位和共同确定的标准单自能。精确的结果得到的本地电荷，本地磁矩和相关的自旋磁化率，相互作用重整化的水平，和低能量的行为中的MI相的自能。金属相也被认为是简要的，并示出获得一个紧急的粒子-空穴对称性的莫特过渡接近。在整个金属中，Luttinger定理反映在Luttinger积分的消失中;相比之下，对于一般MI，这被证明是非零的，但再次具有普遍的量值。数值结果也得到使用NRG，金属/MI相边界，作为莫特过渡aproached从金属的电荷的标度行为，以及相关的普遍的单粒子动力学的标度作为低能量近藤规模消失。
2015-10-19 cond-mat.str-el
Quantum Monte Carlo calculation of the finite temperature Mott-Hubbard transition
我们提出了明确的数值证据共存的金属和绝缘的动力学平均场论（DMFT）解决方案在半填充的单带哈伯德模型裸半圆形密度的状态在有限的温度。采用量子蒙特卡罗方法求解DMFT方程。我们讨论了DMFT-QMC的重要技术方面，需要考虑到，以获得可靠的结果附近的共存区域。其中包括在相位边界附近迭代解的临界减慢、DMFT迭代的收敛准则、离散格林函数的插值以及QMC统计误差和系统误差的减小。我们的结果与其他数值方法的结果进行了比较，并在相图中给出。
2000-09-22 cond-mat.str-el
Local interpretation of time-resolved X-ray absorption in Mott insulators: Insights from nonequilibrium dynamical mean-field theory
提出了一种基于非平衡动力学平均场论（DMFT）的计算固体光激发X射线时间分辨吸收谱（XAS）的方法。通过应用这种形式主义的光掺杂的半填充和四分之一填充的双轨道哈伯德模型在莫特绝缘制度，我们澄清了时间分辨的XAS信号如何反映不同的局域态的非平衡布居。除了与连续激发相关的丢失的加宽之外，用非热态布居计算的原子XAS谱提供了对完全非平衡DMFT结果的良好近似。这表明一个路线相结合的准确DMFT描述的非平衡态的固体与集群计算的XAS信号。
2022-04-19 cond-mat.str-el
Third-order strong-coupling impurity solver for real-frequency DMFT: Accurate spectral functions for antiferromagnetic and photo-doped states
University of Fribourg（弗里堡大学）；DGIST（大邱科学技术院）
本文提出了一种实频三阶强关联杂质求解器，用于高精度计算铁磁性和光掺杂态的谱函数，为DMFT研究提供新的方法工具。
2025-11-11 cond-mat.str-el
DMFT study on the electron-hole asymmetry of the electron correlation strength in the high Tc cuprates
最近的实验表明，在高温铜氧化物超导体的相图中存在显著的不对称性。在空穴掺杂体系中，关联效应较强，而在电子掺杂体系中，关联效应较弱。另一方面，最近的理论研究表明，在这些系统中的相互作用强度（哈伯德U）是可比的。因此，很难用它们的相互作用强度来解释这种不对称性。在此背景下，我们利用动力学平均场论分析了费米能级附近铜氧化物超导体单带模型的单粒子谱。我们发现空穴和电子掺杂系统之间的强关联效应的“可见性”的差异。这可以在不引入相互作用强度差异的情况下解释电子-空穴关联强度的不对称性。
2017-10-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From Hubbard bands to spin-polaron excitations in the doped Mott material Na$_x$CoO$_2$
我们研究了强关联钴酸钠的激发光谱在一个现实的多体描述超越动力学平均场论（DMFT）。在$x$ =0.3附近的较低掺杂，而接近莫特临界半填充，Na $_x$ CoO $_2$的单粒子光谱函数显示在DMFT内捕获的上哈伯德带。在较高的掺杂量下，超过DMFT的动量依赖的自能效应成为主导。当掺杂浓度为$x\sim 0.67$时，非相干激发转变为有限能自旋极化子激发，这与光学实验结果非常吻合。这些激发是准粒子和顺磁子之间在接近面内铁磁有序的束缚态的形成的直接后果。
2014-08-09 cond-mat.str-el
Extremely correlated Fermi liquid theory meets Dynamical mean-field theory: Analytical insights into the doping-driven Mott transition
本文在最近发展起来的极端相关费米液体（ECFL）理论和动态平均场论（DMFT）理论的大尺度极限下，研究了掺杂Mott绝缘体。我们表明，一般结构的ECFL揭示了丰富的频率依赖性的DMFT自能。使用领先的费米液体形式的两个关键的辅助功能中引入的ECFL理论，我们得到了一个解析的分析，它提供了一个很好的定量描述的DMFT自能下降到空穴掺杂水平0.2。特别是，费米液体行为的偏离和相应的粒子-空穴不对称性发展在低能量标度，很好地再现了这个anterior。DMFT在大维数下是精确的，我们的研究也提供了一个基准的ECFL在这个限制。我们发现，在O（λ ^2）"最小方案"中，对于不太低的掺杂水平> 0.3，ECFL计算很好地再现了自能和谱线形状的主要特征。这里报道的DMFT计算是使用最先进的数值重整化群杂质求解器进行的，它可以产生精确的结果，精确到前所未有的小掺杂水平0.001。
2013-12-09 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Transition and Anderson Localization: Generalized Dynamical Mean-Field Theory Approach
在广义动力学平均场论（DMFT+ NFT近似）下，分析了强关联强无序顺磁哈伯德模型的态密度、动态（光）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广自洽理论的本地化。利用数值重整化群（NRG）方法求解三维半椭圆态密度系统的DMFT有效单杂质问题。通过态密度和动态电导率的演化确定了相关金属、莫特绝缘体和相关Anderson绝缘体相，证明了Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，并构造了完整的Anderson-哈伯德模型零温相图.相当不寻常的是无序诱导莫特绝缘体向金属转变的可能性。
2007-06-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Importance of ligand on-site interactions for the description of Mott-insulators in DFT+DMFT
本研究强调在DFT+DMFT计算中修正配体p态的重要性，证明仅改进过渡金属d态会导致绝缘行为错误，而施加简单经验或类Hartree-Fock修正可正确描述典型Mott绝缘体。
2025-02-24 cond-mat.str-el
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Momentum space anisotropy in doped Mott insulators
我们研究了单空穴tt 't“J模型的数值计算，以解决掺杂莫特绝缘体中发现的动量空间各向异性。提出了一个简单的两带图象，用来理解不同动量态下自旋背景对掺杂空穴的屏蔽作用。在这幅图中，在欠掺杂铜氧化物超导体中通过实验观察到的结区和反结区之间的差异，来自局部能量考虑，并且相当于明确定义的准粒子行为和自旋-电荷分离相关现象之间的区别。
2005-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
``Linearized'' Dynamical Mean-Field Theory for the Mott-Hubbard transition
用简化的动力学平均场论（DMFT）研究了Mott-Hubbard金属-绝缘体相变，其中杂质能级与导带之间的耦合近似为费米能级处的单极。在这种方法中，DMFT方程被线性化，并且临界库仑排斥U_{\rm c}的值可以被解析地计算。对于零温下的对称单带哈伯德模型，临界值为自由态密度（U=0）二阶矩的平方根的6倍.这一结果与用射影自洽方法和最近的数值重整化群计算得到的无限维Bethe和超立方晶格的数值结果是一致的。并讨论了对更复杂格的推广。"线性化DMFT“为临界相互作用的完全几何依赖性产生了合理的结果。
1999-05-06 cond-mat.str-el
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum Ginzburg-Landau theory of doped Mott insulators
通过进一步的对偶变换，改进了掺杂莫特绝缘体的对偶性理论。结果得到了描述库珀对凝聚和自旋凝聚对偶的量子Ginzburg-Landau理论。我们通过掺杂莫特绝缘体来解决超导性，我们称之为莫特超导性。铜氧化物中这种新颖性的一些特征是中子共振能量和超流密度之间的标度，以及由涡旋或Zn杂质引起的{ \it量子化}自旋矩（以及循环电荷超流，有待实验检验）。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Local Entanglement Entropy at the Mott Metal-Insulator Transition in Infinite Dimensions
研究了无限维哈伯德模型中Mott金属-绝缘体相变时单点纠缠熵S的临界行为。对于这个模型，可以准确地计算出一个单一的网站和其余的晶格之间的纠缠，使用动力学平均场论（DMFT）。采用精确对角化的数值解和采用二位DMFT的解析解都给出了S-Sc \propto α \log_{2} [（1/2-Dc）/Dc]（U-Uc），其中Dc是Uc处的双占据率，α< 0在跃迁的两侧是不同的。
2013-01-09 cond-mat.str-el
Metal-insulator Transition in VO2: a DFT+DMFT perspective
我们提出了一个理论研究的电子结构的金红石（金属）和M $_1$和M $_2$单斜（绝缘）相的VO $_2$采用完全自洽的结合密度泛函理论和嵌入式动力学平均场论计算。我们描述了VO $_2$的金属和绝缘相的电子结构，并提出了一个独特的间隙开放机制。我们发现，莫特物理起着至关重要的作用，在所有阶段的VO $_2$：undimerized钒原子进行经典莫特过渡通过本地矩形成（在M $_2$阶段），而V-二聚体内的强超交换增加了显着的动态intersite相关性，这消除了奇异性的二聚V-原子的自能。从金红石到二聚M $_1$相的转变与Peierls样转变有密切联系，但在强的位间交换存在下更好地表征为Mott转变。作为Mott物理学的结果，二聚M $_1$相中的能隙是温度依赖性的。电子温度的唯一增加会使间隙塌陷，这让人想起最近的实验。
2016-05-19 cond-mat.str-el
Pseudogap and Mott Transition Studied by Cellular Dynamical Mean Field Theory
我们研究了莫特绝缘体和金属之间的金属-绝缘体转变。从其团簇扩展出发，提出了与原动力学平均场论（DMFT）完全不同的跃迁机制，一致的图象表明，准粒子重量$Z$在金属中保持非零，在跃迁时突然跳到零，而在绝缘体中能隙连续打开.这与原始DMFT相反，在原始DMFT中，$Z$连续地消失，但是间隙不连续地打开。目前的结果所产生的电子分化的动量空间同意最近令人困惑的体积敏感的实验CaVO $_3$和SrVO $_3$。
2007-06-04 cond-mat.str-el
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
First-principles treatment of Mott insulators: linearized QSGW+DMFT approach
量子材料中涌现现象的理论理解是凝聚态物理最大的挑战之一。与贵金属和半导体等简单材料相比，量子材料的宏观性质不能通过单个电子的性质来预测。强关联电子系统是具有重要科学意义的例子之一。电子在部分填充的3d、4f和5f轨道中的定域或巡游行为都不能产生丰富的物理，如莫特绝缘体、高温超导体和优越的热电性，但阻碍了对低位激发谱的定量理解。在这里，我们提出了一个新的第一性原理方法强关联固体。它是基于准粒子自洽GW近似和动力学平均场论的组合的Q4。在这种方法中，唯一的输入是投影到所有局部费曼图正在评估的相关轨道集。为此，我们选择了非常局域化的准原子轨道跨越大的能量窗口，其中包含最强的杂化带，以及上，下哈伯德带。在松原轴上进行自洽。这种方法使莫特绝缘体的顺磁和反铁磁相的第一性原理研究。以典型的电荷转移相关绝缘体La_2CuO_4和NiO为例，给出了与实验符合较好的光谱特性和磁矩。
2016-08-29 cond-mat.str-el
Pseudogap in Doped Mott Insulators is the Near-neighbour Analogue of the Mott Gap
我们表明，强耦合物理固有的绝缘Mott状态在2D中导致的化学势的跳跃掺杂和出现的赝隙的单粒子光谱低于一个特征温度。赝能隙的产生是因为任何不直接邻近空穴的单占据位点经历了等于$t^2/U$的最大能垒，其中$t$是最近邻跳跃积分，$U$是原位排斥。平均而言，在每个晶格位置具有至少一个作为近邻的孔之前，所得到的赝隙不能消失。这种效应在所有掺杂莫特绝缘体中的普遍存在表明，铜氧化物中的赝能隙有一个简单的起源。
2003-05-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Auxiliary-boson and DMFT studies of bond ordering instabilities of t-J-V models on the square lattice
我们研究了强现场库仑相互作用的影响，对不稳定性的金属状态的正方形晶格上的一般形式的键序。莫特关联占的非线性玻色子方法，并通过动力学平均场论计算，补充我们最近的工作（arXiv：1402.4807）使用Gutzwiller投影变分波函数。通过本文的方法，我们发现在位Mott关联并没有显著改变保持时间反演对称性的键序不稳定性的结构，但它们确实增强了向时间反演对称性破缺的“交错通量”态的不稳定性。
2014-04-02 cond-mat.str-el
Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator
在本文中，我们探讨的自旋-自旋关联的非公度空间调制的掺杂莫特绝缘体的本征性质，描述的$t-J$模型。我们表明，这样的不可逆性是一个直接的表现形式的相位弦效应引入掺杂空穴在一维和二维的情况下。在动量空间中动态自旋磁化率的磁无公度峰与铜氧化物超导体的中子散射测量结果在位置和掺杂依赖性方面都是一致的。特别是，这种无公度结构可以自然地调和铜酸盐的中子散射和NMR实验。
1998-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Suppression of the charge fluctuations by nonlocal correlations close to the Mott transition
本文用 lDΓA 研究二维 Hubbard 模型接近 Mott 转变时的非局域关联，发现其在半填充附近抑制 DMFT 预测的电荷极化率，并在较高掺杂下增强载流子迁移率与金属化。
2025-10-20 cond-mat.str-el
Superconductivity in a doped Mott insulator
本文从Kotliar和Liu的d波RVB平均场论出发，提出了一种新的长波低能规范涨落的精确处理方法。其结果是一个理论的无隙费米子准粒子耦合超导相位波动。我们将讨论的物理含义，和BCS配对与相位波动的理论的相似性/差异。
1999-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory for superconductivity in (Tl,K)Fe$_x$Se$_2$ as a doped Mott insulator
本文从掺杂莫特绝缘体的观点研究了最近发现的（Tl，K）Fe $_x$ Se $_2$化合物的可能超导电性。由于Fe空位的存在，Mott绝缘相在$x=1.5$的母体化合物中被检查为优选的。在Fe位的空位的部分填充引入电子载流子并导致电子掺杂的超导电性。在强耦合极限下，利用双轨道哈伯德模型，我们发现在Hund耦合小的情况下，s波配对更有利，而在Hund耦合大的情况下，d $_{x^2-y^2}$波配对更有利.
2011-05-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Competing Orders and Superconductivity in the Doped Mott Insulator on the Shastry-Sutherland Lattice
在几何阻挫晶格上的量子反铁磁体通常允许有许多不寻常的顺磁基态。这些莫特绝缘体掺杂后的命运是一个重要的问题，可能会揭示一些光的高$T_c$铜酸盐的问题。我们采用t-J模型研究了Shastry-Sutherland晶格上掺杂的莫特绝缘体。从玻色子平均场论揭示了不同对称破缺态之间的强竞争。研究发现，在一定的掺杂范围内，存在着具有或不具有交错磁通或二聚化等对称性破缺序的超导相。我们的研究结果将直接关系到SrCu $_2$（BO $_3$）$_2$在未来的材料掺杂。
2003-10-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity from Flat Dispersion Designed in Doped Mott Insulators
探讨了掺杂莫特绝缘体增强超导不稳定性的途径。借助于对金属-绝缘体相变临界性的认识，提出了晶格结构的几何设计来控制不稳定性。一个指导方针是明确地使费米能级附近的平带色散，而不抑制两个粒子的通道。在一维模型中，数值研究表明，我们的有限范围跳跃的处方实现了自旋能隙和配对优势区的大幅度增强。我们还提出了几个多带系统，其中的配对是由位间库仑排斥驱动的。
1999-11-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The SU(2) Gauge Theory of the Substantially Doped Mott-Insulator: the phase separated d+s superconductor
我们重新表述了与文和李的掺杂Mott绝缘体中自旋-电荷分离的SU（2）规范理论相关的平均场论，使其能够处理实质载流子密度的区域。我们发现，它非常准确地描述相分离的趋势。此外，由于优雅的原因，该理论坚持认为，超导状态应该有一个d+s序参数与s波分量增长在过掺杂制度。这似乎是一致的拉曼和隧道测量在铜氧化物超导体。
2007-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variational study of conduction in doped Mott insulator in terms of kinetic energy
用变分蒙特卡罗方法研究了哈伯德模型中空穴（电子）的动力学特征。在掺杂莫特绝缘体（U>U_co）中，空穴在导电意义上可分为两类：（i）出现在双空穴-holon对中的空穴是局域的，促进单重态对的形成，并获得能量诱导超导转变。(ii)掺杂的空穴成为载流子，使系统巡游（超导或金属），但在过渡中损失能量。这两个角色在关联超导中是有区别的。这一特点是常见的反铁磁转变在大U/t。
2012-11-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mottness scenario for non-Fermi liquid behavior in the periodic Anderson model within Dynamical Mean Field Theory
本文用动力学平均场场论（DMFT）研究了周期Anderson模型中的Mott金属-绝缘体相变。在量子跃迁附近，我们发现一个非费米液态金属态下降到一个消失的温度标度。我们确定的起源的非费米液体的行为，由于磁散射的掺杂载流子的本地化时刻。非费米液体状态可以通过掺杂或外部磁场来调节。我们的研究结果表明，耦合到空间磁涨落（缺乏在DMFT）是不是一个先决条件，以实现重费米子系统的非费米液体的情况。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Self-doped Molecular Mott Insulator for Bilayer High-Temperature Superconducting La3Ni2O7
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Kavli Institute for Theoretical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学理论科学研究所）；School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学物理科学学院）
研究揭示La3Ni2O7为自掺杂分子莫特绝缘体，其自掺杂源于轨道部分占据，可能解释其高温超导性。
2025-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Inhomogeneous cluster DMFT study on p-n junction Mott gap closing in Hubbard lattice
Ulsan National Institute of Science and Technology（蔚山国立科学技术研究院）；Pohang University of Science and Technology (POSTECH)（浦项科技大学）
本研究通过正方晶格Hubbard模型和动力学平均场理论，研究了p-n结中电势梯度导致的Mott能隙闭合，发现金属相在电势降接近激发能时占优，且激发能几乎与方向无关，为实验阈值提供了理论解释。
2026-10-08 cond-mat.str-el
How to recognize the universal aspects of Mott criticality?
在本文中，我们批判性地讨论了显示相互作用驱动的Mott（或Wigner-Mott）型金属-绝缘体转变的二维电子系统的几个例子，包括半导体中的稀二维电子气（2DEG），Mott有机材料，以及最近发现的过渡金属二硫属化物（TMD）莫尔双层。在所有这些系统中发现了惊人的相似行为，这开始描绘出莫特临界性的强大画面。最值得注意的是，在金属侧上观察到电阻率最大值，其温度标度在过渡处消失。我们比较现有的实验数据，这些系统的三个现有的理论方案：自旋理论，动态平均场论（DMFT）和渗流理论。我们表明，DMFT和渗透的莫特临界图片可以区分通过研究的电阻率最大值的起源，使用的介电响应的分析。
2022-06-30 cond-mat.str-el
Superconductivity Emerging from Excitonic Mott insulator - Theory of Alkaline Doped Fullerene
用变分Monte Carlo方法研究了碱金属掺杂富勒烯$_3$ $initio$哈密顿量的二维投影导出的三轨道模型，其中A=Cs，Rb，K.我们正确地再现了实验的各向同性s波超导周围的$ab$ $initio$参数。随着带宽变窄，过渡到一个绝缘体也被复制，其中轨道对称性被发现是自发打破与激子莫特绝缘体的出现两个轨道和反铁磁绝缘体几乎退化与自旋液体的第三轨道。超导电性是激子熔化的结果。
2017-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dynamical Breakup of the Fermi Surface in a doped Mott Insulator
本文用元胞动力学平均场论研究了二维哈伯德模型中从反常金属相到莫特绝缘体的演化。我们表明，密度驱动的莫特金属-绝缘体转变接近在一个非均匀的方式在不同区域的动量空间。这引起费米面的分裂和热区和冷区的形成，其位置取决于系统中载流子的空穴或电子性质。
2004-11-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of metallicity in K-doped picene: Importance of electronic correlations
钾掺杂的picene（$_x$ picene）最近被报道在$x=3$是一种超导体，其临界温度高达18 K。本文采用光电子能谱学和{ \it ab initio}密度泛函理论结合动力学平均场论（DFT+DMFT）方法研究了K掺杂的picene薄膜的电子结构.实验上，我们观察到，除了虚假的光谱重量，由于缺乏一个均匀的化学势在低K-浓度（$x \approx 1$），光谱总是显示一个有限的能隙。这一结果是支持我们的DFT+DMFT计算提供了明确的证据，K $_x$ picene是一个莫特绝缘体的整数掺杂浓度$x=1$，2和3。我们讨论了各种方案，以了解与以前的超导性和金属行为的报告的差异。
2013-04-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-dimensional Anderson-Hubbard model in DMFT+Sigma approximation
在广义动力学平均场论（DMFT+Sigma近似）下，分析了具有强关联和无序的顺磁二维Anderson-哈伯德模型的态密度、动态（光学）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广的自洽理论的本地化。我们考虑具有矩形“裸”态密度（DOS）的二维系统。采用数值重整化群（NRG）方法求解DMFT有效单杂质问题。从态密度、电导率和局域化长度的演化确定了“关联金属”、莫特绝缘体和关联Anderson绝缘体的相，证明了有限尺寸二维系统中的Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，从而构造了顺磁Anderson-哈伯德模型的完整零温相图.在我们的近似的本地化长度实际上是独立的哈伯德相关的强度。然而，在小无序度下，有限尺寸二维系统的局域化长度的发散表明存在有效的Anderson转变。
2009-10-08 cond-mat.str-el
Strong particle-hole asymmetry of charge instabilities in doped Mott insulators
采用适用于电子掺杂铜氧化物的二维t-J模型，研究了掺杂莫特绝缘体中可能存在的电荷不稳定性.尽管d波电荷密度波（通量相）和d波Pomeranchuk不稳定性（向列序）是对应于空穴掺杂铜氧化物的负t'的主要不稳定性，但我们发现这些不稳定性受到强烈抑制，并且仅在相当接近一半时才变得相关填充。相反，调制矢量接近（pi，pi）的各种类型的键级在中等掺杂区域中占主导地位。相分离也被增强，但它可以基本上被最近邻库仑排斥抑制，而不影响上述电荷不稳定性。
2014-12-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
