Electron Polaron at Neutral 180$^\circ$ Domain Wall in PbTiO$_3$: Stability, Trapping Energies, and Transverse Polarization
Technical University of Darmstadt（达姆施塔特工业大学）
使用Hubbard修正的密度泛函理论研究四方相PbTiO3中中性PbO中心180°畴壁处Ti中心电子极化子的稳定性、俘获能量和横向极化响应。
2026-05-26 cond-mat.mtrl-sci
Enhanced spin transfer torque effect for transverse domain walls in cylindrical nanowires
最近的研究预测了圆柱形纳米线中横向畴壁的非凡特性：零脱钉电流，不存在Walker击穿，以及作为畴壁振荡器的应用。为了可靠地控制畴壁运动，了解它们如何与能垒相互作用是很重要的。本文研究了铁磁圆柱形纳米线中横畴壁穿过势垒的运动和脱钉。我们使用磁场和自旋极化电流来驱动沿着导线的畴壁。使用磁场，我们发现，所需的最小和最大的领域，推动畴壁通过障碍相差30%。相反，使用自旋极化电流，我们发现的最小值的脱钉电流密度和最大值之间的一个因素130的变化。我们研究了脱钉电流密度作为势垒高度的函数，使用数值和分析方法。我们发现，对于势垒为40kBT的畴壁，约5 μ A的脱钉电流密度就足以使畴壁脱钉。我们揭示和解释的机制，导致这些异常低的脱钉电流。这种新的脱钉机制的一个要求是畴壁能够绕其自身的轴旋转。通过正确的势垒设计，自旋扭矩传递项正好作用于微磁系统中的阻尼，因此低电流密度足以快速积累足够的能量。这些关键的见解可能是至关重要的，在进一步发展新的存储器技术，如赛道存储器，可以通过低电流密度控制。
2011-04-15 cond-mat.mtrl-sci
Domain Wall Spin Structures in Mesoscopic Fe Rings probed by High Resolution SEMPA
本文对介观磁性铁环中不同畴壁自旋组态的能量稳定性和可及性进行了理论和实验研究。的演变是作为一个功能的宽度和厚度的相关设备的制度，而Fe被选为材料，由于其简单的增长相结合的有吸引力的磁性能，包括高饱和磁化强度和低的固有各向异性。微磁模拟进行预测的最低能量状态的域壁，这可以是横向或涡旋壁自旋结构，在良好的协议与分析模型，模拟揭示了预期的低温配置上观察到的磁结构从饱和在外部磁场中的松弛。在后一种情况下，畴壁成核过程后，横向畴壁被发现在更大的宽度和厚度比预期的竞争的能量项，证明亚稳态的状态的重要性进行比较。模拟相比，使用扫描电子显微镜与极化分析的磁化强度的高分辨率实验图像，以提供各种自旋配置的相图。除了涡流和简单的对称横向畴壁，一个显着的几何形状范围内被发现表现出高度不对称的横向畴壁与对称的横向壁不同的属性。非对称壁的模拟揭示了畴壁倾斜角随环厚度的演化。对所有数据的分析表明，除了几何形状之外，还需要考虑材料特性、缺陷和热激活的影响，以便理解和可靠地控制设备所需的实验可达状态。
2016-08-05 cond-mat.mtrl-sci
Resonance in Magnetostatically Coupled Transverse Domain Walls
我们在一对铁磁纳米线中观察到了耦合横畴壁的本征模。虽然对耦合静磁，其频谱是由钉扎的边缘粗糙度和偶极耦合的两个壁的组合。由于相应的能量尺度是可比的，耦合只能在最小的线间距观察到。耦合壁动力学模型再现实验定量，允许与估计的钉扎和畴壁耦合能量的比较。这些结果对基于耦合畴壁的器件的动力学特性具有重要意义。
2014-07-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Phase diagram of magnetic domain walls in spin valve nano-stripes
我们数值研究了Co/Cu/Py自旋阀纳米带（Py：坡莫合金）中畴壁的横向与涡旋相图，其中Co层主要是单畴，而Py层是畴壁的宿主。横向壁的稳定性的范围被移向更大的厚度相比，单一的Py层，由于两个层之间的静磁屏蔽效应。导出了一个近似的解析标度律，它忠实地再现了相图。
2012-04-02 cond-mat.mtrl-sci
Influence of magnetic viscosity on domain wall dynamics under spin-polarized currents
本文从理论上研究了磁粘滞性对电流驱动畴壁动力学的影响。特别是，我们研究如何畴壁脱钉过渡，驱动的热激活，绝热和非绝热自旋扭矩的影响。我们发现描述激活在一个单一的能量势垒的跃迁速率的阿留申定律仍然适用于电流下，但与电流依赖的势垒高度。我们表明，有效的能量势垒是占主导地位的线性电流依赖在通常的实验条件下，与变化，仅取决于非绝热自旋力矩系数β。
2009-07-16 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic domain wall propagation in a submicron spin-valve stripe: influence of the pinned layer
利用巨磁电阻效应研究了亚微米铁磁自旋阀条中畴壁的传播。条纹中的凹口有效地捕获阻止畴传播的注入壁。作者表明，磁场的墙壁是depinned显示随机性质。此外，头对头和尾对尾畴壁的去钉扎统计显著不同。这是由于自旋阀的钉扎层在凹口附近产生的偶极场。
2008-01-07 cond-mat.mtrl-sci
Automated Imaging of the Annihilation of a Transverse Domain Wall in Patterned Magnetic Thin Films
本文提出一种用于原位洛伦兹透射电镜的模块化自动化成像工作流程，实现纳米尺度、亚毫秒分辨率的磁畴壁成像，并据此研究了图案化磁性薄膜中横向畴壁在横向磁场下的转变动力学。
2025-03-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Current-induced motion of a transverse magnetic domain wall in the presence of spin Hall effect
我们从理论上研究了双层纳米线中横向磁畴壁的电流诱导动力学，双层纳米线由铁磁体和非磁体组成，具有强的自旋轨道耦合。畴壁动力学的特征在于两个阈值电流密度，$J_{th}^{WB}$和$J_{th}^{REV}$，其中$J_{th}^{WB}$是畴壁的手性切换的阈值，$J_{th}^{REV}$是由自旋霍尔效应引起的反转畴壁运动的另一阈值。对于满足条件$J_{th}^{WB} > J_{th}^{REV}$和α> β（α为Gilbert阻尼常数，β为自旋力矩的非绝热性）的系统，具有一定手征性的畴壁可以在电流范围$J_{th}^{REV} < J < J_{th}^{WB}$内沿与电子流方向相反的方向高速运动。微磁模拟证实了分析结果的有效性。
2012-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of Transverse Magnetic Field on Dynamics of Current Driven Domain Wall Motion in the Presence of Spin-Hall Effect
从理论上研究了在自旋-霍尔效应存在的情况下，由铁磁层和非磁性金属层组成的双层结构中电流感生畴壁的动力学。用Schryers和Walker方法求解了考虑绝热、非绝热和自旋霍尔效应-自旋转移矩的Landau-Lifshitz-Gilbert方程，得到了畴壁速度和畴壁宽度随激发角的解析表达式。数值结果表明，只有在阈值电流密度以上，才能观察到畴壁的极性反转。横向磁场的存在以及自旋霍尔效应-自旋转移矩的作用使阈值电流密度增大，相应的阈值电流密度下的饱和速度也增大。
2015-05-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The effect of disorder on transverse domain wall dynamics in magnetic nanostrips
我们研究了无序对铁磁纳米带中横向畴壁动力学的影响，无论是由磁场或自旋极化电流驱动，通过执行一个大的GPU加速微磁模拟合奏。通过在系统中包括小的、随机分布的非磁性空隙来模拟无序。研究的磁畴壁速度作为所施加的磁场和电流密度的函数揭示了根本的差异，在畴壁动力学引起的这两种模式的驱动：对于场驱动的情况下，我们确定了两种不同的畴壁钉扎机制，下面和上面的沃克击穿，分别操作，而对于电流驱动的情况下钉扎是不存在的沃克击穿。增加无序强度诱导更大的沃克击穿场和电流，并导致降低和增加畴壁速度在击穿场和电流，分别。此外，对于绝热自旋转移矩，发现本征钉扎机制被无序抑制。我们解释这些发现在一维模型中的一个有效的阻尼参数$α^*$增加的无序强度。
2012-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of Domain Wall on Magnetocaloric Effect in GdPt$_{2}$
对GdPt金属间化合物$_{2}$进行了电阻率、磁电阻和现场热容测量。磁热参数$ΔT_{ad}$和$-ΔS$是从现场热容量数据导出的。比较了磁热效应$-ΔS$和电阻率差$-Δρ$ $(=ρ(H)-ρ(0))$随温度的变化。在铁磁转变温度以下，$-ΔS$和$-Δρ$的温度依赖性有明显的不同。然而，在从$-Δρ$去除畴壁贡献之后，$-ΔS$的性质和作为温度的函数的$-Δρ$依赖性是相似的。我们的观察表明，尽管畴壁对磁输运有重要贡献，但它对磁热效应的贡献可以忽略不计。
2006-04-12 cond-mat.mtrl-sci
Influence of elastically pinned magnetic domain walls on magnetization reversal in multiferroic heterostructures
在展现铁电与铁磁子系统之间的全畴相关性的弹性耦合多铁性异质结构中，磁畴壁牢固地钉扎在铁电畴边界的顶部上。在这项工作中，我们研究的影响钉扎磁畴墙的磁化反转过程中的Co40Fe40B20楔膜耦合到铁电BaTiO 3衬底通过界面应变转移。我们表明，磁场方向可以用来选择两种不同的磁化反转机制，即（1）双切换事件涉及交替条纹域在同一时间或（2）同步切换的所有域。此外，还发现开关场随畴宽和膜厚的变化依赖于场的取向。这些结果被解释为考虑不同的能量的两种类型的钉扎磁畴壁中形成的系统。
2015-03-11 cond-mat.mtrl-sci
Birth, Growth and Death of an Antivortex during the Propagation of a Transverse Domain Wall in Magnetic Nanostrips
观察和分析了由于横向畴壁（DW）在磁性纳米带中的传播而引起的反涡旋的产生、生长和死亡。反涡旋的形成是由静磁相互作用产生的草莓状横向涡旋的内禀过程。在外部磁场下，宽度较宽区域中的DW倾向于比较窄部分中的DW移动得更快。这种速度不匹配倾斜并拉长了DW中心线。在DW中心线的尾部附近周期性地产生一个反涡。反涡要么沿着中心线移动并在带材的另一侧死亡，要么增长到其最大尺寸，从DW中分离出来，并最终消失。前一种路由使DW的极性反转，而后一种路由保持DW的极性不变。DW结构的演变进行了分析，使用绕组数分配给每个拓扑缺陷。得到了场宽平面上的相图并进行了讨论。
2013-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fast domain wall propagation in uniaxial nanowires with transverse fields
在沿其轴向的磁场下，单轴纳米线中的畴壁运动比完全各向异性的情况慢得多，通常慢几个数量级（无量纲吉尔伯特阻尼参数的平方）。然而，随着横向于导线的磁场的增加，这种行为急剧逆转;直到临界场强，类似于Walker击穿场，单轴导线中的畴壁比完全各向异性导线（没有横向场）中的畴壁传播得更快。超过这个临界磁场强度，旋进运动开始，平均速度减小。我们的结果是基于领先的顺序解析计算的速度和临界场以及数值解的Landau-Lifshitz-Gilbert方程。
2013-08-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other math-ph
Influence of charged walls and defects on DC resistivity and dielectric relaxation in Cu-Cl boracite
带电畴壁在Cu-Cl方铅矿中通过相变在冷却时自发形成。这些壁表现出改变的导电性相比，与负电容的存在一致的体积和运动。在这里，我们提出了作为温度（-140 °C至150 °C）和频率（1 mHz至10 MHz）的函数的块状Cu-Cl硼酸盐的介电常数和直流电阻率。两个观察到的介电弛豫和直流电阻率的热行为进行了讨论。我们建议，可以解释的弛豫点缺陷的存在，最有可能的本地复杂的Cu和伴随的氧空位的价态变化所创建的。此外，在相变时看到的电阻率的突然变化表明导电畴壁对铁电相中的导电性有显著贡献。
2021-11-19 cond-mat.mtrl-sci
Quantitative piezoelectric force microscopy: Influence of tip shape, size, and contact geometry on the nanoscale resolution of an antiparallel ferroelectric domain wall
利用压电力显微镜（PFM）对铌酸锂中的反平行铁电畴壁结构进行了定量测量。对49个半径为10 ~ 300 nm的探针进行了PFM测量。跨畴壁的实验压电系数的大小和变化匹配的配置文件从一个全面的分析理论，以及三维有限元方法模拟计算。实验和理论的轮廓宽度之间的定量协议，只有当一个有限的磁盘类型的尖端半径，这是在真正的接触与样品表面被认为是一致的，这是与扫描电子显微镜图像的实际提示后成像。压电系数的大小被证明是独立的尖端半径，和PFM的轮廓宽度是线性成比例的尖端半径。最后，我们展示了一种方法来提取任何本征材料加宽的铁电壁宽。观察到20- 200 nm的令人惊讶的宽壁宽度。
2008-02-20 cond-mat.mtrl-sci
Influence of magnetic field and ferromagnetic film thickness on domain pattern transfer in multiferroic heterostructures
BaTiO $_3$中的畴通过逆磁致伸缩效应诱导CoFeB中的单轴磁各向异性的规则调制。结果，CoFeB楔形膜和BaTiO $_3$衬底的畴结构与CoFeB中BaTiO $_3$钉磁畴壁中的完全和直的铁电畴边界相关。我们使用X射线光电子显微镜和磁光克尔效应显微镜来表征钉扎畴壁的自旋结构。在旋转磁场中，两种畴壁类型之间发生突然且可逆的转变，即，磁化矢量头对尾对准的窄壁和具有交替的头对头和尾对尾磁化配置的宽得多的壁。我们表征的磁畴壁自旋结构的变化作为磁场强度和CoFeB薄膜厚度的函数，并比较实验结果与微磁学模拟。
2017-03-21 cond-mat.mtrl-sci
Influence of a transverse static magnetic field on the magnetic hyperthermia properties and high-frequency hysteresis loops of ferromagnetic FeCo nanoparticles
研究了横向静磁场对大损耗铁磁FeCo纳米粒子系统磁热疗性能的影响。同时测量的高频磁滞回线和温升提供了一个有趣的洞察损失和加热机制。仅40 mT的静态磁场就足以抵消纳米颗粒的加热性能，这一结果是使用磁滞回线的数值模拟重现的。这些结果使人们对将来在磁共振成像装置内进行磁热疗的可能性产生了怀疑。
2012-01-12 cond-mat.mtrl-sci
Influence of ferroelastic domain walls on thermal conductivity
研究通过铝酸镧单晶实验与原子尺度计算，发现铁弹畴壁可作为高效控制器调节热导率，并揭示了热导率变化与畴壁组织及密度的定量关系。
2023-10-20 cond-mat.mtrl-sci
Control of domain wall motion at vertically etched nanotrench in ferromagnetic nanowires
研究了垂直刻蚀纳米沟槽钉扎位置的坡莫合金纳米线中的场致畴壁运动。微磁学模拟和电学测量的特点，在纳米沟槽的钉扎电位。结果表明，横壁和涡壁的势分布有很大不同，钉扎强度与势分布之间存在相关性。可靠的畴壁钉扎和脱钉实验观察到从坡莫合金纳米线的纳米沟槽。这证明了所提出的纳米沟槽钉扎位点对于畴壁器件应用的适用性。
2014-04-04 cond-mat.mtrl-sci
Electrical Regulation of Transverse Spin Currents in Unconventional Magnetic Ferroeletrics
Zhejiang University（浙江大学）；Westlake University（西湖大学）；Westlake Institute for Advanced Study（西湖高等研究院）；Anhui University（安徽大学）
通过电场调控非常规磁铁电材料中的横向自旋电流，实现非易失晶体管的自旋电流控制。
2026-01-04 cond-mat.mtrl-sci
Spin wave assisted current induced magnetic domain wall motion
通过微磁学模拟研究了磁性纳米线中自旋波的传播与电流驱动的横畴壁运动之间的相互作用。如果由于电流引起的自旋转移力矩导致的磁畴壁的速度与自旋波驱动的速度相当，则施加自旋波可以提高磁畴壁的速度。畴壁速度可以通过自旋波的频率和振幅来控制。自旋波的影响被抑制在高电流密度区，其中畴壁主要是由电流引起的自旋转移力矩驱动。
2011-03-24 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic domain walls in nanostrips of single-crystalline $\mathrm{Fe}_4\mathrm{N}(001)$ thin films with fourfold in-plane magnetic anisotropy
我们研究了外延$\mathrm{Fe}_4\mathrm{N}(001)$薄膜纳米带中的头对头畴壁，显示出四重磁各向异性。磁力显微镜和微磁模拟表明，畴壁具有特定的属性，相比软磁材料。特别地，沿着难磁化轴排列的条带被低于临界宽度的部分磁通闭合手风琴状畴包裹，同时逐渐转变为用于更宽条带的锯齿形壁。横向壁在最初施加横向于条带的磁场时是有利的，而在纵向磁场下的运动时是有利的。在所有情况下，这种四重各向异性畴壁的磁化织构表现出狭窄的微畴壁，这可能会引起特殊的自旋转移功能。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coupled thermo-mechanics of single-wall carbon nanotubes
用分子力学方法研究了单壁纳米管的横向力学性质随温度的变化。描述sp^{2}键的机械行为的拉伸和键角力常数在0 K和1600 K之间的温度范围内被解析，允许识别纳米管壁厚度的温度依赖性。我们观察到的刚度特性（轴向和剪切杨氏模量）随着温度的升高而降低，和增强的横向泊松比，大小取决于手性的纳米管。我们的封闭形式的预测比较以及与现有的分子动力学模拟。
2010-08-30 cond-mat.mtrl-sci physics.atm-clus
Probing domain walls in cylindrical magnetic nanowires with electron holography
我们利用电子全息术探测圆柱形软磁纳米线中的磁畴壁。我们详细介绍了预期的横向和布洛赫点畴壁的对比度的建模，并提供与实验观察进行比较NiCo纳米线，也涉及磁性和静电的电子全息图的贡献。这允许快速确定的畴壁类型，而不需要不方便和耗时的实验去除的静电贡献。最后，我们描述并实现了一个新的高效算法计算磁对比度。
2016-09-01 cond-mat.mtrl-sci
Coexistence of bulk and surface polaritons in a~magnetic-semiconductor superlattice influenced by a transverse magnetic field
它表明，在相同的频带和波矢空间内的体和表面极化激元的共存的效果可以实现在磁性半导体超晶格提供一个有意识的选择的特征谐振频率和材料分数的结构的底层组件以及外部静态磁场的几何形状。该研究是基于有效介质理论，这是参与计算的正常和异常体极化激元和混合EH和HE表面极化激元的长波电磁模式的色散特性，通过平均表达式相对于有效的本构参数的超晶格。
2017-03-09 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic reversal under external field and current-driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning
研究了退火Ga_（0.95）Mn_（0.05）As薄膜和垂直磁各向异性霍尔棒器件的磁反转各向异性和电流驱动畴壁运动。研究了电流方向沿[1 - 10]和[1-10]晶轴的霍尔栅。[1 - 10]器件显示出比[1-10]器件更大的矫顽场。在[1 - 10]和[1-10]方向之间的磁反转过程中观察到强各向异性。发现两种器件的临界电流（JC）与磁化强度（M）之间存在幂律关系，其中JC与M成正比^[2.6]。畴壁运动强烈影响的存在下，当地钉扎中心。
2008-05-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Common universal behaviors of magnetic domain walls driven by spin-polarized electrical current and magnetic field
研究了具有垂直磁各向异性的铁磁（Ga，Mn）（As，P）薄膜中电流自旋转移驱动下磁畴壁的普遍行为。对于一个电流方向横向畴壁，动态的热激活蠕变制度和脱钉过渡被发现是兼容的自洽的通用描述的磁场诱导畴壁动力学。这种共同的普遍行为，所谓的淬火爱德华-威尔金森普适性类的特点，证实了一个互补的和独立的畴壁粗糙度的分析。然而，畴壁的倾斜和刻面的形成是由与电流相互作用的方向性产生的，电流仅在横截畴壁的方向上充当磁场。
2019-09-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of Joule heating on current-induced domain wall depinning
从理论上研究了在静磁场和短电流脉冲注入下，${\rm SiO_2/Si}$衬底上坡莫合金纳米带中缺口处的畴壁脱钉。焦耳加热电流诱导畴壁脱钉的影响进行了探索自洽耦合的磁化动力学在整个系统的热传输的铁磁条。我们的研究结果表明，焦耳加热在这些过程中起着显着的作用，导致在临界脱钉场的减少和/或在通常注入的电流脉冲的铁磁秩序的临时破坏。在协议与实验观察，类似的钉扎-脱钉相图可以推导出两个电流极性时，考虑到焦耳加热。这些观测结果与自旋转移力矩的唯一贡献不相容，它们提供了对这些过程背后的物理学更深入的理解，并建立了自旋转移力矩的真实范围。它们也是相关的技术应用的基础上，电流感应畴壁运动沿软带。
2016-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Influence of domain walls in the incommensurate charge density wave state of Cu intercalated 1$T$-TiSe$_2$
本文报道了用低温扫描隧道显微镜研究1-$T$ -TiSe $_2$和Cu $_{0.08}$ TiSe $_2$中的电荷密度波（CDW）序.在原始1 $T$ -TiSe $_2$中，我们观察到长程相干相称CDW（C-CDW）顺序。相比之下，Cu $_{0.08}$ TiSe $_{2}$显示出不相称的CDW（I-CDW）相，其中局部C-CDW域由域壁分开。态密度的测量表明，域壁主机附近的费米能级，这可能在该系统中的超导性的出现发挥作用的费米子的额外人口。傅里叶变换扫描隧道光谱研究表明，CDW形成的I-CDW相的主导机制可能是电子-声子耦合。
2017-03-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Current-driven vortex domain wall dynamics by micromagnetic simulations
采用二维解析模型和微磁模拟方法研究了电流驱动的涡壁动力学。通过构造磁线中涡旋壁的试函数，解析求解了电流诱导自旋力矩存在时的畴壁速度和形变。计算了畴壁从涡壁向横壁转变的临界电流。场和电流驱动的壁动力学之间的比较进行。微磁学模拟进行验证我们的分析结果。
2006-05-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Third type of domain wall in soft magnetic nanostrips
纳米结构中的磁畴壁（DW）是以均匀磁化分离区域的低维物体。由于它们可以有不同的形状和宽度，DW是基础研究的一个令人兴奋的游乐场，在过去的几年里，DW成为了紧张工作的主题，主要集中在控制，操纵和移动其内部磁配置。在具有面内磁化的纳米带中，已经确定了两个DW：在薄且窄的带中，横向壁在能量上是有利的，而在较厚且较宽的带中，涡旋壁具有较低的能量。相关联的相图现在已经很好地建立起来，并且经常用于预测给定磁性纳米结构中的低能磁性配置。然而，除了横向和涡旋壁，我们发现另一种类型的壁存在于坡莫合金纳米带的数值。这第三种类型的DW的特征在于具有不寻常的长度和三个内部自由度的三维磁通闭合微磁结构。光刻图案的坡莫合金纳米带上的磁成像证实了这些预测，并显示这些DW可以在约1 mT的外部磁场下移动。提供了描述坡莫合金纳米带中所有已知类型的DW的稳定区域的扩展相图。
2015-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of Electromotive Force Induced by Domain Wall Motion
我们制定了一个理论，在铁磁材料中存在移动的磁性纹理的传导电子的动力学。我们表明，在空间和时间的局部磁化强度的变化引起的拓扑领域，感应电动势的电子。本文给出了横向畴壁和涡旋畴壁在磁膜条中运动时感应电动势的普遍结果，测量结果可以清楚地表征这类畴壁的运动。
2008-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Metastable domain wall dynamics in magnetic nanowires
我们研究了小直径圆柱形纳米线中畴壁对的亚稳态的形成和控制，其中横壁是低能态。我们表明，这些对在一定条件下形成束缚态，寿命长达200ns，并通过自旋极化电流的影响而稳定。它们的稳定性进行了分析与模型的基础上的静磁相互作用和三维微磁模拟。束缚态的出现可能会阻碍设备的运行。
2014-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrical Transport Across an Individual Magnetic Domain Wall in (Ga,Mn)As Microdevices
最近的研究表明，一个单独的磁畴壁（DW）可以被捕获和可重复地定位在多端（Ga，Mn）As微器件。从这样的测量中获得的电阻被发现由于这个单一实体的存在而可测量地改变。为了阐明这些意见，我们开发了一个简单的模型沿多端设备中存在一个单一的DW的电位分布。这是用来计算的效果，一个单一的DW上的纵向和横向阻力。该模型提供了非常好的协议与实验观察，并强调从简单的理论的重要偏差。我们表明，测量沿通道的横向电阻允许建立的位置和形状的DW包含在it.An实验方案的开发，使明确提取的固有DW电阻率。这使得本征贡献可以与源于体材料的磁致伸缩性和磁各向异性区分开来，这些效应通常表现为实验中的大背景。
2004-03-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Modification of the thermal spin-wave spectrum in a Ni81Fe19 stripe by a domain wall
利用布里渊光散射显微镜研究了具有非对称横畴壁的Ni_（81）Fe_（19）条中的热自旋波分布。结果表明，畴壁的存在影响了热模的自旋波分布。热自旋波模由于径向的限制而量子化。它们在畴壁附近消失，在这种复杂的畴壁结构中演化出一种新的模。这种效应归因于畴壁区有效内场的变化。实验结果与静态和动态微磁学模拟结果吻合较好。
2008-05-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Modified current induced domain wall motion in GaMnAs nanowire
我们报告电流诱导畴壁传播的图案化的GaMnAs微线与垂直磁化。一个意想不到的减慢的传播速度已被发现时，移动的磁畴壁延伸超过只有一半的宽度的线。这种减速与纵向壁沿金属丝轴线的伸长有关。通过使用能量平衡参数，预期的理论依赖的速度变化进行了计算，并与实验结果进行了比较。据此，当电流通过导线时，与纵向畴壁相关联的能量应当改变。这些结果提供了沿纵向畴壁横向自旋扩散的可能证据。
2013-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mechanical Actuation of Magnetic Domain-Wall Motion
本文从理论上研究了一维磁线中横向弹性波引起的磁畴壁的运动，该磁线既考虑了转动对称性又考虑了平移对称性。通过调用相关的总角动量和线动量的守恒，我们能够推导出扭矩和力的畴壁所施加的波。然后，我们将展示如何铁磁和反铁磁畴壁可以分别由圆极化波和线极化波驱动。我们设想，弹性波可以提供有效的手段来驱动绝缘体中的磁孤子的动力学。
2016-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Geometric Control Over the Motion of Magnetic Domain Walls
我们提出了一种方法，它可以精确控制的磁性图案，只依赖于基本属性的导线和控制参数空间中的路径的选择，但不对沿此路径的运动速率。特别是，我们表明，在磁性纳米线的磁畴壁可以通过旋转的磁易轴，或通过施加脉冲的磁场横向的磁易轴。
2008-05-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech math-ph
