Dynamics of Current and Field Driven Domain Wall Motion under the Influence of Transverse Magnetic Field
采用Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,结合绝热和非绝热自旋转移矩,对驱动场、电流和横向磁场共同作用下铁磁纳米带中横向Neel畴壁的动力学行为进行了解析和数值研究.采用小角度近似和Walkers试探函数,得到了畴壁速度、畴壁宽度、激励角和位移的解析表达式。结果表明,绝热自旋转移力矩可以控制畴壁的初始速度,而非绝热自旋转移力矩和驱动场可以控制畴壁的饱和速度。由于横向磁场的存在,在电流和磁场的驱动下,磁畴壁的饱和速度大大增加。横向磁场电流驱动的磁畴壁的饱和速度没有影响。对于在横向磁场存在下由电流驱动的畴壁,饱和速度保持恒定。横向磁场与电流和驱动场共同作用比横向磁场与电流共同作用更有利于提高磁畴壁的饱和速度。数值结果表明,横向磁场使饱和速度增大,且与驱动场和电流方向无关,当驱动场和电流方向分别为反平行和平行时,饱和速度更高,而当驱动场和电流方向分别为平行时,饱和速度更低。所得解析解与数值计算结果吻合较好。
2015-03-18 cond-mat.mtrl-sci
Criterion for transformation of transverse domain wall to vortex or antivortex wall in soft magnetic thin-film nanostripes
我们报告的标准动态转变的内部结构的运动畴壁(DW)在软磁薄膜纳米带以上的沃克阈值场,Hw。为了实现从横壁(TW)到涡旋壁(VW)或反涡旋壁(AVW)的转变过程,TW型DW的边缘孤子芯必须沿横向(宽度)向内移动,使其充分增长到稳定涡旋(或反涡旋)芯区面外磁化强度的半高宽。在完成的涡旋(antivortex)核心的成核,VW(AVW)是稳定的,然后其核心伴随着一个给定的纳米带的势阱(山)中的回旋运动。超过DW速度击穿起始场Hw的场强不是DW发生动态变化的充分条件,而是必要条件。
2008-12-22 cond-mat.mtrl-sci
The Influence of Magnetic Domain Walls on Longitudinal and Transverse Magnetoresistance in Tensile Strained (Ga,Mn)As Epilayers
我们提出了一个理论分析最近的实验测量的磁电阻在(Ga,Mn)As外延层的垂直磁各向异性。该模型再现了场反对称异常观察到的纵向磁阻在平面几何形状(磁场在外延层平面和平行的电流密度),以及伴随的横向磁阻的不寻常的形状。磁阻特性归因于由磁畴壁的存在而产生的循环电流。
2007-05-22 cond-mat.mtrl-sci
Current induced domain wall dynamics in the presence of a transverse magnetic field in out-of-plane magnetized materials
建立了一个分析模型,描述了在外部横向磁场存在下,布洛赫DW的电流感生DW动力学。该模型考虑了DW变形和磁化倾斜的域。将该模型与微磁学模拟的结果进行了比较,得到了很好的一致性。在稳定状态下,该模型表明,域倾斜不改变DW的流动性。外部或电流感应的横向磁场,如奥斯特或Rashba场,可以防止沃克击穿,导致更高的畴壁速度。
2012-07-20 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic domain walls in nanostrips of single-crystalline $\mathrm{Fe}_4\mathrm{N}(001)$ thin films with fourfold in-plane magnetic anisotropy
我们研究了外延$\mathrm{Fe}_4\mathrm{N}(001)$薄膜纳米带中的头对头畴壁,显示出四重磁各向异性。磁力显微镜和微磁模拟表明,畴壁具有特定的属性,相比软磁材料。特别地,沿着难磁化轴排列的条带被低于临界宽度的部分磁通闭合手风琴状畴包裹,同时逐渐转变为用于更宽条带的锯齿形壁。横向壁在最初施加横向于条带的磁场时是有利的,而在纵向磁场下的运动时是有利的。在所有情况下,这种四重各向异性畴壁的磁化织构表现出狭窄的微畴壁,这可能会引起特殊的自旋转移功能。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Manipulating domain wall chirality by current pulses in Permalloy/Ir nanostrips
利用磁力显微镜和微磁学模拟研究了磁场对Fe $_{20}$ Ni $_{80}$ /Ir双层纳米带中横向磁畴壁手性的影响。在$2\times10^{12}$ A/m $^2$左右的纳秒电流脉冲下,横向畴壁的手性可以可逆地、可重复地进行切换。这些电流密度类似于用于电流诱导的畴壁运动的电流密度,表明奥斯特场可以在电流脉冲期间稳定横壁手性并防止畴壁转变。
2013-12-17 cond-mat.mtrl-sci
Electron Polaron at Neutral 180$^\circ$ Domain Wall in PbTiO$_3$: Stability, Trapping Energies, and Transverse Polarization
Technical University of Darmstadt(达姆施塔特工业大学)
使用Hubbard修正的密度泛函理论研究四方相PbTiO3中中性PbO中心180°畴壁处Ti中心电子极化子的稳定性、俘获能量和横向极化响应。
2026-05-26 cond-mat.mtrl-sci
Automated Imaging of the Annihilation of a Transverse Domain Wall in Patterned Magnetic Thin Films
本文提出一种用于原位洛伦兹透射电镜的模块化自动化成像工作流程,实现纳米尺度、亚毫秒分辨率的磁畴壁成像,并据此研究了图案化磁性薄膜中横向畴壁在横向磁场下的转变动力学。
2025-03-11 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Enhanced spin transfer torque effect for transverse domain walls in cylindrical nanowires
最近的研究预测了圆柱形纳米线中横向畴壁的非凡特性:零脱钉电流,不存在Walker击穿,以及作为畴壁振荡器的应用。为了可靠地控制畴壁运动,了解它们如何与能垒相互作用是很重要的。本文研究了铁磁圆柱形纳米线中横畴壁穿过势垒的运动和脱钉。我们使用磁场和自旋极化电流来驱动沿着导线的畴壁。使用磁场,我们发现,所需的最小和最大的领域,推动畴壁通过障碍相差30%。相反,使用自旋极化电流,我们发现的最小值的脱钉电流密度和最大值之间的一个因素130的变化。我们研究了脱钉电流密度作为势垒高度的函数,使用数值和分析方法。我们发现,对于势垒为40kBT的畴壁,约5 μ A的脱钉电流密度就足以使畴壁脱钉。我们揭示和解释的机制,导致这些异常低的脱钉电流。这种新的脱钉机制的一个要求是畴壁能够绕其自身的轴旋转。通过正确的势垒设计,自旋扭矩传递项正好作用于微磁系统中的阻尼,因此低电流密度足以快速积累足够的能量。这些关键的见解可能是至关重要的,在进一步发展新的存储器技术,如赛道存储器,可以通过低电流密度控制。
2011-04-15 cond-mat.mtrl-sci
Domain Wall Spin Structures in Mesoscopic Fe Rings probed by High Resolution SEMPA
本文对介观磁性铁环中不同畴壁自旋组态的能量稳定性和可及性进行了理论和实验研究。的演变是作为一个功能的宽度和厚度的相关设备的制度,而Fe被选为材料,由于其简单的增长相结合的有吸引力的磁性能,包括高饱和磁化强度和低的固有各向异性。微磁模拟进行预测的最低能量状态的域壁,这可以是横向或涡旋壁自旋结构,在良好的协议与分析模型,模拟揭示了预期的低温配置上观察到的磁结构从饱和在外部磁场中的松弛。在后一种情况下,畴壁成核过程后,横向畴壁被发现在更大的宽度和厚度比预期的竞争的能量项,证明亚稳态的状态的重要性进行比较。模拟相比,使用扫描电子显微镜与极化分析的磁化强度的高分辨率实验图像,以提供各种自旋配置的相图。除了涡流和简单的对称横向畴壁,一个显着的几何形状范围内被发现表现出高度不对称的横向畴壁与对称的横向壁不同的属性。非对称壁的模拟揭示了畴壁倾斜角随环厚度的演化。对所有数据的分析表明,除了几何形状之外,还需要考虑材料特性、缺陷和热激活的影响,以便理解和可靠地控制设备所需的实验可达状态。
2016-08-05 cond-mat.mtrl-sci
Fast domain wall propagation in uniaxial nanowires with transverse fields
在沿其轴向的磁场下,单轴纳米线中的畴壁运动比完全各向异性的情况慢得多,通常慢几个数量级(无量纲吉尔伯特阻尼参数的平方)。然而,随着横向于导线的磁场的增加,这种行为急剧逆转;直到临界场强,类似于Walker击穿场,单轴导线中的畴壁比完全各向异性导线(没有横向场)中的畴壁传播得更快。超过这个临界磁场强度,旋进运动开始,平均速度减小。我们的结果是基于领先的顺序解析计算的速度和临界场以及数值解的Landau-Lifshitz-Gilbert方程。
2013-08-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other math-ph
Current-driven vortex domain wall dynamics by micromagnetic simulations
采用二维解析模型和微磁模拟方法研究了电流驱动的涡壁动力学。通过构造磁线中涡旋壁的试函数,解析求解了电流诱导自旋力矩存在时的畴壁速度和形变。计算了畴壁从涡壁向横壁转变的临界电流。场和电流驱动的壁动力学之间的比较进行。微磁学模拟进行验证我们的分析结果。
2006-05-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Common universal behaviors of magnetic domain walls driven by spin-polarized electrical current and magnetic field
研究了具有垂直磁各向异性的铁磁(Ga,Mn)(As,P)薄膜中电流自旋转移驱动下磁畴壁的普遍行为。对于一个电流方向横向畴壁,动态的热激活蠕变制度和脱钉过渡被发现是兼容的自洽的通用描述的磁场诱导畴壁动力学。这种共同的普遍行为,所谓的淬火爱德华-威尔金森普适性类的特点,证实了一个互补的和独立的畴壁粗糙度的分析。然而,畴壁的倾斜和刻面的形成是由与电流相互作用的方向性产生的,电流仅在横截畴壁的方向上充当磁场。
2019-09-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Third type of domain wall in soft magnetic nanostrips
纳米结构中的磁畴壁(DW)是以均匀磁化分离区域的低维物体。由于它们可以有不同的形状和宽度,DW是基础研究的一个令人兴奋的游乐场,在过去的几年里,DW成为了紧张工作的主题,主要集中在控制,操纵和移动其内部磁配置。在具有面内磁化的纳米带中,已经确定了两个DW:在薄且窄的带中,横向壁在能量上是有利的,而在较厚且较宽的带中,涡旋壁具有较低的能量。相关联的相图现在已经很好地建立起来,并且经常用于预测给定磁性纳米结构中的低能磁性配置。然而,除了横向和涡旋壁,我们发现另一种类型的壁存在于坡莫合金纳米带的数值。这第三种类型的DW的特征在于具有不寻常的长度和三个内部自由度的三维磁通闭合微磁结构。光刻图案的坡莫合金纳米带上的磁成像证实了这些预测,并显示这些DW可以在约1 mT的外部磁场下移动。提供了描述坡莫合金纳米带中所有已知类型的DW的稳定区域的扩展相图。
2015-09-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Phase diagram of magnetic domain walls in spin valve nano-stripes
我们数值研究了Co/Cu/Py自旋阀纳米带(Py:坡莫合金)中畴壁的横向与涡旋相图,其中Co层主要是单畴,而Py层是畴壁的宿主。横向壁的稳定性的范围被移向更大的厚度相比,单一的Py层,由于两个层之间的静磁屏蔽效应。导出了一个近似的解析标度律,它忠实地再现了相图。
2012-04-02 cond-mat.mtrl-sci
Theory of Electromotive Force Induced by Domain Wall Motion
我们制定了一个理论,在铁磁材料中存在移动的磁性纹理的传导电子的动力学。我们表明,在空间和时间的局部磁化强度的变化引起的拓扑领域,感应电动势的电子。本文给出了横向畴壁和涡旋畴壁在磁膜条中运动时感应电动势的普遍结果,测量结果可以清楚地表征这类畴壁的运动。
2008-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Metastable domain wall dynamics in magnetic nanowires
我们研究了小直径圆柱形纳米线中畴壁对的亚稳态的形成和控制,其中横壁是低能态。我们表明,这些对在一定条件下形成束缚态,寿命长达200ns,并通过自旋极化电流的影响而稳定。它们的稳定性进行了分析与模型的基础上的静磁相互作用和三维微磁模拟。束缚态的出现可能会阻碍设备的运行。
2014-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrical Transport Across an Individual Magnetic Domain Wall in (Ga,Mn)As Microdevices
最近的研究表明,一个单独的磁畴壁(DW)可以被捕获和可重复地定位在多端(Ga,Mn)As微器件。从这样的测量中获得的电阻被发现由于这个单一实体的存在而可测量地改变。为了阐明这些意见,我们开发了一个简单的模型沿多端设备中存在一个单一的DW的电位分布。这是用来计算的效果,一个单一的DW上的纵向和横向阻力。该模型提供了非常好的协议与实验观察,并强调从简单的理论的重要偏差。我们表明,测量沿通道的横向电阻允许建立的位置和形状的DW包含在it.An实验方案的开发,使明确提取的固有DW电阻率。这使得本征贡献可以与源于体材料的磁致伸缩性和磁各向异性区分开来,这些效应通常表现为实验中的大背景。
2004-03-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Modified current induced domain wall motion in GaMnAs nanowire
我们报告电流诱导畴壁传播的图案化的GaMnAs微线与垂直磁化。一个意想不到的减慢的传播速度已被发现时,移动的磁畴壁延伸超过只有一半的宽度的线。这种减速与纵向壁沿金属丝轴线的伸长有关。通过使用能量平衡参数,预期的理论依赖的速度变化进行了计算,并与实验结果进行了比较。据此,当电流通过导线时,与纵向畴壁相关联的能量应当改变。这些结果提供了沿纵向畴壁横向自旋扩散的可能证据。
2013-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
All-magnonic spin-transfer torque and domain wall propagation
研究了磁性纳米线中自旋波通过横向磁畴壁的输运。结果表明,自旋波通过DW时没有反射。磁振子,自旋波的量子,在DW的两侧携带相反的自旋。结果,存在从传播的磁振子到DW的自旋角动量转移。该磁振子自旋转移力矩可以有效地驱动DW在与自旋波的方向相反的方向上传播。
2011-10-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of Dzyaloshinskii domain wall tilt in ferromagnetic nanostrips
本文提出了一种在具有面外各向异性和Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用的铁磁纳米带中由于横向面内磁场引起的畴壁倾斜的解析理论。该理论将畴壁视为具有依赖于取向的能量的一维物体,其与样品边缘相互作用。我们表明,在外加磁场的磁畴壁保持直,但倾斜的磁场的方向是成比例的磁场强度为中等的领域和足够强的磁场强度的角度。此外,我们得到了一个非线性依赖的倾斜角上施加的电场在较弱的介电常数。我们的分析结果证实了微磁学模拟。
2017-06-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coupled thermo-mechanics of single-wall carbon nanotubes
用分子力学方法研究了单壁纳米管的横向力学性质随温度的变化。描述sp^{2}键的机械行为的拉伸和键角力常数在0 K和1600 K之间的温度范围内被解析,允许识别纳米管壁厚度的温度依赖性。我们观察到的刚度特性(轴向和剪切杨氏模量)随着温度的升高而降低,和增强的横向泊松比,大小取决于手性的纳米管。我们的封闭形式的预测比较以及与现有的分子动力学模拟。
2010-08-30 cond-mat.mtrl-sci physics.atm-clus
Precession-free domain wall dynamics in compensated ferrimagnets
有效的铁磁自旋电子学的一个基本障碍是磁进动,这从本质上限制了磁织构的动力学。我们证明了当亚铁磁GdFeCo/Pt轨道中的自旋轨道扭矩驱动的DW中的净角动量被补偿(TAC)时,畴壁进动完全消失,并具有记录迁移率。我们使用横向面内场来揭示DW的内部结构,并提供了一个强大的和无参数的TAC测量。我们的研究结果突出了具有多个自旋晶格和减少的净角动量的材料中更快,更有效的动力学机制,有望用于高速,低功率自旋电子学应用。
2019-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic domain-wall dynamics in wide permalloy strips
软坡莫合金带中的畴壁可根据带的宽度和厚度表现出各种平衡微磁结构,范围从窄而薄的带中的众所周知的横向和涡旋壁到最近报道的宽带中的双涡旋壁和三涡旋壁[V. Estévez和L. B { \bf 91},054407(2015)]。在这里,我们分析的领域驱动的动态坡莫合金带的宽度从240 nm到6 $μ$ m,使用已知的平衡畴壁结构作为初始配置。我们的微磁模拟表明,在宽条畴壁动力学是非常复杂的,强烈依赖于系统的几何形状,以及对驱动场的大小。我们详细讨论了丰富多样的动力学行为,发现,包括不同的畴壁结构之间的动态过渡,周期性的动态涡核靠近带边缘,过渡到更简单的畴壁结构的多涡畴壁控制的涡极性,以及事实上,对于一些组合的带的几何形状和驱动场的系统不能支持一个紧凑的畴壁。
2016-01-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Mechanical Actuation of Magnetic Domain-Wall Motion
本文从理论上研究了一维磁线中横向弹性波引起的磁畴壁的运动,该磁线既考虑了转动对称性又考虑了平移对称性。通过调用相关的总角动量和线动量的守恒,我们能够推导出扭矩和力的畴壁所施加的波。然后,我们将展示如何铁磁和反铁磁畴壁可以分别由圆极化波和线极化波驱动。我们设想,弹性波可以提供有效的手段来驱动绝缘体中的磁孤子的动力学。
2016-11-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.soft
Control of domain wall motion at vertically etched nanotrench in ferromagnetic nanowires
研究了垂直刻蚀纳米沟槽钉扎位置的坡莫合金纳米线中的场致畴壁运动。微磁学模拟和电学测量的特点,在纳米沟槽的钉扎电位。结果表明,横壁和涡壁的势分布有很大不同,钉扎强度与势分布之间存在相关性。可靠的畴壁钉扎和脱钉实验观察到从坡莫合金纳米线的纳米沟槽。这证明了所提出的纳米沟槽钉扎位点对于畴壁器件应用的适用性。
2014-04-04 cond-mat.mtrl-sci
Electrical Regulation of Transverse Spin Currents in Unconventional Magnetic Ferroeletrics
Zhejiang University(浙江大学);Westlake University(西湖大学);Westlake Institute for Advanced Study(西湖高等研究院);Anhui University(安徽大学)
通过电场调控非常规磁铁电材料中的横向自旋电流,实现非易失晶体管的自旋电流控制。
2026-01-04 cond-mat.mtrl-sci
Spin wave assisted current induced magnetic domain wall motion
通过微磁学模拟研究了磁性纳米线中自旋波的传播与电流驱动的横畴壁运动之间的相互作用。如果由于电流引起的自旋转移力矩导致的磁畴壁的速度与自旋波驱动的速度相当,则施加自旋波可以提高磁畴壁的速度。畴壁速度可以通过自旋波的频率和振幅来控制。自旋波的影响被抑制在高电流密度区,其中畴壁主要是由电流引起的自旋转移力矩驱动。
2011-03-24 cond-mat.mtrl-sci
Probing domain walls in cylindrical magnetic nanowires with electron holography
我们利用电子全息术探测圆柱形软磁纳米线中的磁畴壁。我们详细介绍了预期的横向和布洛赫点畴壁的对比度的建模,并提供与实验观察进行比较NiCo纳米线,也涉及磁性和静电的电子全息图的贡献。这允许快速确定的畴壁类型,而不需要不方便和耗时的实验去除的静电贡献。最后,我们描述并实现了一个新的高效算法计算磁对比度。
2016-09-01 cond-mat.mtrl-sci
Alternative understanding of the skyrmion Hall effect based on one-dimensional domain wall motion
一个运动的磁skyrmion表现出横向偏转。这种所谓的斯基尔米恩霍尔效应可以用蒂勒方程来解释。在这里,我们提供了另一种解释的skyrmion霍尔效应的基础上的动态域壁包围skyrmion。我们与自旋力矩引起的局部旋转的畴壁段的Skyrmion核心的移动,解释在微磁水平上的Skyrmion霍尔效应。基于我们的直观解释,我们还表明,Skyrmion霍尔效应可以通过结合自旋转移和自旋轨道转矩来抑制,从而消除了利用skyrmion在设备中的主要障碍。
2022-11-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Even-odd effects in magnetoresistance of ferromagnetic domain walls
铁磁体中自旋的多数带和少数带的态密度的差异改变了沿畴的静电势,从而在畴边界处引入了电势的不连续性。不连续性的值随着区域的数目而振荡。不连续性取决于畴壁的位置、畴壁在外加磁场中的运动或畴壁的塌陷。大值的磁电阻解释自旋积累。我们提出了一种新型的畴壁在纳米线的巡回铁磁体,其中的磁化矢量的变化没有旋转。假设自旋弛豫长度L_S足够大,则横向磁化分量的缺失允许相当大的自旋积累。
2002-08-23 cond-mat.mtrl-sci
Domain wall propagation in Permalloy nanowires with a thickness gradient
研究了坡莫合金纳米线轴向厚度梯度下畴壁的成核和运动过程。纳米线的宽度,w = 250 nm至3 μ m和一个基地的厚度t = 10 nm的电子束光刻制造。将在各个纳米线上测量的磁化磁滞回线与没有厚度梯度的相应纳米线进行比较。的HC与T/W曲线的导线,没有厚度梯度进行了讨论,并比较微磁模拟。我们发现一个亚稳态制度的值W,其中从横向到涡域壁型的转换是预期的。
2008-12-12 cond-mat.mtrl-sci
The ferroelectric domain wall phonon polarizer
调制量子粒子束的偏振是一种强大的方法,可以定制随后能量通量的宏观性质,因为它直接影响其量子成分与其他粒子,波或连续介质相互作用的方式。实用的偏振器,正在开发的电能和电磁能,还没有提出的声子携带的热通量的日期。在这里,我们报告原子声子输运计算表明,铁电畴壁可以作为声子极化器时,热通量刺穿他们。我们的代表性的铁电钙钛矿PbTiO $_3$的模拟表明,与畴壁的结构不均匀性强烈抑制横向声子,而纵向极化模式可以通过多个壁在很大程度上忽略它们的存在。
2017-10-02 cond-mat.mtrl-sci
Modification of the thermal spin-wave spectrum in a Ni81Fe19 stripe by a domain wall
利用布里渊光散射显微镜研究了具有非对称横畴壁的Ni_(81)Fe_(19)条中的热自旋波分布。结果表明,畴壁的存在影响了热模的自旋波分布。热自旋波模由于径向的限制而量子化。它们在畴壁附近消失,在这种复杂的畴壁结构中演化出一种新的模。这种效应归因于畴壁区有效内场的变化。实验结果与静态和动态微磁学模拟结果吻合较好。
2008-05-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Direct observation of domain wall structures in curved permalloy wires containing an anti-notch
用洛伦兹显微镜研究了弯曲坡莫合金丝中头对头畴壁的形成和场响应。高空间分辨率地图的矢量感应分布在畴壁接近的反缺口已被推导出来,并与微磁模拟。在厚度为10 nm的线中,壁通常是改进的不对称横向壁类型。研究了它们对反缺口位置处与导线相切的外加场的响应。墙结构的变化方式取决于场是将墙移离槽口还是进一步移进槽口。在后一种情况下,需要更高的场,并且观察到更多的扭曲壁结构,这表明反缺口作为畴壁的能量势垒。
2008-02-13 cond-mat.mtrl-sci
Theory of hypothetical ferroelectric superlattices incorporating head-to-head and tail-to-tail 180$^\circ$ domain walls
虽然电兼容性约束通常防止头对头(HH)和尾对尾(TT)域壁形成铁电材料,我们建议,这样的域壁可以稳定的原子层中的阳离子取代从相邻的周期表列的有意增长。特别是,我们进行预测的第一性原理计算的超晶格中,Sc,Nb,或其他替代层定期插入到PbTiO $_3$。我们确认,这引起了一个域结构的极化交替域到域的纵向分量,并与替代层作为HH和TT域壁。我们还发现,一个实质性的横向分量的偏振也可以存在。
2005-12-07 cond-mat.mtrl-sci
Modeling domain wall dynamics in thin magnetic strips with disorder
本文提出了一种基于线的薄磁条横向畴壁模型,研究了体无序对热激活蠕变区畴壁动力学的影响。蠕变速度被发现表现出非线性依赖于所施加的磁场和电流,其特征在于由类似的蠕变指数为两种形式的外部驱动器。我们简要地讨论了固有的随机热激活畴壁运动的意义,从自旋电子学应用的角度来看,它通常是必不可少的是能够控制畴壁位移在一个确定性的方式。
2009-09-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Magnetic domain-wall motion by propagating spin waves
我们发现,通过微磁学模拟的运动的一个横向壁(TW)型的磁薄膜纳米条纹的畴壁可以操纵通过TW传播的自旋波(SW)通过相互作用。TW运动的速度可以通过改变传播SW的频率和幅度来控制。此外,TW运动由与TW结构内部存在的局部模式的谐振频率一致的特定SW频率有效地驱动。使用传播SW(其频率被调谐到固有TW模式的频率)是控制纳米条纹中TW运动的另一种方法。
2009-02-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Geometric Control Over the Motion of Magnetic Domain Walls
我们提出了一种方法,它可以精确控制的磁性图案,只依赖于基本属性的导线和控制参数空间中的路径的选择,但不对沿此路径的运动速率。特别是,我们表明,在磁性纳米线的磁畴壁可以通过旋转的磁易轴,或通过施加脉冲的磁场横向的磁易轴。
2008-05-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech math-ph
Domain wall pinning and potential landscapes created by constrictions and protrusions in ferromagnetic nanowires
利用空间分辨的磁光克尔效应测量,探讨了薄坡莫合金纳米线中不对称收缩或突起附近的横向畴壁(TDWs)所经历的电势。这两种类型的陷阱被发现作为钉扎中心的DW。钉扎的强度被发现取决于陷阱类型以及传入DW的手性;这两种类型的陷阱被认为是作为势阱或势垒,也取决于DW的手性。微磁学模拟已经进行了良好的定性与实验结果一致。
2008-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other