Topological Anderson insulators induced by random binary disorders
在凝聚态和人工系统中，不同的无序导致了不同的局域化和拓扑现象。本文研究了具有空间相关随机二元无序的一维Su-Schrieffer-Heeger模型的拓扑和局部化性质。研究发现，在不同的参数范围内，随机二元无序可以从平凡绝缘体中诱导出拓扑安德森绝缘相。拓扑安德森绝缘体的特征在于无序平均缠绕数和局域体态揭示了在实空间和动量空间的参与比的倒数。我们发现拓扑相边界与自洽Born方法和零能模局域化长度的分析结果一致，并讨论了双峰几率对无序诱导拓扑相的影响.在原子或光子系统中，可以从平均手征位移来检测系统的拓扑特征。我们的工作提供了一个扩展的拓扑安德森绝缘体的情况下，相关的障碍。
2022-02-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Topological quantum criticality of the disordered Chern insulator
该研究针对二维无序拓扑陈绝缘体，提出了弱无序下识别临界态的几何判据并解析推广至强无序区，绘制出能量、拓扑参数与无序强度相空间中的临界曲面，辅以数值分析验证了临界态位置与多重分形性质。
2022-12-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Superfluid--Insulator Transition in Commensurate One-Dimensional Bosonic System with Off-Diagonal Disorder
研究了在大整数填充因子极限下，一维非对角无序格子玻色子系统中超流-绝缘体量子相变的性质。对两个强无序模型的蒙特卡罗模拟表明，所讨论的相变的普适类与纯系统中超流-Mott-绝缘体相变的普适类相同。这一结果可以用超流相的无序自平均和标准量子流体力学作用量的适用性来解释。我们还制定了强随机普遍类应满足的必要条件，如果存在的话。
2005-05-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Disorder-induced delocalization and reentrance in a Chern-Hopf insulator
本文研究三维Chern-Hopf绝缘体在无序下的稳定性，结合数值模拟与自洽Born近似发现拓扑相先增强后转变为扩散金属的重入行为，并测得关联长度指数ν≈1.0(1)。
2024-08-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Z2 phase diagram of three-dimensional disordered topological insulator via scattering matrix approach
无序在三维时反不变性拓扑绝缘体中的作用是近年来的一个研究热点。然而，大型无序系统的Z2不变量的计算仍然是一个相当大的挑战。在本文中，我们应用和扩展最近提出的方法的基础上的散射矩阵的方法，它允许在合理的计算工作量与几个通道的引线的大型系统的研究。通过直接计算Z2不变量的无序拓扑安德森绝缘体，我们明确地确定了这个阶段的拓扑性质，而不诉诸于它的连接与清洁的情况下。我们能够有效地计算在质量无序平面的Z2相图。拓扑相边界被发现是很好地描述了自洽玻恩近似，无论是为零和有限的化学势。
2014-03-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Effect of Disorder in a Three-Dimensional Layered Chern Insulator
研究了三维层状陈氏绝缘体中的无序效应。通过对局域化长度和态密度的数值计算，发现在Anderson绝缘体和Chern绝缘体之间存在两种不同类型的金属相，一种是扩散金属相（DM），另一种是重整化Weyl半金属相（WSM）.我们发现，在零能态的纵向电导率保持有限的重整化WSM相以及在DM相，而在这两者之间的半金属-金属量子相变点为零。基于爱因斯坦关系和自洽玻恩分析，我们给出了量子跃迁点附近的电导率标度。
2016-02-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Structural Disorder Induced Second-order Topological Insulators in Three Dimensions
高阶拓扑绝缘体被建立为由晶体对称性保护的拓扑晶体绝缘体。一个著名的例子是三维空间中的二阶拓扑绝缘体，它拥有由晶体对称性保护的手征铰链模式。由于非晶态固体是普遍存在的，因此重要的是要问这样的二阶拓扑绝缘体是否可以存在于没有任何空间秩序的无定形系统中。在这里，我们预测的存在下，一个二级拓扑绝缘相的非晶系统没有任何晶体对称性。这种拓扑相位表现在四极矩的缠绕数、量子化的纵向电导和铰链态上。此外，与结构无序对高阶拓扑相有害的观点形成鲜明对比的是，我们发现结构无序可以从规则几何中的拓扑平凡相诱导出二阶拓扑绝缘体。最后，我们证明了在具有时间反演对称性的非晶系统中存在二阶拓扑相。
2021-05-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Conductivity of two-dimensional small gap semiconductors and topological insulators in strong Coulomb disorder
我们很荣幸在Emmanuel Rashba 95岁生日之际将这篇文章献给他。在理想的无无序情况下，二维带隙绝缘体具有等于带隙的一半的电导率激活能，$Δ$。但输运实验在低温下通常表现出小得多的活化能，并且该活化能与$Δ$之间的关系尚不清楚。在这里，我们考虑的温度依赖的二维窄禁带半导体衬底上含有库仑杂质的电导率，主要集中在的情况下，当振幅的随机电位$Γ\gg Δ$。我们发现，电导率一般表现出三个制度，只有最高温度制度表现出的活化能，反映了带隙。在较低的温度下，传导通过最近邻或可变范围跳跃电子和空穴之间的混乱所创建的水坑进行。我们发现，与这些过程相关的激活能和特征温度急剧崩溃附近的临界杂质浓度。较大的浓度导致指数小的活化能和指数长的局域化长度，这在介观样品中可以表现为无序诱导的绝缘体到金属的转变。我们在具有非常大介电常数的三维拓扑绝缘体薄膜中得到了类似的无序驱动的陡峭绝缘体-金属转变，其中由于电场的限制，内部库仑杂质产生更大的无序势。远离中性点，这种非常规的绝缘体到金属的转变是由传统的金属-绝缘体转变在小的杂质浓度，使我们达到无序驱动的重入金属-绝缘体-金属转变。
2022-08-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Disorder effects in InAs/GaSb topological insulator candidates
本文报道了InAs/GaSb量子阱中无序效应对体态的影响。作为无序源，我们认为界面粗糙度和故意掺杂提供的施主/受主。我们使用一个$\bm{k}\cdot\bm{p}$的方法结合数值对角化的无序哈密顿得到一个完整的洞察无序的本征能量和本征函数的电子系统。虽然界面粗糙度稍微扰动的载流子运动，我们表明，掺杂剂强烈绑定和本地化的结构体状态。此外，这两种类型的散射体加强了结构中空穴和电子之间的本征杂化。
2019-07-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Disorder effect on the Friedel oscillations in a one-dimensional Mott insulator
本文用DMRG方法数值计算了莫特绝缘体中一维无序导线的一边与量子点耦合时产生的Friedel振荡。通过研究无序对Friedel振荡衰减的影响，我们发现无序的影响随着相互作用强度的增加而减小。这种行为是相反的，最近报道的影响，在安德森绝缘体制度，无序导致更强的衰减的弗里德尔振荡。
2007-04-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Mode Delocalization in Disordered Photonic Chern Insulator
在无序的二维陈氏绝缘体，一个单一的体扩展模式被预测存在每带，到一个临界的无序强度，所有其他的体模式本地化。这种行为与拓扑平凡的二维相位形成强烈对比，二维相位的模式在无序的存在下都变得局域化。利用紧束缚模型的一个现实的光子陈氏绝缘体，我们表明，离域体本征态可以观察到在一个实验现实的设置。这需要选择性地使用谐振器损耗来抑制拓扑边缘状态，并且使用可变谐振器失谐来获得足够大的系综尺寸。
2021-02-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall physics.optics
Metal or Insulator? Dirac operator spectrum in holographic QCD
QCD的晶格研究证明了作为$4+1$维无序系统哈密顿量的四维Euclidean Dirac算符的本征模的非平凡定域行为。我们用全息的观点对这些性质提供了理论上的解释。当简并真空之间可能存在畴壁时，受限相中所有模的离域与类$θ=π$现象有关。证明了在退精细QCD中被迁移率边与谱的其余部分分开的局域模对应于全息对偶中的近视界区。
2019-07-02 cond-mat.dis-nn hep-lat hep-th
Possible Anderson localization in a holographic superconductor
通过引入准周期化学势，研究了全息超导体中的无序效应。当超导体的凝聚与无序强度相比足够小时，我们发现随着无序强度的增加，超导体从超导态到正常态存在一个不连续的相变。对于较大的凝聚，我们发现无序抑制但不完全破坏超导电性。该模型可以提供二维超导体中安德森局域化的全息实现。
2014-03-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con hep-th
Critical spin models from holographic disorder
本文研究全息无序下XXZ自旋链，发现位点平均关联和纠缠在非零无序平台上得以保持，纠缠熵遵循CFT标度，且该性质仅当边界无序由对偶体双曲镶嵌描述时出现，揭示了一类源自离散全息的临界相。
2025-07-16 cond-mat.dis-nn hep-th quant-ph
Connecting Topological Anderson and Mott Insulators in Disordered Interacting Fermionic Systems
拓扑安德森绝缘体和莫特绝缘体是迄今为止在拓扑带绝缘体之外被单独和广泛探索的两个相。在这里，我们把这两个看似不同的拓扑相结合成一个系统的自旋1/2相互作用的费米子原子在一个无序的光晶格。我们发现在无相互作用和干净的极限下，拓扑Anderson绝缘体和莫特绝缘体在我们模型的相图中可以无间隙闭合地电连接。在这两个相之间，我们发现了一种无序相关的拓扑绝缘体，它是由无序和相互作用的结合从平凡的带状绝缘体诱导出来的，作为拓扑安德森绝缘体对多体相互作用机制的推广。相图通过计算各种拓扑性质来确定，并通过无监督和自动化机器学习来确认。我们开发了一种方法来提供一个统一和清晰的描述拓扑相变驱动的相互作用和无序。拓扑相位可以从光晶格中的无序/相互作用诱导的边缘激发和电荷泵中检测到。
2021-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Third-order topological insulator induced by disorder
该研究发现了首个三维三阶拓扑安德森绝缘体实例，证实无序可诱导该拓扑相，且自洽玻恩近似能精准捕捉其相变，拓展了高阶拓扑安德森绝缘体的范畴。
2023-05-30 cond-mat.dis-nn
The dependence of topological Anderson insulator on the type of disorder
本文详细研究了二维拓扑绝缘体系统中不同无序的影响。与正常的安德森无序引起的相变拓扑安德森绝缘体，一个不同的物理图像时，出现考虑键无序。本文用玻恩近似理论解释了键无序在相变中所起的作用与安德森无序不同的原因。通过比较不同无序类型系统的相图、电导、电导涨落和局域化长度，得到了一致的结论。结果表明，拓扑安德森绝缘体是依赖于类型的无序。这些结果对制备拓扑绝缘体的掺杂工艺具有重要意义。
2012-12-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci
Metal-insulator transition in system with topological disorder
数值研究了同时具有拓扑和对角无序的各向异性无序Anderson模型中的金属-绝缘体相变。对于四组模型参数，我们找到了临界无序和临界指数，并证明它们不依赖于输运方向。对于每个临界点，求出了与系统尺寸无关的临界电导分布P_c（g）。P_c（g）的形式取决于模型参数和运动方向。赞成的单参数缩放参数。这篇论文已经被撤回了
1999-11-26 cond-mat.dis-nn
The Role of Power-Law Correlated Disorder in the Anderson Metal-Insulator Transition
研究了无标度关联无序对Anderson局域化模型中金属-绝缘体相变的影响。我们使用标准的传输矩阵计算和执行有限尺寸标度的最大逆李雅普诺夫指数，以获得各自的3D紧束缚系统的本地化长度。态密度由Anderson哈密顿量的本征能全谱得到。我们讨论了金属-绝缘体相变的相图和关联无序对临界指数的影响。
2011-12-19 cond-mat.dis-nn
Strong disorder renormalization group primer and the superfluid-insulator transition
本文简要介绍了实空间重整化群的方法及其在强无序量子系统中的应用。重点是最近的应用强无序重整化群的无序玻色子系统的物理和超流绝缘体的转变在一维。事实上，对于这个问题也有一个很好理解的弱无序理论，可以说明在强无序时物理学的哪些方面发生了变化。特别是强无序RG分析表明，在弱无序和强无序的转变属于不同的普适性类，但这个问题仍然存在争议，并没有完全解决的日期。本文还简要地评述了强无序重整化群在高维玻色系统和耦合耗散玻色子中的进一步应用。
2014-02-24 cond-mat.dis-nn
Machine Learning of Topological Insulator and Anderson Insulator in One-Dimensional Extended Su-Schrieffer-Heeger Chain
Xiamen University Malaysia（马来西亚厦门大学）；Lanzhou University（兰州大学）
利用卷积神经网络基于无无序系统的约化关联矩阵预测扩展SSH模型的相图，发现模型可推广到手征对称性保持的无序但无法处理对称性破缺的无序，并通过主成分分析和逆参与率等分析揭示了特征空间演化和物理机制。
2026-06-16 cond-mat.dis-nn
Disorder driven phase transitions in weak AIII topological insulators
拓扑相的十重分类列举了干净和无序系统的所有强拓扑相。这些强的拓扑相位连接到鲁棒边缘状态的存在。然而，除了十重分类中的强拓扑相之外，还存在弱拓扑相，其在无序下的性质还不太清楚。目前尚不清楚弱拓扑指数是否可以推广到任意无序，并且这些指数的物理特征也不清楚。本文研究二维弱AIII绝缘体的无序模型。我们证明了弱不变量可以定义在任意的无序，这些不变量连接到存在或不存在的束缚电荷在位错网站。
2020-06-14 cond-mat.dis-nn
Correlation functions in the holographic replica method
无序一直是凝聚态系统中的一个难题，而复制方法是这一领域的一个著名工具。在文献中已经提出并讨论了AdS/CFT对应的复制方法。我们指出，对于任何具有全息对偶的CFT，只要无序强度按文献中讨论的那样归一化，且副本之间的对称性不破缺，则随机无序对任何连通关联函数的修正都相同地消失.同样的道理也适用于任何由连接的关联函数通过线性关系确定的可观测量。这种行为非常类似于自由理论，其中无序耦合到基本场。我们在一个玩具模型中用全息原理和场论分析的方法证明了这一点。我们还提出了评估的非零子领导的影响扰动的无序强度和讨论一种新的可能性，定义一个新的全息对偶，如果我们采用不同的规范化的无序强度。
2012-10-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech hep-th
Holographic p-wave Superconductor with Disorder
我们通过引入一个定义了载流子局部能量的随机化学势来实现p波全息超导体的无序效应。由于矢量序参量的取向有各种可能性，我们探讨了凝聚体在平行和垂直于引入的无序方向上的行为。我们澄清了代表竞争解决方案的各种分支的性质，并构建了无序相图。我们发现，适度的无序增强超导电性所确定的冷凝物的值。虽然我们主要集中在不相关的噪声，我们也考虑了其光谱特性的障碍，并详细研究其对凝聚体和电荷密度的光谱特性的影响。我们发现相当普遍的反应所得到的功率谱的特点是无序功率谱的线性函数。
2015-08-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disorder-driven metal-insulator transitions in deformable lattices
我们表明，在存在的可变形的晶格势，无序驱动的金属-绝缘体转变（MIT）的性质是从根本上改变相对于非相互作用（安德森）的情况。对于强无序，即使是一个温和的电子-声子相互作用被发现显着重整化的随机势，在费米能量打开一个迁移率间隙。这一过程反映了无序增强极化子的形成，在这里给出了一个微观基础上处理晶格变形和安德森局域化效应在同一个立足点。我们确定了一个中间的“坏绝缘体”的运输制度，显示电阻率值超过莫特-Ioffe-Regel限制和负温度系数，经常观察到的强烈无序的金属。我们的计算表明，这种行为源于显着的温度诱导的电子态的重排，由于增强的相互作用效应接近无序驱动的MIT。
2017-01-05 cond-mat.dis-nn
Mott-Hubbard and Anderson metal-insulator transitions in correlated lattice fermions with binary disorder
研究了二元合金无序下晶体或光晶格中的强关联费米子。我们采用统计动力学平均场论，它结合了由于无序引起的局域涨落和由于相互作用引起的局域关联，来求解安德森-哈伯德模型。利用局域态密度的概率分布函数研究了无序引起的局域化。我们得到了由无序关联金属、Anderson-莫特绝缘体和带绝缘体组成的完整的顺磁基态相图。
2010-09-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas
Photonic topological insulators induced by non-Hermitian disorders in a coupled-cavity array
最近的研究无序或非厄米诱导拓扑绝缘体注入工程拓扑物质的新成分。在这里，我们认为纯粹的非厄米紊乱，这两个成分的组合，在一个一维耦合腔阵列无序的增益和损失的影响。在复杂的体光谱中，局域态携带拓扑不变量，增加增益-损耗无序强度可以诱导出拓扑光子态。该系统展示了丰富的相图和独特的拓扑状态从厄米特无序。非厄米临界行为的特征在于双正交的本地化长度的零能量的边缘模式，它发散的临界转变点，并建立体边缘对应。此外，我们表明，散装拓扑结构可以通过测量双正交手征位移，这可以从一个适当的拉姆齐干涉仪，在清洁和无序区域的工作中提取实验访问。所提出的耦合腔光子设置依赖于已被实验证明的技术，从而提供了一个可行的路线，探索这种非厄米无序驱动的拓扑绝缘体。
2022-12-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall physics.optics
Signatures of metal-insulator and topological phase transitions in the entanglement of one-dimensional disordered fermions
我们研究了一维无序费米子，它们要么经历金属-绝缘体跃迁，要么经历拓扑相变成为平凡的安德森绝缘体。我们专注于使用纠缠来阐明费米子的空间，动量和内部自由度是如何受到这种情况下的无序的影响。我们开发的纠缠工具，揭示了存在的金属状态的存在下的混乱，并进一步显示出明确的签名，即使在存在相互作用的相应的本地化过渡。在内部自由度与电子运动相耦合的系统中，拓扑相位会发展。我们将一个拓扑绝缘体模型置于不同类型的无序状态下，并讨论了即使在强无序状态下，系统的拓扑结构如何通过纠缠被捕获。
2014-03-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Topological Anderson insulators in two-dimensional non-Hermitian disordered systems
拓扑、无序和非厄米性之间的相互作用可以导致一些奇异的拓扑和局域化现象。在这里，我们调查这种相互作用的二维非厄米无序陈绝缘体模型与两种典型的非厄米，非互易跳跃和现场的增益和损耗的影响。通过数值计算实空间中的两个拓扑不变量，即无序平均开体Chern数和广义Bott指数，得到了系统的拓扑相图.我们揭示了非可逆跳跃（增益和损耗效应）可以扩大（缩小）拓扑区域，并且在两种非厄米性下都可以存在由无序引起的拓扑安德森绝缘体。此外，我们利用参与比的倒数和单粒子密度分布的展开，研究了系统在拓扑非平凡和平凡区域的局域化性质。
2020-06-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Superfluid-insulator transition of disordered bosons in one-dimension
利用强随机实空间重整化群方法研究了一维相互作用玻色子系统中的超流-绝缘体相变。与微扰方法不同，这种方法不受失控流的影响，并允许我们研究完整的相图。我们表明，超流绝缘体转变总是Kosterlitz-无像的方式，长度和时间尺度在临界点发散。然而，有趣的是，我们发现，在强无序的转变发生在一个非普适值的Luttinger参数，这取决于无序强度。这一结果将转变置于不同于Giamarchi和Schulz首先分析的弱无序转变的普适性类中[Europhys. Lett. { \bf 3}，1287（1987）]。虽然无序势的细节在临界点处不重要，但无序的类型确实影响绝缘相的性质。我们发现三个类别的绝缘体所产生的不同类别的无序势。对于无序只在充电能量和约瑟夫森耦合常数，在整数填充，我们发现一个不可压缩的，但无间隙的莫特玻璃相。如果允许整数和半整数填充因子，则相应的相是随机单重态绝缘体，其具有发散的可压缩性。最后，在一般的无序势中，绝缘体是具有有限压缩性的玻色玻璃。
2009-09-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Observation of a disordered bosonic insulator from weak to strong interactions
利用具有可控无序和相互作用的超冷原子，研究了全无序相互作用平面内无序玻色子的范型问题。结合测量的相干性，运输和激发光谱，我们得到的绝缘制度从弱到强相互作用和周围的超流状政权的证据，在一般协议的理论。对于强相互作用，我们揭示了一个强关联玻色玻璃共存的莫特绝缘体的存在。
2014-05-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas
The Effect of Disorder in an Orbitally Ordered Jahn-Teller Insulator
利用最近发展起来的Monte-Carlo方法，研究了淬火无序存在时，$e_g$电子与Jahn-Teller畸变耦合的二维双带双交换模型.在没有无序的情况下，低温下的半填充系统是轨道有序的铁磁绝缘体，具有交错的Jahn-Teller扭曲模式。我们研究了有限的温度过渡到轨道无序相，并揭示了中间和强耦合系统之间的质的差异，包括热驱动的绝缘体金属交叉在前一种情况下。长程轨道秩序被抑制在无序的存在下，该系统显示出一种趋向于亚稳态的轨道无序的条状结构包围轨道有序域。
2006-09-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Superconductor-insulator transition in Coulomb disorder
研究了在无序势由随机带电杂质产生的情况下，电子浓度降低驱动的超导体-绝缘体转变$n$。电子和库珀对（由非库仑吸引力形成）非线性地屏蔽杂质的随机电势。电子和库珀对都可以在所产生的自洽势中离域或定域。在电子浓度和库珀对长度的平面上，发现了超导相和绝缘相的分界线，对于强无序，该分界线的中心部分遵循干净样品的BEC-BCS交叉线。
2007-11-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Superfluid--Insulator Transition in Strongly Disordered One-dimensional Systems
我们提出了一个渐近精确的重整化群理论的超流-绝缘体过渡的一维无序系统，重点是准确描述的Giamarchi-Schulz（瞬子-反瞬子）和弱链接（scratched-XY）的临界之间的相互作用。结合广泛的量子蒙特卡罗模拟的理论，使我们能够阐明新的一维无序玻色-哈伯德模型在单位填充的基态相图。
2016-01-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
The $Z_2$ Index of Disordered Topological Insulators with Time Reversal Symmetry
我们研究了具有时间反演对称性的无序拓扑绝缘体。根据非对易指数定理（它将陈数与费米海投影和磁通量算符联系起来），我们给出了$Z_2$指数的精确定义，它是Atiyah-Singer $Z_2$指数的非对易类似物.我们证明了非对易的$Z_2$指数对任何时间反演对称扰动，包括无序势，只要在费米能级的光谱间隙不关闭是强大的。
2016-03-02 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall hep-lat
The superfluid insulator transition of ultra-cold bosons in disordered 1d traps
我们导出了一个有效的量子约瑟夫森阵列模型，用于弱相互作用的一维凝聚体，该凝聚体被无序势分裂成弱耦合的水坑。从第一性原理得到的耦合常数的分布表明，无序势中的弱相互作用玻色子经历由强随机不动点控制的超流绝缘体转变[Phys. Rev. Lett. 93，150402（2004）]。我们计算重整化群流的具体实现的无序势，以方便有限尺寸标度的实验结果，并允许比较的行为所规定的强随机性不动点。通过对平均场结果的修正，得到了系统的相图。
2011-10-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas
Magnetic flux disorder and superconductor-insulator transition in nanohole thin films
采用约瑟夫森结阵列模型，研究了横向磁场作用下纳米孔超导薄膜的超导-绝缘体转变。由于纳米孔在膜中的随机位置而导致的几何无序对应于阵列模型中的随机通量。蒙特卡罗模拟的路径积分表示被用来确定的临界行为和普遍的电阻率在过渡作为无序和每个细胞的磁通量子的平均数，$f_o$的函数。非整数$ f_o$的电阻率随无序度的增加而增加，而整数$ f_o$的电阻率随无序度的增加而减少，并且在磁通无序度$D_f^c$的临界值以上的涡旋玻璃区中达到一个共同的恒定值。非整数$ f_o$的$D_f^c$和电阻率增加的估计是一致的最近的实验超导薄膜的位置无序纳米孔。
2016-07-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Disorder-induced Chern insulator in Harper--Hofstadter--Hatsugai model
研究了Harper-Hofstadter-Hatsugai（HHH）模型中无序对拓扑Chern绝缘相的影响.具有半通量的模型具有体带隙，因此表现出非平凡的拓扑相位。我们考虑了两种典型的无序：就地随机无序和Aubry-Andre型准周期势。利用耦合矩阵方法，我们用陈数阐明了整体拓扑相图。无序改变了系统的间隙闭合行为。这种修改诱导陈绝缘相，即使在平凡的相参数制度的系统在干净的限制。此外，我们考虑了一个相互作用的Rice-Mele模型的无序，它可以通过降维的HHH模型。中等强度的无序导致陈氏绝缘体在特定参数点的复苏事件增加。
2019-08-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas cond-mat.stat-mech
Disordered Topological Insulators: A Non-Commutative Geometry Perspective
本文综述了强无序拓扑绝缘体的研究进展，并介绍了基于非对易几何（NCG）方法建立的分析理论在强无序量子霍尔效应中的应用。我们的主要目标是说明这个理论如何可以用来定义拓扑不变量在强无序的存在下，而不是陈数，并讨论这些不变量所保护的物理性质。工作与两个明确的2维模型，一个陈绝缘体和一个量子自旋霍尔绝缘体，我们首先给出了深入的帐户，这些拓扑绝缘体在清洁和无序制度的关键散装性能。这里采用了大量的数值模拟。给出了非对易陈氏数理论的一个简洁而完备的表述，并提出了一种新的计算非对易陈氏数的数值方法。定义了非对易的自旋-陈数，并利用解析理论和强无序条件下拓扑不变量的显式计算来解释在第一部分中给出的数值实验中所看到的关键体性质。
2010-12-22 cond-mat.dis-nn math-ph math.MP
