Universal quantum criticality at the Mott-Anderson transition
我们提出了一个描述有限配位Bethe晶格上Mott-Anderson跃迁的微观模型的大N解。我们的结果表明，强烈的空间涨落，由于安德森局域化效应，显着修改附近的无序莫特跃迁的量子临界行为。准粒子波函数的主要临界行为表现为在从弱到强无序的全范围内呈现出普遍的形式，与无序驱动的非费米液体（“电子格里菲思相”）行为相反，这种行为只在强相关区域中发现。
2013-01-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mott--Hubbard and Anderson Transitions in Dynamical Mean--Field Theory
本文用零温动力学平均场论研究了半填充时的Anderson-Hubbard哈密顿量。局域态密度的计算分别采用几何平均和算术平均。比较了不同平均方案下得到的非磁基态相图。
2005-02-10 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anderson localization and Mott insulator phase in the time domain
空间周期势中的粒子是固体物理中研究晶体现象的标准模型。周期性驱动系统的时间周期性与固态晶体的空间周期性非常相似。有一个有趣的问题，如果固态现象可以观察到的时间域。本文证明了局域在周期驱动系统共振经典轨道上的波包是实现时域安德森局域化或莫特绝缘体相的理想元件。波包的均匀叠加形成周期性驱动粒子的定态。然而，一个额外的扰动，波动的时间导致在时间的无序和安德森局域化效应出现。转到多粒子系统，我们观察到，取决于粒子相互作用的强度，定态可以是玻色-爱因斯坦凝聚体，也可以是单个福克态，其中一定数量的粒子占据了周期性演化的波包。我们的研究表明，在时域中可以观察到非平凡的类晶体现象。
2015-06-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas quant-ph
Mean field theory of the Mott-Anderson transition
我们提出了一个无序相互作用的电子，可以描述莫特和安德森过渡的零无序和零相互作用的各自限制的理论。我们用它来研究T=0 Mott-Anderson跃迁在一个固定的电子密度，随着无序强度的增加。令人惊讶的是，我们发现两个临界值的无序W_{nfl}和W_c。当W > W_{nfl}时，系统进入"Griffiths“相，表现出金属非费米液体行为。在更强的无序下，W=W_c > W_{nfl}，系统经历金属绝缘体转变，其特征是典型态密度和典型准粒子重量都线性消失。
1997-06-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Typical-Medium Theory of Mott-Anderson Localization
Mott和Anderson局域化路线一直被认为是驱动金属-绝缘体转变（MIT）的两个基本过程。很久以前就讨论过分别描述这些机制的理论，但是一种可以同时包括这两种机制的公认方法仍然难以捉摸。由于不容易找到一个合适的静态序参量，所以金属和绝缘体之间没有明显的静态对称性，这就提出了另一个基本问题。强调了金属和绝缘体之间的关键区别在于电子的动力学。这一物理图像表明，“典型的”（几何平均的）从给定晶格位置的逃逸率应被视为MIT的合适的动力学序参量，其可以自然地描述用于局域化的Anderson和Mott机制。本文综述了典型介质理论的最新研究成果，为Mott-Anderson相变的双流体性质提供了新的认识。
2010-03-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Connecting Topological Anderson and Mott Insulators in Disordered Interacting Fermionic Systems
拓扑安德森绝缘体和莫特绝缘体是迄今为止在拓扑带绝缘体之外被单独和广泛探索的两个相。在这里，我们把这两个看似不同的拓扑相结合成一个系统的自旋1/2相互作用的费米子原子在一个无序的光晶格。我们发现在无相互作用和干净的极限下，拓扑Anderson绝缘体和莫特绝缘体在我们模型的相图中可以无间隙闭合地电连接。在这两个相之间，我们发现了一种无序相关的拓扑绝缘体，它是由无序和相互作用的结合从平凡的带状绝缘体诱导出来的，作为拓扑安德森绝缘体对多体相互作用机制的推广。相图通过计算各种拓扑性质来确定，并通过无监督和自动化机器学习来确认。我们开发了一种方法来提供一个统一和清晰的描述拓扑相变驱动的相互作用和无序。拓扑相位可以从光晶格中的无序/相互作用诱导的边缘激发和电荷泵中检测到。
2021-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Mott, Floquet, and the response of periodically driven Anderson insulators
我们考虑周期性驱动的安德森绝缘体。弱的、单色的、均匀的电场的短时行为由线性响应理论给出，并且由Mott著名地导出。我们超越这一点来考虑长时间--这是物理学的弗洛凯晚时间状态--和强电场。这导致在频率场强度平面中的“相位图”，其中我们确定了四个不同的制度。这些是：由预先存在的Mott共振主导的线性响应机制，其存在提供Floquet饱和在一段时间内没有达到;非线性微扰机制，其响应于场而表现出多光子吸收;近绝热机制，其表现出遍布整个样品的主要反应性响应并且对预先存在的共振不敏感;以及最后增强的耗散机制。
2018-09-24 cond-mat.dis-nn
Mott-Anderson transition in disordered charge transfer model: insights from typical medium theory
最近的大规模计算（统计动力学平均场论）研究表明，与无序单带哈伯德模型相比，无序电荷转移模型中的Mott-Anderson跃迁显示出几个新的特征。在这里，我们表明，一个简单得多的典型介质理论方法（TMT-DMFT）相同的模型是能够捕捉最定性，甚至定量方面的相图，出现一个中间电子格里菲斯阶段，和临界行为接近的金属-绝缘体过渡。因此，TMT-DMFT公式的概念和数学上的简单性使得有可能获得有用的新的洞察这些模型中的Mott-Anderson转变的机制。
2014-04-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anderson-Mott Transition Driven by Spin Disorder: Spin Glass Transition and Magnetotransport in Amorphous GdSi
由自旋无序驱动的零温Anderson-Mott转变可以通过施加磁场来“调谐”，以实现巨大的磁导。通常这是不可能的，因为自旋无序本身不能定位高密度电子系统。然而，强结构无序的存在可以实现这种情况，自洽地产生无序的磁性基态。我们探索这样一个模型，构建理解非晶GdSi，并突出出现的自旋玻璃相，安德森-莫特签名的运输和隧道光谱，和不寻常的磁光电导率。我们解决了一个无序的强耦合费米子自旋晶格问题，基本上完全有限的系统，并占所有的定性特征，在磁性，运输，在这个系统中的光谱。
2003-05-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Self-consistent study of Anderson localization in the Anderson-Hubbard model in two and three dimensions
我们考虑了由于\HA模型中存在电子-电子排斥而引起的电子局域化的变化。考虑到局域Mott-Hubbard物理和无序势的静态屏蔽，该系统被映射到一个有效的单粒子Anderson模型，这是在电子局域化的自洽理论研究。我们发现丰富的非单调行为的本地化长度$ξ$在二维系统中，包括相互作用引起的指数增强的$ξ$的小和中等的障碍，虽然$ξ$仍然有限。在三维中，我们确定为半填充Mott-Hubbard辅助安德森本地化阶段之间存在的金属和Mott-Hubbard缺口阶段。对于小的$U$，存在从Anderson局域相到金属相的重入行为。
2008-12-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Role of disorder in the Mott-Hubbard transition
基于哈伯德模型的从转子表示，我们研究了无序在Mott-Hubbard转变中的作用.在该模型中，电子被分解为一个自旋自由度的费米子自旋子和一个电荷自由度的玻色子转子（荷子）.在没有无序的情况下，Mott-Hubbard绝缘体被假定为自旋液体莫特绝缘体，即费米面附近的无隙自旋子和通过U（1）规范场相互作用的带隙特性粒子。发现Mott-Hubbard临界点在无序开启后立即变得不稳定，在自旋液体玻璃由U（1）自旋液体和荷子玻璃组成的情况下，出现了一个无序临界点，即自旋液体玻璃绝缘体到费米液体金属的转变.我们期望通过有机材料$κ-(BEDT-TTF)_{2}Cu_{2}(CN)_{3}$绝缘相的光谱来测量电荷涨落的玻璃化行为。此外，由于Mott-Anderson临界点依赖于自旋电导率，可能无法找到临界指数的普适性。
2006-01-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anderson localization vs. Mott-Hubbard metal-insulator transition in disordered, interacting lattice fermion systems
本文综述了无序条件下强关联费米子系统的理论研究进展。结果得到了一个强大的非微扰的方法，动力学平均场论（DMFT），相互作用无序晶格费米子的应用。特别是，我们证明了DMFT结合几何平均超过无序可以捕获安德森局域化和莫特绝缘相的水平上的单粒子关联函数。结果的Anderson-哈伯德模型在半填充的基态相图，无论是在顺磁相和反铁磁秩序的存在下。我们发现了一种新的反铁磁金属，它是由无序稳定的。讨论了超冷费米子在光晶格中实现这些量子相位的可能性。
2010-07-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Analysis of the Disorder-Induced Zero Bias Anomaly in the Anderson-Hubbard Model
采用数值计算和解析计算相结合的方法，研究了由二维Anderson-哈伯德模型模拟的强关联系统态密度中的无序诱导零偏异常（ZBA）.我们发现，ZBA来自于响应的非局部非弹性自能的无序势，这一结果具有影响的理论方法，只保留本地自能。利用自能的近似解析形式，导出了二格点Anderson-哈伯德模型的态密度表达式。我们的形式再现的ZBA的基本特征，即宽度是成比例的跳跃幅度$t$，是独立的相互作用强度和无序势。
2010-12-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
The Mott-Anderson transition in the disordered one-dimensional Hubbard model
利用密度矩阵重整化群研究了具有在位势无序的半满一维费米子哈伯德模型的量子跃迁。我们发现了一个过渡带隙的莫特阶段与代数自旋相关的一个无隙的自旋无序相超过了临界强度的障碍$Δ_c \approx U/2$。电荷扇区和自旋扇区的跃迁都是重合的。我们还建立了有限尺寸修正的电荷间隙和自旋-自旋相关长度在无序的存在下，并使用有限尺寸标度分析，我们得到的零温度相图的各种量子相变发生在无序相互作用平面。
1997-04-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Effect of nonlocal interactions on the disorder-induced zero-bias anomaly in the Anderson-Hubbard model
为了扩展可用于解释无序强关联系统实验的框架，特别是为了进一步探索在Anderson-哈伯德模型中发现的强耦合零偏异常，我们问这种异常如何响应于增加非局域电子-电子相互作用。我们利用精确对角化方法计算了推广的Anderson-哈伯德模型的单粒子态密度。我们发现，对于弱非局部相互作用的零偏异常的形式是定性不变的。异常的能量标度继续由非局部相互作用重整化的有效跳跃振幅设定。然而，在较大的值的非局部相互作用强度，跳跃不再是一个相关的能量尺度和更高的能量与电荷相关的功能占主导地位的态密度。
2012-03-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Persistence of energy-dependent localization in the Anderson-Hubbard model with increasing system size and doping
具有有界无序的非相互作用系统已经被证明在带边缘处表现出尖锐的态密度峰，这与突然抑制的局部化的能量范围一致。最近的工作表明，这些功能也发生在现场相互作用的存在下，在合奏的两个网站安德森-哈伯德系统在半填充。在这里，我们证明了这种影响在相互作用的系统中持续远离半填充，而且，尽管在状态密度的尖锐功能的损失，但具有抑制本地化的能量区域继续出现在更大的系统的合奏。
2016-01-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Static Screening and Delocalization Effects in the Hubbard-Anderson Model
我们研究了Hubbard-Anderson模型中由于无序屏蔽而导致的电子局域化的抑制。我们专注于变化的费米能级内的静态图片，其中相互作用被吸收到重新定义的随机现场能量的电子局域化长度。提出了两种不同的近似，任何一个产生的相互作用强度的本地化长度的非单调依赖，在一个中间的相互作用强度有明显的最大值。尽管它的简单，我们的方法是在最近的数值结果很好的协议。
2008-01-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
