Particle-Hole Symmetry and the Effect of Disorder on the Mott-Hubbard Insulator
最近的实验强调，我们对固体中电子相关性和随机性的相互作用的理解仍然是不完整的。我们解决这个重要的问题，并证明粒子-空穴（ph）对称性起着至关重要的作用，在确定的影响，无序的运输和热力学性质的半满哈伯德哈密顿。我们发现，低温电导率随无序度的增加而降低时，保持pH对称性，并显示相反的行为，即电导率随无序度的增加，当pH对称性被打破。莫特绝缘间隙是不敏感的弱无序时，有PH对称性，而在其情况下，间隙随无序度的增加而减小。
2001-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Two-dimensional Mott variable-range hopping transport in a disordered MoS$_2$ nanoflake
通过电学和磁输运测量研究了无序MoS $_2$纳米片在绝缘体区域的输运特性。层状MoS $_2$纳米片从块状MoS $_2$晶体剥离，并且在宽的温度范围内在四探针设置中测量电导$G$和磁阻。在高温下，我们观察到，$\log_{10}G$表现出$-T^{-1}$的温度依赖性和运输的纳米片主要来自热活化。在低温下，在纳米片中的运输主要通过可变范围跳跃（VRH）过程发生，我们观察到，$\log_{10}G$表现出$-T^{-1/3}$温度依赖性，二维（2D）莫特VRH运输的证据。测量的低场磁电阻的纳米片在绝缘体制度表现出二次磁场依赖性$\sim αB^2$与$α\sim T^{-1}$，完全一致的2D莫特VRH输运的纳米片。
2018-01-26 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Connecting Topological Anderson and Mott Insulators in Disordered Interacting Fermionic Systems
拓扑安德森绝缘体和莫特绝缘体是迄今为止在拓扑带绝缘体之外被单独和广泛探索的两个相。在这里，我们把这两个看似不同的拓扑相结合成一个系统的自旋1/2相互作用的费米子原子在一个无序的光晶格。我们发现在无相互作用和干净的极限下，拓扑Anderson绝缘体和莫特绝缘体在我们模型的相图中可以无间隙闭合地电连接。在这两个相之间，我们发现了一种无序相关的拓扑绝缘体，它是由无序和相互作用的结合从平凡的带状绝缘体诱导出来的，作为拓扑安德森绝缘体对多体相互作用机制的推广。相图通过计算各种拓扑性质来确定，并通过无监督和自动化机器学习来确认。我们开发了一种方法来提供一个统一和清晰的描述拓扑相变驱动的相互作用和无序。拓扑相位可以从光晶格中的无序/相互作用诱导的边缘激发和电荷泵中检测到。
2021-07-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas
Long-range-correlated disorder in graphene
我们研究了在静态长程关联随机标量势和矢量势的存在下，二维准相对论电子激发在石墨烯中的输运。使用微扰理论和路径积分技术相结合，我们估计控制德鲁德电导率，磁输运，和弗里德尔振荡的弹道制度的大准粒子能量的散射率。我们还讨论了零能态的性质和相关的本地化方案。
2006-11-30 cond-mat.mes-hall
From the Fermi glass towards the Mott insulator in one dimension: Delocalization and strongly enhanced persistent currents
当无序介观环中的无自旋费米子系统在由随机势驱动的非均匀位形（Anderson绝缘体）和由排斥相互作用驱动的均匀位形（莫特绝缘体）之间变得不稳定时，持续电流可以增加几个数量级。这一点可以用密度矩阵重整化群算法研究扭曲边界条件下基态能量的变化来说明。
1998-04-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Defects, disorder and strong electron correlations in orbital degenerate, doped Mott insulators
我们阐明了缺陷无序和$e$ - $e$相互作用对掺杂过渡金属氧化物（如Y $_{1-x}$、Ca $_{x}$、VO $_{3}$）的Mott-Hubbard带隙中出现的缺陷态的谱密度的影响。一个软间隙的动力学起源的缺陷带和生存缺陷无序$e$ - $e$相互作用强度可比的缺陷电位和跳跃积分值以上的掺杂依赖阈值，否则只有赝间隙持续。这两个制度自然出现在统计分布的差距之间的不同的缺陷实现，这原来是威布尔型。它的形状参数$k$决定了在化学势下的态密度（$k-1$）的幂律依赖性的指数，因此区分了软带隙（$k\geq2$）和赝带隙（$k<2$）区域。在较宽的掺杂范围内，$k$和有效带隙都与跳跃积分和$e$ - $e$相互作用有关.掺杂空穴的运动受到最近的缺陷势和整个自旋轨道结构的限制。这样的一般行为导致复杂的非氢类缺陷状态，其倾向于保持潜在的$C$型自旋和$G$型轨道顺序，并且可以通过扫描隧道显微镜检测和分析。
2015-11-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Doping a Mott insulator with excitons in moiré bilayer: fractional superfluid, neutral Fermi surface and Mott transition
在本文中，我们探讨了可能的阶段所产生的掺杂中性激子到莫特绝缘体的上下文中的莫尔双层。我们考虑两个莫尔层仅通过层间排斥耦合在一起，并且存在U（2）$\times$ U（2）对称性。两层的密度可以被调整为$n_t=x,n_b=1-x$与$n_t+n_b=1$。$x=0$极限是层极化的莫特绝缘体，并且小的$x$区域可以通过掺杂密度为$x$的层间激子来达到。如在WSe $_2$ -hBN-WSe $_2$ /WS $_2$系统中实验证明的，电荷间隙可以在小$x$处保持有限。为了捕捉自旋和激子自由度的纠缠，我们提出了一个四味自旋模型。除了单激子凝聚相的明显可能性之外，我们还通过分数化发现了更多奇异的物理现象：（I）我们分别为两层定义了自旋能隙$Δ_t, Δ_b$。只要两层的自旋能隙都是有限的，单激子凝聚是不可能的，只能有成对的激子凝聚。如果两个自旋能隙都是有限的，它可以是一个分数激子超流体与$Z_2$自旋液体共存的成对激子凝聚。将提供这样一个阶段的数值证据。(II)如果层极化莫特绝缘体在$x=0$处于具有自旋费米面的U（1）自旋液体中，则$x>0$的自然相具有由费米激子形成的中性费米面。有金属逆流运输，也弗里德尔振荡层极化在这个异国情调的阶段。我们的一维数值模拟观察到了这种中性费米表面相的模拟。(III)通过在带宽调谐的金属-绝缘体转变（MIT）的普适类中调谐$x$，可以存在金属-绝缘体转变…
2022-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological and disorder corrections to the transverse Wiedemann-Franz law and Mott relation in kagome magnets
本文针对拓扑kagome磁体中横向Wiedemann-Franz定律和Mott关系的偏离，计算了拓扑与无序修正，发现拓扑修正主导，并推导出仅依赖化学势的解析公式，统一解释了TbMn6Sn6和Mn3Ge的相反实验现象。
2023-03-13 cond-mat.mes-hall
Comment on ``Analytic Structure of One-Dimensional Localization Theory: Re-Examining Mott's Law''
无序费米气体在一维空间中的低频电导率由莫特-别列津斯基定律$σ(ω) \propto ω^2 \ln ω^2$控制。在最近的一封信[物理。84，1760（2000）] O. Gogolin声称这个定律是无效的，挑战了我们对无序系统的基本理解和大量的理论工作。本文指出了Gogolin论文中的两个计算错误。一旦我们纠正它们，莫特-别列津斯基公式就完全恢复了。我们还提出了支持Mott-Berezinskii公式，但排除了Gogolin的数值结果。
2000-11-02 cond-mat.mes-hall
Addition spectrum, persistent current, and spin polarization in coupled quantum dot arrays: coherence, correlation, and disorder
利用扩展的哈伯德模型研究了二维量子点阵列和一维量子点环在外加磁通量作用下的基态持续电流和电子附加谱.集体多点问题被证明映射到强场非相互作用的有限大小的Hofstadter蝴蝶问题在自旋极化过渡。讨论了有限尺寸的Hofstadter问题，得到了通量极限值的解析解。在弱场中，我们预测了新的通量周期振荡的自旋分量沿量子化轴的周期性$νh/e$（$ν\le 1$）。计算的持续电流对相互作用和无序的敏感性反映了二维系统中各种Mott-Hubbard量子相变的复杂性：在由点内库仑相互作用控制的反铁磁Mott-insulating相中持续电流被抑制，在由最近邻点间相互作用驱动的自旋密度波-电荷密度波跃迁处持续电流最大; Mott绝缘相持续电流被长程点间相互作用增强到无相互作用值，无相互作用电流在无序存在下的强抑制只出现在大的无序强度下，在半填充时，即使相对较弱的点内库仑相互作用也会增强无序无相互作用系统的持续电流;一般来说，在存在长程点间库仑相互作用的情况下，无序对持续电流的抑制不太显著。
1998-02-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Enhanced Thermoelectric Power in Graphene: Violation of the Mott Relation By Inelastic Scattering
我们报道了在极低无序度的石墨烯中热电功率（TEP）的增强。在高温下，我们观察到的TEP是大大大于莫特关系的预测，接近流体动力学极限，由于强烈的非弹性散射之间的载流子。然而，接近室温的非弹性载流子-光学-声子散射变得更加显著，并限制TEP低于流体动力学预测。我们支持我们的观察，采用玻尔兹曼理论纳入无序，电子相互作用，光学声子。
2016-01-26 cond-mat.mes-hall
Pseudogap and weak multifractality in disordered Mott charge-density-wave insulator
该研究通过STM/STS研究Se替代的1T-TaS2，发现费米能级处形成V形赝能隙且局域态密度呈现弱多重分形，揭示无序诱导的关联金属态为二维体系中涌现超导提供了新机制。
2019-04-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport kinetics in excitonic Mott insulator
University of California San Diego（加州大学圣地亚哥分校）
本研究探究范德瓦尔斯异质结中间接激子的输运动力学，通过实验与模拟证实高迁移率对应超流态，输运抑制及IX云收缩指示莫特绝缘态，明确区分了莫特绝缘与无序诱导的局域化。
2026-10-14 cond-mat.mes-hall
Disordered topological metals
当存在无序时，拓扑行为可以被掩盖。拓扑绝缘体，无论是本征的还是相互作用诱导的，当充分无序时可以变成无带隙的。然而，一旦拓扑间隙关闭，出现的金属相保留了几个拓扑特征。通过考虑拓扑绝缘体的自洽无序平均格林函数，导出了无间隙的条件。我们发现，边缘状态生存在无隙相边缘共振，类似于掺杂的拓扑绝缘体，无序拓扑金属也有一个有限的，但非量子化的拓扑指数。然后我们考虑无序Mott拓扑绝缘体。我们表明，在平均场论，无序莫特拓扑绝缘体承认一个阶段，其中的破缺序参量保持非零，但间隙是封闭的，在完全类似于“无间隙超导”由于磁无序。
2012-11-08 cond-mat.mes-hall
Conserved spin current for the Mott relation
保守的体自旋电流[Shi等人，物理修订版信函96，076604（2006）]，定义为自旋位移算子的时间导数，自动确保自旋霍尔效应（SHE）和逆SHE之间的Onsager关系。在这里，我们揭示了这种保守的自旋电流的另一个理想的属性：莫特关系连接的SHE和它的热对应物，自旋能斯特效应（SNE）。根据莫特关系，一旦理解了SHE，就知道了SNE。在具有光滑标量无序势的二维Dirac-Rashba系统中，我们发现当调节化学势时自旋能斯特电导率的符号发生了变化。
2018-08-10 cond-mat.mes-hall
Universal correlations of trapped one-dimensional impenetrable bosons
本文计算了有限尺寸几何中一维不可穿透玻色子的单体密度矩阵的渐近行为。我们的方法是基于对无序系统理论中的非线性方法的一种改进。我们得到明确的表达式振荡条款，类似于费米子弗里德尔振荡。这些术语是普遍的，起源于一维玻色子之间的强短程关联。
2004-09-22 cond-mat.mes-hall hep-th math-ph
