Non thermal and purely electronic resistive transition in narrow gap Mott insulators
电场下的莫特绝缘体到金属的转变是当前许多基础和应用研究的主题。这种令人困惑的效应，涉及到相关系统中的非平凡的失衡效应，确实在一类新的电子存储器莫特存储器的操作中起作用。然而，在经历这种转变的莫特绝缘体中，组合的电子和热效应很难解开。我们在这里报告一个典型的莫特绝缘体和一个模型建立在一个现实的2D电阻网络能够捕捉热效应和电子跃迁的电场下的性能之间的比较。特别是对窄间隙莫特绝缘体AM4 Q8族（A = Ga或Ge; M=V、Nb或Ta，Q = S或Se）进行的这种比较明确地确立了在电场下实验观察到的电阻转变产生于纯电子机制。
2014-07-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Inverse Faraday effect in Mott insulators
逆法拉第效应（IFE），即由圆偏振光诱导静态磁化，为超快控制自旋态提供了一条有前途的途径。本文利用Floquet理论研究了莫特绝缘体中的IFE。我们发现两个不同的IFE行为由反演对称性。在具有反转对称性的莫特绝缘体中，我们发现由IFE诱导的有效磁场与相邻的自旋铁磁耦合。而对于不具有反转对称性的莫特绝缘体，由于IFE产生的有效磁场与相邻自旋反铁磁耦合。我们应用该理论的自旋-轨道耦合的单和多轨道哈伯德模型是相关的Kitaev量子自旋液体材料，并证明磁相互作用可以通过光调谐。
2022-05-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device
当掺杂和/或加压时，莫特绝缘体有时会在其相邻绝缘体中诱导非常规的超导性。由于相图应该与超导的微观机制密切相关，因此获得Mott绝缘态周围的全局相图是很重要的。然而，由于技术上的限制，用于控制大多数Mott绝缘材料的基态的参数是一维的。在这里，我们提出了一个二维基态映射的莫特绝缘体使用的有机场效应器件，同时调整带宽和带填充。观察到的相图显示出许多意想不到的功能，如突然的一阶超导转变下的电子掺杂，经常性的绝缘相在重电子掺杂区，和一个几乎恒定的超导转变温度在一个宽的参数范围内。这些结果有望有助于阐明Mott-哈伯德模型的标准解之一。理论计算再现我们的实验结果的主要特点也进行了。
2019-05-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic interactions and spin dynamics in the bond-disordered pyrochlore fluoride NaCaCo$_2$F$_7$
本文报道了键无序烧绿石NaCaCo $_2$ F $_7$单晶的高频/高场电子自旋共振（ESR）和高场磁化强度的研究。频率和温度依赖的ESR调查以上的冻结温度$T_f \sim 2.4$ K揭示了两个不同的磁相共存。一个合作的顺磁相，证明了一个无间隙的激发模式，被发现，以及自旋玻璃相开发低于20 K，这是与有间隙的低能激发。有效的$g$ -因子接近2的两种模式与脉冲高场磁化测量，显示出不饱和的各向同性行为高达58 T在2 K。为了描述在高磁场中的场依赖性磁化，我们提出了一个经验模型占高度各向异性离子$g$ -张量预计这种材料，并考虑到强烈的竞争相互作用之间的自旋，导致受挫的基态。作为从ESR确定的有效$g$因子与通过中子散射获得的局部$g$张量之间的详细定量关系[Ross等人，物理评论B 93，014433（2016）]仍在寻求，我们的工作激发了对键无序高温超导体中低能激发的进一步理论研究。
2019-04-01 cond-mat.str-el
A heterojunction modulation-doped Mott transistor
提出了一种异质结莫特场效应晶体管（FET），其由表现出电子相关诱导的莫特金属到绝缘体转变的外延沟道材料组成。莫特材料是远程（调制）掺杂的简并掺杂的常规带绝缘体。外加电压调制从掺杂带绝缘体到莫特材料的电子转移，并通过诱导绝缘体到金属的转变来产生晶体管动作。稀土镍酸盐和SrTiO 3的材料参数用于评估“调制掺杂Mott FET”（ModMottFET或MMFET）作为下一代开关的潜力。它表明，MMFET的特点是独特的“电荷增益”的特性，以及竞争性的双稳态，小信号增益和电流驱动。
2011-09-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation
我们引入超结构Mottness的概念来描述掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott跃迁。我们表明，超结构Mottness出现在一个非均匀的电子系统时，超结构包含一个奇数的电子每个超细胞。我们认为，即使在没有平移对称性破缺的超晶格的超结构Mottness存在，只要扩展或intersite库仑相互作用是强的。在后一种情况下，超结构Mottness为Mott和Wigner物理学提供了一个统一的框架，并对Wigner-Mott跃迁提供了一个非微扰的强耦合描述。我们通过研究一个最小的单带离子Hubbard $t$-$U$-$V$ - $Δ$模型来支持我们的建议，该模型具有最近邻库仑排斥$V$和两个亚晶格离子势$Δ$。该模型被映射到一个哈伯德模型与两个有效的“轨道”代表的两个网站内的超晶胞，轨道内和轨道间的库仑排斥$U$和$U^\prime \sim V$，和一个晶体场分裂$Δ$。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。在Gutzwiller近似下，我们研究了四分之一填充时$V$和$Δ$对Mott和Wigner-Mott跃迁的影响及其相互作用.给出了超晶格势增强关联效应的机制和局域矩形成的趋势，在超结构Mottness的统一框架下构造并阐明了相图。
2009-10-01 cond-mat.str-el
Effect of coulomb long range interactions on the Mott transition
我们重新考虑了存在长程库仑相互作用时的莫特跃迁问题。使用一个扩展的DMFT，总结了一个重要的类的图在普通的DMFT缺席，我们表明，在库仑的存在下，在二维和三维的莫特过渡是不连续的莫特设想。
1999-03-11 cond-mat.str-el
Effects of the electron-phonon coupling near and within the insulating Mott phase
在Holstein-哈伯德模型中，电子-声子相互作用在金属相和绝缘相的Mott跃迁附近被研究。该模型是研究通过变分从玻色子技术。在半填充，平均场静态量是在良好的协议与数值技术得到的结果。考虑到高斯波动，频谱密度的解析表达式推导出在莫特绝缘相显示，增加的电子-声子耦合导致一个敏感的减少莫特间隙通过减少有效的排斥。最后讨论了强关联系统中的结果与最近的实验观测的关系。
2004-12-09 cond-mat.str-el
Superconductor-like effects in an AC driven normal Mott-insulating quantum dot array
本文利用解析Keldysh场论方法研究了交流驱动下耗散莫特绝缘体系统的电流响应，该系统是一个普通的量子点阵列。在莫特绝缘体区域深处，非平衡稳态（NESS）响应类似于一个反向分流的约瑟夫森阵列，随着驱动频率Ω的增加，非平衡Mott绝缘体向导体过渡。NESS在导电阶段的抗磁分量是异常的，意味着负电感，这让人联想到具有负相位刚度的约瑟夫森阵列的η-配对阶段。然而，在存在额外的DC场的情况下，超导的签名-夏皮罗步骤-是完全不存在的。我们将这些性质解释为与约瑟夫森系统共享的数相涨落效应，而不是超导性。
2020-12-14 cond-mat.str-el
Dynamic charge Kondo effect and a slave fermion approach to the Mott transition
Mott跃迁在强关联物理中起着关键作用，但其本质尚未完全理解。受Schwinger玻色子方法在近藤晶格中的最新发展的启发，我们提出了一种新的从费米子算法来研究Mott跃迁。在局域近似下，我们的方法给出了正方晶格上半满单带哈伯德模型在有限库仑相互作用$U$下的零温连续（Mott）金属-绝缘体相变相图，电阻率在量子Widom线附近表现出临界标度.我们认为Mott跃迁可能与局域简并的doublon态和holon态的动态电荷近藤效应有关，从而导致doublon/holon态和电子谱上的尖锐共振。过渡被推到$U=0$，一旦站点间的反铁磁相关，在协议与精确的数值计算。我们的方法抓住了莫特过渡的一些基本特征，并提供了一个替代的角度来看待这个重要的问题。它可以推广到研究其他具有更复杂局域相互作用的关联电子模型。
2022-11-17 cond-mat.str-el
Dimensionality controlled Mott transition and correlation effects in single- and bi-layer perovskite iridates
我们研究了Sr2IrO4和Sr3Ir2O7使用角分辨光电子能谱（ARPES），直接实验测定的细胞内和细胞间的耦合参数以及莫特相关性和间隙大小。结果与LDA+U+自旋轨道耦合（SOC）计算基本一致，但计算结果忽略了主要电子态的动量位置，也忽略了胞间耦合对Mott能隙大小的重要性。计算还忽略了相关诱导的光谱峰宽，这是关键的连接到从运输实验确定的活化能。这些数据表明，在这些5d过渡金属氧化物（TMO）的尺寸控制莫特过渡。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Universality Class of the Mott Transition
的电导率和热电功率的压力依赖性测量通过莫特过渡层有机导体EtMe 3 P [Pd（dmit）2]2。热电效应的临界行为提供了等温压力扫描期间Mott-Hubbard转变的清晰和客观的确定。以上的临界端点，金属-绝缘体交叉，确定的热电效应的最小值，没有被发现符合作为压力的函数的电导率的导数的最大值。我们表明，临界指数的莫特-哈伯德过渡属于伊辛普适类，无论系统的维数。
2015-03-16 cond-mat.str-el
Electric-Field-Induced Mott Insulating States in Organic Field-Effect Transistors
我们认为注入到有机场效应晶体管的电子是强相关的可能性。单层并苯可以用哈伯德哈密顿量来模拟，类似于用于有机超导体的kappa-（BEDT-TTF）（2）X家族。注入的电子不一定经历到莫特绝缘体状态的转变，因为当系统被半填充时，它们将在块体晶体中经历。我们在从玻色子理论的框架下，在大哈伯德排斥的极限下，计算了获得绝缘态所需的填充物。我们还认为，这些莫特态是不稳定的一些临界层间耦合或长程库仑相互作用。
2002-10-25 cond-mat.str-el
Asymmetries in the electron-hole pair dynamics and strong Mott pseudogap effect in the phase diagram of cuprates
掺杂Mott系统中的电子行为仍然是量子多电子物理中未解决的主要问题。理解各种复杂系统中普遍的莫特行为的一个中心问题是理解它们的电子-空穴对激发模式的性质。使用高分辨率共振非弹性X射线散射（RIXS），我们解决了两个主要类别的掺杂铜氧化物的电子-空穴对激发的动量依赖性，揭示了一个莫特赝能隙在整个布里渊区和整个相图。对带宽和区域边界对速度重整在相图的两侧，在非常不同的速率，表明强烈的粒子空穴掺杂的不对称性观察的第一次。
2004-06-25 cond-mat.str-el
Mott transitions in the Periodic Anderson Model
本文在动力学平均场论的框架内研究了周期性安德森模型（PAM），特别着重于它所包含的相互作用驱动的Mott跃迁，以及由此产生的Mott-Hubbard型和电荷转移型莫特绝缘体。本文首先在一般的基础上，利用两个精确的结果，在包括金属相、Mott相、Kondo相和带绝缘体相的模型参数的全部范围内，推导出PAM相图的形式，然后证明了描述PAM在Mott相变附近的有效低能模型是一个单带哈伯德模型，其有效跳跃一般不只是最近邻的，但会随着距离呈指数衰减这种映射被证明有一系列的物理问题的影响，从相边界的单粒子动力学，所有这些都证实和补充NRG计算。最后，我们考虑了局域简并的非费米液体莫特绝缘体，这需要一个双自能描述。这是产生了一些确切的结果，相关的本地时刻，电荷，和相互作用重整水平，连同概括的Luttinger定理的莫特绝缘体。
2016-06-04 cond-mat.str-el
Cluster Dynamical Mean Field analysis of the Mott transition
我们研究莫特转变使用集团扩展的动力学平均场论（DMFT）。在没有挫折的情况下，我们没有发现有限温度莫特转变的证据。相反，在一个沮丧的模型中，我们观察到一个有限的温度莫特临界点与卡帕有机物的实验研究和单网站DMFT协议的签名。随着莫特转变的接近，一个明确的动量依赖的电子寿命的费米表面上的布里渊区的对角线方向上形成的冷区。此外，有效质量的变化不再等于准粒子残留的倒数，在DMFT，并减少接近莫特转变。
2003-08-27 cond-mat.str-el
The Mott metal-insulator transition in the 1D Hubbard model in an external magnetic field
研究了在外加磁场中一维哈伯德模型在Mott金属-绝缘体相变过程中的低能行为。特别是，我们计算任意哈伯德排斥和磁化数值和在某些限制情况下，分析的莫特过渡的临界点处的修饰电荷矩阵的元素。结合非微扰有效场论方法，揭示了时间反演对称性破缺对Mott跃迁的影响。
2008-01-08 cond-mat.str-el
Spin-$0$ Mott insulator to metal to spin-$1$ Mott insulator transition in the single-orbital Hubbard model on the decorated honeycomb lattice
利用旋转不变的从玻色子研究了装饰蜂窝晶格上单轨道哈伯德模型在三分之二填充时强电子关联和三角形内自旋交换的相互作用.我们发现当自旋- $1$莫特绝缘体、金属和自旋- $0$莫特绝缘体之间的自旋交换是反铁磁的时，自旋交换是调谐的.莫特绝缘体产生于有效的三角形内多轨道相互作用，并与孤立三角形的基态电连接。反铁磁自旋交换，如确定的古德诺-Kanamori规则，可以发生在配位聚合物从动力学交换通过配体。我们的特点的磁性在该政权的自旋三重态占主导地位。对于小的$U$，自旋$1$ Slater绝缘体在三角形之间出现反铁磁序。自旋$1$莫特绝缘体中的磁性由蜂窝晶格上的自旋$1$海森堡模型描述，其基态为Néel有序.
2021-08-05 cond-mat.str-el
Anderson localization effects near the Mott metal-insulator transition
在无序相互作用系统中，Mott和Anderson的局域化路线之间的相互作用产生了不同的跃迁和输运机制。本文采用动力学平均场论结合Mott-Anderson金属-绝缘体相变的有效理论--典型介质理论研究了有限温度下的相图。我们主要关注与Mott相变相关的共存区的性质。对于弱无序，共存区域被发现是在干净的情况下类似。然而，当我们增加无序安德森局域化效应是负责收缩的共存区域，并在足够强的无序（约等于两倍的裸带宽），它急剧变窄，临界温度突然变为零，我们观察到一个相变的金属和绝缘相共存的情况下。在这一制度中，相互作用和无序的影响被认为是相当重要的电荷本地化。
2015-09-24 cond-mat.str-el
Metal-Mott insulator interfaces
受一阶Mott跃迁中电子相分离的直接观察的启发，我们模拟了金属和莫特绝缘体之间的界面。我们展示了如何建模所需的平板几何形状和提取的电子光谱。我们构造了一个有效的朗道自由能，并计算了它的参数在相图上的变化。最后，使用密度和双占用的线性混合物，我们确定了一个自然的伊辛序参量，统一的带宽和填充控制的莫特过渡的治疗。
2016-06-03 cond-mat.str-el
Effects of disorder on the non-zero temperature Mott Transition
研究了弱无序条件下金属-绝缘体共存区非零温度Mott转变附近的物理性质。我们表明，无序降低了共存区域的温度范围和一般大小，与最近的几个莫特系统的实验一致。我们还讨论了定性的情况下，无序修改莫特过渡，并提出了简单的缩放参数，揭示了相似之处，和不同的，干净的限制。
2005-02-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Proximity effects in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
利用非均匀动力学平均场论研究了二维莫特绝缘体（MI）和拓扑绝缘体（TI）关联异质结构中的邻近效应。我们表明，TI的边缘状态诱导MI区域内的强重整化的中间间隙状态，仍然有剩余的螺旋能谱。界面隧穿$V$控制的低能电子的穿透大大增强了MI内部的电子质量，并且在强$V$区域中将边缘位置处的单个Dirac锥分裂成空间分离的两个Dirac锥。
2013-03-12 cond-mat.str-el
Floquet spin and spin-orbital Hamiltonians and doublon-holon generations in periodically driven Mott insulators
我们考虑周期性相干激光辐射驱动的莫特绝缘体，使用单轨道和多轨道模型，注意到后者是更感兴趣的固态系统。我们推导出一般表达式的周期性驱动自旋模型和自旋轨道模型使用含时微扰理论。首先，我们表明，有效的交换相互作用的Floquet哈密顿是高度可调的频率，振幅和偏振的激光。其次，我们考虑到有限带宽的激发的影响，并研究可能的热效应。使用相同的形式主义与轻微的修改，我们也考虑了小频率区和研究的莫特绝缘体的介电击穿。
2018-09-26 cond-mat.str-el
Magnetic Flux Tuning of Spin Chirality in Mott Insulators with Ring Exchanges
磁通量调谐的三自旋和四自旋环交换莫特绝缘体中的多体Aharonov-Bohm效应是操纵基态自旋手征的有效工具，如连续调谐幅度、切换突变甚至反转其符号.这种机制在准一维梯形和以三角形为基本格元的二维晶格中都得到了明确的证明。
2009-09-09 cond-mat.str-el
Field theories of paramagnetic Mott insulators
本文总结了作者最近发表的综述文章（cond-mat/0109419、cond-mat/0211005和cond-mat/0211027）中的一个中心论点。本文导出了具有共线自旋关联的顺磁莫特绝缘体中低能自旋单重态激发的有效场论。
2003-04-09 cond-mat.str-el
Hallmarks of the Mott-Metal Crossover in the Hole Doped J=1/2 Mott insulator Sr2IrO4
经过几十年的积极研究，掺杂莫特绝缘体的物理学仍然存在争议，阻碍了可能的竞争秩序和波动之间的相互作用。因此，人们非常希望将Mott-metal跨界车的内在特征与其他起源的特征区分开来。我们研究了空穴掺杂J=1/2莫特绝缘体Sr 2 IrO 4的电子结构和动力学演化。有效的空穴掺杂是通过用Rh原子取代Ir来实现的，化学势立即跳到或接近较低的哈伯德带的顶部。掺杂的铱酸盐表现出多种奇异的功能，以前观察到的掺杂铜酸盐-赝隙，费米“弧”，和边缘费米液体的电子散射率，尽管不同的机制，禁止电子双占用。我们认为，这些普遍的特点莫特金属交叉是不相关的预先形成的电子配对，量子临界性或密度波形成最常见的讨论。相反，短程反铁磁关联可能发挥不可或缺的作用。
2014-06-19 cond-mat.str-el
Mott transitions in two-orbital Hubbard systems
研究了双轨道Hubbard系统的Mott跃迁。应用动力学平均场论和自能泛函方法，讨论了巡游准粒子态在各带的稳定性。结果表明，单独的莫特转变发生在不同的库仑相互作用强度一般。另一方面，如果满足一些特殊的相互作用条件，自旋和轨道涨落在低温下同样增强，导致单一的Mott转变。在零温度和有限温度下得到的相图。我们还讨论了两个轨道之间的杂交的效果，诱导近藤样重费米子态的中间轨道选择莫特阶段。
2005-10-17 cond-mat.str-el
Effective classical correspondence of the Mott transition
在动力学平均场论的框架下，利用连续时间量子Monte Carlo的杂化展开，导出了描述半满单带哈伯德模型Mott跃迁的有效经典模型.我们发现了一个简单的两体相互作用的指数形式，并揭示了一个经典的对应的莫特过渡驱动的相互作用长度的几何发散。我们的工作为理解Mott物理提供了一个新的视角，并为扩展量子到经典映射在理解凝聚态物理中的应用提供了新的可能性
2020-02-11 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Effects of Strong Correlation and Randomness in the Vicinity of the Mott Transition in the Quasi-One-Dimensional Hubbard Model
我们研究了在Mott金属-绝缘体转变附近的强关联效应，使用耦合清洁或无序的Hubbard链，在垂直于链的方向上具有无限大的坐标数$D_{\perp}\to\infty$，并具有长程横向跳跃。利用一维哈伯德模型的精确结果，对强电子关联效应进行了部分非微扰处理。在清洁系统的情况下，热力学和传输量的特点莫特从费米液体状态，如比热系数，德鲁德重量，和压缩性，得到作为空穴掺杂$δ=1-n$（$n$，电子密度）的函数的横向跳跃范围$l_{\perp}$的倒数方面的系统扩展。我们发现这些量的$δ$依赖性表现出非普适行为，其指数依赖于电子-电子相互作用的强度。结果表明，在无序存在的情况下，动态电导率的频率依赖性服从Mott定律，这意味着在有限程相互作用下，$δ\to 0$可能存在{ \it Mott玻璃态}.
2000-07-11 cond-mat.str-el
Magnetic-Field-Induced Mott Transition in a Quasi-Two-Dimensional Organic Conductor
通过在温度、压力和磁场控制下的电阻测量，研究了磁场对准二维层状有机导体$κ$ -（BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Cl中Mott转变附近的高关联金属的影响.结果表明，Mott转变附近的边缘金属相是敏感的一级场致局域化转变，从理论上预测。本研究结果的热力学考虑给出了一个概念性的压力场相图的莫特转变在低温下。
2004-09-22 cond-mat.str-el
Mott Transition in the Two-Dimensional Flux Phase
研究了二维磁通相中电子-电子相互作用的影响。我们用量子蒙特卡罗方法处理了每个元胞具有一个磁通量$π$的半满哈伯德模型。当相互作用较小时，不存在反铁磁长程跃迁，电荷涨落也不同于莫特绝缘体的电荷涨落。这表明Mott相变发生在磁通相的有限相互作用强度下，这与标准哈伯德模型不同。
2001-05-16 cond-mat.str-el
Almost pure $J_{\mathrm{eff}} = 1/2$ Mott state of In$_2$Ir$_2$O$_7$ in the limit of reduced inter-site hopping
铱酸烧绿石In $_2$ Ir $_2$ O $_7$是一种强$J_{\mathrm{eff}} = 1/2$莫特绝缘体，具有受抑磁性。尽管三角晶场很大，但与其他烧绿石铱酸盐A $_2$ Ir $_2$ O $_7$（A：三价阳离子）相比，观察到$J_{\mathrm{eff}} = 1/2$带中$J_{\mathrm{eff}} = 3/2$组分的少量混合物和$J_{\mathrm{eff}} = 3/2$带的少量分裂。我们认为，减少之间的$J_{\mathrm{eff}} = 1/2$和$J_{\mathrm{eff}} = 3/2$流形的站点跳跃起着主导作用，在不同的行为中的In $_2$ Ir $_2$ O $_7$相比，其他A $_2$ Ir $_2$ O $_7$。在自旋-轨道纠缠$J_{\mathrm{eff}} = 1/2$莫特绝缘体的局域物理中，不应忽略格点间跳跃的影响。
2020-03-03 cond-mat.str-el
Disorder screening near the Mott-Anderson transition
在Mott-Anderson跃迁的典型介质动力学平均场论（TMT-DMFT）中研究了关联驱动的无序屏蔽。在强关联区，表征有效无序势的格位能ε_R^i由于近藤钉扎现象而被强重整化。当相互作用U强于无序W时，这种效应产生非常强的屏蔽，但只适用于相反极限（U<W）的一小部分位点。
2007-04-03 cond-mat.str-el
Spin-orbit coupling and electronic charge effects in Mott insulators
我们推导了自旋轨道耦合下单带莫特绝缘体强耦合极限的有效电荷和电流密度算符，并指出自旋轨道对有效电荷密度的贡献导致了多铁性行为的新机制.在某种意义上，这些机制是电子的对应物的离子为基础的机制，已被提出来解释的电极化的强度诱导的螺旋自旋有序。新的电子机制，说明考虑摆线和适当的螺旋磁有序的x-ray和kagome晶格。至于各向同性的情况下，几何挫折是至关重要的，以实现这种纯粹的电子之间的耦合自旋和电荷自由度。
2014-11-10 cond-mat.str-el
Topological Mott Insulators
我们考虑蜂窝晶格上具有排斥相互作用的扩展哈伯德模型以及从半填充的半金属相到Mott绝缘相的转变。特别地，由于第二近邻排斥相互作用的令人沮丧的性质，分别在无自旋和有自旋费米子模型中发现了显示量子霍尔效应和量子自旋霍尔效应的拓扑Mott相.我们提出的平均场相图，并考虑内的随机相位近似（RPA）的波动的影响。泛函重整化群分析也表明这些态比拓扑平凡的Mott绝缘态更有优势。
2007-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of Doublon-Holon Binding on Mott transition---Variational Monte Carlo Study of Two-Dimensional Bose Hubbard Models
为了理解无磁场影响下超流-绝缘体（Mott）相变的机制，采用变分Monte Carlo方法，在正方形和三角形晶格上研究了S=0玻色哈伯德模型在单位填充下的Mott相变.在试验多体波函数，我们引入了各种类型的吸引力之间的相关因子的双占据的网站（doublon，D）和一个空的网站（holon，H），这起着核心作用的莫特转变，除了现场排斥（Gutzwiller）的因素。通过优化距离相关参数，我们研究了这类波函数的各种性质。通过引入D-H结合长度$ξ_{\rm dh}$和最小D-D排斥长度$ξ_{\rm dd}$两个特征长度尺度，得到了一个改进的Mott跃迁图.通常，当$ξ_{\rm dh}$变得与$ξ_{\rm dd}$相当时，发生Mott转变。在导电（超流体）状态下，D-H对的区域彼此重叠（$ξ_{\rm dh}>ξ_{\rm dd}$）;因此，D和H可以通过连续交换伙伴作为密度载流子独立传播。相反，位间排斥Jastrow（D-D和H-H）因子对Mott转变的重要性很小。
2011-04-04 cond-mat.other cond-mat.str-el
Effects of Long-Range Correlations on Nonmagnetic Mott Transitions in Hubbard model on Square Lattice
本文用变分Monte Carlo方法研究了正方晶格上哈伯德模型的Mott跃迁机制，并没有明确地引入磁关联和超导关联。在试验波函数中，我们考虑了双占据位置（doublon，D）和空位置（holon，H）之间的各种类型的结合因子，如长程类型以及传统的最近邻类型，并添加独立的长程D-D（H-H）因子。研究发现，D-H结合因子的选择范围较宽时，在谱带宽度附近的临界值处发生Mott跃迁。我们通过引入两个特征长度尺度，即D-H结合长度l_{DH}和最小D-D距离l_{DD}，更新了Mott跃迁的D-H结合图，并对这两个尺度进行了适当的估计.莫特跃迁发生在l_{DH} = l_{DD}。在金属状态（l_{DH} > l_{DD}）中，D-H对的结构域彼此重叠，因此双链子和holon可以通过一个接一个地交换配偶体而独立移动。相比之下，D-D因子对Mott转变的贡献很小。
2011-04-01 cond-mat.str-el quant-ph
Mott Transition from a Spin Liquid to a Fermi Liquid in the Spin-Frustrated Organic Conductor kappa-(ET)2Cu2(CN)3
用$^1$ H NMR和电阻率测量研究了三角晶格自旋液体模型体系$κ$ -（ET）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$的压温相图.在压力下，自旋液相在莫特转变为金属或超导相之前是持久的。在Mott转变时，自旋涨落被迅速抑制，自旋-晶格弛豫速率和电阻率随温度的变化具有费米液体特征。相图中Mott边界的特征曲率反映了自旋阻挫对Mott相变的重要影响。
2005-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spectral properties and isotope effect in strongly interacting systems: Mott-Hubbard insulator and polaronic semiconductor
我们研究了两个强相互作用系统的电子光谱性质：一个Mott-Hubbard绝缘体与额外的电子玻色子相互作用，和一个极化子半导体。一个近似的统一框架开发的高能量部分的频谱，其中的电子移动的随机场之间的相互作用所确定的磁和玻色子波动。当所考虑的玻色子是晶格振动，由此产生的同位素效应的光谱特性是相似的，在这两种情况下，强烈的温度和能量依赖性，在定性协议与最近的光电子实验中的铜酸盐。
2005-06-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doublon-Holon Binding Effects on Mott Transitions in Two-Dimensional Bose Hubbard Model
本文用变分蒙特卡罗方法研究了正方晶格上玻色哈伯德模型的Mott跃迁机制。除了一个现场关联因子，我们引入四体doublon-holon因子的试验状态，这大大提高了变分能量，可以适当地描述超流绝缘体的转变。它的本质在于在有限的短程内，一个doublon与一个holon的结合（和非结合），与费米子的情况相同。这种转变的特征与Brinkman-Rice型转变的特征有质的不同。
2007-08-21 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Mott transition of fermionic atoms in a three-dimensional optical trap
本文从理论上研究了束缚在三维光晶格和谐波阱中的费米子原子系统的Mott金属-绝缘体跃迁。我们描述了一个非均匀系统的几千个网站使用适应的动态平均场论有效地解决了与数值重整化群方法。在原位相互作用的临界值以上，Mott绝缘相出现在系统中。我们调查签名的莫特阶段的密度分布和飞行时间的实验。
2008-03-28 cond-mat.other cond-mat.str-el
Mott Physics in Correlated Nanosystems: Localization-Delocalization Transition of Electrons by Exact Diagonalization Ab Initio Method
在精确对角化从头算（EDABI）方法中讨论所选纳米系统的电子态。特别是对初始Mott-Hubbard局域化效应及其相关性质进行了详细的分析。
2022-11-02 cond-mat.str-el physics.atm-clus
Spin Hall effect in a Doped Mott Insulator
在不涉及自旋-轨道耦合的强关联系统中，证明了守恒自旋霍尔流的存在。自旋霍尔电导率由本征体性质决定，即使在零温度下强磁场中电荷电阻率发散时，本征体性质也是有限的。在后一个极限状态对应于自旋霍尔绝缘体。这种系统是一个掺杂的莫特绝缘体的相弦论描述，自旋霍尔效应被预测共存的能斯特效应来表征的低温赝隙相的本征性质。在自旋电子学中的可能应用也被提及。
2005-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Energy-resolved spatial inhomogeneity of disordered Mott systems
我们研究了弱到中等无序对二维T=0 Mott金属-绝缘体相变的影响。我们的模型计算表明，接近费米能的电子态在临界区域变得更加空间均匀。值得注意的是，更高的能量状态显示出相反的行为：它们在Mott转变附近显示出增强的空间不均匀性。我们认为，这种能量分辨的无序屏蔽是无序莫特系统的一个通用属性。
2008-11-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mott transition and integrable lattice models in two dimensions
我们描述了二维莫特过渡的Hubbard模型与最近的邻居相互作用的基础上最近的解决方案Zamolodchikov四面体方程，扩展的概念，可积性的二维晶格系统。在Mott转变时，我们发现系统处于一个d密度波或交错通量相，可以用对称性为\su 2 \otimes \su 2的双Chern Simons有效理论来描述. Mott转变具有拓扑性质，其特征是反铁磁阵列中出现的涡旋与电荷强烈相互作用，并具有电磁对偶性。我们还考虑了小掺杂对这个理论的影响，并表明它导致了量子气液共存相，这属于伊辛普适性类，这是符合几个实验观察。
2008-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Rashba-metal to Mott-insulator transition
最近发现的具有强Rashba自旋轨道耦合（RSOC）和强电子相关性的材料提出了关于Mott和Rashba物理学相互作用的问题。在这项工作中，我们采用集团微扰理论的二维哈伯德模型的光谱性质的存在下，一个显着的或大的RSOC。我们发现，RSOC强烈倾向于金属相和竞争与莫特本地化，导致一个非常规的情况下莫特过渡，这不再是由哈伯德$U$和有效带宽之间的比率控制。结果表明，RSOC的值有很强的敏感性。
2020-06-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic Field-Induced Lattice Effects in a Quasi-2D Organic Conductor Close to the Mott Metal-Insulator Transition
本文采用超高分辨电子显微术研究了准二维有机导体$κ$ -（D8-BEDT-TTF）$_{2}$ Cu[N（CN）$_{2}$ ]Br的Mott金属-绝缘体（MI）相变.所获得的热膨胀系数$α(T)$揭示了两个显著特征：（i）Mott MI转变温度$T_{MI}$ =（13.6 $\pm$ 0.6）K对最高10 T的磁场不敏感;（ii）对于沿层间\emph{b}轴的场，在$T_{FI}$ =（9.5 $\pm$ 0.5）\，在阈值场$H_c \sim$ 1 T以上观察到K，表明具有强磁弹性耦合的自旋重取向。
2012-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic Quantum Spin Hall Effect, Spin-Orbital Textures and Mott Transition
我们研究了拓扑效应和莫特物理之间的相互作用，在两个维度上的石墨烯类晶格，通过紧束缚模型包含一个各向异性的自旋轨道耦合的次近邻链接和哈伯德相互作用。我们彻底分析了由此产生的阶段，即拓扑带绝缘体阶段或各向异性量子自旋霍尔阶段，直到适度的相互作用，在大的相互作用在莫特制度的Néel和螺旋阶段，以及在莫特过渡形成的自旋轨道纹理的散装。通过自旋波分析和数学论证，分析了大相互作用下的突现磁序。在弱相互作用下，通过类比凯恩-梅勒模型，系统通过Z_2拓扑不变量来描述。此外，我们描述了如何各向异性的自旋轨道耦合已经产生了一个奇异的自旋纹理的边缘。莫特转变的物理过程用U（1）从转子理论描述。考虑到规范波动周围的平均场鞍点的解决方案，我们展示了如何自旋纹理现在扩散到大块以上的莫特临界点。后者来自于自旋子在单极子插入下的响应，并且随着自旋轨道耦合变得普遍，这变得更加明显。我们讨论的影响，我们的预测薄膜的铱酸盐化合物Na 2 IrO 3和石墨烯类系统。
2013-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
On Effective Holographic Mott Insulators
我们提出了一类全息模型，有效地表现为原型的莫特绝缘体，材料的电子-电子相互作用占主导地位的运输现象。引力对偶中的主要成分是规范场动力学通过一种特殊类型的非线性电动力学包含自相互作用。这些模型中的电学响应表现出典型的Mott态特征：i）低温直流电导率无限低; ii）通过改变各种参数出现金属-绝缘体转变; iii）对于足够大的自相互作用强度，电导率甚至可以随着掺杂的增加而降低（载流子密度），这似乎是一个尖锐的表现“交通堵塞”一样的行为;四）绝缘状态变得非常不稳定，在足够大的掺杂超导性。我们展示了由此产生的绝缘体-超导体转变的一些特性，这些特性以特定的方式对无序的量敏感。这些模型意味着莫特行为和显着的非线性电响应的影响之间的明确和通用的相关性。我们在我们的模型中计算了非线性的电流-电压曲线，发现确实在大电压下电导率大大降低。
2016-04-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con hep-th
