The Mott-Anderson transition in the disordered one-dimensional Hubbard model
利用密度矩阵重整化群研究了具有在位势无序的半满一维费米子哈伯德模型的量子跃迁。我们发现了一个过渡带隙的莫特阶段与代数自旋相关的一个无隙的自旋无序相超过了临界强度的障碍$Δ_c \approx U/2$。电荷扇区和自旋扇区的跃迁都是重合的。我们还建立了有限尺寸修正的电荷间隙和自旋-自旋相关长度在无序的存在下，并使用有限尺寸标度分析，我们得到的零温度相图的各种量子相变发生在无序相互作用平面。
1997-04-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Absence of a direct metal to Mott insulator transition for disordered interacting fermions on the Cayley tree
针对无序相互作用费米子体系缺乏精确研究工具的问题，本研究用统计动力学平均场理论分析Cayley树上的Hubbard模型，发现金属态与Mott绝缘态间始终存在Anderson局域过渡区，与脏玻色子体系的相行为相似。
2023-12-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Anderson localization vs. Mott-Hubbard metal-insulator transition in disordered, interacting lattice fermion systems
本文综述了无序条件下强关联费米子系统的理论研究进展。结果得到了一个强大的非微扰的方法，动力学平均场论（DMFT），相互作用无序晶格费米子的应用。特别是，我们证明了DMFT结合几何平均超过无序可以捕获安德森局域化和莫特绝缘相的水平上的单粒子关联函数。结果的Anderson-哈伯德模型在半填充的基态相图，无论是在顺磁相和反铁磁秩序的存在下。我们发现了一种新的反铁磁金属，它是由无序稳定的。讨论了超冷费米子在光晶格中实现这些量子相位的可能性。
2010-07-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Simple parametrization for the ground-state energy of the infinite Hubbard chain incorporating Mott physics, spin-dependent phenomena and spatial inhomogeneity
给出了一维排斥哈伯德模型的基态能量的简单解析参数化表达式。的电荷依赖性的能量是参数化的使用从Bethe-Anglands提取的精确结果。所得到的参数化被证明是在更好的协议与高精度的数据从完全数值解的Bethe-Angloman方程比以前的表达式[利马等人，物理修订信函90，146402（2003）]。与这些早期的建议，本参数化正确地预测一个积极的莫特间隙在任何U>0的一半填充。该结构扩展到自旋相关的现象参数化的磁化依赖的基态能量使用进一步的精确结果和数值基准。最后，为空间均匀模型开发的参数化通过简单的局部密度型近似扩展到空间非均匀模型，例如，在存在杂质、外部场或俘获电势的情况下。结果表明，在良好的协议与独立的多体计算，在一小部分的计算成本。
2012-06-20 cond-mat.str-el
Emergence of nanoscale inhomogeneity in the superconducting state of a homogeneously disordered conventional superconductor, NbN
非均匀超导态自发形成的概念是大多数试图理解强无序超导态的理论的核心。利用扫描隧道谱和高分辨率扫描透射电子显微镜，我们的实验表明，在强均匀无序和超导关联的竞争作用下，传统的超导体，NbN的超导态，自发地分离到域。跟踪这些域作为温度的函数，我们观察到，超导域持续跨越体超导转变，Tc，并消失接近赝能隙温度，T*，超导相关的签名从隧道谱和超流响应的系统消失。
2013-08-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Three-dimensional dynamics of a fermionic Mott wedding-cake in clean and disordered optical lattices
非平衡量子现象在自然界中普遍存在。然而，对多体量子系统的实时动力学的理论预测仍然具有巨大的挑战性，特别是对于高维，强相互作用或无序样品。在这里，我们考虑一个值得注意的强关联费米系统的范例，莫特阶段的哈伯德模型，在一个类似于超冷气体实验的设置。我们研究了去除束缚势后，云的三维膨胀为光晶格的过程。我们使用含时的密度泛函理论结合动力学平均场论，考虑以下和以上的Mott阈值的相互作用，以及无序效应。在强耦合，我们观察到多个时间尺度的莫特婚礼蛋糕结构的熔化，莫特高原持续的数量级长于带绝缘芯。我们还表明，无序不稳定的莫特高原，相比一个干净的设置，本地化可以减少，在扩展过程中创建一个有趣的动态交叉。
2013-08-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Mechanism of hopping transport in disordered Mott insulators
通过使用详细的实验研究和简单的理论论证相结合，我们确定了一种新的机制，其特征在于在莫特绝缘相的Ca $_{2-x}$ Sr $_x$ RuO $_4$附近的金属-绝缘体转变的跳跃输运。跳变指数$α$显示了从绝缘体中更深处的$α=1/2$值到更接近过渡的常规Mott值$α=1/3$的系统演化。这种行为，我们认为是一个普遍的特点，无序莫特系统接近金属-绝缘体过渡，反映了逐渐出现的无序诱导的局部电子状态填充莫特-哈伯德间隙。
2004-08-11 cond-mat.str-el
Disordered Quantum Solids
由于一维系统的特殊非费米液体，无序具有特别强的影响。我们表明，这样的系统属于更一般的类无序量子固体。我们讨论了这种无序的相互作用系统的物理和方法，允许治疗它们。此外，现在标准的重整化群方法，我们解释了如何一个简单的变分方法允许处理这些问题，即使在情况下，当RG失败。我们讨论了这种无序量子固体在一维和更高维（维格纳晶体，玻色玻璃）的各种物理实现。我们详细研究了一个有趣的例子无序莫特绝缘体，并认为，中间无序可以导致一个新的阶段，莫特玻璃，莫特和安德森绝缘体之间的中间。
2000-05-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Mott Insulators, Spin Liquids and Quantum Disordered Superconductivity
这些介绍性的课堂讲稿描述了最近的新莫特绝缘相的结果，这些绝缘相是超导体的“后代”-通过“量子无序”获得的。在简要概述了量子磁学之后，重点讨论了两条腿的哈伯德阶梯的自旋液相和“节点液体”-$d_{x^2-y^2}$超导体的后代。这些说明将在未来的Les Houches出版物中出现，它们是独立的，并已作出努力使其能够查阅。
1998-12-11 cond-mat.str-el
A microspectroscopic study of the electronic homogeneity of ordered and disordered Sr2FeMoO6
除了在无序Sr 2FeMoO 6的饱和磁化强度的急剧减少相比，高度有序的样品，磁化强度作为温度的函数，为不同的无序样品也可以表现出质的不同的行为。我们通过对各种无序样品进行空间分辨光电子能谱来研究这种多样性的起源。我们的研究结果表明，广泛的电子不均匀性，所产生的最有可能从一个潜在的化学不均匀性在无序的样品是负责所观察到的磁不均匀性。进一步指出，这些不均匀性与Sr_2Fe_（1 + x）Mo_（1-x）O_6型的富Fe（x>0）和富Mo（x<0）区的成分波动有关。
2006-03-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Anderson-Mott Transition Driven by Spin Disorder: Spin Glass Transition and Magnetotransport in Amorphous GdSi
由自旋无序驱动的零温Anderson-Mott转变可以通过施加磁场来“调谐”，以实现巨大的磁导。通常这是不可能的，因为自旋无序本身不能定位高密度电子系统。然而，强结构无序的存在可以实现这种情况，自洽地产生无序的磁性基态。我们探索这样一个模型，构建理解非晶GdSi，并突出出现的自旋玻璃相，安德森-莫特签名的运输和隧道光谱，和不寻常的磁光电导率。我们解决了一个无序的强耦合费米子自旋晶格问题，基本上完全有限的系统，并占所有的定性特征，在磁性，运输，在这个系统中的光谱。
2003-05-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Effects of Temperature and Magnetization on the Mott-Anderson Physics in one-dimensional Disordered Systems
通过密度泛函理论计算得到的线性熵量化的平均单点纠缠，研究了相互作用无序一维链中的Mott-Anderson物理.我们表明，所需的最小无序强度的所谓的充分安德森局域化$-$的特点是由实空间本地化对$-$强烈依赖于相互作用制度。本地化的程度被发现是内在相关的相关性和无序势之间的相互作用。在磁化系统中，完全安德森局域化的最小纠缠特性被分成两部分，每个自旋种类一个。我们发现，虽然所有类型的本地化最终消失，随着温度的升高，完整的安德森局域化持续更高的温度比莫特本地化。
2022-05-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.quant-gas
Inhomogeneous d-wave superconducting state of a doped Mott insulator
最近的扫描隧道显微镜（STM）测量发现了高Tc超导体BSCCO中显著的电子不均匀性，即局域态密度（LDOS）和超导能隙的纳米尺度空间变化。根据实验结果，我们认为这种不均匀性是由局部氧掺杂水平的变化引起的，可能是掺杂莫特绝缘体的共性，它在与短相干长度相当的原子尺度上表现出非常规的掺杂离子势屏蔽。在这里，我们为这一图景提供了理论支持。我们研究了掺杂的莫特绝缘体内的一个广义的t-J模型，其中掺杂伴随着离子库仑电位集中在BiO平面。我们计算了LDOS谱、积分LDOS和局域超导能隙，并与实验进行了详细的比较，发现与实验数据非常吻合。我们强调了非常规的屏蔽在掺杂莫特绝缘体和非线性屏蔽占主导地位，在纳米尺度上，这是起源的电子不均匀性。它导致局部空穴密度的强不均匀再分布，并促进局部掺杂浓度的概念。我们发现，非均匀性结构体现在所有的能量尺度的STM隧道微分电导，并阐明的相似性和差异之间的数据在恒定的隧道电流模式和相同的数据归一化，以反映恒定的针尖到样品的距离。我们还讨论了欠掺杂的情况下，非线性屏蔽的离子势变成一个discreative混合物的补丁与较小的配对间隙嵌入在一个背景下，具有较大的差距，单粒子激发的空间电子结构。
2002-01-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The two-dimensional disordered Mott metal-insulator transition
我们研究了无序情况下Mott金属-绝缘体转变的几个方面。我们的分析所基于的模型是无序的哈伯德模型，这是能够捕获莫特金属-绝缘体转变的最简单的模型。我们通过统计动态平均场论（statDMFT）研究了该模型.该理论是动态平均场论（DMFT）的自然延伸，在过去几年中，DMFT已被相对成功地用于描述干净情况下的Mott转变。与后一种理论的情况一样，statDMFT仅在其局部表现形式中包含电子相关效应。另一方面，疾病的治疗方法是结合安德森局域化效应。利用这种方法，我们分析了无序的二维Mott跃迁，用量子蒙特卡罗方法解决了相关的单杂质问题。我们发现了亚稳线，金属和绝缘体在亚稳线处停止。我们还研究了局部量的空间波动，如自能和局部格林函数，并显示了绝缘体内金属区域的外观，反之亦然。我们进行了有限尺寸效应的分析，并表明，在协议与定理的Imry和马，一阶过渡涂抹在热力学极限。我们分析了输运性质的映射到一个随机的经典电阻网络，并计算了平均电流及其分布在金属-绝缘体过渡。
2020-06-05 cond-mat.str-el
Bose-glass, superfluid, and rung-Mott phases of hard-core bosons in disordered two-leg ladders
利用Monte Carlo方法，研究了无序对具有链内（$t$）和链间（$t^\prime$）跳跃的两条腿阶梯中硬核玻色子系统的作用.我们发现，作为玻色子密度，无序强度和$t^\prime/t$的函数的相图是远远不是平凡的。这与无自旋费米子的情况形成对比，在这种情况下，标准的局域化参数适用，安德森局域化相位遍布整个相图。可压缩玻色玻璃相总是侵入每个位置零（或一）玻色子的莫特绝缘体和稳定为弱无序的超流体之间。在半填充时，在（有间隙的）横档-莫特绝缘体和玻色玻璃之间存在直接转变，这是由无序被抑制的指数罕见区域驱动的。最后，通过掺杂的横档-莫特绝缘体，一个直接过渡到超流体是可能的，只有在干净的系统，而莫特相总是包围的玻色玻璃时，无序存在。根据我们的数值证据的相图最后报告。
2011-02-16 cond-mat.str-el
Room temperature Mott transistor based on resistive switching in disordered V2O3 films grown on Si
该研究在室温下利用无序V2O3薄膜的电阻开关效应，实现了约900%的巨电阻变化，并制造了通道开关比约15的Mott晶体管，揭示了Mott转变机制。
2024-07-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spatial inhomogeneity and the metal-insulator transition in Ca$_3$(Ru$_{1-x}$Ti$_x$)$_2$O$_7$
通过化学掺杂将原始莫特绝缘体转变为关联金属是强关联材料物理学中的常见过程，例如，作为高$T_c$铜酸盐现象的基础。双金属酸盐双层化合物Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$是相反情况的突出实例，即化学计量的相关金属通过Ti掺杂实现到绝缘状态的转变。在这里，我们调查这个令人困惑的金属-绝缘体转变（MIT）的第一性原理多体理论和阐明具有挑战性的相互作用之间的电子关联和对称性破缺的Ru亚晶格。虽然对Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$晶体结构的平均效应仍然是相关的，但MIT的关键是电子相关性与缺陷区域中的空间不均匀性的合作。它们共同导致了选址莫特临界性和竞争轨道排序倾向的出现。
2020-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum disordered phase near the Mott transition in the staggered-flux Hubbard model on a square lattice
研究了正方晶格上半满交错流哈伯德模型的基态性质。利用约束路径量子Monte Carlo方法计算了电荷和自旋激发能隙、磁序和二聚体序随相互作用强度$U/t$的变化.发现该体系在$U/t\lesssim 5.6$处为半金属，在$U/t \gtrsim 6.6$处为长程反铁磁有序的莫特绝缘体.在范围$5.6\lesssim U/t\lesssim 6.6$，基态是一个相关的绝缘体，其中磁性和二聚体的订单是缺席。此外，在中间相的自旋激发似乎是无带隙的，和测量的自旋-自旋关联函数表现出幂律衰减行为。这些数据表明，非磁性的基态是一个可能的候选人为假定的代数自旋液体。
2012-04-17 cond-mat.str-el
Electron-Doped Sr2IrO4-delta (0 <= delta <= 0.04): Evolution of a Disordered Jeff = 1/2 Mott Insulator into an Exotic Metallic State
化学计量比的Sr 2 IrO 4是由强自旋轨道耦合驱动的铁磁Jeff = 1/2莫特绝缘体。在δ < 0.04的Sr 2 IrO 4-δ单晶中引入非常稀的氧空位，导致晶格参数的显著变化，并在TMI = 105 K时发生绝缘体-金属转变。δ ~ 0.04的低温金属态的高度各向异性电阻率表现出异常的特性，其特征在于非欧姆行为和在T* = 52 K时电阻率的突然电流诱导转变，这将非线性I-V特性中的电阻切换分为两个区域。这种新颖的行为说明了一种奇特的基态，并构成了一种新的范例，其中电阻率通过低水平电流密度~ 10 mA/cm 2（与较高的自旋扭矩电流~ 107-108 A/cm 2相比）或磁感应~ 0.1-1.0 T来操纵。
2010-08-27 cond-mat.str-el
Charge dynamics in magnetically disordered Mott insulators
借助于半解析和数值精确方法，我们研究了由哈伯德模型导出的一维和二维$t$ - $J$模型在大相互作用$U$和小交换耦合$J$的极限下半填充附近的电荷动力学.自旋自由度被认为是无序的。因此，我们考虑极限$0 < J \ll T \ll W$，其中$W$是带宽。我们专注于评估一个单一的空穴激发的光谱密度和电荷间隙分离的上部和下部的哈伯德带。其中一个关键发现是哈伯德带没有尖锐边缘的证据，而是出现了高斯尾。
2021-04-20 cond-mat.str-el quant-ph
Strong-coupling perturbative study of the disordered Hubbard model on honeycomb lattice
研究了蜂窝晶格上的Anderson无序哈伯德模型。Hubbard项是用强耦合微扰理论处理的，它把Mott跃迁物理编码成一个丰富的局域自能动力学结构。自能的局部性质允许我们将其与核多项式方法和传递矩阵方法相结合。自能的局部性与强耦合微扰理论的分析性质相结合，使我们能够研究具有数百万个位置的晶格。带状几何形状中的传递矩阵方法基本上不受有限尺寸误差的影响，并且允许我们对带状的宽度进行仔细的有限尺寸标度。这种有限尺寸标度使我们能够排除Mott和Anderson绝缘相之间存在金属相的可能性。因此，当无序强度W与Hubbard相互作用U相当时，我们发现Anderson绝缘体和莫特绝缘体之间存在直接跃迁。对于一个固定的无序W，我们得到了一个相互作用相关的非单调行为的局域化长度，反映了相互作用诱导的增强的局域化长度为弱和中等的相互作用强度。最终在强相互作用U处，Mott局域化接管并且局域化长度变得与晶格尺度相当。这让人想起莫特态的全息测定，其中系统在IR处识别其UV晶格标度。
2018-06-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain engineering and one-dimensional organization of metal-insulator domains in single-crystal VO2 beams
在强关联电子材料中广泛观察到纳米到微米尺度的空间相位不均匀性。对于相变物理和器件应用来说，人工控制相变不均匀性的潜在机制和可能性仍然是至关重要的开放问题。晶格应变已被证明会导致莫特绝缘体VO2中金属相和绝缘相的共存。通过在单晶VO2微米和纳米梁的宽范围内连续调谐应变，在这里，我们展示了一维有序的金属-绝缘体畴阵列沿梁的成核和操纵。通过主动控制应变，在室温下实现了Mott转变。利用应变设计相不均匀性的能力使人们对相关电子材料有了更深入的了解，并为设计和控制用于微米和纳米级器件应用的相关电子材料的相不均匀性提供了机会。
2009-07-27 cond-mat.str-el
Universal quantum criticality at the Mott-Anderson transition
我们提出了一个描述有限配位Bethe晶格上Mott-Anderson跃迁的微观模型的大N解。我们的结果表明，强烈的空间涨落，由于安德森局域化效应，显着修改附近的无序莫特跃迁的量子临界行为。准粒子波函数的主要临界行为表现为在从弱到强无序的全范围内呈现出普遍的形式，与无序驱动的非费米液体（“电子格里菲思相”）行为相反，这种行为只在强相关区域中发现。
2013-01-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Using entanglement to discern phases in the disordered one-dimensional Bose-Hubbard model
我们对无序一维玻色-哈伯德模型的相进行了基于矩阵乘积态的密度矩阵重整化群分析。对于粒子密度N/L = 1，1/2和2，我们表明，它是可能的，以获得一个完整的相图只使用纠缠特性，来“免费”时，执行更新。我们确认的莫特绝缘，超流体和玻色玻璃相的存在下，当N/L = 1和1/2（无莫特绝缘体），如在以前的研究中发现的。对于N/L = 2的系统，我们发现了一个双瓣的超流相，并有可能重入。
2015-08-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el physics.comp-ph
A correlated Anderson insulator on the honeycomb lattice
研究了半满排斥哈伯德模型中无序对半金属-莫特绝缘体相变的影响。使用量子蒙特卡罗方法，我们表征各种阶段的批量限制反铁磁（AF）的序参量，压缩性，和温度依赖的直流电导率。在干净的限制，我们的数据是一致的，与以前的结果显示一个单一的量子临界点分离的半金属和AF莫特绝缘相。随着随机性的存在，出现非磁性无序绝缘相。在这种无序的绝缘体相内，存在从无间隙的类安德森绝缘体到有间隙的类莫特绝缘体的交叉。
2016-10-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Criticality and Mott-glass phase in a disordered 2D quantum spin systems
利用量子蒙特卡罗模拟研究了正方晶格上具有三种不同最近邻相互作用J1<=J2<=J3的无序S=1/2海森堡量子自旋模型.我们考虑的制度，其中J1代表弱键，和J2和J3对应于两种较强的债券（二聚体），这是随机分布的列形成耦合2-腿梯。当平均二聚体内耦合（J2+J3）/2增加时，系统经历了从基态的Neel到量子玻璃化转变，随后又经历了第二次到量子顺磁体的转变。量子玻璃相是无间隙的莫特玻璃类型（即，在玻色子语言中，它在温度T = 0时是不可压缩的），并且我们发现均匀磁化率的温度依赖性遵循拉伸指数形式x~exp（-b/T^α），其中0在Neel玻璃化转变，我们观察到标准的O（3）临界指数，这意味着在这个系统中违反了Harris准则的相关性的障碍。
2014-07-04 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Mean field theory of the Mott-Anderson transition
我们提出了一个无序相互作用的电子，可以描述莫特和安德森过渡的零无序和零相互作用的各自限制的理论。我们用它来研究T=0 Mott-Anderson跃迁在一个固定的电子密度，随着无序强度的增加。令人惊讶的是，我们发现两个临界值的无序W_{nfl}和W_c。当W > W_{nfl}时，系统进入"Griffiths“相，表现出金属非费米液体行为。在更强的无序下，W=W_c > W_{nfl}，系统经历金属绝缘体转变，其特征是典型态密度和典型准粒子重量都线性消失。
1997-06-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Ground-state properties of the disordered Hubbard model in two dimensions
利用一个可以在Anderson绝缘体和莫特绝缘体之间插值的变分波函数，研究了二维哈伯德模型中电子关联和无序之间的相互作用.我们给我们的改进变分状态的详细描述，并解释如何的安德森-莫特过渡的物理可以推断出从等时间的相关函数，这可以很容易地计算内的变分蒙特卡罗方案。计算了顺磁区和磁区的基态相图。而在前一个直接的二阶Anderson-Mott过渡，当磁性允许变分，我们发现的证据形成的本地磁矩，顺序之前的Mott过渡。虽然本地化长度增加之前的莫特转变，我们没有证据表明一个真正的金属相的稳定。一个令人沮丧的次近邻跳$t^\prime$的效果也进行了详细研究。特别是，我们表明，$t^\prime$有两个主要的影响。第一个是磁性安德森绝缘体的稳定区域变窄，也导致一级磁转变。令人沮丧的跳跃项的第二个也是最重要的影响是在强耦合下发展“玻璃”相，其中许多具有无序局部矩的顺磁态可能会稳定下来。
2010-02-08 cond-mat.str-el
Observation of Mott Transition in VO_2 Based Transistors
在VO_2（强关联材料）中，通过引入约0.018%的空穴进入导带，首次观察到在库仑能U/U_c=1附近的Mott金属-绝缘体突变，而不是连续的Hubbard金属-绝缘体突变.结果，观察到费米面上态密度的不连续跳跃，不均匀性不可避免地发生。晶体管中的栅效应清楚地证明了突变MIT是由空穴激发引起的。
2003-08-04 cond-mat.str-el
Anderson-Mott transition in a disordered Hubbard model with correlated hopping
研究了一维半填充关联跳跃Anderson-哈伯德模型的基态相图。哈密顿量具有局部库仑排斥$U$和无序势，其局部能量以等概率随机分布在间隔$(-W,+W)$中，作用于单占据位点。禁止修改双占用站点数量的跳变过程。最近邻单占据和空位置之间或单占据和双占据位置之间的跳跃具有相同的幅度$t$。我们确定了三个不同的阶段作为无序振幅$W$和库仑相互作用强度$U>0$的函数。当$U<4t$时，系统显示金属相（i）只有当没有无序存在时才显示$W=0$，或者当引入无序时显示安德森定域相（ii）$W\neq 0$。当$U>4t$安德森本地化阶段生存，只要无序效应占主导地位的相互作用的影响，否则莫特绝缘体阶段（iii）出现。相（i）和（ii）的特征在于有限密度的双光子和基态和激发态之间的消失的电荷间隙。相（iii）的特点是消失的密度的doublons和有限的间隙的电荷激发。
2017-06-25 cond-mat.str-el
The quasi-particle gap in a disordered boson Hubbard model in two dimensions
研究了在公度填充下二维无序玻色子哈伯德模型中准粒子能隙在量子相变附近的行为。通过蒙特卡罗模拟的合奏与固定数量的粒子，我们观察到的行为的间隙作为一个函数的调谐参数的各种强度的对角无序。对于弱无序，我们发现，有间隙的莫特绝缘相是持续的过渡点，只在超流中消失，强烈支持直接莫特绝缘体超流转变。玻色玻璃行为，绝缘与消失的间隙，只有在无序的强度大于一个临界值时才出现。
2005-11-23 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard Transition and Anderson Localization: Generalized Dynamical Mean-Field Theory Approach
在广义动力学平均场论（DMFT+ NFT近似）下，分析了强关联强无序顺磁哈伯德模型的态密度、动态（光）电导率和相图.强相关性占DMFT，而无序考虑到通过适当的推广自洽理论的本地化。利用数值重整化群（NRG）方法求解三维半椭圆态密度系统的DMFT有效单杂质问题。通过态密度和动态电导率的演化确定了相关金属、莫特绝缘体和相关Anderson绝缘体相，证明了Mott-Hubbard和Anderson金属-绝缘体相变，并构造了完整的Anderson-哈伯德模型零温相图.相当不寻常的是无序诱导莫特绝缘体向金属转变的可能性。
2007-06-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Chiral Pseudogap Metal Emerging from a Disordered van der Waals Mott Insulator 1T-TaS2-xSex
本文利用 ARPES 研究 1T-TaS2-xSex，发现 Se 取代在保持 CDW 序的同时诱导出具有手性谱不对称性的赝能隙金属相，并将其归因于无序 Mott 绝缘体。
2025-03-15 cond-mat.str-el
Electronic Griffiths phase of the d=2 Mott transition
我们调查的影响T=0 Brinkman-Rice（BR）的莫特金属-绝缘体转变（MIT）的情况下，在二维（2D）的无序。对于足够弱的无序过渡保留莫特字符，作为信号的消失的本地准粒子（QP）的权重Z_{i}和强无序筛选临界。与高维情况相比，在临界区域，QP参数的局部空间涨落被强烈增强，分布函数为P（Z）~ Z^{α-1}，α在跃迁处趋于零.这种行为表明，在MIT之前，电子格里菲斯阶段的出现是一个强大的出现，令人惊讶地让人想起无序量子磁体的“无限随机不动点”场景。
2009-05-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Thermally assisted ordering in Mott insulators
Ginzburg-Landau理论将相变描述为能量和熵之间的竞争：有序相具有较低的能量，而无序相具有较大的熵。当加热系统时，有序性熵降低，直到它在临界温度消失。这个建立的图像隐含地假设有序相和无序相之间的能量差不随温度变化。我们发现，莫特绝缘体KCuF 3的这一假设是强烈违反：热膨胀大力稳定的轨道有序相的程度，没有观察到相变。这一新机制不仅解释了KCuF 3中没有相变的现象，而且还表明了在封闭壳层系统中存在反向相变的可能性，其中有序相仅在高温下出现。
2016-11-16 cond-mat.str-el
Quantum-disordered state of magnetic and electric dipoles in a hydrogen-bonded Mott system
强烈增强的量子涨落常常导致丰富多样的量子无序态。一个典型的例子是液氦，其中氦原子的零点振动防止其在低温下凝固。电子内部自由度也有类似的行为。其中最突出的是量子自旋液体（QSL），其中局域自旋高度相关，但即使在绝对零度也会波动。最近，耦合的自旋与其他自由度已被提出作为一种创新的方法，以产生更迷人的QSL，如轨道-自旋液体。然而，这些想法仅限于电子的内部自由度。在这里，我们表明，耦合的本地化自旋与零点运动的氢原子（质子波动）在氢键有机莫特绝缘体提供了一类新的量子阱。我们发现，量子质子涨落抑制了向氢键有序方向发散的介电行为，从而产生了量子顺电（QPE）态。此外，我们的热输运测量表明，一个QSL状态与无带隙自旋激发迅速出现后进入QPE状态。这些结果表明，量子质子涨落引起了一个新的QSL -一个量子无序状态的磁和电偶极子-通过电子和质子之间的自由度耦合。
2017-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The Effect of Randomness on the Mott State
利用瞬子和重整化群方法重新研究了一维无序费米子系统中Mott和Anderson绝缘子态之间的竞争.追溯到一个消失的扭结能量的电子位移场的可压缩性和交流导电性，我们没有发现任何迹象表明存在一个中间（莫特玻璃）相。
2007-01-05 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard transition and spin-liquid state on the pyrochlore lattice
烧绿石晶格涉及角共享四面体和由此产生的几何挫折被认为是抑制任何反铁磁秩序的莫特绝缘体在此结构上。然而，在Mott-Hubbard绝缘体-金属转变附近，短程相关性可能是至关重要的。我们使用一个静态的基于场的蒙特卡罗研究这个问题在现实空间中合理的大格子。该方法在零温度下简化为不受限制的Hartree-Fock，但在有限温度下捕获关键的磁波动。我们的研究结果表明，增加相互作用驱动器的非磁性（半）金属的“自旋无序”的金属与小的局部时刻，在一些关键的耦合，然后，通过一个小的赝能隙窗口，到一个大的时刻，缺口，莫特绝缘相在一个较大的耦合。自旋无序金属具有有限的剩余电阻率，其随相互作用强度而增长，在上耦合处发散。我们提出的电阻率，光学电导率，和态密度跨越金属-绝缘体过渡和不同的温度。这些结果为在烧绿石铱酸盐和铱酸盐中更复杂的莫特转变的情况奠定了基础。
2016-10-14 cond-mat.str-el
From the Fermi glass towards the Mott insulator in one dimension: Delocalization and strongly enhanced persistent currents
当无序介观环中的无自旋费米子系统在由随机势驱动的非均匀位形（Anderson绝缘体）和由排斥相互作用驱动的均匀位形（莫特绝缘体）之间变得不稳定时，持续电流可以增加几个数量级。这一点可以用密度矩阵重整化群算法研究扭曲边界条件下基态能量的变化来说明。
1998-04-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Doped Mott insulator on Penrose tiling
我们研究了载流子掺杂对莫特绝缘体的彭罗斯镶嵌效应的影响，旨在阐明准周期性和强电子关联之间的相互作用。我们在实空间动力学平均场论中数值求解了Penrose-tiling结构上的哈伯德模型，该理论可以处理描述莫特绝缘体和空间不均匀性所必需的奇异自能。我们发现，强关联效应产生的电荷分布无法达到的静态平均场近似。在一个小的掺杂区域，光谱显示出一个位置依赖的间隙正好高于费米能，这是由一个奇异的大的自能从莫特物理涌现，并被视为一个真实的空间对应的动量依赖的赝能隙中观察到的正方形晶格哈伯德模型。
2022-01-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical Mean Field Study of the Two-Dimensional Disordered Hubbard Model
我们研究了二维顺磁Anderson-哈伯德模型使用的扩展动力学平均场论，使我们能够处理的障碍和强电子相关的平等地位。我们调查的比例在四分之一和半填充的反参与比，并找到一个非单调依赖的相互作用强度的本地化长度。我们没有发现绝缘体-金属过渡的证据。在Mott转变附近，无序势变得未屏蔽。此外，强关联抑制Altshuler-Aronov态密度异常接近半填充。
2008-01-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Interacting Fermi Gases in Disordered One-Dimensional Lattices
相互作用的两组分费米气体加载在一个一维（1D）的晶格和谐波捕获表现出有趣的化合物相，其中流体区域与当地莫特绝缘体和/或带绝缘体区域共存。受无序光晶格中冷原子实验的启发，我们从理论上研究了随机势对这些基态相的影响。在一个密度泛函的计划，我们表明，无序有两个主要的影响：（i）它破坏了局部绝缘区域，如果它是足够强的相比，在现场的原子-原子排斥，和（ii）它诱导的异常在低密度的可压缩性从淬火的渗滤。
2006-03-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Resonant Pair Exchange and Percolation in the Disordered Hubbard Model
我们表明，Mott-Hubbard绝缘体上的相互作用的电子的无序的影响产生的量子相变从反铁磁顺磁相的单占据弱无序网站的渗透。在过渡附近，我们提出了一种新的缺陷，形成的自旋单重态和双占据的网站与一个有吸引力的无序势之间的共振交换，起着重要的作用。这些共振对交换缺陷减少了交错磁化，但增强了两个自旋的耦合，并在跳变t量级的温度下，在温度依赖的比热和非居里自旋磁化率中产生特征签名，高于典型的交换标度J。
2005-07-29 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Disorder effect on the Friedel oscillations in a one-dimensional Mott insulator
本文用DMRG方法数值计算了莫特绝缘体中一维无序导线的一边与量子点耦合时产生的Friedel振荡。通过研究无序对Friedel振荡衰减的影响，我们发现无序的影响随着相互作用强度的增加而减小。这种行为是相反的，最近报道的影响，在安德森绝缘体制度，无序导致更强的衰减的弗里德尔振荡。
2007-04-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Phase diagram of hard-core bosons on clean and disordered 2-leg ladders: Mott insulator - Luttinger liquid - Bose glass
一维自由费米子和硬核玻色子通常被认为是等价的。事实上，当粒子被限制在链上的最近邻跳跃时，它们不能交换自己，因此几乎不经历它们自己的统计。除了依赖于所谓的乔丹-维格纳弦的非对角相关性之外，实空间的可观测量对于链上的自由费米子和硬核玻色子是相似的。有趣的是，通过仅耦合两条链，从而形成一个两条腿的梯子，粒子交换成为允许的，并导致自由费米子和硬核玻色子之间完全不同的物理。本文采用解析（强耦合、场论、重整化群）和数值（量子蒙特卡罗、密度矩阵重整化群）相结合的方法，研究了两条腿的梯形几何中硬核玻色子跳跃的表面简单但非平凡的模型.在半填充时，虽然只有在大的链间跳跃tperp > 2 t时费米子才出现能带绝缘体，但只要tperp \neq 0通过Kosterlitz-无跃迁，玻色子就会出现莫特能隙。远离半填充，情况甚至更有趣，因为无间隙Luttinger液体模式出现在具有非平凡填充依赖的Luttinger参数1/2 \leq Ks \leq 1的对称扇区中。讨论了冷原子实验、磁场中的自旋梯以及无序效应的结果。特别是，量子相变，预计在有限的无序强度之间的一维超流体和绝缘玻色玻璃相。
2011-03-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Quantum critical behavior of a three-dimensional superfluid-Mott glass transition
研究了三维粒子-空穴对称无序玻色子系统的超流到绝缘体的量子相变。为此，将一个位稀释的量子转子哈密顿量映射到一个具有柱状无序的经典（3+1）维XY模型上，并通过大规模蒙特卡罗模拟进行了分析.超流莫特绝缘体过渡的清洁，未稀释的系统是在4D XY普适类，并显示平均场临界行为与对数校正。干净的相关长度指数$ν= 1/2$违反哈里斯准则，表明无序必须是相关扰动。对于低于$p_c = 0.688392$的晶格逾渗阈值的非零稀释，我们的模拟产生传统的幂律临界行为与稀释无关的临界指数$z=1.67(6)$，$ν= 0.90(5)$，$β/ν= 1.09(3)$和$γ/ν= 2.50(3)$。临界行为的转变跨越晶格逾渗阈值控制的经典逾渗指数。我们的研究结果进行了讨论的背景下，无序量子相变的分类，以及在超流体，超导体和磁性系统的实验。
2018-10-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Hole-driven MIT theory, Mott transition in VO_2, MoBRiK
对于非均匀高T_c超导体，空穴驱动金属-绝缘体转变（MIT）理论解释了电导率随着空穴掺杂的增加而逐渐增加的原因是局域Mott系统经历一阶MIT和局域非Mott系统的不均匀性。对于VO_2，通过施加电场和温度，新观察到一个单斜和相关金属（MCM）相，其显示出线性特征，作为Mott MIT的证据。MCM和金红石金属相之间发生结构相变。使用MIT的设备被命名为MoBRiK。
2006-07-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Variation of the hopping exponent in disordered silicon MOSFETs
我们观察到一个复杂的变化跳跃指数值从1/2到1/3的无序强度和电子密度的函数在钠掺杂的硅MOSFET。通过施加栅极电压并使离子热漂移到氧化物中的不同位置来改变无序。然后在低温下使用相同的栅极来修改载流子浓度。当无序或电子密度被修改时，磁导率测量与运输机制的变化是相容的，这表明在这些系统中可能从莫特绝缘体过渡到安德森绝缘体。
2008-09-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Thermodynamics of the one-dimensional half-filled Hubbard model in the spin-disordered regime
我们分析了一维半填充哈伯德模型在“自旋无序区”的热力学Bethe Ancestor方程，其特征是温度远大于磁能标度，但与Mott-Hubbard能隙相比很小.在这种状态下，哈伯德模型的热力学可以被认为是带隙的带电激发，具有有效的色散和自旋自由度，只贡献熵。特别地，内能和有效色散变得基本上与温度无关。用零温度下假定的相互作用电子系统来解释这种机制，会导致在有限的相互作用强度下发生金属-绝缘体转变，高于该强度时，能隙线性打开。我们将这些观察与无限维极限中的莫特-哈伯德跃迁的研究联系起来。
2006-04-24 cond-mat.str-el
Gate-Induced Mott Transition
对于强关联材料VO 2，在临界库仑能U/Uc=1附近，通过引入内部光学声子耦合空穴（空穴诱导率为0.018%）进入导带，观察到突变的Mott金属-绝缘体转变（MIT），而不是连续的Hubbard MIT。观察到的栅极效应，由栅极场引起的MIT漏极-源极电压的变化，是由于沟道材料的不均匀性引起的测量效果，并且是基于由Brinkman-Rice图片预测的MIT附近的大电导率（或有效质量）的真实栅极效应的测量区域上的平均值。观察到诸如数字的不连续栅极效应，这是晶体管的特性，也是非常高速开关晶体管的可能条件。
2003-09-16 cond-mat.str-el
Superconducting Fluctuation and Pseudogap in Disordered Short Coherence Length Superconductor
研究了短相干长度d波超导体中无序对超导涨落的作用。特别的兴趣集中在无序引起的SC波动的微观不均匀性及其对赝隙现象的影响。我们建立了非均匀系统SC涨落的自洽单圈序理论，并分析了无序的$t$ - $t'$-$V$模型.估算了SC关联函数、电子态密度和临界温度。当相干长度较短时，即相变温度较高时，SC涨落局域化为纳米尺度的颗粒结构。这与长相干长度超导体形成对比，其中序参量在微观尺度上几乎是均匀的。在前一种情况下，SC波动增强的无序相反的Abrikosov-Gorkov理论。这些结果与高$T_{\rm c}$铜酸盐的STM、NMR和输运测量结果一致，并阐明了微观不均匀性的重要作用。我们计算了单杂质周围的DOS的空间依赖性，并讨论了与NMR测量的一致性。
2007-02-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum critical behavior of the superfluid-Mott glass transition
研究了具有粒子-空穴对称性的稀释二维量子转子模型中零温超流到绝缘体的转变。我们映射到一个经典的$(2+1)$维XY模型与柱状无序，我们分析了通过大规模的蒙特卡罗模拟的哈密顿量。对于低于晶格逾渗阈值的稀释，该系统经历了一个通用的超流莫特玻璃化转变。与无序系统中的其他量子相变相比，其临界行为是常规的幂律类型，具有通用（与稀释无关）临界指数$z=1.52(3)$、$ν=1.16(5)$、$β/ν= 0.48(2)$、$γ/ν=2.52(4)$和$η=-0.52(4)$。这些值与早期的蒙特卡罗结果[物理学评论快报]一致并有所改进。92，015703（2004）]，同时（部分）排除文献中的其他发现。作为普遍性的进一步测试，我们还考虑了经典哈密顿量的软自旋版本。此外，我们还研究了逾渗量子相变跨越晶格逾渗阈值，其临界行为是由最近的理论预测一致的晶格逾渗指数。我们将我们的结果与无序系统中相变的一般分类，我们简要地讨论了实验。
2016-10-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Application of Kondo-lattice theory to Mott-Hubbard metal-insulator crossover in disordered cuprate-oxide superconductors
本文应用近藤格点理论研究了准二维格点上t-J模型中局域矩磁性与巡游电子磁性的交叉。近藤温度T_K被定义为局域量子自旋涨落的特征温度或能量标度。当T_N >> T_K（T_N为N \eel温度）时的磁性为局域磁矩磁性，而当T_N << T_K时的磁性为巡游电子磁性。近藤温度，这也给出了一个衡量的磁矩的淬火强度，是重整化的超交换相互作用的福克项。由于重整化依赖于准粒子的寿命宽度γ，γ越小，T_K越大，T_N可以由无序控制。电子掺杂和空穴掺杂的铜氧化物的T_N的不对称性主要是由无序引起的，如果我们能制备出无序度相近的空穴掺杂和电子掺杂的铜氧化物，那么T_N的不对称性就必须恢复到几乎对称的状态。由于近藤晶格中的有效无序被磁场增强，所以在表现出大磁阻的铜氧化物中，反铁磁有序必须被磁场诱导。
2004-07-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
