Electronic Griffiths Phase in the Te - Doped Semiconductor FeSb$_{2}$
我们报告出现的电子格里菲思相（EGP）的杂质半导体FeSb $_{2}$，预测无序绝缘体与随机本地化的时刻在附近的金属-绝缘体转变（MIT）。Fe（Sb $_{1-x}$ Te $_{x}$）$_{2}$单晶的磁性、输运和热力学测量显示出无序诱导的非费米液体行为的特征和强电子相关性的威尔逊比。EGP状态被发现在金属边界上，在绝缘状态（$x = 0$）和长距离但弱的磁序（$x \geq 0.075$）之间。
2016-04-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Signatures of a Quantum Griffiths Phase close to an Electronic Nematic Quantum Phase Transition
在量子临界点附近，淬火无序可以导致量子格里菲思相，伴随着一个奇异的幂律标度与连续变化的动力学指数，在零温度极限发散。在这里，我们研究了铁基超导体FeSe $_{0.89}$ S $_{0.11}$中的一个量子临界点。我们报告了一个不寻常的交叉的磁阻等温线在非超导正常状态，其特点是在一个大的温度范围内连续变化的动力学指数。我们解释我们的结果中的量子格里菲斯相位所造成的硒和S原子的局部分布的结果的dielectric岛。在低温下，格里菲斯相被掩盖的费米液相的出现，由于一个强大的nematoelastic耦合和Lifshitz转变，改变了费米表面的拓扑结构。
2021-03-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
121,123Sb NQR as a microscopic probe in Te doped correlated semimetal FeSb2 : emergence of electronic Griffith phase, magnetism and metallic behavior %
$^{121,123}Sb$核四极共振（NQR）被应用于低掺杂区的$Fe(Sb_{1-x}Te_x)_2$（\emph{x = 0, 0.01}和\emph{0.05}）作为微观零场探针，以研究\emph{3d}磁性的演变和金属行为的出现。而NQR光谱本身反映了通过个别NQR线的宽度的局部无序的程度，自旋晶格弛豫率（SLRR）$1/T_1(T)$探测在$Sb$ -网站的波动。涨落要么来自传导电子，要么来自磁矩。与半金属$FeSb_2$相比，在$1/T_1(T)T ( \sim exp/ (Δk_BT) ) $中具有明显的电荷和自旋能隙形成的特征，1\% $Te$掺杂的系统表现出几乎金属的导电性和几乎填充的能隙。SLRR系数$1/T_1(T)T \sim T^{-n} \sim T^{-0.2}$的弱发散指向电子相关对低温的存在，而\textit{5\%} $Te$掺杂的样品在SLRR系数中表现出大得多的发散，显示出$1/T_1(T)T \sim T^{-0.72} $。根据比热发散，SLRR符合$n\ =\ 2\ m\ =\ 0.56$的幂律。此外，$Te$掺杂的$FeSb_2$作为一种无序顺磁金属可能是电子格里菲斯相方案的平台。NQR证明了\emph{5\%}样品的$^{121,123}Sb$ NQR谱的显著不对称加宽。这具有与电子格里菲斯相一致的纯电子起源，并且可能源于增强的$…
2017-10-26 cond-mat.str-el
Probing the Griffiths like phase, unconventional dual glassy states, giant exchange bias effects and its correlation with its electronic structure in Pr2-xSrxCoMnO6
研究了空穴取代（Sr ~（2+））部分B位无序双钙钛矿Pr_2-xSr_xCoMnO_6体系的电子结构、电输运、直流和交流磁化性质。采用X射线光电子能谱（XPS）测量的电子结构进行了探测。研究表明，B位离子（Co2+/Co 3+和Mn 3 +/Mn 4+）的混合价态的存在下，由于空穴掺杂的平均氧化态的显着增强。纯样品（x=0.0）和Sr掺杂样品（x=0.5）的价带（VB）谱中费米能级附近都没有电子态，表明样品具有绝缘性质。观察到Sr取代增加费米能级附近的光谱权重，这表明空穴掺杂系统的导电性增强。电阻率测量的温度变化揭示了两种系统的绝缘性质，从而支持VB光谱结果。直流磁化数据泄露了格里菲斯像以上的长期订购温度相。交流极化率研究表明，在掺杂和纯体系中，由反位无序驱动的类重入自旋玻璃相是一种典型的自旋玻璃相.最有趣的是，出现了一个新的集群玻璃状相（低于磁有序温度和以上的自旋玻璃化转变温度）单独驱动的Sr取代已解开交流磁化动力学研究。等温磁化强度的测量进一步探讨了巨交换偏置效应的表现，所产生的多个磁相的存在。
2019-04-20 cond-mat.str-el
Purely electronic THz polarization in dimer Mott insulators
理论上发现了二聚体莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ X在太赫兹频段的纯电子极化模。不寻常的低频模式产生的内二聚体电偶极矩的振荡和交替的二聚体间键级之间的耦合。这些集体运动在二聚体莫特绝缘体的动态介电性质中起着重要的作用。在二聚体Mott相变的相界附近，通过引入电子-晶格耦合实现铁电基态。
2010-03-24 cond-mat.str-el
Electronic Structure of Mott Insulators Studied by Inelastic X-ray Scattering
莫特绝缘体的电子结构仍然是物理学中一个主要的未解决的问题，尽管半个多世纪的紧张的研究工作。发展良好的动量分辨光谱学，如光电子能谱或中子散射不能探测整个莫特能隙。本文报道了利用高分辨率共振非弹性X射线散射技术在高Tc母体Ca_2CuO_2Cl_2中观察到的Mott能隙中的色散电荷激发，揭示了Mott能隙的各向异性。这些结果为哈伯德模型描述Mott能隙中的电荷激发提供了直接的支持。
2001-03-24 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Fragmented Electronic Spins with Quantum Fluctuations in Organic Mott Insulators near Quantum Spin Liquid
用~（13）C NMR研究了电子态位于量子自旋液体（X= EtMe 3Sb）附近的有机莫特绝缘体X[Pd（dmit）_2]_2（X= Me_4P，Me_4Sb）的磁性结构.反铁磁谱和核弛豫表明，Pd（dmit）2分子内存在两个不同的磁矩，不能用单带二聚体-Mott模型描述，需要分子内电子关联.这种非常规的S = 1/2电子自旋碎裂并伴随着强烈的量子涨落，推测是由近简并的分子内多轨道引起的，并且共享量子液体的概念，其中电子激发被碎裂，并且S = 1/2自旋不再是基本粒子。
2019-03-22 cond-mat.str-el
Griffiths' phase behavior of the Weyl semimetal CrFeVGa
本文报道了一种新的拓扑半金属CrFeVGa的理论和实验研究，着重于原子无序对它的磁电性质的作用及其应用.CrFeVGa属于四元Heusler合金族，晶体结构为立方结构.同步辐射XRD测量证实了B2无序，它在决定系统的电子和磁性方面起着至关重要的作用。
2022-12-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott-Hubbard localization in model of electronic subsystem of doped fullerides
考虑到三重轨道简并能态的掺杂富勒烯电子子系统的微观模型被认为是在配置操作的方法。用格林函数方法计算了$n=1$整数带填充时模型的能谱，这种情况对应于$AC_{60}$化合物。讨论了模型中可能存在的关联驱动的金属-绝缘体相变。
2012-01-13 cond-mat.str-el
Spin-orbit coupling and electronic charge effects in Mott insulators
我们推导了自旋轨道耦合下单带莫特绝缘体强耦合极限的有效电荷和电流密度算符，并指出自旋轨道对有效电荷密度的贡献导致了多铁性行为的新机制.在某种意义上，这些机制是电子的对应物的离子为基础的机制，已被提出来解释的电极化的强度诱导的螺旋自旋有序。新的电子机制，说明考虑摆线和适当的螺旋磁有序的x-ray和kagome晶格。至于各向同性的情况下，几何挫折是至关重要的，以实现这种纯粹的电子之间的耦合自旋和电荷自由度。
2014-11-10 cond-mat.str-el
Non thermal and purely electronic resistive transition in narrow gap Mott insulators
电场下的莫特绝缘体到金属的转变是当前许多基础和应用研究的主题。这种令人困惑的效应，涉及到相关系统中的非平凡的失衡效应，确实在一类新的电子存储器莫特存储器的操作中起作用。然而，在经历这种转变的莫特绝缘体中，组合的电子和热效应很难解开。我们在这里报告一个典型的莫特绝缘体和一个模型建立在一个现实的2D电阻网络能够捕捉热效应和电子跃迁的电场下的性能之间的比较。特别是对窄间隙莫特绝缘体AM4 Q8族（A = Ga或Ge; M=V、Nb或Ta，Q = S或Se）进行的这种比较明确地确立了在电场下实验观察到的电阻转变产生于纯电子机制。
2014-07-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
Carrier localization and electronic phase separation in a doped spin-orbit driven Mott phase in Sr3(Ir1-xRux)2O7
对许多强自旋轨道耦合的5d过渡金属氧化物绝缘体的兴趣源于将它们的电子结构映射到J=1/2 Mott相。希望之一是建立它们的Mott母态，并探索这些系统在载流子掺杂后实现新电子态的潜力。然而，一旦掺杂，很少有人了解他们的库仑相互作用U相对于他们的强相关的3d电子表兄弟的作用。在这里，我们表明，在空穴掺杂的候选人J=1/2莫特绝缘体，载流子保持本地化的纳米级相分离的基态。局部区域和巡回区域之间的相互作用发生了一个双金属-绝缘体转变，稳定了临界区域以外的反铁磁金属相。我们的研究结果表明，掺杂的5d-和3d-电子莫特系统之间的一个令人惊讶的平行，并建议通过附近的电子相或直接的载流子本地化，U是必不可少的，这个掺杂的自旋轨道莫特绝缘体的载流子响应。
2014-03-14 cond-mat.str-el
Slow down of the electronic relaxation close to the Mott transition
我们调查的准粒子峰在相关的金属附近的莫特过渡的时间依赖性改造后，系统淬火成热电子状态和平衡的环境，这是冷的费米液体交叉温度。接近过渡，我们确定了一个纯粹的电子瓶颈的时间尺度，这取决于周围的费米能在坏的金属相的光谱权重在一个非线性的方式。这个时间尺度可以比裸电子跳跃时间大几个数量级，使得分离的电子和晶格时间尺度可能被破坏。结果得到使用非平衡动力学平均场论和安德森杂质模型的从转子表示。
2016-06-06 cond-mat.str-el
Electronics with correlated oxides: SrVO$_3$/SrTiO$_3$ as a Mott transistor
我们采用密度泛函理论加上动力学平均场论和确定的物理起源，为什么两层SrVO $_3$上的SrTiO $_3$基板绝缘：薄膜的几何形状升降机的轨道简并，这反过来触发了Mott-Hubbard转变。两层SrVO $_3$正好处于Mott-Hubbard转变的边缘，因此非常适合于Mott-Hubbard转变的技术应用：异质结构对应变、电场和温度高度敏感。栅极电压还可以将绝缘体变成金属，从而实现具有理想的通-断（金属-绝缘体）开关特性的晶体管。
2013-12-20 cond-mat.str-el
Correlated electronic states at domain walls of a Mott-charge-density-wave insulator 1T-TaS2
相互作用的电子系统中的畴壁可以具有不同的局部化状态，其通常支配物理性质，并且可能导致前所未有的功能和新颖的器件。然而，对于强关联电子系统，畴壁内的电子态还没有被清楚地识别和理解。在这里，我们解决了局域域壁的莫特电荷密度波（CDW）绝缘体1 T-TaS 2使用扫描隧道光谱的电子状态。我们建立了畴壁态分解为两个非导电态位于畴壁的中心和畴的边缘。理论计算揭示了它们的原子起源，作为强烈影响下的电子关联畴壁的局部重建。我们的研究结果引入了畴壁电子性质的概念，壁的内部自由度，这是潜在的畴壁电子性质的可控性。
2017-06-26 cond-mat.str-el
Dynamical electronic nematicity from Mott physics
在许多强关联电子材料中，当面内结构各向异性很小时，可以观察到很大的输运各向异性。通过研究团簇的二维哈伯德模型和动态平均场论，我们发现，如果相互作用足够大，产生Mott跃迁，那么在没有静态条纹序的情况下，也可以诱导出如此大的各向异性.各向异性在大频率下减小。对电导率各向异性的最大影响发生在欠掺杂区域，如在高温超导体中观察到的。
2010-11-15 cond-mat.str-el
Optical spectroscopic investigation on the temperature-dependent electronic structure evolution of the Jeff,1/2 Mott insulator Sr2IrO4
我们研究了杰夫，1/2莫特绝缘体Sr 2 IrO 4的电子结构的温度依赖性的演变，使用光学光谱。最近发现该化合物的光电导谱$σ(ω)$具有两个d-d跃迁，与Jeff，1/2和Jeff，3/2带之间的跃迁有关，这是由于电子相关和自旋轨道耦合的共同作用。随着温度的升高，这两个峰显示出显著的变化，导致Mott带隙减小。考虑到带宽的增加，将实验结果与第一性原理计算的结果进行了比较。从局域晶格畸变、激子效应、电子-声子耦合和磁有序等方面讨论了温度变化对Sr_2IrO_4电子结构的影响。
2009-10-22 cond-mat.str-el
Novel electronic states close to Mott transition in low-dimensional and frustrated systems
近年来的研究表明，关联系统在局部巡游交叉附近可能会出现不同的新状态。特别有利的条件，满足低维和挫折系统。在本文中，我讨论了一些具体的例子，这种新的国家。特别是，对于某些尖晶石和三角形系统出现了“部分莫特转变”，其中首先一些有限的集群（二聚体，三聚体，四聚体，七聚体）去巡回政权，和真正的大块莫特转变只发生在以后。此外，还讨论了这种交叉机制的其他一些可能性，如TiOCl中的自旋-Peierls-Peierls跃迁，某些情况下的自发电荷交叉等。
2011-02-24 cond-mat.str-el
Electronic Orbital Currents and Polarization in Mott Insulators
标准的观点是，在低能量下，莫特绝缘体只表现出磁性，而电荷自由度被冻结，因为电子被强烈的库仑排斥力定域化。我们证明，这是在一般情况下是不正确的：对于某些自旋纹理{ \it自发圆电流}或{ \it不均匀的电荷分布}存在于莫特绝缘体的基态。此外，低能"磁“态对介电和磁函数$ε_{ik}(ω)$和$μ_{ik}(ω)$有贡献，导致有趣的现象，例如旋转、电场极化和共振，这对于在频率窗口中产生负折射率的两个函数可能是共同的。
2007-09-05 cond-mat.str-el
Temperature dependence of the electronic structure of Ca3Cu2O4Cl2 Mott insulator
用扫描隧道显微镜研究了Ca_3Cu_2O_4Cl_2铜酸盐母体莫特绝缘体的电子结构随温度的变化。我们发现，随着温度的升高，上哈伯德带向费米能级移动，而电荷转移带基本保持不变。这导致高温下电荷转移间隙尺寸的减小，并且减小的速度比传统半导体快得多。在反铁磁序的Neel温度范围内，电子结构没有突然的变化。这些结果为铜酸盐母体莫特绝缘体的理论模型提供了新的解释。
2021-12-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Non-equilibrium electronic transport in a one-dimensional Mott insulator
我们计算了一维相互作用链的非平衡电子输运性质，在半填充，耦合到非相互作用的铅。相互作用的链最初处于莫特绝缘体状态，通过在引线之间施加强偏置电压而使其脱离平衡。对于偏置电压超过一定的阈值，我们观察到击穿的莫特绝缘体状态和建立一个稳态的电子电流通过系统。基于广泛的含时密度矩阵重整化群模拟，我们表明，这种稳态电流总是具有相同的功能依赖于电压，独立的微观细节的模型和相关的阈值的值的Lieb-Wu间隙。我们帧我们的结果在朗道-齐纳介电击穿图片。最后，我们还讨论了电流的实时演化，并通过计算双占据率、自旋结构因子和纠缠熵表征了莫特绝缘体击穿后的载流态.
2010-11-10 cond-mat.str-el
Electronic state of a doped Mott-Hubbard insulator at finite temperatures studied using the dynamical mean-field theory
利用动态平均场论研究了掺杂Mott-Hubbard绝缘体的电子态。作为掺杂的函数的有限温度谱函数的演变显示在反铁磁和顺磁相的光谱权重的大的重新分布。特别是，金属反铁磁态的低频Slater分裂准粒子峰与Hubbard带共存。在高温顺磁金属相中，在减少掺杂时，系统具有通过"坏金属“状态的交叉，其特征在于准粒子峰远离费米能的异常位移。我们发现，{ \it电荷}的反铁磁金属的压缩性显着增强后，接近二阶Néel线。
2006-04-06 cond-mat.str-el
Visualizing the atomic scale electronic structure of the Ca2CuO2Cl2 Mott insulator
虽然铜氧化物的超导机制仍然难以捉摸，但人们普遍认为，问题的核心是掺杂莫特绝缘体的物理性质。铜酸盐母体化合物每个Cu位点具有一个未成对电子，并且通过能带理论预测为半填充金属。然而，强烈的库仑排斥，禁止电子在相邻位置之间跳跃，并导致反铁磁（AF）有序的莫特绝缘体基态。掺杂到CuO 2平面中的载流子破坏绝缘相，并且当载流子密度足够高时出现超导电性。解决高Tc超导性的自然出发点是阐明母体莫特绝缘体的电子结构和单个掺杂电荷的行为。在这里，我们使用扫描隧道显微镜调查的原子尺度的电子结构的Ca 2CuO 2Cl 2母体莫特绝缘体的铜酸盐。首次获得了Mott-Hubbard带隙的电子能谱，揭示了粒子-空穴对称的、空间均匀的Hubbard带。一个单一的电子捐赠的表面缺陷被发现创建一个广泛的间隙电子状态，强烈地定位在空间与空间特性密切相关的AF自旋背景。从掺杂莫特绝缘体的角度来看，母体铜氧化物的前所未有的真实空间电子结构为高Tc超导的起源提供了重要的新线索。
2012-01-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Structure of Paramagnetic V_2O_3: Strongly Correlated Metallic and Mott Insulating Phase
本文采用LDA+DMFT（局域密度近似和动力学平均场论相结合的计算方案）计算了V_2O_3的相关顺磁金属相和Mott绝缘相的费米能级以下和费米能级以上的光谱以及自旋和轨道占据。用量子蒙特卡罗模拟求解了自洽的DMFT方程。室温计算提供了与实验的直接比较。与1160 K时的结果相比，准粒子高度有明显的增加。对V_2O_3的Mott-Hubbard相变的性质也有了新的认识。也就是说，它被发现是显着不同的单带哈伯德模型，由于轨道自由度。此外，我们还解决了掺Cr的V_2O_3的Mott带隙异常小的难题。
2004-02-04 cond-mat.str-el
Electronic correlations, Jahn-Teller distortions and Mott transition to superconductivity in alkali-C60 compounds
1991年在A_3C_（60）化合物（其中A是碱金属离子）中发现的高温超导性（SC）很快被归因于BCS机制，其中配对由球上光学声子模介导。虽然这导致考虑电子相关性在这些化合物中并不重要，但对n=1，2，4的各种AnC 60的进一步研究证明，它们的电子性质不能用C60六重简并t1 u分子水平的简单渐进带填充来解释。这只能归因于C60球的电子相关性和Jahn-Teller畸变（JTD）的同时影响，这在能量上有利于均匀带电的C60分子。最近发现的两种膨胀富勒烯化合物Cs3 C60同分异构相强调了这一点，它们在环境压力下是莫特绝缘体。这两个阶段经历的压力诱导的一阶莫特过渡到SC与（p，T）相图显示圆顶形SC，一个常见的情况下，现在遇到的相关电子系统。核磁共振实验使我们能够研究莫特相的磁性，并证明明显偏离BCS的预期莫特过渡附近。因此，尽管SC涉及电子-声子机制，但电子关联的发生率对电子性质具有重要意义，正如DMFT计算所预期的那样。
2012-05-16 cond-mat.str-el
Electronic Interface Reconstruction at Polar-Nonpolar Mott Insulator Heterojunctions
本文对极性和非极性莫特绝缘体之间的异质结中极性不连续引起的电子界面重构（EIR）以及伴随这种重构的二维强关联电子系统（2DSCES）进行了理论研究。我们推导出驱动EIR所需的极性层的最小数量的表达式，并讨论控制2DSCES属性的异质结系统的关键参数。强调了强相关性在增强界面约束中的作用。
2007-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-component electronic phase separation in the doped Mott insulator Y$_{1-x}$Ca$_{x}$TiO$_{3}$
凝聚态物理学中的一个主要难题是观察到远离半填充的莫特绝缘状态。填充控制的莫特绝缘体-金属转变，通过电荷载流子掺杂诱导，已被广泛研究，但其管理机制尚未完全理解。已经提出了几个理论建议，旨在阐明过渡的性质，一个值得注意的是相分离和相关的双折射诱导的过渡。在目前的工作中，我们研究的原型掺杂莫特绝缘稀土钛酸盐YTiO $_3$，其中的绝缘状态生存高达35%的大空穴浓度。生长并研究了$_{1-x}$-Ca-$_x$-TiO-$_3$和$0 \leq x \leq 0.5$的单晶体，该单晶体跨越绝缘体-金属过渡。使用X射线吸收光谱，一个强大的技术，能够探测特定元素的电子状态，我们发现，空穴掺杂的主要影响是诱导电子相分离成空穴丰富和空穴贫乏的地区。这些数据揭示了在Mott-Hubbard间隙内，费米能级附近，随着掺杂的增加，光谱权重增加的电子态的形成。从DFT+ $U$计算的比较，我们推断，空穴穷人和空穴丰富的组件具有相应的莫特绝缘$x = 0$和金属$x \sim 0.5$状态，分别的电荷密度，和新的电子状态产生的金属组件。结果表明，Y $_{1-x}$ Ca $_x$ TiO $_3$中空穴掺杂诱导的绝缘体-金属相变本质上确实是双折射的，因而具有固有的一阶特性.
2021-03-15 cond-mat.str-el
Electronic Ferroelectricity in a Dimer Mott Insulator
基于最近的实验结果，研究了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3二聚体-莫特绝缘体的介电和磁性。我们推导出有效的哈密顿量，其中每个二聚体的电子数为1。利用平均场方法和蒙特卡罗方法获得了有限温度下的电荷和磁结构。磁性相和铁电相是相互排斥的。在二聚体-莫特相和铁电相之间的相边界附近，介电波动是显著的。讨论了kappa-（BEDT-TTF）_2Cu_2（CN）_3的研究结果。
2010-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin correlated electronic state on the surface of a spin-orbit Mott system (Layered Iridates)
二维电子系统的新相是由新的表面或界面修饰的电子结构引起的，在材料科学中引起了极大的兴趣。我们利用光电子能谱表明，近表面的电子结构的体绝缘铱酸盐Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$位于附近的金属-莫特绝缘体过渡表现出弱的金属性表示有限的电子光谱重量在费米能级。表面电子表现出独特的自旋结构，由自旋轨道，库仑相互作用和表面量子磁性的相互作用，不同于拓扑绝缘体状态。我们的研究结果表明，一个新的准二维相互作用电子表面基态的实验实现，打开了大门，奇异的量子纠缠和输运现象的铱基氧化物器件。
2014-03-11 cond-mat.str-el
The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
Electronic structure of the Mott insulator LaVO3 in a quantum well geometry
我们用X射线光电子能谱研究了镶嵌在LaAlO3中的莫特绝缘体LaVO3的电子结构。通过将LaAlO3的上层限制为3个晶胞，可以探测下面的LaVO3。V2p芯能级谱同时含有V3+和V4+两种成分，且大于2个晶胞厚度的LaVO3，其结构表现出与体样品相似的谱。原子级平坦表面使得能够研究发射角依赖性，这表明V4+被定位到最顶层。这些结果表明，探测氧化物薄膜的界面电子结构的表面光谱的潜力。
2006-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-Mott insulator interfaces
受一阶Mott跃迁中电子相分离的直接观察的启发，我们模拟了金属和莫特绝缘体之间的界面。我们展示了如何建模所需的平板几何形状和提取的电子光谱。我们构造了一个有效的朗道自由能，并计算了它的参数在相图上的变化。最后，使用密度和双占用的线性混合物，我们确定了一个自然的伊辛序参量，统一的带宽和填充控制的莫特过渡的治疗。
2016-06-03 cond-mat.str-el
Electronic structure, spin state, and magnetism of the square-lattice Mott insulator La2Co2Se2O3 from first principles
用密度泛函方法研究了新合成的硒氧钴化合物La_2Co_2Se_2O_3（结构类似于超导铁磷属元素化物）的电子和磁性结构.结果表明，该材料是一种莫特绝缘体，并且具有非常稳定的Co ~（2+）高自旋基态，具有类t_2g轨道有序性，计算的晶场激发能证实了这一点.发现正方晶格的Co ~（2+）自旋通过O（Se ~ 2）对次近邻（2nn）有强的反铁（弱铁）磁耦合，对1 nn有中等的反铁磁耦合，其强度比约为10：1：3.目前的研究结果解释了现有的磁性实验数据，平面阻挫（2 × 2）反铁磁结构的预测将激发一个新的实验。
2010-07-21 cond-mat.str-el
Signatures of coherent electronic quasiparticles in the paramagnetic Mott insulator
我们证明了无限维半填充顺磁哈伯德模型的Mott绝缘态在哈伯德带的内缘含有准粒子重量很小的电子准粒子。我们使用随机和非微扰量子杂质求解器，其基础是计算杂质自能作为通过精确对角化求解的杂质模型的代表性分布的样本平均值。由于该方法的自然并行化，对于自能量容易产生数百万个极点，这允许与非常小的极点展宽$η$一起工作。小$η$和大$η$处的解性质不同，只有在$η\leq 0.001$处（以半裸带宽为单位）才能找到准粒子，在虚频轴上计算发现，小$η$解与连续时间量子蒙特卡罗方法的结果在统计误差范围内一致。
2014-12-18 cond-mat.str-el
Characteristics of the Mott transition and electronic states of high-temperature cuprate superconductors from the perspective of the Hubbard model
本文基于 Hubbard 模型分析的新视角，回顾了高温铜酸盐超导体在近 Mott 转变时观察到的反常电子态特征，探讨了金属中单粒子电子转变为 Mott 绝缘体中自旋与电荷分离激发的基本问题。
2023-09-12 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic phonon-induced magnetism in moiré Mott-Wigner crystals
Sun Yat-Sen University (Zhuhai Campus)（中山大学（珠海校区））；Sun Yat-Sen University (Guangzhou Campus)（中山大学（广州校区））
研究莫尔 Mott - Wigner 晶体中磁性的产生，发现电子声子可诱导磁性，基于 Berry 相效应和谷 - 轨道耦合，低于临界温度会自发磁化，还提出用光激发手性电子声子调控磁性的方法。
2026-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Griffiths phase and symmetry breaking in the hidden-order phase of URu2Si2
重费米子化合物URu_2Si_2在低于~ 17.5K的温度下呈现出一种隐序相。尽管近三十年来人们对有序度进行了大量的研究，但关于有序度的序参量一直没有达成共识，其性质一直是个谜。在这里，我们报告的隐序阶段内的格里菲斯阶段的发现，其特征在于残留的短程相关性的崩溃的长程序由于稀释效应。在Griffiths相假设下，我们发现了这些团簇自旋的强有力的证据，如磁化率和比热的幂律行为以及交流磁化率的频散。以这种方式，排除了序参量的存在，并且隐藏的序与长程大磁矩反铁磁性具有显著的亲缘关系，其可以通过调节流体静压力或化学压力（即，等电子Fe掺杂）。此外，在旋转磁场中的电阻率测量的单向各向异性被观察到在隐藏的顺序阶段。各向异性磁电阻和相关的对称性破缺直接反映了至少部分磁性团簇的冻结行为。因此，Griffiths相作为URu 2Si 2的隐阶相的替代方案的演示是非常有前途的，挑战了对相关物质和量子材料中奇异电子态的理解。
2018-07-05 cond-mat.str-el
Evolution of the electronic structure of a Mott system across its phase diagram: an X-ray absorption spectroscopy study of (V(1-x)Crx)2O3
V_2O_3是研究关联诱导的Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的典型体系。尽管经过几十年的广泛研究，其电子性质的准确描述仍然是强关联材料物理学中的一个悬而未决的问题，这也是因为缺乏关于其整个相图电子结构的详细实验数据。本文采用高分辨X射线吸收光谱研究了（V（1-x）Crx）2 O3的V-K边，探讨了其电子结构随温度、掺杂和压力的变化，提供了整个相图中电子结构变化的精确图像。我们还讨论了晶格参数的平行演变的相关性，确定与X射线衍射。这使我们能够得出两个普遍感兴趣的结论：第一，压力下的过渡呈现出特殊的性质，与晶格和电子结构的更连续的演化有关;第二，晶格失配是描述一阶过渡强度的一个很好的参数，因此与系统的不同相共存的趋势有关。我们的研究结果表明，电子结构的演变，而接近相变，而不仅仅是在穿越它，也是一个关键因素，揭示了莫特材料的基本物理机制。
2011-10-19 cond-mat.str-el
Anions effects on the electronic structure and electrodynamic properties of the Mott insulator $κ$-(BEDT-TTF)$_2$Ag$_2$(CN)$_{3}$
莫特绝缘体$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Ag $_2$（CN）$_3$形成具有可能的量子自旋液态的$S=1/2$二聚体的高度阻挫三角晶格。我们的实验和数值研究揭示了晶体学上不等价的网站，弛豫介电响应和跳跃直流输运之间出现轻微的电荷不平衡。从更广泛的角度出发，我们得出结论：强关联自旋液体电荷转移盐的普遍性质是阴离子支撑的价带和弛豫态下氰化物诱导的准简并电子构型。一般的低能激发是由带电畴壁引起的，而不是由波动的电偶极子引起的。它们引起二聚莫特绝缘体的玻璃态动力学特性，包括兄弟化合物$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ Cu $_2$（CN）$_3$。
2016-07-26 cond-mat.str-el
Electric pulse induced electronic patchwork in the Mott insulator GaTa$_{4}$Se$_{8}$
继最近发现的绝缘体到金属的转变由电场诱导的GaTa $_{4}$ Se $_{8}$，我们进行了详细的扫描隧道显微镜/光谱研究的原始（绝缘）和过渡（导电）晶体的这种窄间隙莫特绝缘体。光谱图表明，原始样品是空间均匀的绝缘体，而过渡样品揭示了在纳米尺度上的复杂的电子图案，由金属和超绝缘补丁沉浸在原始绝缘矩阵。令人惊讶的是，这两种补丁都伴随着强烈的局部地形膨胀，从而证明了在这种金属-绝缘体过渡中涉及的强电子-晶格耦合。最后，利用一个强大的电场产生的STM隧道结，我们证明了可能性，即使在室温下，局部的金属-绝缘体转变。
2013-04-29 cond-mat.str-el
The electronic structure of NaIrO$_3$, Mott insulator or band insulator?
基于五价后钙钛矿结构的NaIrO $_3$的电子绝缘行为的复杂性，我们采用局域密度近似和Gutzwiller方法研究了其在库仑排斥和自旋轨道耦合（SOC）平面上的电子结构和相图.我们的理论研究提出金属-绝缘体转变可以由两种不同的物理图象产生：重整化带绝缘体或莫特绝缘体区。对于NaIrO $_3$中的实际材料参数，库仑相互作用$U=2.0 (J=U/4)$ eV和SOC强度$η=0.33$ eV，它倾向于支持我们的研究所揭示的重整化带绝缘体图片。
2012-10-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure of the two-dimensional Heisenberg antiferromagnet VOCl: a multi-orbital Mott insulator
利用光电子能谱和包含局域库仑排斥的密度泛函理论研究了二维Heisenberg反铁磁体VOCl的电子结构。从计算的交换积分和观察到的能量分散，我们认为，一维的磁性和电子性质的程度显着降低相比，同构化合物TiOCl和TiOBr。此外，我们的分析提供了确凿的理由，VOCl分类为多轨道莫特绝缘体。与钛基化合物相比，密度泛函理论能更好地描述其电子结构。然而，低能量的功能和详细的线条形状的定量帐户需要进一步的调查，包括动力学和空间相关性。
2009-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electric Pulse Induced Resistive Switching, Electronic Phase Separation, and Possible Superconductivity in a Mott insulator
金属-绝缘体转变（MIT）是一类有趣的物理现象，包括超导性和巨磁阻（CMR），它们与电阻的急剧变化有关。在过渡金属化合物中，MIT通常与强电子相关性的存在有关，强电子相关性驱动系统进入莫特绝缘体状态。在这些系统中，MIT通常通过电子掺杂或通过施加外部压力来调谐。然而，最近注意到，莫特绝缘体还应该对诸如电场的其它外部扰动敏感。我们在这里报告的第一个实验证据的非易失性电脉冲诱导的绝缘体到金属的过渡和可能的超导性的莫特绝缘体GaTa 4 Se 8。我们的扫描隧道显微镜实验表明，这种非常规的响应系统短电脉冲产生的纳米尺度的电子相分离（EPS）中产生的散装材料。
2009-09-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Suppression of electronic susceptibility in metal-Mott insulator alternating material, (Me-3,5-DIP)[Ni(dmit)2]2
本文报道了金属-绝缘体交替材料（Me-3，5-DIP）[Ni（dmit）_2]_2的~（13）CNMR频移和核弛豫。来自金属层和绝缘层的NMR吸收线得到了很好的分辨，证明了局域自旋（π_loc）和传导π电子的共存。新发现的绝缘层进行反铁长程序约2.5 K，建议出现S=1/2莫特绝缘体。在金属层中，我们发现了显着的suppository的静态和动态的导电电子的磁导率低于35 K，在绝缘层中的反铁磁相关的演变。我们提出了一个动力学效应，通过强π-π_loc耦合之间的金属和绝缘层作为一个起源的状态密度的降低。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Momentum-Resolved Visualization of Electronic Evolution in Doping a Mott Insulator
铜氧化物的高温超导性是由于在母体莫特绝缘体中掺杂电子或空穴而产生的。一个核心问题是莫特间隙如何演变以及低能态如何随着掺杂而出现。在这里，我们报告角分辨光电子能谱测量铜酸盐母体化合物通过顺序原位电子掺杂。在轻微的电子掺杂后，化学势跳到上Hubbard带的底部，使得可以直接可视化电荷转移带和完整的Mott带隙区域。随着掺杂量的增加，Mott带隙由于电荷转移带向带隙区的光谱权重转移而迅速崩塌，并在Mott带隙内的较宽能量范围内出现诱导低能态。这些结果提供了掺杂莫特绝缘体中电子演化的关键信息，并为发展铜氧化物超导电性的微观理论奠定了基础。
2021-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Emergence of Griffiths phase, re-entrant cluster glass,metamagnetic transition and field induced unusual spin dynamics in Tb2CoMnO6
研究了双钙钛矿结构的Tb_2CoMnO_6的结构和磁性。通过XPS研究的电子结构分析揭示了B位离子的混合氧化态（Mn 4 +/Mn 3+和Co 2 +/Co 3+）的存在。直流和交流磁化测量揭示了不同的有趣的阶段，如格里菲斯相，再入自旋玻璃，变磁台阶，霍普金森峰，也不寻常的缓慢弛豫。M-H曲线表明存在竞争性AFM/FM相互作用。Tb_2CoMnO_6中的无序在低温下导致自旋阻挫，从而形成了重入自旋玻璃。此外，场相关的交流磁化率的研究揭示了存在的霍普金森峰与畴壁运动和大的各向异性场。进一步的研究表明，与这个峰值相关的弛豫异常缓慢。
2019-10-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott transition and abnormal instability of electronic structure in FeSe
本文通过自洽考虑所有双粒子不可约图，揭示FeSe中存在由强在位库仑相互作用驱动的Mott绝缘体相，并指出Mott物理对单层或纳米结构FeSe的电子、光学和超导性质具有关键影响。
2023-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetism and electronic structure of La2ZnIrO6 and La2MgIrO6: candidate Jeff =1/2 Mott insulators
我们从实验和理论上研究了两种绝缘双钙钛矿的电子和磁性，它们具有相似的原子和电子结构，但具有不同的磁性。在磁化强度测量中，La 2 ZnIrO 6显示弱铁磁行为低于7.5 K，而La 2 MgIrO 6显示反铁磁行为（AFM）低于TN = 12 K。电子结构计算发现，在La 2 ZnIrO 6中观察到的弱铁磁行为实际上是由于倾斜的反铁磁性。计算还预测了La 2 MgIrO 6中的倾斜反铁磁行为，但有趣的是，这并没有被观察到。中子衍射测量证实了这两个系统的基本反铁磁行为，但缺乏灵敏度，以解决小（0.22 μB/Ir）的铁磁成分在La 2 ZnIrO 6。总体而言，这里提出的结果表明自旋轨道耦合（SOC）和现场库仑排斥的磁性，运输和热力学性质的两种化合物的关键作用。电子结构计算表明，这两种化合物与Sr_2IrO_4一样，都是Jeff = 1/2莫特绝缘体.我们目前的研究结果表明，La 2 ZnIrO 6和La 2 MgIrO 6提供了一个新的操场，研究SOC和现场库仑排斥之间的相互作用，在5D过渡金属氧化物。
2013-04-17 cond-mat.str-el
Quasi-2D anomalous Hall Mott insulator of topologically engineered Jeff =1/2 electrons
我们研究了[（SrIrO 3）1/（CaTiO 3）1]中赝自旋半正方晶格Hubbard哈密顿量的实验玩具模型系统，包括非平凡的复杂跳跃和适度的电子关联.虽然前者诱导电子贝里阶段预期从弱耦合限制，后者稳定的反铁磁（AFM）莫特绝缘体基态类似于强耦合限制。在实际系统中，他们的综合结果被发现是一个反常的霍尔效应与非单调的温度依赖性，由于在莫特状态的电子-空穴配对的自竞争，和一个异常大的伊辛各向异性，被捕获为一个巨大的磁振子的超交换方法以外的差距。这种不寻常的现象突出了中间耦合机制中电子拓扑和电子相关性的丰富相互作用，这在理论建模中很大程度上是未经探索和具有挑战性的。
2022-06-03 cond-mat.str-el
From Mott insulator to overdoped superconductor: Evolution of the electronic structure of cuprates studied by ARPES
我们回顾我们的角度分辨光电子能谱（ARPES）的结果，不同的层状氧化物超导体，和它们的绝缘母体化合物。重点讨论了低能激发的一些最新问题，如费米面和剩余费米面，赝能隙和类d波色散，最后讨论了ARPES谱中多电子成分、多体效应和超流密度的特征。我们将集中在电子结构的系统性变化，这可能是相关的发展，从莫特绝缘体过度掺杂超导体的演变的全面图片。
2001-07-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From Slater to Mott physics: epitaxial engineering of electronic correlations in oxide interfaces
利用自旋辅助从头算随机结构搜索，我们探索了一个详尽的量子相图的原型接口莫特绝缘体，即镧-铁和镧-钛氧化物。特别是，我们报告的界面电子重建引起的电荷转移稳定的高自旋亚铁Fe 2+状态。我们提供了一个途径来控制在这个电子状态的相关性的强度，通过调整外延应变，产生一个多方面的量子电子相，即莫特-哈伯德，电荷转移和斯莱特绝缘状态。此外，我们报告的电子相关性是密切相关的结构氧八面体旋转，其控制是能够稳定的低自旋状态的Fe 2+在低压下，以前只观察到在地球的下地幔的极端高压条件下。因此，我们通过太赫兹辐射提供了磁开关的途径，这对下一代自旋电子学技术具有至关重要的意义。
2021-04-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el physics.comp-ph
Imaging the atomic-scale electronic states induced by a pair of hole dopants in Ca2CuO2Cl2 Mott insulator
我们使用扫描隧道显微镜观察原子尺度的电子态诱导的一对空穴掺杂剂在Ca 2 CuO 2 Cl 2母体莫特绝缘体的铜酸盐。我们发现当两种掺杂剂相互靠近时，光谱权重从高能Hubbard带向低能隙内态的转移在费米能级附近产生了一个宽峰和近V形带隙。峰值位置在4a0附近突然下降，然后几乎保持不变。的间隙状态表现出特有的空间分布取决于配置的两种掺杂剂相对于底层的铜晶格。这些结果为低能电子态的演化提供了新的思路。
2021-02-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
