Single domain to multi-domain transition due to in-plane magnetic anisotropy in phase separated (La$_{0.4}$Pr$_{0.6}$)$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$ thin films
相分离的钙钛矿锰氧化物具有具有不同晶体结构、磁性和电子性质的竞争相。因此，应变效应在决定锰氧化物薄膜的磁性方面起着关键作用。本文报道了各向异性应力对相分离锰氧化物（La $_{0.4}$ Pr $_{0.6}$）$_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_{3}$磁性的影响。在面内各向异性应力下在（110）NdGaOPDMATHABMQ衬底上生长的（$_{0.4}$ Pr $_{0.6}$）$_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_{3}$薄膜显示出面内磁各向异性和单畴到多畴转变随温度的变化。角度相关的磁化测量也表明，磁化反转发生主要是通过成核$&$传播机制。通过与在（001）SrLaGaOPDMATHABMS衬底上生长的（$_{0.4}$ Pr $_{0.6}$）$_{0.67}$ $_{0.33}$ MnO $_{3}$薄膜的比较，证实了磁各向异性主要是由衬底诱导的各向异性应力引起的。我们的研究结果提出了在纳米磁性介质中存储磁信息的新途径。
2010-10-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic In-Plane Strain and Transport in Epitaxial Nd(0.2)Sr(0.8)MnO(3) Thin Films
报道了Nd（0.2）Sr（0.8）MnO（3）外延a轴取向薄膜的结构、形貌和电学性能，厚度为10 nm ≤ t ≤ 150 nm。薄膜生长与拉伸和压缩应变在各种基板上。据发现，在两种应变状态下的所有厚度的薄膜的拉长的晶体学的c轴保持充分应变的基板。由于高度各向异性的热膨胀，在拉伸应变下生长的膜在a和b轴上观察到松弛，从而形成单轴裂纹阵列（沿c轴）。对于后者的膜，室温面内电阻率各向异性，rho_b/rho_c，增加膜厚度的值~1000在最厚的膜研究，近似呈指数增加。张力下的膜的尼尔温度提高了约25 K的厚度无关，一致的铁磁交换沿其扩展的c轴的增强。
2009-10-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic strains, metal-insulator transition, and magnetoresistance of La$_{0.7}$Ca$_{0.3}$MnO$_{3}$ films
用脉冲激光沉积法或激光分子束外延法在不同衬底上外延生长了钙钛矿锰氧化物La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜。衬底改变了薄膜的体积和晶胞的对称性。结果表明，单胞的对称性和体积对金属-绝缘体转变温度和磁电阻的大小有很大的影响。
2001-10-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
NMR evidence for an inhomogeneous transition between the ferromagnetic and antiferromagnetic ground states in Pr$_{1-x}$Ca$_{x}$MnO$_{3}$ manganites
已知Pr $_{1-x}$ Ca $_{x}$ MnO $_{3}$锰氧化物的低温行为在$x\sim$ 0.3下经历从低Ca浓度下的绝缘铁磁状态到绝缘反铁磁状态的转变。以上的电荷有序效应（$x\sim 0.3$）的起始浓度，由外部磁场诱导的金属-绝缘体的转变也被观察到和相关的电荷有序状态的崩溃。在本文中，我们表明，铁-反铁磁转变发生在一个不均匀的方式：在临界浓度附近的样品是铁磁和反铁磁区域的混合物。零场NMR测量表明，一小部分的铁磁区域是在一个快速跳跃的制度，这表明，一小部分的样品可能是金属，即使在零场。快速跳跃区的这一部分在$x=$ 0.3时最大，这也是在最小场中观察到绝缘体-金属转变的浓度。
2002-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The effect of substrate induced strain on the charge-ordering transition in Nd_{0.5}Sr_{0.5}MnO_{3} thin films
我们报道了用脉冲激光沉积技术在100 °取向的LaAlO_{3}衬底上生长的Nd_{0.5} Sr_{0.5} MnO_{3}薄膜的合成和表征。X射线衍射（XRD）的研究表明，薄膜是101取向的，与应变和准弛豫分量，后者随膜厚增加。我们观察到，输运性质强烈依赖于膜的厚度。变温XRD下降到100 K表明，这是由基板上的薄膜引起的应变。
1999-03-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of growth oxygen pressure on anisotropic-strain-induced phase separation in epitaxial La$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$/NdGaO$_{3}$(001) films
研究了沉积氧分压（P $_{O}$）对La $_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_{3}$ /NdGaO $_{3}$（001）外延薄膜中相分离（PS）的影响。在高P $_{O}$下生长的全氧膜是各向异性应变的。由于NdGaO $_{3}$衬底具有很大的正交性，所以它们在很宽的温度范围内表现出PS。随着PO的降低，顺磁绝缘体到铁磁金属（FM）和FM到反铁磁绝缘体（AFI）的转变逐渐向较低的温度转移。AFI状态最初被削弱（P $_{O}$ >= 30 Pa），但随后变得对磁场更鲁棒（P $_{O}$ < 30 Pa）。面外薄膜晶格参数随着P $_{O}$的减小而增大。对于在P $_{O}$ >= 30 Pa下生长的薄膜，轻微的氧缺乏可能会扩大晶格晶胞，降低各向异性应变，抑制AFI状态。在P $_{O}$ < 30 Pa下沉积的膜反而经历平均压缩应变。增强的压缩应变和薄膜中的结构缺陷可能导致了鲁棒的AFI状态。这些结果有助于我们理解锰氧化物薄膜中的PS。
2013-09-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Resonant phonon coupling across the La{1-x}Sr{x}MnO{3}/SrTiO{3} interface
在SrTiO{3}上外延生长的La{0. 53}Sr{0. 47}MnO{3} xMnO 3薄膜的输运和磁性在衬底的结构转变温度处表现出尖锐的尖点。使用实验和理论相结合，我们表明，尖点是在薄膜中的载流子和软声子模式的SrTiO{3}之间的共振耦合的结果，介导的氧八面体在薄膜中。模式的振幅向转变温度发散，声子被发射到膜的前几个原子层中，影响其电子状态。
2011-02-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Annealing-dependence of Exchange Bias in MnO/Ga1-xMnxAs Heterostructures
我们讨论了退火依赖的交换偏置的Ga 1-xMnxAs外延层，是过度生长与Mn。虽然纯锰是一个已知的反铁磁体，我们发现，生长的锰覆盖层不产生任何交换耦合与Ga 1-xMnxAs。相反，我们的研究表明，在空气中退火是必不可少的创建交换偏置的标准签名（在磁化磁滞回线和增加矫顽场的明显转变）。我们使用X-射线光电子能谱学来表征生长和快速热退火样品的组成深度分布。这些研究表明，当Mn覆盖层完全转化为MnO时，出现最清洁的交换偏置。
2004-09-05 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic strains and magnetoresistance of La_{0.7}Ca_{0.3}MnO_{3}
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（100）、MgO（100）和LaAlO 3（100）衬底上外延生长钙钛矿锰氧化物薄膜La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}。这些薄膜样品以及散装样品的微观结构，充分确定由X-射线衍射测量。三种膜的晶胞具有不同的形状，即，SrTiO_3、MgO和LaAlO_3的晶胞分别为收缩的四方晶系、立方晶系和拉长的四方晶系，而块体的晶胞为立方晶系。结果表明，立方晶胞样品的峰值磁电阻小于非立方晶胞样品。本研究结果表明，La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}的磁电阻可以通过外部施加的应变通过晶格畸变来控制。
1997-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Raman spectra in epitaxial thin films $La_{1-x}Ca_xMnO_3$ (x = 0.33, 0.5) grown on different substrates
研究了在LAO（001）、STO（001）和MgO（001）衬底上生长的LCMO薄膜在不同温度下的拉曼光谱。详细讨论了温度、掺杂浓度和应变对拉曼光谱的影响。随着温度的降低，拉曼光谱的变化与无序有序转变有关，如顺磁性到铁磁性，以及电荷有序化。晶格-衬底失配引起的应变对拉曼光谱有很大的影响。在STO上的$La_{0.67}Ca_{0.33}MnO_3$薄膜中，由于较大的拉伸应变，观察到明显的氧缺陷无序诱导的模式。而在LAO和MgO上的薄膜的拉曼光谱中看不到这种模式。除了LAO上的$La_{0.67}Ca_{0.33}MnO_3$膜外，在所有膜中都观察到约690 $cm^{-1}$处的强无符号模，这在体样品中不易观察到。这表明，模式是密切相关的应变。
2004-08-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetocaloric properties of an inhomogeneous magnetic thin film of 7.6 nm La${}_{0.7}$Sr${}_{0.3}$MnO${}_{3}$ grown on SrTiO${}_{3.}$
采用直流磁化强度测量方法研究了7.6 nm La ${}_{0.7}$ Sr ${}_{0.3}$ MnO ${}_{3}$非均匀磁性体系的磁热性质，该体系由具有阻断温度（$T_B$ = 240 K）的超顺磁性相（SPM）和具有阻断温度（$T_C$ = 290 K）的铁磁性相（FM）组成.等温磁化与施加的磁场进行从100 K至320 K的磁场高达4 kOe，以确定在磁熵（$-ΔS_M$）和相对冷却功率（RCP）的变化。由于SPM相和FM相的共存，在1.3 ~ 4kOe的磁场范围内，$-ΔS_M$的温度依赖性出现两个峰值。峰位于220 K和270 K，与薄膜的$T_B$和$T_C$接近。最高RCP出现在270 K（这是在$T_B$ $\mathrm{<}$ $T$ $\mathrm{<}$ $T_C$）在H = 4 kOe的值为0.19（J/kg K）。$-ΔS_M$与T数据符合指数幂律$-ΔS_M=a H^n$，其中它显示出对整个测量温度范围的良好拟合。该分析揭示了n与$n$ = 2/3的偏差，这可能是由于在$T$ $\mathrm{<}$ $T_C$的死层中存在SPM自旋团簇。结果表明，La ${}_{0.7}$ Sr ${}_{0.3}$ MnO ${}_{3}$薄膜在低温和高温下均具有多个RCP峰，是一种很好的磁制冷器件候选材料。
2019-06-29 cond-mat.mtrl-sci
Substrate-effect on the magnetic microstructure of La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_{3}$ thin films studied by magnetic force microscopy
采用脉冲激光沉积法在（100）-SrTiO $_{3}$和（100）-LaAlO $_{3}$和（110）-NdGa O $_{3}$衬底上分别生长了拉伸应变和压缩应变下的巨磁阻（CMR）La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$（LSMO）薄膜。使用磁力显微镜（MFM），“羽毛状”的磁性图案，具有面内磁化的薄膜的特性，观察到沉积在SrTiO $_{3}$和NdGaO $_{3}$上的薄膜，而“气泡”的磁性图案，具有面外磁化的薄膜的典型，记录为LaAlO $_{3}$。我们表明，由MFM成像的磁性图案的形状是完全相关的薄膜中的易磁化方向。
2001-02-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport anisotropy in biaxially strained La(2/3)Ca(1/3)MnO(3) thin films
由于磁性、结构、电子和轨道自由度的复杂相互作用，双轴应变已知在掺杂锰氧化物中起重要作用。对生长在SrTiO（3）衬底上的相干应变La（2/3）Ca（1/3）MnO（3）薄膜，测量了平行于衬底和垂直于衬底的磁输运性质，发现了电输运性质的异常。而金属行为被发现在平面内的双轴应变，垂直于此平面的绝缘行为和非线性电流-电压特性（IVC）的运输观察。这种各向异性的最自然的解释是从轨道无序的铁磁状态到与铁磁锰氧化物平面的反铁磁堆叠相关的轨道有序状态的应变诱导的转变。
2002-07-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism and metal-like transport in antiferromagnetic insulator heterostructures
采用脉冲激光沉积技术在（001）-SrTiO $_3$衬底上生长了PrPDMATHABMM Ca $_{0.5}$ MnO $_3$ /La $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_3$ /PrPDMATHABMM Ca $_{0.5}$ MnO $_3$三层薄膜。从磁化强度和电子输运实验研究了几个三层膜界面的耦合。La $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_3$层厚度的增加诱导了应变层和界面处的磁有序，导致铁磁行为和增强的介电性，而电阻率显示出金属样行为。这些效应在母体化合物中没有观察到，母体化合物是反铁磁绝缘体，打开了一条路径，人为地诱导了一些新的性质。
2005-06-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Relations between structural distortions and transport properties in Nd$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_3$ strained thin films
用脉冲激光沉积（PLD）技术在（100）-SrTiO $_3$和（100）-LaAlO $_3$衬底上生长了不同厚度的电荷/轨道有序（CO/OO）$Nd_{0.5}Ca_{0.5}MnO_3$（NCMO）应变薄膜。薄膜的厚度对输运性质有很大的影响。随着厚度的减小，CO转变增加，而在同一时间的绝缘体到金属的转变温度下的应用下的7 T磁场降低。建立了结构畸变与输运性质之间的明确关系。它们是根据\QTR{it}{Pnma}结构的Mn-O-Mn和Mn-O键角和距离的伸长和压缩来解释的，这改变了这些材料中的带宽和Jahn-Teller畸变
2002-03-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Madelung potentials and covalency effect in strained La$_{1-x}$Sr$_x$MnO$_3$ thin films studied by core-level photoemission spectroscopy
研究了在SrTiO $_3$、（LaAlO $_3$）$_{0.3}$ -（SrAl $_{0.5}$ Ta $_{0.5}$ O $_3$）$_{0.7}$和LaAlO $_3$三种衬底上生长的LaPDMATHABMM Sr $_{0.4}$ MnO $_3$薄膜的芯能级光电子能谱的位移。La 4d和Sr 3d芯能级的实验位移与计算结果几乎相同，这是由于这些原子的近离子特性导致这些原子位置上的马德隆势不存在共价效应。另一方面，O $1s$和Mn $2p$核心能级的实验位移小到可以忽略，与计算结果不一致。我们认为这是由于Mn-O键的强共价性。
2009-05-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic and magnetic properties of epitaxial thin film of Nd\tsubscript{0.5}Ba\tsuscriptb{0.5}MnO\tsubscript{3}
关于具有均匀无序的Nd_（0：5）Ba_（0：5）MnO_3体材料的电子和磁性，文献中存在着相互矛盾的报道。在本工作中，我们研究了Nd 0：5 Ba 0：5 MnO 3的薄膜，通过脉冲激光沉积生长。通过原位反射高能电子衍射、原子力显微镜、X射线反射率和X射线衍射证实了在逐层模式中外延生长的成功和膜的高质量。这些薄膜被发现是绝缘的，并在低温下表现出自旋玻璃行为。这项研究提供了一个机会，通过异质结构工程调整半掺杂锰氧化物中的电荷/轨道有序和铁磁性之间的竞争。
2022-02-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Comment on ``Strain effect and the phase diagram of La$_{1-x}$Ba$_x$MnO$_3$ thin films''
最近的实验在La $_{1-x}$ Ba $_x$ MnO $_3$薄膜由Zhang { \it et al.} {[Phys. Rev. B { \bf 64}，184404（2001）]}表明铁磁居里温度$T_c$通过拉伸（压缩）应变而提高（降低）。该结果被认为是反常的，因为作者通常理解，拉伸应变应导致电子跳跃$t$（以及因此$T_c$）的减少，这是由于（面内）Mn-O键长的延长。在这篇评论中，对应变效应的这种一般性理解是不赞成的。有人认为，拉伸应变主要导致更大的Mn-O-Mn键角（Mn-O键长几乎不变），因此$t$的纯几何考虑已经朝着Zhang { \it et al.}同时，提出了一个考虑动态电子-声子耦合的间接应变效应，这可能会改善定量解释。
2004-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Negative magnetoresistance in La(0.6)Y(0.1)Ca(0.3)MnO(3): Evidence for charge localization governed by the Curie-Weiss law
La（0.6）Y（0.1）Ca（0.3）MnO（3）在B= 1 T时出现了巨大的负磁电阻Δρ（T，B），在T_0= 160 K附近呈现出近乎完美的对称性，表明该材料存在普遍的场致输运机制。将这种对称性归因于强磁涨落（由Y替代触发并由磁场进一步增强，在场相关居里温度T_C（B）=T_0之上和之下），根据非热自旋跳跃和磁化强度M相关的载流子局域化方案解释了数据，导致Δρ（T，B）= -ρ_s（1-exp（-γM^2）），其中M（T，B）=CB/|T-T_C| ^n.通过T_C之上和之下的所有数据点的单独拟合产生C^{+} \simeq C^{-}和n^{+} \simeq n^{-} \simeq 1。所得到的结果证实了最近发现的涨落效应在该材料中的重要性（cond-mat/9812219），涨落效应在远超过T_C的磁热电势行为中起主导作用。
1999-01-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mechanism of ferromagnetism enhancement in a La$_{2/3}$ Sr$_{1/3}$ MnO$_3$ membrane released from epitaxial strain
针对从STO衬底剥离的LSMO薄膜铁磁性增强的微观机制不明的问题，本研究利用同步辐射表征发现，应变释放通过p-d杂化增强Mn-3d电子巡游性、强化双交换作用，从而提升铁磁性。
2024-02-02 cond-mat.mtrl-sci
Electronic phase transitions in Pr$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_3$ epitaxial thin films revealed by resonant soft x-ray scattering
研究了在（LaAl O $_3$）$_{0.3}$ -（SrAl $_{0.5}$ Ta $_{0.5}$ O $_3$）$_{0.7}$（LSAT）（011）$_c$上生长的Pr $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_3$外延薄膜的磁性和轨道有序.在一个新的实验方法中，极化和能量依赖性的共振软X射线散射被用来揭示显着修改的磁序在膜相比，散装，即（i）不同的磁有序波矢量，（ii）不同的磁易轴和（iii）在低温下的额外的磁重排过渡。这些观察结果表明，强烈的影响的外延应变的自旋顺序，这是介导的轨道自由度，并提供了一个有前途的路线，以调整磁性能的锰氧化物薄膜。我们的研究结果进一步表明，共振软X射线散射是一个非常合适的技术来研究磁性的薄膜，中子散射不能很容易地应用于由于小的样品体积。
2011-11-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain effect on electronic transport and ferromagnetic transition temperature in La$_{0.9}$Sr$_{0.1}$MnO$_{3}$ thin films
本文系统地研究了应变对在（100）SrTiO $_{3}$衬底上外延生长的高质量La $_{0.9}$ Sr $_{0.1}$ MnO $_{3}$薄膜的输运性质和铁磁转变温度$T_{c}$的影响。磁化强度和电阻率都与薄膜厚度密切相关。$T_{c}$由于晶格失配产生的压缩应变而随着膜厚度的减小而增强。不同厚度的薄膜在165 K以上的电阻率与小的极化跳跃电导率是一致的。极化子形成能$E_{P}$随薄膜厚度的减小而减小。我们发现$T_{c}$的应变依赖性主要来自于应变诱导的电子-声子耦合。应变对$E_{P}$的影响与理论预测一致。
2002-03-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effects of annealing and strain on La_{1-x}Ca_{x}MnO_{3} thin films: a new phase diagram in the ferromagnetic region
采用脉冲激光沉积技术在（100）取向的LaAlO_{3}（0.1<x<0.5）衬底上沉积了取向的La_{1-x} Ca_{x} MnO_{3}单相薄膜。虽然对于某些组合物的物理性能（运输和磁化）的生长膜高于散装值，对于其他钙含量的优化性能，只有在退火后，在氧气下获得。这些数据可以部分解释为氧含量的变化，导致阳离子空位，因此自掺杂效应-伴随的结构变化，可能是超越相图的性能的原因。提出了（La_{1-x} Ca_{x}）_{1-y} \square_{y} MnO_{3}（0.1<x<0.5）薄膜的新相图。
1999-06-10 cond-mat.mtrl-sci
Magnetic properties of pseudomorphic epitaxial films of Pr_{0.7}Ca_{0.3}MnO_3 under different biaxial tensile stresses
为了分析应变对窄带锰氧化物磁性的影响，比较了分别生长在（001）和（110）SrTiO_3衬底上的约8.5nm厚的外延Pr_（0.7）Ca_（0.3）MnO_3薄膜的温度和磁场依赖性。对于生长在（001）SrTiO 3上的SrTiO 3样品，发现了块状团簇玻璃的磁性行为，表明反铁磁相和铁磁相可能共存。相反，在（110）衬底上生长的Mn薄膜显示出强的铁磁性，沿易磁化轴的自发磁化强度约为3.4mB/Mn原子。的基础上进行的高分辨率倒易空间映射分析的X-射线衍射，不同的行为进行了讨论的晶体学的限制所施加的外延Pr0.7Ca0.3MnO3的SrTiO 3。我们建议，（110）SrTiO 3上的生长，薄膜c轴上的拉伸应变，位于衬底平面内，有利于铁磁相，可能是通过允许混合占用和杂化的面内和面外的EG轨道。我们的数据可以摆脱一些物理的锰氧化物的非均匀状态和铁磁绝缘状态的性质。
2010-07-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Low-Temperature Permittivity of Insulating Perovskite Manganites
本文报道了具有反铁磁、绝缘基态的La（1-x）Ca（x）MnO（3）（0<=x<=1）和Ca（1-y）Sr（y）MnO（3）（0<=y<=0.75）在T<= 150 K时的低频（f<=100 kHz）介电常数和电导率的测量结果。静态介电常数由低T极限行为确定。随着T的增加，与电荷载流子跳跃相关的弛豫峰被观察到的结晶性的实部和分析，以确定掺杂剂的结合能。这些数据与一个简单的类氢杂质能级模型一致，并暗示Mn（4+）化合物的有效质量m ~*/m_e~3。特别令人感兴趣的是与组分La（0.2）Ca（0.8）MnO（3）附近的C型反铁磁态相关的大介电常数（~100）。
2004-10-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Structural, magnetic and superconducting properties of pulsed-laser-deposition-grown $\rm{La_{1.85}Sr_{0.15}CuO_{4}/La_{2/3}Ca_{1/3}MnO_{3}}$ superlattices on $\rm{(001)}$-oriented $\rm{LaSrAlO_{4}}$ substrates
用脉冲激光沉积技术在（001）取向的LaSrAlO 4衬底上外延生长了La_（1.85）Sr_（0.15）CuO_4/La_（2/3）Ca_（1/3）MnO_3超晶格。它们的结构，磁性和超导性能已被确定与原位反射高能电子衍射，X射线衍射，镜面中子反射，扫描透射电子显微镜，电输运，和磁化测量。我们发现，尽管LSCO和LCMO的面内晶格参数之间的大的失配，这些超晶格可以外延生长，并具有高的结晶质量。当第一LSCO层保持夹持到LSAO衬底时，在第一LCMO层中已经发生相当大的应变弛豫。下面的LSCO和LCMO层采用几乎平衡的状态，其中拉伸和压缩应变效应产生具有几乎恒定平均值的交替面内晶格参数。在LSCO层中没有观察到主要缺陷，而在LCMO层中发现了大量的垂直反相边界。LSCO层保持超导，具有约36 K的相对高的超导起始温度。宏观超导响应在磁化强度数据中也很明显，因为H在10 K以下有弱的抗磁信号。||ab和一个相当大的顺磁位移为H||这可以用涡钉扎引起的磁通压缩来解释。LCMO层保持强铁磁状态，具有约190 K的居里温度和约3.5（1）μ B的大低温饱和矩。这些结果表明，LSCO/LCMO超晶格可用于研究的拮抗铁磁和超导订单之间的相互作用，结合以前的研究YBCO/LCMO超晶格，可能会让一个确定相关的机制。
2014-02-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Current-voltage characteristics and resistive switching in epitaxial La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$/SrMnO$_3$/La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$ multilayer
School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学物理科学学院）；Special Centre for Nanoscience, Jawaharlal Nehru University（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学纳米科学特别中心）
本研究探究不同衬底对外延La0.67Sr0.33MnO3/SrMnO3/La0.67Sr0.33MnO3多层膜电流-电压特性的影响，发现Si(100)衬底上薄膜呈现显著非对称阻变行为，电阻开关比约10，有望用于存储与忆阻器件。
2026-09-28 cond-mat.mtrl-sci
Conductivity and magnetoresistance of La$_{0.7}$Ce$_{0.3}$MnO$_3$ thin films under photoexcitation
在SrTiO $_3$单晶衬底上生长了不同厚度、不同CeO $_2$相偏析程度和不同氧缺陷程度的LaPDMATHABMM CePDMATHABMN MnO $_3$薄膜，比较研究了它们的光谱和温度依赖的光电导（PC）以及光激发下的磁电阻（MR）行为。虽然生长的薄膜是不敏感的光激发，氧还原似乎是一种有效的方式来降低膜电阻，但膜厚度被发现发挥次要作用。然而，从PC的光谱行为的评估和在照明下LCeMO/衬底样品与裸衬底的MR的比较，我们发现光电导数据不仅反映了来自（i）膜中的光生载流子和（ii）从光电导衬底注入的载流子的贡献（如从早期的作品得出的结论），而且（iii）一个决定性的平行光电导的SrTiO $_3$基板。此外，也通过分析MR特性，在具有最高程度的CeO $_2$偏析和氧缺乏的样品中意外发生的强电阻效应也可以归因于SrTiO $_3$衬底的电阻。结果表明，一个关键的反思，并可能重新解释以前的几个光电导和电阻的锰氧化物薄膜的SrTiO $_3$的调查。
2014-08-21 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic Charge Distribution Induced by Spin Polarization in La$_{0.6}$Sr$_{0.4}$MnO$_{3}$ Thin Films Studied by X-ray Magnetic Linear Dichroism
外延生长薄膜的磁各向异性受衬底应变的影响，这是由于电子结构畸变和自旋轨道相互作用（SOI）的综合作用。作为逆过程，人们期望在SOI存在下由磁化引起的电子结构的各向异性。利用X射线磁线性二向色性（XMLD）研究了铁磁金属La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ MnO $_3$薄膜中磁化引起的电荷密度各向异性。对不同厚度薄膜的XMLD测量表明，XMLD强度与铁磁矩的平方成正比。使用XMLD求和规则和聚类模型计算，结果表明，Mn 3 $d$电子分布在平行于自旋极化方向的伸长轨道上的数量比分布在垂直于自旋极化方向的伸长轨道上的数量多。模型计算表明，SrTiO $_3$衬底的拉伸应变对XMLD谱的影响也与观测到的XMLD谱线一致形状.
2018-10-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic Dead Layers in La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$ Revisited
研究了LaPDMATHABMM SrPDMATHABMN MnO $_3$在（001）取向的SrTiO $_3$（STO）、LaAlO $_3$（LAO）和（LaAlO $_3$）$_{0.3}$（$_2$ TaAlO $_6$）$_{0.7}$（LSAT）衬底上的几纳米厚磁死层.发现在La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$薄膜的居里温度以上持续存在的反常矩不是归因于薄膜，而是归因于衬底表面处或附近的氧空位。在STO或LSAT的情况下，来自衬底的对力矩的贡献高达20 $μ$ B/nm $^2$。通过添加STO帽层来增加效果。考虑到这种d-零磁性，外推的磁死层厚度为0.8 nm，1.5 nm和3.0 nm的LSAT，STO和LAO衬底上生长的锰氧化物薄膜，分别被发现。STO帽层消除了LSMO死层。
2019-04-03 cond-mat.mtrl-sci
Thickness and temperature dependence of the magnetodynamic damping of pulsed laser deposited $\text{La}_{0.7}\text{Sr}_{0.3}\text{MnO}_3$ on (111)-oriented SrTi$\text{O}_3$
研究了用脉冲激光沉积法在（111）取向SrTi $\text{O}_3$（STO）衬底上生长的10、15和30 nm厚的$\text{La}_{0.7}\text{Sr}_{0.3}\text{MnO}_3$（LSMO）薄膜的磁动力学性质。在100- 300 K温度范围内进行了铁磁共振（FMR）实验，提取了磁动力学阻尼参数$α$作为薄膜厚度和温度的函数。我们发现，阻尼是最低的中间膜厚度为15 nm的$α\approx 2 \cdot 10^{-3}$，其中$α$是相对恒定的温度的函数远低于各自的膜的居里温度。
2016-07-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
The band structure and Fermi surface of La$_{0.6}$Sr$_{0.4}$MnO$_{3}$ thin films studied by in-situ angle-resolved photoemission spectroscopy
利用角分辨光电子能谱（ARPES）技术，对在SrTiO $_{3}$（001）衬底上生长的La $_{0.6}$ Sr $_{0.4}$ MnO $_{3}$（LSMO）薄膜的单晶表面进行了原位角分辨光电子能谱（ARPES）分析，研究了费米能级（$E_{F}$）附近的电子结构.实验结果与基于LDA + $U$的能带结构计算结果进行了比较。LSMO薄膜的能带结构由结合能在2.0 - 6.0 eV范围内的多个高色散O2 $p$导带和靠近$E_{F}$的Mn 3 $d$导带组成.围绕$Gamma$点的ARPES谱显示出在$E_{F}$附近的色散带，这表明在$Gamma$点中心有一个电子袋，尽管由于在$E_{F}$附近的谱权的抑制，它没有像类电子袋那样清晰地分辨出来。与能带结构计算结果相比，所观察到的导带归属于Mn 3 $de_{g}$的多数自旋带，这是LSMO半金属性质的原因.我们发现，费米面的估计尺寸与带结构计算的预测一致，而带宽变得比计算显着变窄。此外，$E_{F}$附近的强度也大大降低。这些差异的实验和计算之间的起源进行了讨论。
2005-03-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Local tetragonal distortion in La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_3 strained thin films probed by x-ray absorption spectroscopy
我们报告的角度分辨X射线吸收光谱研究的$La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_{3}$薄膜外延生长的脉冲激光沉积在轻微失配的衬底，诱导拉伸或压缩应变。XANES光谱给出了$MnO_{6}$八面体内的四面体畸变的证据，拉伸和压缩应变具有相反的方向。定量分析，建立了反映应变的四边形畸变模型。拉伸基底的EXAFS数据证实了$Mn-O$平均键距的变化和$Mn-Mn$长度的增加与晶胞参数的增大相匹配。根据这些结果，我们得出结论，$Mn-O-Mn$角没有显著变化。我们的观察冲突的情况下，这个角度是主要的驱动参数的锰氧化物薄膜性能的敏感性，外部应变，并建议内的八面体的变形中起着关键作用的运输和磁性的修改。
2004-12-11 cond-mat.mtrl-sci
Interplay between magnetic, electronic and vibrational effects in monolayer Mn_3O_4 grown on Pd(100)
的表面稳定的MnO（100）样单层，其特征在于由一个规则的c（4x2）分布的Mn空位，研究了混合泛函和讨论的光可用的扫描隧道显微镜和高分辨率电子能量损失谱数据。我们表明，使用混合泛函是至关重要的磁相互作用，电子本地化，结构扭曲和表面声子的混合性质。所提出的Pd（100）负载Mn3O4结构与文献报道的实验结果具有很好的一致性。
2009-02-11 cond-mat.mtrl-sci
Grain boundary effects on magnetotransport in bi-epitaxial films of La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$
研究了生长在SrTiO $_3$衬底上的La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$（LSMO）薄膜的低场磁输运性质。高质量的LSMO薄膜表现出各向异性的磁电阻效应（AMR），并且在LSMO的居里温度附近有一个磁电阻峰值。使用MgO的种子层和CeO的缓冲层$_2$制备的Bi外延膜显示出由晶界主导的电阻。一个膜被制备为具有完整的种子层和缓冲层，而第二个样品被制备为晶界的2D正方形阵列。这些薄膜表现出i）在低场磁电阻中的低温尾部; ii）具有恒定高场斜率的磁电导;以及iii）非常大的AMR效应。一个模型的基础上的两步隧穿过程，包括自旋翻转隧穿，进行了讨论，并示出与双外延膜的实验结果是一致的。
2000-07-11 cond-mat.mtrl-sci
Point contact investigations of film and interface magnetoresistance of La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$ heterostructures on Nb:SrTiO$_{3}$
基于STM的磁输运测量的外延La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$ 32 nm厚的膜，有和没有内部LaMnO $_3$层（0-8 nm厚）生长在Nb掺杂的SrTiO $_3$。测量结果表明，两种类型的低场磁电阻（LFMR）的大小为$\sim 0.1-1.5\%$。一个LFMR的贡献被确定为传统的晶界/畴壁散射通过对称的I-V特性，高度依赖于尖端位置和不敏感性引入的LaMnO $_3$层。另一个贡献来源于反向偏置Nb掺杂的SrTiO $_3$界面和La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$界面层。这两个LFMR贡献显示出比体膜更高的介电常数（$\sim$ 200 Oe）的场依赖性。发现LaMnO $_3$层降低了结的整流特性，并且通过电子束光刻的亚微米横向图案化增强了二极管特性，根据所提出的基于注入电流的局部性的传输模型。
2014-08-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
First principles calculation of uniaxial magnetic anisotropy and magnetostriction in strained CMR films
采用第一性原理相对论全势线性缀加平面波方法对应变四元铁磁La（Ba）MnO $_3$进行了理论计算，实验结构为生长在SrTiO $_3$ [001]和LaAlO $_3$ [001]衬底上的应变四元La $_{0.67}$ Ca $_{0.33}$ MnO $_3$（LCMO）薄膜.计算的单轴磁各向异性能（MAE）值，在很好的定量与实验的SrTiO $_3$衬底上的LCMO薄膜。我们还分析了线性磁弹性理论对描述磁弹性效应的应变依赖性的适用性，并估算了磁致伸缩系数$λ_{001}$。
1999-04-01 cond-mat.mtrl-sci
Interface-driven magnetic anisotropy in relaxed La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$CrO$_3$/La$_{0.7}$Sr$_{0.3}$MnO$_3$ heterostructures on MgO
研究了用分子束外延法在（001）取向MgO上生长的La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ CrO $_3$（LSCO）/La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_3$（LSMO）异质结的结构和磁性。由于大的薄膜-衬底晶格失配，应变弛豫被发现发生在第一个2-3个单位晶胞（uc）的薄膜，证明了反射高能电子衍射和高分辨率同步辐射X射线倒易空间映射。我们发现，存在的LSCO间隔层和帽层导致铁磁性的超薄LSMO层的厚度为2 μ c的顺序与磁易轴取向的膜平面。用SQUID磁强计测量了[2 uc LSCO/ 2 uc LSMO]和[2 uc LSCO/ 4 uc LSMO]超晶格的净磁矩分别为1.4和2.4 $μ_B$ /Mn。放松[2 μ c LSCO/ 4 μ c LSMO]异质结构的有效磁各向异性被发现是一个数量级高于散装LSMO突出的界面磁交换相互作用的关键作用，在复杂的氧化物界面的磁各向异性调谐。
2020-10-14 cond-mat.mtrl-sci
Influence of Zeeman splitting and thermally excited polaron states on magneto-electrical and magneto-thermal properties of magnetoresistive polycrystalline manganite La_{0.8}Sr_{0.2}MnO_3
磁阻锰氧化物的自旋和电荷自由度之间的一些可能的连接进行了研究，通过彻底的实验研究的磁性（交流磁化率和直流磁化）和运输（电阻率和热导率）的属性。测量报告的情况下，以及表征多晶La_{0.8} Sr_{0.2} MnO_3样品。实验结果表明，相当强的场致极化效应在我们的材料，清楚地表明有序FM区域内的半导体相的存在。使用适合自发DC磁化的分析表达式，发现电阻率和热导率数据的温度和磁场依赖性通过基于两种机制的通用方案被很好地再现：（i）受塞曼分裂效应影响的依赖于磁化强度的自旋极化子跳跃，以及（ii）为了正确描述导电性较低区域的行为而必须考虑的适当定义的热激发极化子状态。利用实验测得的磁和电子局域化温度，我们分别得到了局域化长度（自旋极化子的尺寸）和有效极化子质量的估计值L=0.5nm和m_p=3.2m_e。
2007-09-26 cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial stabilization of ultra thin films of electron doped manganites
采用脉冲激光间歇沉积法在SrTiO $_3$（001）衬底上生长了电子掺杂锰氧化物La $_{0.8}$ Ce $_{0.2}$ MnO $_3$的超薄膜。高的结构质量和表面形态，证实了基于同步加速器的X射线衍射和原子力显微镜的组合。共振X射线吸收光谱测量证实了Ce $^{+4}$和Mn $^{+2}$离子的存在。此外，通过霍尔效应测量证实了电子掺杂特征。所有生长的薄膜显示出铁磁基态，所揭示的XMCD和磁阻测量和保持绝缘相反的金属-绝缘体转变的早期报告。我们的研究结果暗示了类似于高$T_c$铜酸盐的锰氧化物巨磁阻（CMR）相图中电子-空穴不对称的可能性。
2014-03-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic excitations and structure of Li2IrO3 thin films grown on ZrO$_{2}$:Y (001) substrates
薄膜是铱酸盐中由强自旋轨道耦合和电子关联相互作用产生的奇异基态应用的先决条件。报道了在ZrO $_{2}$：Y（001）单晶衬底上脉冲激光沉积Li $_{2}$ IrO $_{3}$薄膜的研究。X射线衍射证实了优先的（001）和（10-1）面外晶体取向，具有良好定义的面内取向。35和300 K之间的电阻率是由一个三维的可变范围跳跃机制。的介电函数是通过光谱椭圆偏振法和傅里叶变换红外透射光谱的补充，揭示了一个小的光学间隙的$\approx$ 300毫电子伏，分裂的$5d$ - $t_{2g}$流形，和几个间隙激发归因于声子和可能的磁振子。
2015-02-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Raman phonons as a probe of disorder, fluctuations and local structure in doped and undoped orthorhombic and rhombohedral manganites
我们提出了一个合理化的拉曼光谱的正交和菱面体，化学计量和掺杂，锰钙钛矿。特别是，我们研究RMnO 3（R= La，Pr，Nd，Tb，Ho，Er，Y和Ca）和不同阶段的Ca或Sr掺杂的RMnO 3化合物以及阳离子缺乏的RMnO 3。锰氧化物的光谱可以理解为对应于MnO 6八面体的两种结构构型的两种光谱的组合，并且独立于通过衍射技术获得的平均结构。具有规则MnO_6八面体的化合物，如CaMnO_3、高Ca掺杂的LaMnO_3以及Ca或Sr掺杂的LaMnO_3金属相，其主峰分别为与R-O（1）键和Mn-O-Mn角相关的弯曲和倾斜MnO_6八面体模式。在低和最佳掺杂的锰氧化物中，宽带的强度和宽度与在顺磁绝缘制度中由极化子跳跃产生的动态波动的幅度有关。与极化子结合能成比例的活化能是该振幅的量度。这项研究允许检测和确认的共存，在几种化合物中，一个顺磁矩阵与晶格极化子一起没有动态或静态八面体扭曲的区域，相同的铁磁金属相。我们表明，拉曼光谱是一个很好的工具，以获得信息的不同的微观或宏观相同时存在于许多锰氧化物的局部结构。
2002-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coherent soft-mode phonon generation and detection in ultrathin SrTiO3 grown directly on silicon
在室温下对直接生长在Si上的SrTiO 3薄膜进行了时间分辨双色泵浦-探测偏振光谱研究，薄膜厚度从2 nm到7.8 nm。具有0.2太赫兹的特征频率的E软模脉冲产生和测量在这些相干应变的四相SrTiO 3薄膜。另一个过阻尼信号表明，双势阱之间的Ti离子可能弛豫跳跃。相干声子信号对泵浦和探测激光偏振的依赖性有助于识别声子模式。
2010-10-17 cond-mat.mtrl-sci
Magneto-optical properties of textured La$_{2/3}$Sr$_{1/3}$MnO$_3$ thin films integrated on silicon via a Ca$_2$Nb$_3$O$_{10}$ nanosheet layer
本文通过 Ca$_2$Nb$_3$O$_{10}$ 纳米片种子层在硅基底上生长织构化 LSMO 薄膜，证明其磁光与光学性质可媲美块体 STO 上的高质量外延层。
2023-10-25 cond-mat.mtrl-sci
Thickness dependent magnetotransport in ultra-thin manganite films
为了了解锰氧化物的近界面磁性，在单晶（001）LaAlO_3和（110）NdGaO_3衬底上外延生长了均匀的La_{0.67} Sr_{0.33} MnO_3超薄膜。温度和磁场依赖的薄膜电阻被用来探测薄膜的结构和磁性能。表面和/或界面相关的死层推断从厚度依赖的电阻和磁阻。对NdGaO_3薄膜和LaAlO_3薄膜的死层总厚度分别估计为$\sim 30 Å$和$\sim 50 Å$。
1998-09-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial lift-off of La$_{2/3}$Sr$_{1/3}$MnO$_3$ membranes enabled by BaO sacrificial layers and restoration of the Curie temperature
The University of Tokyo（东京大学）；NTT, Inc.（日本电信电话株式会社）；Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)（日本同步辐射研究机构）
利用BaO牺牲层实现La$_{2/3}$Sr$_{1/3}$MnO$_3$膜的外延剥离，并通过退火提高Curie温度。
2026-02-08 cond-mat.mtrl-sci
Pulsed Laser Deposition of Rocksalt Magnetic Binary Oxides
在这里，我们系统地探索使用脉冲激光沉积技术（PLD）生长三种基本的氧化物，具有岩盐结构，但在环境气氛中的化学稳定性不同：NiO（稳定），MnO（亚稳）和EuO（不稳定）。通过调节激光能量密度，可以在10至750 °C的较宽温度范围内实现外延单相氧化镍薄膜生长。在最低生长温度下，薄膜的面外应变达到1.5%，是750 °C下生长的NiO薄膜的5倍。通过适当调整沉积参数，在MgO衬底上成功沉积了具有长程有序性的MnO薄膜。MnO相的生长受衬底温度和激光能量密度的强烈影响。采用PLD法在最低氧浓度条件下制备了质量良好的EuO薄膜。EuO薄膜的合成在相当低的生长温度下防止热驱动的晶格弛豫，并允许应变膜的生长。总之，PLD是一种快速、可靠的生长岩盐结构二元氧化物的高质量方法，可以满足应用和基础研究的要求。
2019-09-20 cond-mat.mtrl-sci
Tailoring c-axis orientation in epitaxial Ruddlesden-Popper Pr$_{0.5}$Ca$_{1.5}$MnO$_{4}$ films
对Pr $_{0.5}$ Ca $_{1.5}$ MnO $_4$及其薄膜多晶型的层状Ruddlesden-Popper强关联锰氧化物的兴趣是由高于室温的电荷轨道有序的高温激发的。我们报告的定制的c轴取向生长在SrTiO $_3$（STO）衬底上的外延RP-PCMO薄膜具有不同的取向，以及使用的CaMnO $_3$（CMO）缓冲层。STO（110）上的薄膜显示沿[100]方向的c轴的面内取向。在STO（100）上，面内c轴的两个可能方向导致马赛克状准二维纳米结构，其由RP、岩盐和钙钛矿结构单元组成。通过使用CMO缓冲层，实现了具有c轴离面的RP-PCMO外延膜。不同的物理气相沉积技术，即离子束溅射（IBS），脉冲激光沉积（PLD）以及金属有机气溶胶沉积（MAD）的应用，以区分生长条件的影响和内在的外延性能。对于所有的沉积技术，尽管其非常不同的生长条件，表面形态，晶体结构和取向的薄膜揭示了高水平的相似性，通过X射线衍射，扫描和高分辨率透射电子显微镜验证。我们发现，对于不同的外延关系的薄膜中的应力可以通过修改的界面化学放松。通过电阻率测量估计的膜中的电荷排序发生在接近于预期的散装材料中的温度。
2020-09-16 cond-mat.mtrl-sci
Hopping Transport in SrTiO3/Nd1-xTiO3/SrTiO3 Heterostructures
采用变温磁输运测量方法研究了分子束外延生长的SrTiO 3/Nd 1-xTiO 3/SrTiO 3异质结构中绝缘体-金属转变附近的电子输运。研究发现，Nd空位引入局域电子态，导致低温下的变程跳跃输运。在一个固定的Nd-空位浓度，从莫特到Efros-Shklovskii（ES）的可变范围跳跃传输的交叉观察随着温度的降低。随着无序度的增加，磁电阻从正到负的符号反转被观察到揭示了状态内相互作用和作为无序度的函数的局域化长度的能量依赖性之间的相互作用。这些研究结果突出了化学计量的重要作用时，探索使用异质结构和接口的内在效应，除了提供广泛的机会，以适应低温运输使用非化学计量缺陷。
2018-11-27 cond-mat.mtrl-sci
Giant interfacial Dzyaloshinskii-Moriya Interaction in perovskite La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_{3} films
本文通过室温自旋波传播测量和第一性原理计算，揭示 LSMO/NdGaO_{3}(110) 界面存在高达 1.96 pJ/m 的巨大 DMI，并阐明 Nd 的 4f 电子对 Mn 3d 自旋轨道耦合的增强机制。
2024-08-09 cond-mat.mtrl-sci
Multiple double-exchange mechanism by Mn$^{2+}$-doping in manganite compounds
RE $_{1-x}$ AE $_{x}$ MnO $_{3}$锰氧化物（其中RE是三价稀土离子，AE是二价碱土金属离子）中的双交换机制依赖于两个Mn $^{3+}$和Mn $^{4+}$离子之间通过插入氧2 p态的强交换相互作用。然而，RE和AE离子的作用被认为是“沉默”的DE传导机制。在这里，我们表明，DE-机制的一个新的路径确实是可能的，通过部分取代的RE-AE元素的Mn $^{2+}$ -离子，在La-缺陷的La $_{x}$ MnO $_{3-δ}$薄膜。X-射线吸收光谱证明了Mn $^{2+}$离子的相关存在，其通过共振非弹性X-射线散射明确地证明在La-位点被取代。理论上通过有效单带模型内的计算证实，由于通过插入Mn $^{2+}$ -离子的额外跳跃机制，Mn $^{2+}$被证明与增强的磁输运性质直接相关。使用Mn $^{2+}$作为掺杂元素和电子参与导电机制的离子的想法从未被预见，揭示了锰氧化物输运性质的新现象。更重要的是，这种策略也可以在其他强相关的材料中使用。
2010-11-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Highly-Oriented Atomically Thin Ambipolar MoSe$_2$ Grown by Molecular Beam Epitaxy
过渡金属二硫属化合物（TMDC），连同其他二维（2D）材料，由于原子级薄层的独特的光学和电学性质，吸引了极大的兴趣。为了充分发挥其潜力，开发大面积生长和了解TMDC的特性变得至关重要。在这里，我们使用分子束外延（MBE）在GaAs（111）B上生长原子级薄的MoSe $_2$。在生长膜的界面处没有检测到中间化合物。仔细优化的生长温度可以导致高度对准的薄膜的生长，由于破坏反转对称性，只有两个可能的晶体取向。生长的薄膜可以转移到绝缘基板上，使其光学和电学性能进行探测。通过使用聚合物电解质门控，我们实现了分子束外延生长的MoSe $_2$的双极性输运。温度依赖的输运特性可以用二维可变程跳跃（2D-VRH）模型来解释，表明输运受到薄膜中无序的强烈限制。
2017-05-30 cond-mat.mtrl-sci
Structural and Electrical Properties of MoTe$_2$ and MoSe$_2$ Grown by Molecular Beam Epitaxy
我们展示了用分子束外延在蓝宝石衬底上生长二碲化钼和二硒化钼的薄膜。原位结构和化学分析表明，化学计量层状薄膜生长与原子级光滑的表面形貌。通过X射线衍射证实了沿（001）方向的膜生长，并且通过拉曼光谱证实了在2H相中生长的结晶性质。透射电子显微镜被用来确认层状膜结构和表面原子的六边形排列。依赖于温度的电测量显示出的绝缘行为，同意以及与一个二维的可变范围的跳跃模型，这表明在这些薄膜中的运输是由本地化的电荷载流子状态为主。
2016-03-09 cond-mat.mtrl-sci
An effective Hamiltonian for an extended Kondo lattice model and a possible origin of charge ordering in half-doped manganites
在强Hund耦合和在位库仑相互作用的情况下，通过投影微扰方法导出了有效的哈密顿量。提出了半掺杂锰氧化物（R_{0.5} X_{0.5} MnO_3）中电荷有序化的物理机制。电子跳跃的虚过程导致反铁磁超交换和排斥相互作用，这可能驱动电子形成维格纳晶格。给出了半掺杂时该模型的基态相图。在形成维格纳晶格的情况下，我们证明了电子的自旋是铁磁排列的，并且局域自旋背景是反铁磁的。讨论了在位库仑相互作用的影响。
1999-04-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
