Irradiation induced modification of the superconducting properties of heavily boron doped diamond
金刚石是一种宽带隙半导体，当重掺杂硼时，可以被设计成表现出超导性。这种现象已经在通过化学气相沉积生长的样品中得到证实，其中硼浓度超过$n_{MIT} \gtrsim 4\times10^{20}/\text{cm}^3$的金属到绝缘体转变的临界浓度。虽然超导性的阈值载流子浓度通常在文献中得到很好的建立，但尚不清楚较高的临界温度与增加的硼浓度的相关性如何。先前的研究通常比较了在不同等离子体条件下或在具有不同晶体取向的衬底上生长的几个样品，以改变硼掺入晶格中的情况。在这里，我们提出了一个单一的样品与不变的硼浓度的研究，而不是修改的载流子浓度通过引入补偿缺陷，通过高能离子辐照。当缺陷的数量足以补偿空穴浓度到阈值以下时，超导性被完全抑制。此外，我们还证明了通过真空退火去除补偿缺陷来恢复超导性是可能的。
2018-09-06 cond-mat.supr-con
Imaging atomic-scale effects of high-energy ion irradiation on superconductivity and vortex pinning in Fe(Se,Te)
使可持续的超电流密度Jc最大化对于超导性的高电流应用是至关重要的，并且为了实现这一点，防止量子化涡旋的耗散运动是关键。用高能重离子辐照超导体可以用来产生纳米级的缺陷，这些缺陷充当涡旋的深钉扎电位。这种方法对于铁基超导体的高电流应用具有独特的前景，因为Jc放大持续到比铜酸盐超导体高得多的辐射剂量，而不显著改变超导临界温度。然而，对于这些化合物几乎一无所知的原子尺度的相互作用的晶体损伤的高能离子，超导序参量，和涡旋钉扎过程。在这里，我们可视化FeSexTe 1-x与249 MeV金离子照射的原子尺度的影响，并发现两个不同的效果：紧凑的纳米尺寸的区域的晶体破裂或“柱状缺陷”，加上一个更高的密度的单原子网站的“点”缺陷可能从二次散射。我们直接表明，超导秩序几乎是湮灭在前者，而后者抑制。同时原子分辨图像的柱状晶体缺陷，超导性，和涡旋配置，然后揭示如何创建一个混合钉扎景观，最强的钉扎发生在金属芯柱状缺陷和二次钉扎在集群的点状缺陷，其次是集体钉扎在较高的领域。
2015-06-17 cond-mat.supr-con
Suppression of the critical temperature of superconducting NdFeAs(OF) single crystals by Kondo-like defect sites induced by alpha-particle irradiation
本文报道了α粒子辐照对NdFeAs（OF）单晶临界温度Tc的抑制作用。我们的数据表明，辐照缺陷产生的电磁散射和磁散射，导致近藤样的过剩电阻$Δρ(T)\propto ln T$超过20年以上的温度高于$T_c$。尽管辐照缺陷密度高，但$T_c$被抑制到零的剂量与MgB 2相当，但远高于铜酸盐的相应值。
2009-10-27 cond-mat.supr-con
Superconductivity in the presence of microwaves: Full phase diagram
本文讨论了微波辐照下的非平衡超导问题。我们改进了旧的Eliashberg理论，并将其推广到任意温度$T$和频率$ω$。微波辐射被证明是刺激超导电性在一个有界区域中的$(ω,T)$平面。特别地，对于$T<0.47\, T_c$和对于$\hbarω>3.3\, k_BT_c$，超导性总是被弱的\emph{ac}驱动抑制。我们还研究了微波辐照下的超导电流，建立了临界电流增强的判据。我们的结果可以定性地解释动力学（“刺激”与“加热”）和光谱（“depairing”）的微波效应之间的相互作用。
2018-05-28 cond-mat.supr-con
The critical parameters enhanced by microwave field in thin-film type-II superconductors
本文给出了微波辐照增强超导薄膜超导电性的实验研究结果。分析了微波辐射功率、频率以及超导薄膜的温度和宽度对增强临界电流和电阻态涡旋结构消失和出现第一条相滑移线的电流的实验依赖性的影响。对不同宽度薄膜的实验研究表明，微波场的超导增强效应是普遍的，在超导电流沿薄膜宽度均匀分布（窄膜）和非均匀分布（宽膜）的情况下都有发生。结果表明，宽膜中超导性的增强不仅使临界电流和临界温度增大，而且使涡旋态能在膜中存在的最大电流增大。宽膜中微波辐照的超导电性增强现象可以用Eliashberg理论来描述，该理论曾被用来解释窄沟道中的相同现象。实验发现，观察到超导增强的辐照功率的间隔随着膜宽度的增加而变窄，这削弱了其检测的概率。
2014-10-28 cond-mat.supr-con
Effect of electron irradiation and Pr doping on the charge transport in YBCO single crystals
本文研究了在$T_c$ ~ $300$，K范围内，用能量为$0.5-2.5$，MeV的电子辐照$_2$单晶，对基面电阻率的影响。电阻率的温度依赖性由由于辐照而产生的缺陷决定。这些缺陷直接影响超导转变，降低$T_c$并增加转变宽度，而不会显著扭曲其形状。由此产生的缺陷也会导致德拜温度的增加，由于各向异性的减少，以及样品中声子散射的显著增加。过量电导率不随所用辐照而改变。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Charge density wave and superconductivity competition in Lu$_5$Ir$_4$Si$_{10}$ : a proton irradiation study
实空间调制电荷密度波（CDW）是许多超导体中普遍存在的特征。特别是，CDW如何与超导性相关是一个活跃而开放的问题，自从在许多铜酸盐超导体中发现CDW以来，最近引起了人们的极大兴趣。在这里，我们表明，质子辐照引起的无序是一个成熟的调谐参数，可以带来必要的信息来回答这个问题，因为它影响CDW和超导性与不同的和明确的机制。特别地，在模型CDW超导体Lu $_5$ Ir $_4$ Si $_{10}$中，当温度低于77K时，出现一维CDW，当温度低于4K时，出现s波超导，我们发现无序提高了超导临界温度$T_\mathrm{c}$和$H_\mathrm{c2}$，同时抑制了CDW.讨论如何无序影响超导电性和CDW，我们提出了一个令人信服的情况下，超导性和CDW的竞争在费米能级的电子态密度在Lu $_5$ Ir $_4$ Si $_{10}$，我们调和通过更常见的压力和掺杂的调谐参数得到的结果。由于它的原型，一维，Peierls型CDW和s波，弱耦合性质的超导性，这种照射研究的Lu $_5$ Ir $_4$ Si $_{10}$提供了基础，以了解和扩展这种研究的密度波和超导共存的更复杂的情况下，重费米子，铁基或铜酸盐超导体。
2020-09-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The resistance anomaly in the surface layer of Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$ single crystals under radio-frequency irradiation
我们观察到，射频（rf）照射显着提高$c$轴电阻附近和以下的超导转变的CuO $_{2}$层与正常金属电极上的表面上的Bi $_{2}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+x}$单晶。我们把电阻异常归因于表面CuO $_{2}$层中的射频诱导电荷不平衡非平衡效应。在这个高度各向异性的系统中的电荷不平衡的弛豫受到缓慢的准粒子复合速率的阻碍，这导致观察到的过度电阻。
2000-03-20 cond-mat.supr-con
Doping and Irradiation Controlled Vortex Pinning Behavior in BaFe2(As1-xPx)2 Single Crystals
本文报道了BaFe_2（As_（1-x）Px）_2单晶中涡旋钉扎行为的系统演化。从最佳掺杂到最佳掺杂的样品，我们发现了一个明确的transformation的磁化滞后从鱼尾行为的一个明显的峰值效应，然后是可逆的磁化和Bean Livingston表面障碍。强的点钉扎在低磁场下主导涡旋行为，而弱的集体钉扎在高磁场下决定涡旋行为。除了掺杂的影响，我们表明，高能质子的粒子照射可以调整这些材料中的涡旋钉扎。
2011-10-04 cond-mat.supr-con
Critical current anisotropy in Nd-1111 single crystals and the infuence of neutron irradiation
本文报道了NdFeAsO $_{0.65}$ F $_{0.35}$（Nd-1111）单晶的角分辨磁化强度测量。场依赖性的临界电流密度，$J_c$，是非单调的，在这些晶体在所有的取向和温度，由于鱼尾效应，这强烈影响的角度依赖性的$J_c$。在低场时，电流随着场从晶体学c轴倾斜而减小，但在高场时增加。在中间场，$J_c$的角度依赖性出现峰值。快中子辐照后，临界电流显著增强，鱼尾现象消失。然而，在低场和高场的不同电流各向异性仍然存在。我们讨论的各向异性缩放方法的框架中的数据，并提出了从占主导地位的钉扎在低场的低密度的大缺陷钉扎在高场的原始晶体的小缺陷。强钉扎占主导地位，在所有领域的照射后，和角度依赖性的$J_c$可以描述的各向异性缩放后，只有适当的扩展到这个钉扎制度。
2013-11-14 cond-mat.supr-con
Vortex dynamics in $β$-FeSe single crystals: effects of proton irradiation and small inhomogeneous stress
我们报告了原始和3 MeV质子辐照（累积剂量等于2 × 10^16 cm^-2）$β$ -FeSe单晶的临界电流密度Jc和涡旋动力学。我们还分析了超导临界温度Tc、Jc和磁通蠕动率S与样品安装方法的显著关系。独立晶体的Tc =8.4（1）K，当它们通过用GE-7031清漆包埋固定到样品架上时，Tc增加到10.5（1）K。另一方面，辐照对Tc的影响很小。钉扎的情况下，可以归因于孪晶界和随机点缺陷。我们发现辐照的主要作用是增加随机点缺陷的密度，而包埋的主要作用是降低孪晶界的密度。原始的和辐照的晶体呈现出两个突出的特点，在温度依赖性的磁通蠕变速率：S（T）在低温下，这可以归因于小钉扎能量，并在中间温度下，这可以与玻璃态弛豫大的值。由Maley分析，我们观察到质子辐照后的特征玻璃化指数μ从~ 1.7变化到1.35-1.4。
2017-10-20 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of (Ba-K)Fe2As2 single crystals disordered with fast neutron irradiation
本文研究了快中子辐照下（Ba_（1-x）K_x）Fe_2As_2（x = 0.218，0.356，0.531）单晶的电阻率Rho（T），霍尔系数RH（T），超导转变温度Tc和上临界场dHC_2/dT的斜率。发现dTc/dRhoSC -作为RhoSC的函数的Tc降低速率（RhoSC是T = Tc时的电阻率）-随浓度x线性增加。霍尔系数RH的缓慢变化，以及二次电子的电阻率的贡献，表明有没有辐射引起的费米表面的拓扑结构的实质性变化。上临界场dHc 2/dT的斜率在ab-和c-方向作为一个函数的RHoSC确定霍尔测量显示一个合理的协议与模型，建议恒定的带参数。
2014-03-11 cond-mat.supr-con
Enhancement of critical current density and mechanism of vortex pinning in H$^+$-irradiated FeSe single crystal
在本报告中，我们全面研究了H $^+$辐照对FeSe单晶的临界电流密度、$J_c$和涡旋钉扎的影响。结果表明，经过3 MeV H $^+$辐照后，FeSe的$J_c$值提高了一倍以上。基于Dew-Hughes模型的涡旋钉扎力的标度分析表明，H $^+$辐照成功地在晶体中引入了点钉扎中心。我们还发现，辐照后的涡旋蠕变率强烈抑制。基于集体蠕变理论和扩展Maley方法对临界电流依赖的钉扎能的详细分析表明，H-$^+$辐照提高了磁通蠕变前的$J_c$值，减小了磁通束的尺寸，从而进一步降低了由涡旋运动引起的$J_c$的场依赖性.
2015-11-20 cond-mat.supr-con
Suppression of Superconductivity in Heavy-ion Irradiated 2H-NbSe2 Caused by Negative Pressure
研究了320 MeV金辐照2 H-NbSe_2单晶产生的柱状缺陷效应，剂量等效匹配场达16 T。发现临界温度以0.07 K/T的速率几乎线性地被抑制。同时，晶格参数a和c分别以0.016%/T和0.030%/T的速率膨胀。这样的晶格膨胀应该作为负压来影响Tc。通过分离重离子辐照对Tc抑制的影响，通过晶格膨胀和无序，发现Tc抑制更多的晶格膨胀，而不是由无序。
2022-05-29 cond-mat.supr-con
Enhancement of $J$$_c$ by Proton Irradiation in HgBa$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_8$$_+$$_δ$ Single Crystals
Southeast University（东南大学）；The University of Tokyo（东京大学）；Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所）；Purple Mountain Laboratories（紫金山实验室）
研究通过质子辐照在HgBa$_2$Ca$_2$Cu$_3$O$_8$$_+$$_δ$单晶中引入钉扎中心，发现临界电流密度在1×10$^{16}$/cm$^2$的辐照剂量下显著增强，最高达到26 MA/cm$^2$，并观察到临界电流密度对磁场的幂律依赖性以及钉扎力密度的变化机制。
2026-05-07 cond-mat.supr-con
Comparative study of the effects of electron irradiation and natural disorder in single crystals of SrFe$_{2}$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$ ($x=$0.35) superconductor
测量了SrFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$（$x=$ 0.35）铁基超导体单晶的伦敦穿透深度$λ(T)$.研究了无序对转变温度、$T_c$和对$λ(T)$的影响。比较了退火控制的散射效应和2.5MeV电子辐照引入的人工无序效应。$λ(T)$的低温行为可以用幂律函数$Δλ(T)=AT^n$来描述，其中在原始退火样品中指数$n$接近于1，正如对于具有线节点的超导带隙所预期的那样。在$1.2 \times 10^{19}$ \ecm辐照后，指数$n$迅速增加，超过$n=$ 2的脏极限值，这意味着超导带隙中的节点是偶然的，可以通过无序提升。与$T_c$的指数$n$的变化是更强的照射晶体相比，在其中的无序生长缺陷的退火控制的晶体。我们讨论了不同类型的无序对带内和带间散射的不同影响。
2014-06-05 cond-mat.supr-con
Simulation of light C4+ ion irradiation and its significant enhancement to the critical current density in BaFe1.9Ni0.1As2 single crystals
在这项工作中，我们报告的模拟C4+辐照及其显着的效果对提高BaFe 1.9Ni 0.1As 2单晶的临界电流密度。通过在低于和高于超导临界温度（Tc）的宽温度范围内高达13 T的磁输运和磁性测量来表征有和没有C注入的BaFe 1.9 Ni 0.1 As 2单晶。结果表明，注C对Tc的影响不大，但能使临界电流密度提高1.5倍，并增强了2K下的磁通跃变。我们的蒙特卡罗模拟结果表明，所有的C离子最终在一个定义良好的层，导致扩展的缺陷和空位的层，但很少缺陷的其他地方的注入路径。这种类型的缺陷分布不同于由重离子注入产生的柱状缺陷。此外，正常态的电阻率被提高的光C4+照射，而上临界场，Hc2，不可逆场，Hirr，和Tc的影响很小。
2011-10-14 cond-mat.supr-con
Effect of electron irradiation on vortex dynamics in YBa_2Cu_3O_{7-x} single crystals
我们报告的急剧变化的涡旋动力学与增加的淬火无序：对于相当弱的障碍，我们发现了一个单一的涡旋蠕变制度，我们归因于布拉格玻璃相，而增强的无序，我们发现了增加的脱钉电流和激活能与磁场，我们归因于纠缠涡旋相。我们还发现，引入额外的缺陷总是增加脱钉电流，但它只增加激活能的弹性涡蠕变，而它降低激活能的塑性涡蠕变。
2001-04-26 cond-mat.supr-con
Influence of electron irradiation on fluctuation conductivity and pseudogap in $YBa_2Cu_3O_{7-δ}$ single crystals
本文研究了能量为2.5MeV的电子辐照对最佳掺杂的$YBa_2Cu_3O_{7-δ}$单晶电阻率随温度变化的影响。在局域对模型下计算了涨落电导率$σ^\prime(T)$和赝能隙$Δ^*(T)$随辐照剂量$ϕ$的温度依赖关系。在这里，我们表明，随着$ϕ$的增加，$ρ(300 K)$的值线性增加，而$T_c$线性减少。同时，$ρ{100 K}$的值非线性地增加，证明了$ϕ_3$ = 4.3 × 10 $^{18}$ e/ $cm^2$的特征，这也在其他剂量依赖性参数的数量中观察到。无论照射剂量如何，在从$T_c$到$T_{01}$的温度范围内，$σ^\prime(T)$服从Aslamazov $-$ Larkin和Maki $-$ Thompson的经典涨落理论，展示了随着温度升高的3D $-$ 2D交叉。交叉温度$T_0$使得可以确定沿$c$轴的相干长度$ξ_c(T)$，其在辐照下增加$\approx 3$倍。当$ϕ$ = 0时，观察到具有明显孪晶界的单晶对$Δ^*(T)$的依赖性，在$T_{pair}$ ~ 120 K处有一个极大值，在$T = T_{01}$处有一个明显的极小值。这是第一次确定，在$ϕ_3$ = 4.3 × 10 $^{18}$的$Δ^*(T)$的形状变化强烈，并成为相同的最佳掺杂的$YBa_2Cu_3O_{7-δ}$单晶具有非常低的赝能隙开放温度$T^*$和显…
2022-09-29 cond-mat.supr-con
S-wave Superconductivity in Optimally Doped SrTi$_{1-x}$Nb$_x$O$_3$ Unveiled by Electron Irradiation
本文报道了电子辐照SrTi $_{0.987}$ Nb $_{0.013}$ O $_3$单晶的电阻率和磁化率的测量研究。电子辐照引起的点状缺陷使剩余电阻率提高近3倍，但对超导临界温度（$T_c$）几乎没有影响。安德森定理的相关性为s波超导序参量的存在提供了有力的证据。较强的散射导致有效相干长度（$ξ$）的减小，并且推导出的干净极限相干长度（$ξ_0$）在BCS相干长度（$ξ_{BCS}$）附近。结合指向多个无节点间隙的热导率数据，当前的结果将最佳掺杂的SrTi $_{1-x}$ Nb $_x$ O $_3$确定为多频带s波超导体。
2015-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Using controlled disorder to probe the interplay between charge order and superconductivity in NbSe2
尽管经过几十年的研究，$H$ -NbSe 2中超导性和电荷密度波（CDW）之间的相互作用尚未完全理解。通过牺牲引入的无序可以打破两种相互竞争的长程序之间的微妙平衡，并揭示产生它们的潜在相互作用。在这里，我们介绍了电子辐照的障碍，并测量面内电阻率，霍尔电阻率，X射线散射，和伦敦穿透深度。随着无序度的增加，$T_{\textrm{c}}$非单调地变化，而$T_{\textrm{CDW}}$单调地减小，并且在临界辐照剂量以上变得不可分辨，其中$T_{\textrm{c}}$急剧下降。结果表明，CDW有序最初与超导性竞争，但最终会促进超导性的发展.我们认为，在长程CDW有序消失的转变过程中，与超导性的协同作用被显著抑制. X射线散射和霍尔电阻率测量表明，短程CDW生存以上的过渡。超导性持续到更高的剂量水平，与完全带隙超导性和中度带间配对一致。
2018-07-18 cond-mat.supr-con
Enhancement of Critical Current Densities in (Ba,K)Fe2As2 by 320 MeV Au Irradiation in Single Crystals and by High-Pressure Sintering in PIT Wires
我们证明了320 MeV金离子辐照（Ba，K）Fe_2As_2单晶在自场作用下，在5 K时临界电流密度（Jc）可达1.0 × 10^7 A/cm ~ 2。考虑到这种材料非常有前途的潜力，我们已经通过粉末管法结合热等静压技术制备了（Ba，K）Fe_2As_2超导线材，其有效性已在工业Bi_（2223）带材中得到证明。在4.2K时，自场下的Jc达到37 kA/cm ~ 2，在90 kOe时达到3.0kA/cm ~ 2。线的磁光成像证实了线芯中的大晶粒间Jc。
2013-11-25 cond-mat.supr-con
Effect of γ-irradiation on superconductivity in polycrystalline YBa_{2}Cu_{3}O_{7-δ}
用γ射线辐照YBa_{2} Cu_{3} O_{7-δ}（δ \approx 0.1）块状多晶样品。T_c（正常电阻减半时的温度）随辐照剂量Φ的增加（约220 MR）呈非单调变化：在低剂量（Φ \leq 50 MR）下，T_c从初始值（\approx 93 K）下降约2 K，然后上升，形成最小值。在最高剂量（Φ \geq 120 MR）时，T_c再次下降。电阻转变的温度宽度δ Tc随剂量的增加而急剧增加，随剂量的增加而减小。我们认为这种效应在高温超导体的γ辐照中是首次发现的。计算了γ射线在康普顿过程中对YBCO晶格原子位移的截面，并估算了可能的dpa值。考虑到样品是颗粒状超导体，因此，所观察到的超导性质的变化应主要与γ射线对晶粒间约瑟夫森耦合的影响有关。
2000-07-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
On the Mechanism of Superconductivity in HTSC from Tunneling Spectroscopy Measurements on Bi-2212 Single Crystals
该论文已被作者撤回，因为观察到的效应有不同的起源。
1998-10-02 cond-mat.supr-con
Superconductivity in Single-Crystal YIn3
我们用电阻率、磁化率和比热测量了YIn $_3$的超导转变。尽管使用了高质量的单晶样品，但这三种技术检测到的跃迁在温度上相互偏移，这表明存在一个超导区域。我们讨论了非常规超导体中的非常规超导性的可能含义。
2011-12-14 cond-mat.supr-con
Effect of Al doping on the two-gap superconductivity in MgB2 single crystals
由于获得了一组新的运输数据，本文已被作者撤回。
2005-08-17 cond-mat.supr-con
Effects of Neutron Irradiation on Carbon Doped MgB2 Wire Segments
研究了中子辐照Mg（B $_{.962}$ C $_{.038}$）$_2$丝段的超导和正常态性质随辐照后退火时间和温度的变化。初始能量密度完全抑制了超导性，并导致单位晶胞的各向异性膨胀。超导电性通过曝光后退火恢复。上临界场H $_{c2}$（T=0）与T $_c$近似成比例，从37 K附近的未受损T $_c$和32 T附近的H $_{c2}$（T=0）开始。高达400 $^ o$ C的退火温度，T $_c$的恢复倾向于与正常状态电阻率的降低和晶格参数的系统恢复一致。高于400 $^ o$ C时，沿c方向的有序减小与电阻率的增加一致，但T $_c$和H $_{c2}$的演变没有明显变化。一级反应表明，碳掺杂和中子损伤对MgB $_2$超导性能的影响是独立的。
2005-07-12 cond-mat.supr-con
Controllable suppression of the unconventional superconductivity in bulk and thin-film Sr$_{2}$RuO$_{4}$ via high-energy electron irradiation
本研究利用高能电子辐照在块体和薄膜 Sr$_2$RuO$_4$ 中引入点缺陷，发现二者 $T_{\ ext{c}}$ 的抑制速率几乎一致，从而揭示薄膜剩余电阻率的来源并建立块体与薄膜超导性的定量联系。
2024-02-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Magnetic penetration-depth measurements of a suppressed superfluid density of superconducting Ca$_{0.5}$Na$_{0.5}$Fe$_2$As$_2$ single crystals by proton irradiation
本文报道了质子辐照产生的随机点缺陷对超导Ca $_{0.5}$ Na $_{0.5}$ Fe $_2$ As $_2$单晶超流密度$ρ_{s}$的显著影响。抑制的大小是通过使用磁力显微镜测量与温度相关的磁穿透深度$λ(T)$来推断的。我们的研究结果表明，辐射剂量为2 $\times10^{16}$ cm $^{-2}$由3 MeV的质子产生的超导临界温度$T_{c}$的减少约10%的结果。%，而上临界场的斜率没有明显的变化。相反，$ρ_{s}(0)$被抑制约60%。Abrikosov-Gorkov理论的这种崩溃可以用所谓的“瑞士奶酪模型”来解释，该模型解释了类似于瑞士奶酪中的孔的点缺陷附近的序参数的空间抑制。上临界场的斜率和穿透深度$λ(T/T_{c})/λ(0)$在辐照前后表现出相似的温度依赖性。这可能是由于Ca $_{0.5}$ Na $_{0.5}$ Fe $_2$ As $_2$的高度无序性质与大的带内和同时带间散射以及短相干长度超导性的$s^\pm$波性质的组合。
2012-09-28 cond-mat.supr-con
Single-gap Isotropic $s-$wave Superconductivity in Single Crystals $\text{AuSn}_4$
本研究通过穿透深度和超流体密度测量，证实拓扑超导体候选材料AuSn4单晶具有各向同性s波弱耦合BCS超导电性，且电子辐照不影响其超导转变温度。
2024-07-04 cond-mat.supr-con
Fermiological Interpretation of Superconductivity/Non-superconductivity of FeTe_{1-x}Se_{x} Thin Crystal Determined by Quantum Oscillation Measurement
我们成功地观察到了FeTe_{1-x} Se_{x}的量子振荡。QO测量使用非超导和超导薄晶体的FeTe_{0.65} Se_{0.35}制造的透明胶带的方法。结果表明，非超导晶体的费米面（FS）与基于电子掺杂过量Fe的刚性能带位移模型吻合较好，而超导晶体的FS与计算的无位移的FS吻合较好.从两种晶体的FS比较中，我们证明了FS的横截面积的变化，这表明由于过量Fe抑制了FS与矢量Q_{s} =（π，π）的嵌套，导致超导电性的消失。
2012-07-27 cond-mat.supr-con
Enhancement of critical current by microwave irradiation in wide superconducting films
对微波辐照下宽薄Sn膜的增强临界电流随温度的变化进行了实验研究和分析。有人发现，微波场稳定的当前状态的一个广泛的膜相对于Abrikosov涡的入口。辐射的稳定作用随频率增加而增加。利用超导电流在膜宽上均匀分布（窄膜）和非均匀分布（宽膜）时所观察到的微波增强超导效应之间的相似性，我们成功地将Eliashberg理论部分推广到宽膜的情况。
2006-06-30 cond-mat.supr-con
Using electron irradiation to probe iron - based superconductors
高能电子辐照是在晶格中产生空位-间隙Frenkel对的有效方法，从而诱导可控的非磁性点状散射中心。结合伦敦穿透深度和电阻率测量，辐射作为铁基超导体中超导序参量的相敏探针特别有用，为符号变化$s_{\pm}$配对提供了最强有力的支持。本文综述了电子辐照对铁基超导体的影响。
2018-03-05 cond-mat.supr-con
Effects of proton irradiation and ageing on the superconducting properties of single crystalline and polycrystalline MgB2
我们目前的磁化强度数据晶体和多晶MgB 2照射前后的~ 1 MeV质子。在原生晶体中，临界电流密度在大部分场范围内低于我们的噪声基底103 A/cm 2。然而，在辐照后，随着接近上临界场Hc 2，作为施加的磁场的函数的电流密度出现峰值。在随后的三个月的时间内老化后，峰值效应大大增强，在宽的场范围内表现出更强的钉扎，并且上临界场大约加倍，伴随着转变温度降低2K。对多晶碎片进行了类似的研究，其中辐照导致不可逆性场增加（Jc在高场增强，但在低场降低）和转变温度的抑制。然而，经过两年的老化，这两个参数返回到那些原始样品。
2003-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Lack of coupling between superconductivity and orthorhombic distortion in stoichiometric single-crystalline FeSe
利用高分辨率热膨胀测量研究了气相生长FeSe单晶的超导性和正交畸变之间的耦合。与Ba122基超导体相比，我们发现超导性不会降低Tc以下的正交性。相反，我们发现超导性强烈耦合到面内区域，这解释了大的静水压力效应。我们讨论了我们的结果，在光的自旋自旋的情况下，并认为，FeSe有许多功能完全不同于典型的铁基超导体。
2013-03-08 cond-mat.supr-con
Superconductivity in oxygen-annealed FeTe1-xSx single crystal
研究了FeTe_（1-x）S_x单晶中S掺杂驱动的从反铁磁到超导的相变。Te部分被S取代抑制了Fe方晶格中的反铁磁性。氧退火诱导的超导性只有FeTe 1-xSx的长程磁有序被抑制。为了在FeTe 1-xSx中实现超导电性，需要足够的S浓度来抑制反铁磁性和氧退火。氧退火的FeTe 0.886S 0.114的超导性的各向异性估计为1.17。
2010-09-17 cond-mat.supr-con
Magnetism, Superconductivity and Stoichiometry in Single Crystals of Fe1+y(Te1-xSx)z
报道了高质量Fe_（1 +y）（Te_（1-x）S_x）_z单晶的合成及其结构、磁性和输运性质的综合研究。对包括Te（S）位点上的空位的材料化学计量具有高灵敏度。结果表明，当x >= 0.03时，磁有序与超导性竞争共存，而当x >= 0.1时，磁有序与超导性为零。
2009-08-20 cond-mat.supr-con
Spin-triplet Superconductivity in Nonsymmorphic crystals
自旋三重态超导是一种罕见的量子现象。在这里，我们表明，非对称的晶体对称性可以显着地帮助自旋三重态超导性的存在下的自旋轨道耦合。即使在弱的自旋-轨道耦合下，自旋-三重态配对也可能是具有非对称对称性的晶格中的主要配对不稳定性。其基本机制是电子能带上的自旋-亚晶格-动量锁定，这些电子能带受到非对称对称性的保护。我们使用非对称空间群P4/nmm来证明这些结果，并讨论相关的实验观测值。我们的工作为寻找自旋三重态超导电性开辟了一条新的途径。
2022-08-19 cond-mat.supr-con
Bulk Superconductivity at 14 K in Single Crystals of Fe1+yTexSe1-x
报道了用改进的Bridgeman法生长的Fe_（1 + y）TexSe_（1-x）单晶的电阻率、磁化率和热容的测量结果。67，0.55和0.5。虽然电阻率测量显示的痕迹超导性接近14 K的所有x，除了x=1，只有晶体生长的组合物接近x=0.5表现出体超导性。体超导电性的出现与室温下磁化率大小的降低和Fe（2）位中Fe浓度y值的减小相关。
2009-02-09 cond-mat.supr-con
Superconductivity and local non-centrosymmetricity in crystal lattices
晶格的对称性可能是非常规超导体中库珀对结构的决定因素。在这项研究中，我们将讨论的超导性在非中心对称材料的情况下，反转对称性是局部缺失，但目前在全球范围内。具体地说，我们研究了一个规则的子晶格结构内的交错的非质心，在某种程度上类似于反铁磁系统中的超导性的讨论。三个晶体结构进行了详细分析，作为说明性的例子，库珀配对通道的扩展分类。其中一种情况可能与铁磷属元素化物超导体有关。
2011-08-23 cond-mat.supr-con
Effect of Vacuum Annealing on Superconductivity in Fe(Se,Te) Single Crystals
本文研究了真空退火对Fe（Se，Te）单晶超导电性的影响。发现在高真空（~ 10^（-3）Pa）下退火或在密封的真空石英管中退火都不能增强超导性。在中等真空气氛（~ 1 Pa）下，发现氧化铁层出现在样品表面，这将从晶体中抽出过量的Fe。因此，它建议，recruitment氧有效地工作，以消除多余的铁从基体的Fe（Se，Te）晶体，从而提高超导转变温度。我们的运输测量表明，过量的铁散射电子和空穴型通道的载流子以不同的方式。我们讨论了两种类型的载流子的迁移率与超导性的关系。由于电子带和空穴带对超导电性的发生都很重要，过量的Fe会抑制超导电性，主要是由于电子的强烈散射。
2013-04-12 cond-mat.supr-con
Effect of Co Impurities on Superconductivity of FeSe0.4Te0.6 single crystals
研究了Co掺杂对FeSe $_{0.4}$ Te $_{0.6}$单晶超导电性的影响。当Co掺杂量为-0.75K/（Co %）时，超导转变温度呈线性下降。另一方面，对于4%Co掺杂，剩余电阻率增加小于50 $/mu/Omega$ cm。这些数据与超导性的带间散射机制（$s_/pm$对称性）的符号变化是一致的。
2011-08-12 cond-mat.supr-con
Clean and Dirty Superconductivity in Pure, Al doped, and Neutron Irradiated MgB2: a Far-Infrared Study
用远红外光谱研究了Al替代和中子辐照对MgB $_{2}$的$π$ -和$σ$ -带导电区（干净或脏）的影响。在正常和超导状态下，测量了100 cm $^{- 1}$的多晶样品反射的强度。超导正常的反射率比的分析表明，只有在肮脏的$π$ -带的小间隙的开放的效果可以清楚地观察到在纯MgB $_{2}$，与以前的结果一致。在Al掺杂的样品中，$π$ -带的脏特性增加，而$σ$ -带的传导机制上没有明确的结论。相反，辐照样品的结果表明，辐照引起的无序驱动的$σ$带在脏制度，使大的差距在$σ$带观察到的第一次在远红外测量。
2004-11-24 cond-mat.supr-con
Crystal growth and superconductivity of FeSe_x
采用NaCl/KCl助熔剂，在真空密封石英管中生长了FeSe_x单晶。产物包括四角和六角两种晶体结构。FeSe_x单晶的电子输运和磁性测量表明，在10 K左右出现超导转变。
2008-12-23 cond-mat.supr-con
Role of Magnetism in Superconductivity of BaFe2As2: Study of 5d Au-doped Crystals
研究了BaFe_2As_2（122）单晶中金掺杂的性质。122晶体结构（Au-122）的GaAs平面中的Au置换仅可能达到~ 3%的少量。我们发现，5d是更有效地降低磁性122比它的计数器3d铜，这涉及到超导性。我们提供的证据表明，短期的磁场波动和局部晶格的不均匀性，可能会阻止Ba（Fe 1-xAux）2As 2的强超导性。
2015-06-29 cond-mat.supr-con
Pressure induced superconductivity in BaFe2As2 single crystal
通过电阻率随温度变化的研究，研究了BaFe_2As_2单晶和多晶样品在0-7 GPa压力范围内压力诱导超导电性的演化。虽然超导转变在多晶样品中仍然是不完全的，但在单晶样品中观察到了明显的压力诱导超导性，其电阻率为零，而磁性转变则与自旋密度波（SDW）有关。超导转变温度（TC）被认为是增加到约1.5 GPa的中等压力和单调下降超过这个压力。SDW转变温度TSDW随压力的增加而迅速降低，在~ 1.5GPa以上消失.
2009-03-25 cond-mat.supr-con
Roles of Fe-ion irradiation on MgB$_2$ thin films: Structural, superconducting, and optical properties
本研究通过不同剂量Fe离子辐照MgB$_2$薄膜，发现辐照导致晶体结构破坏和电子-声子耦合减弱，使超导临界温度从38.33 K降至3.02 K，并揭示σ带载流子密度对超导性的关键作用。
2025-09-24 cond-mat.supr-con
Crystal orientation and thickness dependence of superconductivity on tetragonal FeSe1-x thin films
最近在简单的四元FeSe结构中发现了超导电性。最近的研究表明，FeSe是非常规的，超导配对状态的对称性仍在争论中。为了解决这些问题，需要清洁的单晶和薄膜。本文报道了用脉冲激光沉积（PLD）技术在不同衬底上制备β相FeSe 1-x超导薄膜。非常有趣的是，这些薄膜中的晶体取向和超导性对生长温度敏感。在320 ℃时，薄膜最好沿c轴生长，但超导性的开始取决于薄膜厚度。在500 ℃时，薄膜沿（101）方向生长，几乎没有厚度依赖性。这些结果表明，先前发现的低温结构变形对这种材料的超导性至关重要。
2009-04-12 cond-mat.supr-con
High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0-0.5)
采用高压合成法合成了Sn_（1-x）Ag_xTe，Ag掺杂的拓扑晶体绝缘体SnTe（x = 0-0.5）的单相多晶样品。室温下Sn_（1-x）Ag_xTe的晶体结构为NaCl型立方结构，不随Ag的取代而改变。在x = 0.15-0.25范围内观察到体相超导电性，转变温度为2.4K，最佳Ag含量为x = 0.2。Sn_（1-x）Ag_xTe超导相的存在将有助于理解载流子掺杂SnTe系统的超导性质和机制。
2016-02-28 cond-mat.supr-con
Suppression of superconductivity by Sb-substitution into CeOBiS2 single crystals
本文用CsCl/KCl助熔剂生长Sb取代CeOBiS2单晶，发现约4 at%以上取代使0.36 K以上超导消失，并伴随c轴参数突变，但Ce价态与超导性的关联未明确。
2023-12-18 cond-mat.supr-con
High-Tc Superconductivity in Ultra-thin Crystals: Implications for Microscopic Theory
高转变温度（高Tc）超导性与层状晶体结构有关。这项工作认为超薄晶体（厚度等于一个公式单元的横向结构周期性距离d）的32铜酸盐，铼酸盐，铼-铜酸盐，铁pnictide，有机和超铀化合物的超导性，其中固有的最佳（最高）转变温度Tc 0（10 - 150 K）的假设。根据二维超导体相变的Kosterlitz-Schmidt（KT）理论，确定了薄片转变温度Tcs = α Tc 0，其中α < 1。α的计算包括从晶体结构、离子价态和已知掺杂理论推导出的超导片载流子密度NS，超导磁穿透深度与温度关系的双流体模型，以及KT跃迁的实验数据; α平均为0.83（随标准偏差0.11变化）。对几种厚度dF接近d的薄晶体结构的实验表明，与微观超导理论计算的Tc 0和KT理论计算的Tcs一致，其中也考虑了无序的存在;对这些薄膜研究的仔细分析表明，超导的最小厚度dF \approx d
2012-02-01 cond-mat.supr-con
Microwave Response of V3Si Single Crystals: Evidence for Two-Gap Superconductivity
研究了不同化学计量比的V_3Si单晶的微波表面阻抗和复电导率随温度的变化关系，发现了一些与单能隙Bardeen-Cooper-Schrieffer理论相矛盾的特性。同时，它们可以用超导双带模型很好地描述，从而有力地证明了V_3Si中存在两个不同的能隙，其零温值分别为Δ_1 ~1.8Tc和Δ_2 ~0.95Tc。
2005-09-09 cond-mat.supr-con
Evolution of superconductivity in isovalent Te-substituted KxFe2-ySe2 crystals
本文报道了一步合成法生长的KxFe_（2-y）Se_（2-z）Tez（z=0-0.6）晶体的超导电性演化和相图。在任何晶体中没有观察到结构转变，而晶格参数表现出系统的膨胀与Te含量。随着Te含量的增加，Tc从z = 0时的Tconset = 32.9 K逐渐降低到z = 0.5时的Tconset = 27.9 K，然后在z = 0.6时突然抑制超导性。在接近0.6的Te浓度时，屏蔽体积分数减小并且最终下降到零。同时，r-T曲线的峰位向低温方向移动。这些结果表明，在KxFe_（2-y）Se_2晶体中Te对Se的等价取代抑制了该系统的超导电性。
2013-04-02 cond-mat.supr-con
Growth and Superconductivity of FeSex Crystals
采用气相自输运法生长了横向尺寸达毫米级的硒化铁（FeSex）晶体。晶体由主要的α相和痕量的β相组成，如通过粉末X射线衍射所鉴定的。通过四探针电阻测量，我们获得了7.5 K的零电阻临界温度和在零磁场中高达11.8 K的超导起始转变温度，以及临界磁场的各向异性为1.5 ± 0.1。对单个晶体的磁化强度测量揭示了超导性和铁磁性的共存。
2009-02-13 cond-mat.supr-con
