Anisotropic, multi-carrier transport at the (111) LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ interface
在LaAlO $_3$和SrTiO $_3$之间的界面处形成的导电气体已被证明是各种物理现象的肥沃操场。以前的研究主要集中在（001）和（110）晶体取向上。在这里，我们报告的详细测量（111）LAO/STO界面样品的低温电性能。我们发现，低温电输运性质是高度各向异性的，因为它们沿两个相互正交的晶体取向在界面处显着不同。虽然在一些（001）样品和（110）样品中报告了电阻率的各向异性，但这里报告的（111）样品中的各向异性要强得多，并且还表现在霍尔系数和电容中。此外，各向异性在室温和液氮温度下不存在，而仅在液氦温度及以下存在。暴露于紫外光下会加剧各向异性，这会不成比例地影响沿一个表面晶体方向的传输。此外，低温霍尔系数和电容作为背栅电压的函数的分析表明，除了电子，空穴有助于电输运。
2016-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Phase Separation in Manganite/Insulator Interfaces
本文利用一个真实的微观模型，研究了半金属锰氧化物与绝缘体界面的电磁性质。我们发现，在界面处的载流子的缺乏削弱了双交换机制，削弱了锰离子之间的铁磁耦合。在这种情况下，界面附近的Mn自旋的铁磁顺序对反铁磁CE相关性是不稳定的，并且在界面处可以发生铁磁/金属和反铁磁/绝缘体相之间的分离。我们得到，在界面处的未掺杂的锰氧化物的额外层的插入引入额外的载流子，加强双交换机制和抑制反铁磁不稳定性。
2006-11-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mapping the Spatial Distribution of Charge Carriers in LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
在复杂的绝缘氧化物之间的界面处，可能会出现具有有趣性质的新相，例如LaAlO 3/SrTiO 3系统中报道的金属态。虽然这种状态已经被预测和报道局限于界面，但一些作品表明更广泛的空间延伸，从而质疑其起源。在这里，我们提供了第一次直接测定该系统的载流子密度分布，通过电阻分布图收集在横截面LaAlO 3/SrTiO 3样品与导电尖端原子力显微镜（CT-AFM）。我们发现，取决于特定的生长协议，高迁移率电子气的空间延伸可以从数百微米到SrTiO 3到几个纳米旁边的LaAlO 3/SrTiO 3界面。我们的研究结果强调了CT-AFM作为一种新的工具来表征复杂的氧化物界面的潜力，并为我们提供了一个明确的和决定性的方式来调和在这个系统中的实验数据的身体。
2008-03-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Towards two-dimensional metallic behavior at LaAlO3/SrTiO3 interfaces
使用低温导电尖端原子力显微镜的横截面几何形状，我们的特点是局部输运性质的金属电子气，形成在LaAlO 3和SrTiO 3之间的界面。在低温下，我们发现载流子不会从界面扩散，而是被限制在约10 nm内，就像在室温下一样。考虑到SrTiO 3的介电常数的大的温度和电场依赖性的模拟预测，对于大于~6 10^13 cm-2的片状载流子密度，限制超过几nm。我们讨论了多波段载波系统的实验和仿真结果。值得注意的是，从霍尔测量估计的费米波长约为16 nm，表明电子气处于二维的边缘。
2009-05-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Novel metal-insulator-transition at the SrTiO3/SmTiO3 interface
我们报告的金属-绝缘体转变（MIT）中观察到的SmTiO 3/SrTiO 3界面的电子系统。该MIT的特征在于在临界温度处的突然转变，低于该临界温度，电阻改变超过一个数量级。转变温度系统地取决于载流子密度，通过改变SmTiO 3的厚度，载流子密度可以在约1 × 10^14 cm^-2到3 × 10^14 cm^-2之间进行调节。输运性质的分析表明，非费米液体的行为和质量增强的载流子密度降低。我们比较了MIT特性与其他材料系统中已知的MIT特性，并表明它们在几个方面有明显的不同。我们初步得出的结论是，长程库仑相互作用和固定电荷在极性界面可能发挥作用，在这个MIT。对载流子密度的强烈依赖性使得这种MIT对于场可调谐器件是感兴趣的。
2017-05-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polaronic metal state at the LaAlO3/SrTiO3 interface
氧化物异质结构中自旋、电荷、轨道和晶格自由度的相互作用产生了大量迷人的特性，这些特性可以用于具有增强功能的新一代电子器件。典型的例子是两个带绝缘体LaAlO 3和SrTiO 3（LAO/STO）之间的界面，托管二维电子系统（2DES）。除了可移动的载流子外，该系统还表现出一系列有趣的性质，如场效应、超导性和铁磁性，其根本原因仍有争议。在这里，我们使用软X射线角分辨光电子能谱学穿透LAO覆盖层和访问载流子在掩埋界面。实验光谱函数直接识别界面载流子作为大的极化子，出现从耦合的电荷和晶格自由度，并涉及两个声子的不同的能量和热活性。这种现象从根本上限制了载流子的迁移率，并解释了其在高温下令人困惑的下降。
2015-10-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
THz carrier dynamics in $SrTiO_{3}/LaTiO_{3}$ interface two-dimensional electron gases
针对复合氧化物界面二维电子气的硅基集成需求，结合太赫兹光谱实验与含Hubbard U的密度泛函理论计算，研究了Si(001)上STO/LTO/STO异质结的载流子动力学特性，获得了载流子浓度、迁移率、弛豫时间及有效质量等关键参数。
2025-03-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Visible light enhanced field effect at LaAlO3/SrTiO3 interface
电场和光照是半导体器件电导率调节中最常用的两种激励方式。电场通过电容效应改变器件的载流子密度，而光照通过激发俘获电子进入导带1产生额外的载流子。在这里，我们报告了一个意想不到的光照明增强场效应在准二维电子气（q2 DEG）限制在LaAlO 3/SrTiO 3（LAO/STO）界面，这一直是涌现现象exploration 2 -14的焦点。我们发现，光照大大加速和放大的场效应，驱动场致电阻增长，原来持续数千秒到一个突然的电阻跳超过两个数量级。此外，载流子密度的场致变化远大于电容效应所预期的变化，甚至可以与传统的光电效应相反。该工作为复杂氧化物界面的新型效应探索和多功能器件设计拓展了空间。
2014-05-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electron-phonon Coupling and the Superconducting Phase Diagram of the LaAlO3-SrTiO3 Interface
LaAlO_3-SrTiO_3界面超导体为研究稀载流子密度极限下的二维超导提供了一个模型系统。在这里，我们实验解决在这种超导体的配对机制。我们提取的电子-声子的光谱函数从隧道光谱和结论，不排除进一步的配对通道的贡献，电子-声子介导的配对是足够强的超导临界温度。此外，我们还讨论了电子-声子耦合与超导相图的关系。电子-声子谱函数与载流子密度无关，除了欠掺杂区的一小部分相图。隧穿测量表明，随着载流子密度的增加，化学势的增加趋于平稳，在相图的过掺杂区为零。这表明，额外感应的载流子不填充承载超导态的能带，并且超导序参量因此被另一能带中的载流子的存在所削弱。
2015-05-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
NMR evidence for very slow carrier density fluctuations in the organic metal (TMTSF)$_2$ClO$_4$
我们研究了有机超导体（TMTSF）$_2$ ClO $_4$中$^{77}$ Se核自旋在接近$T=30K$的温度下自旋回波衰变率大幅度增加的起源。测得的角度依赖性的$T_2^{-1}$表明，自旋回波衰减的来源在于载流子密度波动，而不是在TMTSF分子取向的波动。非常长的时间尺度直接与发生在$T=25K$的阴离子排序的动力学，和在较低温度下的非均匀加宽的光谱结果从有限的域大小。我们的结果是类似的线加宽效应与准二维有机导体中的电荷有序跃迁的观察。
2005-04-19 cond-mat.str-el
Carrier-controlled ferromagnetism in SrTiO3
研究了均匀La掺杂SrTiO_3薄膜和GdTiO_3/SrTiO_3异质结构的磁输运和超导性质。GdTiO 3/SrTiO 3界面在SrTiO 3-侧的界面上表现出高密度的二维电子气，而对于SrTiO 3膜，载流子由掺杂剂原子提供。这两种类型的样品在低温下表现出铁磁性，证明了在磁阻的滞后。对于均匀掺杂的SrTiO 3薄膜，居里温度被发现增加掺杂和超导共存的高密度侧的超导圆顶的载流子浓度。GdTiO 3/SrTiO 3异质结构的居里温度与SrTiO 3量子阱的厚度成比例。结果被用来构建一个稳定图的铁磁和超导相的SrTiO 3。
2012-08-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Critical thickness for ferromagnetism in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures
在LaAlO 3（LAO）和SrTiO 3（STO）的异质结构中，观察到了两种不同形式的磁性[1-7]，这些磁性可能[8，9]或可能不是[10]由界面载流子引起，这些载流子在电子重构中从LAO迁移到界面[11]。我们在一系列不同LAO厚度的n型样本中对磁场景观[5]进行成像。我们发现铁磁补丁只出现在临界厚度以上，类似于电导率[12]。因此，我们得出结论，界面重构是必要的磁性的形成。我们没有观察到铁磁性与栅极电压的变化，并检测到铁磁性在非导电的p型样品，表明在界面上的载流子不需要巡回产生磁性。铁磁性出现在孤立的补丁，其密度变化很大的样品之间的事实强烈表明，无序或局部应变诱导磁性的人口的界面载流子。
2012-01-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Localization and Dephasing Driven by Magnetic Fluctuations in Low Carrier Density Colossal Magnetoresistance Materials
研究了低载流子密度铁磁体中传导电子在磁场涨落作用下的散射，并讨论了传导电子的定域和退相问题。我们声称存在的“流动性边缘”，它分离的状态与快速扩散和缓慢扩散的状态，后者是由退相时间。当“迁移率边缘”穿过费米能时，观察到电导率的大而急剧的变化。该理论提供了一个解释所观察到的铁磁半导体和锰氧化物的电导率的温度依赖性。
1999-03-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Critical Slowing Down of the Charge Carrier Dynamics at the Mott Metal-Insulator Transition
我们报告的戏剧性放缓的载流子动力学在准二维有机导体，这可以通过Mott金属-绝缘体转变（MIT）可逆调谐。在有限温度的临界端点，我们观察到一个发散的电阻波动的增加，伴随着一个急剧的频谱重量转移到低频率，证明了临界放缓的序参量（doublon密度）波动。慢动力学伴随着非高斯波动，指示相关的载流子动力学。一个可能的解释是，电子系统的玻璃态冻结是莫特MIT的前身。
2015-03-13 cond-mat.str-el
Shubnikov-de Haas oscillations in SrTiO3\LaAlO3 interface
观察到SrTiO 3/ \LaAlO 3界面的量子磁振荡。研究了它们的频率和幅度在不同栅压和温度下的演化。这些数据与Shubnikov de-Haas理论一致。霍尔电阻率ρ在低磁场下表现出非线性。它是假设多个载波贡献而拟合的。从霍尔数据推断的移动载流子密度和振荡频率之间的比较表明多谷和自旋简并。在多波段场景的框架下讨论了振荡的小振幅。
2010-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Localization of Two-dimensional Electron Gas in LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures
本文报道了用脉冲激光沉积技术在（LaAlO 3）0.3-（Sr 2AlTaO 3）0.7衬底上生长的LaAlO 3/SrTiO 3外延薄膜异质结中的强二维电子气局域化。使用纵向和横向的磁输运测量，我们已经确定，在界面处的无序影响的传导行为，并增加载流子浓度的增长在较低的氧分压的变化，从强本地化的传导在低载流子浓度的金属在较高的载流子浓度，弱本地化的迹象。我们解释这种行为的界面附近的Ti 3D带的不断变化的占领方面，每个具有不同的空间范围和易感性本地化的障碍，以及由于失配应变和点缺陷的载流子限制的差异。
2011-10-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optical Characteristics of Charge Carrier Transfer across Interfaces between YBa$_2$Cu$_3$O$_{6+δ}$ and La$_{0.7}$Ca$_{0.3}$MnO$_3$
本文报道了用椭圆偏振光谱法在0.7 - 6.5eV范围内对超导YBaPDMATHABMM CuPDMATHABMN O $_{6+δ}$（YBCO）和铁磁La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_3$多层膜的研究。随着YBCO子层厚度的增加，在1.5 - 3.5 eV的光子能量处的光谱权重增强。光谱权重的增强是成比例的每个多层样品的接口的数量，表明其与界面的电子结构。基于多层膜模型的计算，我们发现界面诱导光谱权重的形状与空穴载流子从YBCO到LCMO的转移是一致的。我们的研究结果表明，在界面上传输的空穴在LCMO层中积累，而不是被界面缺陷钉扎或被氧空位等电子供体湮没。因此，光学光谱可以作为一个非破坏性的探测器的电荷转移在金属氧化物异质结构的掩埋界面。
2019-01-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for Superconducting Phase Coherence in the Metallic/Insulating Regime of the LaAlO3-SrTiO3 Interface Electron System
LaAlO 3-SrTiO 3界面处存在具有极低载流子密度（约为10^13 cm^-2）的超导相。如果借助于栅极场耗尽载流子，则该超导相经历到金属/绝缘状态的转变，该金属/绝缘状态的特征仍然在于状态谱密度中的间隙。测量和分析这个差距的临界场，我们提供的证据表明，宏观相位相干库珀对存在于金属/绝缘状态。这是由波动的涡旋-反涡旋对，而不是由单独的、不动的库珀对来表征的。此外，测量产生的二维系统的超导相干长度的载流子密度依赖。
2015-12-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optical Study of the Free Carrier Response of LaTiO3/SrTiO3 Superlattices
利用红外椭圆偏振光谱仪研究了LaTiO_3/SrTiO_3超晶格的电子性质。我们的研究结果表明，与SL的周期性和单个层的厚度无关，SL表现出德鲁德金属响应，每个界面的薄层载流子密度约为3 × 10^14 cm^-2。这可能是由于d电子在从莫特绝缘体LaTiO 3到能带绝缘体SrTiO 3的界面处的泄漏。我们观察到，在10 K时，载流子弛豫时间约为35 fs，迁移率约为35 cm^2V^-1 s ^-1，载流子密度具有不同寻常的温度依赖性，这归因于量子顺电SrTiO 3的介电屏蔽。
2008-01-07 cond-mat.str-el
Difference of Oxide Hetero-Structure Junctions with Semiconductor Electronic Devices
在Pr0.7Ca0.3MnO3（PCMO）异质结中进行的载流子注入表现出与半导体器件完全不同的特性，在没有电场的情况下，载流子注入是稳定的，并且电阻和界面势垒都发生了剧烈的变化。界面势垒的消失和反转表明，这种异质结构氧化物器件的可调电阻开关应该与跨界面的载流子运动有关。结果表明，注入的载流子仍停留在器件中，并引起器件性质的变化，导致了强关联电子结构中载流子自捕获和释放的现象。在PCMO和CeO_2缺氧器件中的观察表明，氧化物作为功能材料可以在微电子学中得到应用，具有一些新的性质，其中界面是非常重要的。
2008-12-11 cond-mat.other cond-mat.str-el
Low-frequency charge-carrier dynamics in the vicinity of the Mott transition in quasi-two-dimensional organic superconductors $κ$-(BEDT-TTF)${}_{2}$X
本文利用涨落（噪声）谱研究了准二维有机电荷转移盐中Mott金属-绝缘体相变附近的相关载流子动力学。所观察到的$1/f$型波动的定量非常好地描述了基于非指数动力学的概念的唯象模型。主要的结果是一个相关性引起的增强的波动伴随着大量的频谱重量转移到低频率接近莫特临界端点。这种电子动力学的突然减慢可能是金属到绝缘体跃迁的普遍特征。对于相关性较低的金属材料，我们发现了一个交叉/过渡或多或少本地化的载流子在高温下跳跃运输到一个低温制度，其中的层的金属耦合允许相干层间传输离域电子。
2011-05-17 cond-mat.str-el
Correlated electronic states at a ferromagnetic oxide interface
University of Augsburg（奥格斯堡大学）
该研究提出一个紧束缚模型，揭示铁磁氧化物界面处由磁性杂质诱导的关联电子态及输运特性。
2026-02-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Dynamical response and confinement of the electrons at the LaAlO3/SrTiO3 interface
利用红外椭偏仪和输运测量研究了LaAlO_3和SrTiO_3之间界面的电子。我们得到了面载流子密度为Ns~5- 9 × 10 E13 cm^-2，有效质量为m*~3m_e，迁移率与频率密切相关。后者是类似的散装SrTi 1-xNbxO 3，因此暗示的极化相关的限制载流子。我们还确定了垂直密度分布，它具有强烈的不对称形状，在第一个2 nm的快速初始衰减和延伸到约11 nm的明显的尾部。
2009-10-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
SmB6: A material with anomalous energy distribution function of charge carriers?
我们认为，在价涨落半导体的杂质带中，由于价涨落引起的杂质能量的动态变化（涨落），即使在基态中，费米能级以上和以下的杂质带中都可以找到被占据和未被占据的位置。因此，基态能量分布函数的子系统的局部载流子的价波动半导体是定性不同于传统的半导体在T = 0 K，什么揭示了新的光解释的实验结果的价波动半导体，如SmB 6和YbB 12，在最低温度。
2018-07-23 cond-mat.str-el
Large temperature dependence of the number of carriers in Co-doped BaFe2As2
利用角分辨光电子能谱研究了Ba（Fe（1-x）Cox）_2As_2中载流子数随Co含量和温度的变化。我们发现，有一个依赖于k的能量转移相比，密度泛函计算，这是大的在低钴含量和低温，并减少了一个因素2的空穴和电子口袋的体积。这种k位移在高Co含量下变得可以忽略不计，并且可能是由于带间电荷或自旋波动。我们进一步揭示，带随温度变化，显着改变它们包含的载流子的数量（高达50%）。我们解释了这种演变的热激发之间的窄带，可能与温度演变的k-依赖的波动。
2013-01-29 cond-mat.str-el
Phase Diagram of Micron-Size Bridges of SrTiO$_3/$LaAlO$_3$ Interface: Link Between Multiple Band Structure and Superconductivity
利用霍尔效应和纵向电阻率法研究了二维电子气在\STO / \LAO界面的富相图。由于采用了特殊的电桥设计，我们能够调整超导转变温度T $_c$，并通过在几伏的栅极偏置范围内添加或移除载流子来抑制超导性。霍尔信号测量精确定位的第二个移动带的人口的载流子浓度的最大超导T $_c$和临界场H $_c$发生的开始。这些结果强调了我们的设计的优点，它可以应用到许多其他的二维系统组装在一个具有高介电常数的介电基板的顶部。
2014-02-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal fluctuations in superconducting phases with chiral $ d + id $ and $ s $ symmetry on a triangular lattice
研究了具有扩展的$ s $和手征$ d + id $对称性的超导序参量的热涨落行为。在准二维单带模型的框架内，在相邻的网站之间的电子之间的吸引力的三角形晶格上进行了研究。本文采用基于泛函积分理论的方法，一致地考虑了耦合电子对的序参量涨落和载流子散射。得到了相位起伏概率随温度和载流子浓度的分布函数。计算了平均超导序参量的振幅随温度的变化。超导态的相图构造的整个范围内的变化的电荷载流子浓度$ 0 <n <2 $。在此范围的边界附近，实现了具有扩展的$ s $对称性的拓扑平凡的超导态，而在它们之间实现了具有拓扑非平凡的手征$ d + id $对称性的超导态。计算出的异常自能与使用机器学习技术获得的实验结果进行了比较。
2020-09-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Estimation of the charge carrier localization length from Gaussian fluctuations in the magneto-thermopower of La_{0.6}Y_{0.1}Ca_{0.3}MnO_3
发现钙钛矿型锰氧化物$La_{0.6}Y_{0.1}Ca_{0.3}MnO_3$的磁热电功率（TEP）$ΔS(T,H)$在一定温度下出现一个尖峰$T^{*}=170K$。通过用$ΔS(T,H)\simeq S_p(H)\pm B^{\pm}(H)(T^{*}-T)$形式的线性三角形近似$T^{*}$附近的测量磁TEP的真实形状，我们观察到$B ^{-}(H)\simeq 2B ^{+}(H)$。我们采用电子局域化的方案，并介绍了Ginzburg-Landau（GL）型理论，其中包括两个并发相变，即，在居里点$T_C$处的顺磁-铁磁转变和在$T_{MI}$处的“金属-绝缘体”（M-I）转变。后者的特征在于在某些特征场$H_0$处依赖于场的载流子局域长度$ξ(T,H)$的发散。在GL理论下计算了平均和涨落对总磁化强度的贡献以及与磁TEP相关的输运熵$ΔS(T,H)$，得到了$T^{*}$与上述两个临界温度（$T_{C}$和$T_{MI}$）之间的简单关系.观测到的斜率比$B ^{-}(H)/B ^{+}(H)$被发现是由电子自旋交换$JS$和感应磁能$M_sH_0$之间的竞争。我们的数据与模型预测的比较产生$T_{C}=195K$，$JS=40meV$，$M_0=0.4M_s$，$ξ_0=10Å$，和$n_e/n_i=2/3$的居里温度的估计，交换耦合常数，临界磁化强度，本地化长度，和…
1998-12-14 cond-mat.str-el
Snapshots of the retarded interaction of charge carriers with ultrafast fluctuations in cuprates
高温超导体物理学中的一个关键问题是，载流子的低能动力学是否由具有特征时标的玻色子介导。这个问题仍然难以捉摸，因为电子相关性预计将显着加速电子玻色子散射过程，将它们限制在非常飞秒的时间尺度内，即使使用最先进的超快技术也很难获得。在这里，我们同时推动的时间分辨率和瞬态反射率测量的频率范围达到前所未有的水平，使我们能够直接观察到16 fs的有效电子玻色子在空穴掺杂的铜氧化物的相互作用。这种极快的时间尺度与基于t-J模型和排斥哈伯德模型的数值计算一致，其中光激发电荷的弛豫是通过短程反铁磁激发的非弹性散射实现的。
2015-01-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con physics.optics
Gate-tunable Rashba spin-orbit coupling and spin polarization at diluted oxide interfaces
LaAl_（1-x）Mn_xO/SrTiO_3（LAMO/STO）的稀氧化物界面提供了一种将LAO和STO两个带绝缘体之间界面的基态从金属/超导调谐到高绝缘的新途径。增加Mn掺杂水平（x）导致载流子密度的精细控制以及电子迁移率和自旋极化的提高。在此，我们证明了一个可调的Rashba自旋轨道耦合（SOC）和自旋极化的LAMO/STO（0.2 ≤ x ≤ 0.3）通过应用背栅。SOC的存在导致能带被自旋分裂能分裂成两个分支。最大自旋分裂能取决于Mn掺杂，并随着Mn含量的增加而减小，然后在x = 0.3时消失。不同组分的自旋劈裂能随载流子密度的变化呈现出一个圆顶状的行为，在不同的归一化载流子密度下有一个极大值。这些发现尚未在LAO/STO界面中观察到。在x = 0.3的界面处观察到一个完全背栅可调的自旋极化2DEL，其中只有dxy轨道被填充（5.3E12 cm-2 <= ns <= 1.0E13 cm-2）。目前的研究结果揭示了SOC在STO基氧化物异质结构的未开发的领域，并使LAMO/STO在3D电子系统中的自旋相关现象的一个有趣的平台。
2019-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
