Evolution of superconductivity by oxygen annealing in FeTe0.8S0.2
氧退火显着提高了超导性能的固态反应FeTe 0.8S0.2，这表明只有一个广泛的发病后，超导转变的合成。在200 \degree C氧退火时，零电阻率出现并达到8.5 K.超导体积分数也从0提高到几乎100%。氧退火压缩了FeTe_（0.8）S_（0.2）的晶格常数，表明FeTe_（0.8）S_（0.2）体超导电性的演化与晶格收缩有关。
2010-03-13 cond-mat.supr-con
Destruction of Neel order and appearance of superconductivity in electron-doped cuprates by oxygen annealing process
利用热力学和中子散射测量研究了氧退火对Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_{4-δ}$超导电性和磁性的影响。虽然通过磁化率和超导相干长度测量的转变温度$T_c$随着从退火过程中逐渐去除氧而平稳地增加，但体超导性，其特征在于在$T_c$处的比热异常和中子磁共振的存在，仅在$T_c$接近最大值时突然出现。这些结果表明，氧退火的效果必须首先确定，以建立一个反铁磁性和超导性的电子掺杂的铜氧化物的相图的Ce掺杂的依赖。
2008-06-20 cond-mat.supr-con
Effect of Vacuum Annealing on Superconductivity in Fe(Se,Te) Single Crystals
本文研究了真空退火对Fe（Se，Te）单晶超导电性的影响。发现在高真空（~ 10^（-3）Pa）下退火或在密封的真空石英管中退火都不能增强超导性。在中等真空气氛（~ 1 Pa）下，发现氧化铁层出现在样品表面，这将从晶体中抽出过量的Fe。因此，它建议，recruitment氧有效地工作，以消除多余的铁从基体的Fe（Se，Te）晶体，从而提高超导转变温度。我们的运输测量表明，过量的铁散射电子和空穴型通道的载流子以不同的方式。我们讨论了两种类型的载流子的迁移率与超导性的关系。由于电子带和空穴带对超导电性的发生都很重要，过量的Fe会抑制超导电性，主要是由于电子的强烈散射。
2013-04-12 cond-mat.supr-con
Removal of excess iron by annealing processes and emergence of bulk superconductivity in sulfur-substituted FeTe
本研究通过盐酸刻蚀和真空退火处理硫取代FeTe，去除多余铁并显著提升其超导性质量，证实了体超导性的出现，为相关铁基化合物实现体超导性提供了重要途径。
2025-02-14 cond-mat.supr-con
Annealing, acid, and alcoholic beverage effects on Fe1+yTe0.6Se0.4
我们系统地研究和比较了不同的方法来诱导铁硫属化合物Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）的超导电性，包括真空退火、N_2、O_2、I_2气氛退火以及在酸性和酒精饮料中浸泡样品。真空和氮气退火对Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）单晶的超导电性是无效的。O2和I2退火、酸和酒精饮料可以通过氧化样品中过量的Fe来诱导超导性。氧退火样品的超导电性是体相性质的，而碘、酸和酒精饮料只能在表面附近诱发超导。通过比较O2、I2、酸和酒精饮料的不同影响，我们提出了一个方案来解释如何在非超导生长的Fe 1 + yTe 0. 6Se 0. 4中诱导超导性。
2012-11-15 cond-mat.supr-con
Inhomogeneous superconductivity induced by interstitial Fe deintercalation in oxidizing-agent-annealed and HNO3-treated Fe1+y(Te1-xSex)
本文系统地研究了退火对铁硫属化合物Fe_（1 +y）（Te_（1-x）Sex）超导电性的影响。用于退火的气氛包括O2、N2、I2蒸气、空气和真空。我们观察到在O2、I2和空气中退火可以增强欠掺杂样品的超导电性，这与文献报道的结果一致。有趣的是，我们发现在N2中退火也会导致超导性增强，类似于O2，I2和空气的退火效果。然而，真空退火并不增强超导性，这表明在O2-，N2-，I2-和空气退火的样品中增强的超导性不是由于改善的均匀性。此外，我们用硝酸处理了欠掺杂的样品，发现它也能增强超导性。这些结果的分析支持的论点，超导电性增强，无论是由退火或硝酸处理，起源于间隙Fe的变化。在氧化剂中退火或硝酸处理可以减少间隙Fe，这对超导配对是有害的。我们还发现，尽管N_2、O_2和空气退火的样品表现出很强的超导抗磁性，某些样品的超导抗磁性达到-4pichi ~1（chi，dc磁化率），但它们的实际超导体积分数很低，在0.09 < x < 0.3时为10%~ 30%，表明即使在退火样品中，超导抑制仍然很明显。强抗磁性与超导对非超导相的屏蔽效应有关。我们还建立了退火样品的相图，并与生长样品的相图进行了比较。讨论了退火对磁性和超导电性之间相互作用的影响。
2012-11-06 cond-mat.supr-con
Annealing Effect on Microstructure and Superconductivity of KxFeySe2 Synthesized by an Easy One-step Method
采用一步法合成了高质量的KxFeySe 2超导单晶。进行详细的退火研究，以明确在KxFeySe 2的相形成过程。变温X射线衍射图、背散射电子像和相应的电磁特性的观测结果一致，证明超导元件的良好超导性能与其微观结构密切相关。基于磁通钉扎力标度行为的分析表明，主导钉扎机制是δ（Tc）钉扎，与连接性无关。退火动力学的研究也进行了，这表明，驼峰的温度依赖性电阻（RT）曲线是由金属/超导和半导体/绝缘相之间的竞争引起的。
2014-01-27 cond-mat.supr-con
Phase diagram and oxygen annealing effect of FeTe1-xSex iron-based superconductor
通过磁化率测量得到了FeTe_（1-x）Sex的相图。在x \geq 0.15范围内，反铁磁有序被完全抑制，当x \geq 0.1时，出现弱的超导电性.从x = 0.5开始，弱超导性被发现演变成体超导性。有趣的是，对于O2退火的样品，当x \geq 0.1时，观察到磁序的完全抑制和体超导性的发生。我们发现，氧退火诱导体超导FeTe 1-xSex。氧可能在磁有序的抑制和体超导电性的出现中起着关键作用。
2012-06-02 cond-mat.supr-con
Coexistence of superconductivity and short-range double-stripe spin correlations in Te-vapor annealed FeTe$_{1-x}$Se$_{x}$ with $x\le0.2$
在Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_{x}$与$x\lesssim0.3$的生长体晶体中，过量的Fe（$y>0$）是不可避免的，并且与超导性的抑制相关。与此同时，仍然存在一个问题，即反铁磁相关的字符与增强的阴离子高度以上的Fe平面在富Te样品是兼容的超导性。为了测试这一点，我们已经退火生长的晶体与$x=0.1$和0.2在Te蒸汽，有效地减少了多余的Fe和诱导体超导性。非弹性中子散射测量揭示了与双条纹型短程关联一致的低能磁激发;然而，冷却到超导状态导致自旋能隙和自旋共振，共振中的额外信号是短程的，具有混合的单条纹/双条纹特征，这与其他铁基超导体不同。这些超导样品的混合磁特性似乎不能用不均匀性来简单解释。
2018-03-28 cond-mat.supr-con
Bulk Superconductivity in Fe1+yTe0.6Se0.4 Induced by Removal of Excess Fe
输运、磁性和磁光（MO）图像测量的实验证据证实了砷（As）蒸气退火是诱导Fe 1 + yTe 0. 6Se 0. 4单晶体具有各向同性、大的和均匀的超导临界电流密度（Jc）的体超导性的另一种有效方法。由于As是Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）单晶中的一种外来重元素，且易于检测，因此As蒸气退火对研究退火机制是非常有利的。详细的微观结构和元素分析排除了其他后退火方法中可能发生的插层或掺杂效应的可能性，证明Fe与As在晶体表面发生反应，反应本身作为驱动力将过量的Fe拖出来。过量Fe的去除导致了良好的超导性能。
2014-05-27 cond-mat.supr-con
Effects of post-annealing and cobalt co-doping on superconducting properties of (Ca,Pr)Fe2As2 single crystals
为了阐明（Ca，RE）Fe_2As_2体系反常超导电性的起源，采用FeAs助熔剂法生长了Pr掺杂和Pr，Co共掺杂的CaFe_2As_2单晶。这些样品在Tc 1 = 25~42 K，Tc 2 < 16 K时表现出两步超导转变，表明（Ca，RE）Fe_2As_2体系具有两个超导组分。在不同温度下对这些晶体在真空石英安瓿中进行的后退火显示，在约400°C下的后退火增加了所有样品的c轴长度。这表明，生长的晶体具有一定程度的应变，其通过在~400°C下的后退火而释放。通过后退火，超导性能也发生了显着变化。在400°C退火后，部分共掺杂样品表现出大的超导体积分数，对应于Tc 2以下的完全抗磁性，在低场2 K下的高Jc值为104~105 Acm-2，表明（Ca，RE）Fe 2As 2相在Tc 2以下发生了体超导电性。相反，超导体的体积分数高于Tc 2总是很小，这表明在该系统中观察到的40 K级超导性起源于晶体中的局部超导性。
2014-07-24 cond-mat.supr-con
Enhancement of Superconductivity in WP via Oxide-Assisted Chemical Vapor Transport
本研究通过氧化物辅助化学气相传输法生长WP单晶，降低其低温散射并形成更三维形态，发现其超导转变起始温度高于1 K，为WP的超导特性研究提供了新的实验数据。
2025-02-19 cond-mat.supr-con
Influence of Mg Deficiency on the Superconductivity in MgB2 Thin Films Grown by using HPCVD
采用混合物理化学气相沉积法制备了MgB2薄膜，研究了Mg元素的缺乏对薄膜真空退火的影响。在本研究中使用的高品质的MgB2薄膜生长在c切Al2O3衬底上具有不同的超导转变温度（Tc）为40.2和41 K。当退火温度从200 ℃升高到800 ℃时，MgB_2薄膜中Mg的含量系统地降低，但Tc在0.12K内没有变化，直到退火温度达到700 ℃。而在800 ℃退火30 min的MgB2薄膜，没有观察到超导性，电阻率随温度的变化表现为半导性。我们还发现，随着退火温度的升高，剩余电阻率比下降。
2007-09-13 cond-mat.supr-con
Crystal growth and annealing study of fragile, non-bulk superconductivity in YFe$_2$Ge$_2$
我们用X射线衍射、电阻率和比热测量研究了Sn助熔剂中生长的YFe $_2$ Ge $_2$单晶的超导电性的发生和性质。我们发现，通过在$\sim$ 350 $^\circ$ C下从熔融Sn中倾析晶体和/或通过在550 $^\circ$ C和600 $^\circ$ C之间的温度下退火，单晶的剩余电阻率比（RRR）可以大大提高，达到高达$\sim$ 60。我们发现，样品与RRR $\gtrsim$ 34显示超导性的电阻签名与超导转变$T_c\approx1.4$ K的开始。RRR值在35和65之间变化，平均而言，$T_c$值没有系统性变化，表明RRR的系统性变化不会导致$T_c$的可比变化。样品的比热测量显示出超导转变的清晰电阻特征，但没有显示出超导相变的任何特征，这表明在这种化合物中观察到的超导性要么是某种间接的，与少量应力YFe $_2$ Ge $_2$相关的应变稳定超导电性（可能在孪晶界或位错处）或者是以低于常规粉末X射线技术的检测能力的水平存在的第二结晶相。
2014-08-14 cond-mat.supr-con
Annealing effects on superconductivity in SrFe2-xNixAs2
研究了自熔盐溶液法生长的掺Ni的FeAs化合物SrFe_（2-x）Ni_xAs_2单晶的超导电性。随着Ni掺杂浓度x的增加，SrFe_2As_2的反铁磁有序结构逐渐被抑制，在最佳掺杂浓度x = 0.15附近出现了具有完全反磁屏蔽的体相超导，最高转变温度Tc ~ 9.8K。对生长态样品的高温退火研究表明，热处理可使Tc提高约50%。
2011-01-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in oxygen-annealed FeTe1-xSx single crystal
研究了FeTe_（1-x）S_x单晶中S掺杂驱动的从反铁磁到超导的相变。Te部分被S取代抑制了Fe方晶格中的反铁磁性。氧退火诱导的超导性只有FeTe 1-xSx的长程磁有序被抑制。为了在FeTe 1-xSx中实现超导电性，需要足够的S浓度来抑制反铁磁性和氧退火。氧退火的FeTe 0.886S 0.114的超导性的各向异性估计为1.17。
2010-09-17 cond-mat.supr-con
Review of annealing effects and superconductivity in Fe$_{1+y}$Te$_{1-x}$Se$_x$ superconductors
Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_x$结构简单，仅由FeTe/Se层组成，这有利于探讨超导机制。近年来，人们发现了拓扑表面超导性和Majorana费米子，这使得Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_x$成为第一个高温拓扑超导体。由于Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_x$的大尺寸单晶可以容易地生长，因此已经进行了许多研究。然而，很大一部分的报道结果是有争议的，包括电阻率，磁化率，霍尔效应，间隙结构，相图等。这些争议被认为是来自样品依赖的Fe非化学计量，这源于部分占领的第二个Fe网站（过量Fe）在Te/Se层。价态接近Fe $^+$的过量Fe将向体系中提供电子掺杂。同时，过量的Fe也是强磁性的，其将充当剥落破坏者并且还使载流子局部化。去除过量的Fe对于探索Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_x$化合物的本征性质和超导电性机制至关重要。本文综述了Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_x$中过量Fe的去除方法。此外，我们讨论了退火机制的基础上的结构，成分和形貌的演变与退火。此外，我们还综述了退火对正常态和超导性质的影响，包括磁性、输运性质、能带结构、$T_{\rm{c}}$、相图、上临界场、各向异性、临界电流密度、带隙结构和超导配对。本文介绍了无过量Fe的最佳制备方法，以及Fe $…
2019-08-26 cond-mat.supr-con
Effects of Iodine Annealing on Fe1+yTe0.6Se0.4
通过改变碘与样品的摩尔比和退火温度，系统地研究了碘退火对Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）体超导电性的影响。在退火温度为400 ℃时，碘的摩尔比为5- 7%时，可以诱导出Tc ~ 14.5K，自场Jc（2K）~ 5 × 10^5A/cm ~ 2的体超导电性。此外，在晶体中没有检测到含碘化合物，并且在碘退火后产生了大量的FeTe 2，这一事实强烈表明过量的铁被消耗以形成FeTe 2，并且碘在该过程中起催化剂的作用。
2016-09-29 cond-mat.supr-con
Tuning stoichiometry and its impact on superconductivity of monolayer and multilayer FeSe on SrTiO3
单层FeSe SrTiO 3上的合成，大大增强了超导电性相比，散装FeSe，仍然是困难的。正如世界各地不同小组所报道的那样，总是需要在一定温度窗口内进行长时间退火以实现超导样品，但退火诱导超导性的机制尚未阐明。我们生长FeSe薄膜SrTiO 3的分子束外延和调整化学计量比通过沉积额外的少量的Fe原子。单层膜成为超导铁沉积后，没有任何退火，并表现出类似的超导转变温度的退火膜在运输测量。我们还证明了在5-unit-cell薄膜上，FeSe多层膜可以在具有Fe空位的非超导$\sqrt{5} \times \sqrt{5}$相和超导$1 \times 1$相之间可逆地调谐。我们的研究结果表明，传统的退火工艺在本质上消除了铁空位和额外的铁沉积作为一个更有效的方式来实现超导电性。这一工作突出了化学计量在FeSe薄膜超导性中的重要性，并为制备超导样品提供了一条简便的途径。
2020-02-15 cond-mat.supr-con
Superconductivity in 1111-type CaFeAsF1-xHx induced by selective hydrogen elimination
1111型铁基超导体中F-和H-的热稳定性的差异允许通过热退火从非晶态CaFeAsF 0.8H 0.2中选择性地消除氢。分析所得样品的化学组成表明，结合的氢被选择性地消除热退火在553 K为72小时。所得到的氢消除的样品显示出体超导性，Tc = 29 K。该技术可用于AeFeAeF（Ae;碱土金属）铁基超导体的间接电子掺杂，其描述为CaFeAsF 1-xHx => CaFeAsF 1-x + xe-+1/2xH2。
2013-09-26 cond-mat.supr-con
Dynamics and mechanism of oxygen annealing in Fe$_{1+y}$Te$_{0.6}$Se$_{0.4}$ single crystal
铁的硫属化合物Fe（Te，Se）因其结构简单，有利于探索超导机制而受到人们的广泛关注。与铁砷化物相比，其毒性较小的性质也有利于铁基超导体的应用。通过插入间隔层，超导转变温度提高到40K以上.另一方面，Fe（Te，Se）单晶中过量Fe的存在几乎是不可避免的，这阻碍了体超导性的出现，并引起了对其基本性质的强烈争议。在这里，我们报告了一个系统的研究O $_2$-退火动力学在Fe $_{1+y}$ Te $_{1-x}$ Se $_{x}$通过控制O $_2$的量，退火温度和时间。通过增加O $_2$的含量和适当的退火时间，可以逐渐诱导体超导电性。最佳退火的晶体可以通过在400 $^{\circ}$ C下用~1.5%摩尔比的氧退火超过1小时而容易地获得。超导性主要从晶体的边缘向中心演化。在最佳退火后，通过STM测量证明了过量Fe的完全去除。一些基本性能进行了重新表征，并与生长的晶体进行比较，讨论过量的铁的影响。
2014-04-03 cond-mat.supr-con
Oxidation annealing effects on the spin-glass-like magnetism and appearance of superconductivity in T*-type La$_{1-x/2}$Eu$_{1-x/2}$Sr$_x$CuO$_4$ (0.14 $\leq x \leq$ 0.28)
我们研究了烧结态（AS）和氧化退火（OA）T* 型La $_{1-x/2}$ Eu $_{1-x/2}$ Sr $_x$ CuO $_4$（LESCO）（$\leq x \leq$为0.14 $\leq x \leq$ 0.28）的磁性和超导电性，通过首次综合μ子自旋旋转/弛豫（$μ$ SR）、磁化率和电阻率测量。在OA超导样品中，没有观察到磁有序的证据，而AS半导体样品在$\sim$ 4 K和$\sim$ 8 K之间的测量温度范围内表现出无序磁状态的证据。因此，在LESCO的基态急剧变化与氧化退火和磁相竞争存在的超导（SC）相。AS LESCO中的磁相对Sr掺杂是相当稳健的，而SC相随着$x$的增加而退化。SC转变温度从$x$ = 0.14中的24.5 K单调降低到$x$ = 0.28中的9.0 K，表明在$x$ $\sim$ 0.34处SC相消失。此外，我们澄清的同时发展的（准）静态磁性和电阻率在低温下的AS样品，这表明通过抑制载流子迁移率的磁性诱导。由于退火的磁性的变化进行了讨论，从结构缺陷的观点，这是以前报道的中子衍射测量。
2019-06-12 cond-mat.supr-con
Superconductivity at T_c ~ 14 K in Single Crystalline FeTe$_{0.61}$Se$_{0.39}$
通过缓慢炉冷和随后的低温退火合成了在$T_{\textrm{c}} \sim$ 14 K下具有尖锐超导转变的单晶FeTe $_{0.61}$ Se $_{0.39}$。退火对化学和超导不均匀性的影响进行了仔细的表征。我们还报告了这种晶体的电阻率，磁化强度和磁光图像。基于Bean模型，在零场条件下，当温度低于5 K时，临界电流密度超过$1 \times 10^5$ A/cm $^2$.在较低的温度下，弱的鱼尾效应。
2009-06-10 cond-mat.supr-con
New Superconductivity in Layered 1T-TaS2-xSex Single Crystals Fabricated by Chemical Vapor Transport
用化学气相输运法成功地制备了过渡金属双硫属化合物1 T-TaS_（2-x）Sex（0<=x<=2）单晶。这是第一个通过取代S位置的超导例子，这违反了基于以下事实的初始规则：通过施加高压或取代Ta位置，超导性仅在1 T-TaS 2中出现。我们证明了一系列的电子态在1 T-TaS 2-xSex与硒含量的外观。也就是说，莫特相熔化成一个近相称的电荷密度波（NCCDW）相，超导性在很宽的x范围内发展的NCCDW状态，并最终相称的电荷密度波（CCDW）相重硒含量再现。结果表明，超导性仅表现为稳定的Ta 5d带，说明超导性和NCCDW相共存于实空间中是1 T-TaS 2体系的普遍性质.
2013-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Microscopic annealing process and its impact on superconductivity in T'-structure electron-doped copper oxides
当空穴或电子被掺杂到其绝缘母体化合物的CuO 2平面中时，高转变温度的超导性出现在铜氧化物中。虽然空穴掺杂在许多铜酸盐中快速诱导金属行为和超导性，但在诸如R2CuO 4（R是Nd、Pr、La、Ce等）的材料中，单独的电子掺杂是不够的，其中需要在低氧环境中退火生长态样品以除去微量的氧以诱导超导性。在这里，我们表明，氧还原的微观过程中修复Cu缺陷的生长材料，并在化学计量的CuO 2平面中产生氧空位，有效地减少无序和提供巡回载体的超导性。这个长期存在的材料问题的解决表明，超导的基本机制对于电子和空穴掺杂的氧化铜是相同的。
2007-01-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Reversibly tuning the insulating and superconducting state in KxFe2-ySe2 crystals by post-annealing
自从氧磷属化合物LaFeAsO_（1-x）Fx在26 K发现超导性以来，在凝聚态物理和材料科学领域引起了极大的兴趣。在铁磷属元素化物超导体的多种结构中，PbO结构的FeSe由于其化学组成中没有有毒的磷属元素，结构最简单，因而受到人们的特别关注。然而，铁硫族化合物的超导转变温度（Tc）并没有像其他铁磷属化合物超导体那样在常压下提高，直到在钾插层铁硒化物KxFe 2-ySe 2中发现了30 K以上的超导性。在具有不同化学计量的KxFe 2-ySe 2中观察到绝缘和超导状态，并且一些小组已经通过改变起始材料的比例将系统从绝缘状态调谐到超导状态[10，11]。最近的中子散射数据表明，超导性可能建立在Fe空位的有序态和具有很强有序磁矩3.4 B的反铁磁态的基础上。在这里，我们表明，超导电性实际上可以直接从绝缘状态的后退火和快速淬火调谐在一个单一的样品。在室温下等待几天后，超导性将消失，电阻率再次表现出绝缘行为。能量色散X射线能谱（EDXS）分析了生长态样品和退火淬火后样品的成分空间分布，发现它们非常接近。因此，很容易得出结论，当Fe空位处于随机（无序）状态时，实现了超导电性。一旦它们通过弛豫或缓慢冷却而排列成有序状态，系统就变成了绝缘体。
2011-03-07 cond-mat.supr-con
Evolution of the electronic state through the reduction annealing in electron-doped Pr_1.3-x_La_0.7_Ce_x_CuO_4+delta_ (x=0.10) single crystals: Antiferromagnetism, Kondo effect and superconductivity
本文研究了具有T'结构的Pr_1.3-x_La_0.7_Ce_x_CuO_4+delta_（x=0.10）单晶在还原退火过程中电子态的演化。从磁场中ab平面和c轴电阻率的测量中发现，通过还原退火，晶体中伴随反铁磁赝能隙的载流子强局域态转变为金属态，产生无反铁磁赝能隙的近藤效应，并转变为超导态。这些结果是能够理解的强电子相关的基础上的模型。在T ′-铜酸盐中过量氧的完全去除预期导致在宽范围的Ce浓度（包括x=0的母体化合物）中出现超导性。
2013-05-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unusual Sensitivity of Superconductivity to Strain in Iron-Based 122 Superconductors
共掺杂的BaFe 2As 2先前已经显示出在700或800 ℃下退火1-2周具有异常显著的Tc改善（高达2K，或几乎10%），其中这样的退火条件不足以允许显著的原子扩散。在确认最佳Co掺杂的SrFe 2As 2样品中的类似行为的同时，发现通过研磨至~50微米尺寸的颗粒，然后使用10 kbar压力将粉末压制成丸粒而引起的应变对Tc的影响使1.5 K的退火转变宽度增加约十倍。此外，在相同的粒料样品上，在Tc，Δ C下的比热的体积不连续性通过研磨被完全抑制。超导性对应变的强敏感性的这一证据被用于优化Co掺杂的BaFe 2As 2的单晶生长。这种强烈的依赖将这两种铁基122结构超导体中的超导性对应变的影响（通过退火为正和通过研磨为负）与非常规重费米子超导体UPt 3进行比较，其中已知研磨完全抑制超导性，和最近的报道，Tc对电子辐照引起的点缺陷在其他122结构铁中引起的损伤具有很强的敏感性，Ba（Fe 0.76Ru 0.24）2As 2和Ba 1-xKxFe 2As 2。电子辐照和通过研磨引入应变都被认为只引入非磁性缺陷，并认为是非常规的超导配对。
2015-06-18 cond-mat.supr-con
Effects of Pnictogen Atmosphere Annealing in Fe$_{1+y}$Te$_{0.6}$Se$_{0.4}$
已经阐明，Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$中的体超导电性可以通过在适当气氛中退火以去除过量铁的有害影响来诱导。为了阐明退火过程的细节，我们研究了Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$在磷族元素（P，As，Sb）气氛中退火后的物理性质和反应产物的变化。在氮族气氛中退火的晶体显示出体超导性，其$T_{c}$和$J_{c}$值分别约为$14~$ K和2-4 $\times 10{^5}~$ A/cm $^2$（$2~$ K，自场）。研究还发现，反应速率随氮族元素饱和蒸气压的增加而增加。出乎意料的是，在P气氛中退火后Fe $_{1+y}$ Te $_{0.6}$ Se $_{0.4}$的反应产物主要由FeTe $_2$组成。此外，获得最佳$T_{c}$所需的P的量远小于过量铁的量，这与氧气退火的情况类似。P、氧和在一定程度上As可以用作催化剂以形成FeTe $_2$以除去过量的铁。
2016-01-28 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by structural reorganization in the electron-doped cuprate Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$
电子掺杂和空穴掺杂的超导铜氧化物表现出对称的相图作为掺杂的函数。然而，这种对称性只是近似的。事实上，电子掺杂的铜酸盐只有在特定的退火过程后才能成为超导体：这种退火对氧含量的影响很小，但对样品的电子性质有很大的影响。在这里，我们报告的发生在缺氧的Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$薄膜生长在无氧环境中，纯氩气流退火后的超导性。如通过X射线衍射所验证的，退火引起晶体结构中CuO $_2$平面之间的层间距离的增加。由于这个距离是相关的顶点位置的氧的浓度，并且由于氧含量不能在退火过程中大幅增加，我们的实验表明，超导相变必须归因于氧离子的迁移到顶点位置在退火过程中。此外，我们确认通过第一性原理密度泛函理论计算，在薄膜的结构和传输特性的变化可以在理论上描述的特定重新分配的现有的氧离子在顶点位置相对于CuO $_2$平面，重新调制的电子能带结构，抑制反铁磁秩序，允许出现空穴超导性。
2022-02-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Induction of superconductivity by sulphur doping in FeTe system and post effect of low temperature oxygen annealing
在这里，我们报告的合成和表征硫取代的碲化铁，即FeTe 1-xSx;（x = 0- 30%）系统，并研究低温氧气（O2）退火的影响，以及。室温X射线衍射（XRD）的Rietveld分析表明，所有化合物均为四方晶系（空间群P4/nmm），没有观察到第二相。晶格常数随S浓度的增加而减小。该系统的母体化合物，即FeTe不表现出超导性，但在约78 K的电阻率测量中显示出异常，这对应于结构相变。热容Cp（T）的测量也证实了FeTe化合物的结构相变。FeTe_（0.75）S_（0.25）样品的超导转变起始温度约为8 K。热电功率测量S（T）也表明FeTe_（0.75）S_（0.25）样品在7 K附近发生超导转变。应用Ginzburg Landau（GL）方程估算了0 K时的上临界场Hc 2（10%）、Hc 2（50%）和Hc 2（90%）分别为400、650和900 kOe。有趣的是，超导体积分数增加与低温（200 ℃）氧在常压下退火。详细介绍和讨论了FeTe_（1-x）S：O_2系统的结构（XRD）、输运[S（T），R（T）H]、磁化强度（交流和直流磁化率）和热[Cp（T）]测量。
2012-01-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Large, Homogeneous, and Isotropic Critical Current Density in Oxygen-Annealed Fe1+yTe0.6Se0.4 Single Crystal
我们报道了一种可控的方法，通过在固定量的O2中退火来去除Fe_（1 + y）Te_（0.6）Se_（0.4）中过量的Fe。与稀酸诱导的弱超导电性相比，O2退火可以成功地诱导体超导电性。适当的氧气退火改变了电阻率的温度依赖性在低温下从半导体到金属，这来自于过量的Fe的脱嵌。发现沿c轴和ab平面的场的临界电流密度几乎是各向同性的，在2 K时具有3*10^5 A/cm 2和2.5*10^5 A/cm 2的大值。此外，磁光图像揭示了ab平面内的各向同性电流。
2013-04-05 cond-mat.supr-con
Structural and transport properties of epitaxial NaxCoO2 thin films
研究了在（0001）蓝宝石衬底上外延生长的NaxCoO_2薄膜的结构和输运性质。薄膜是c轴取向的，并且与从[10 1 0]蓝宝石旋转30度的[10 1 0] NaxCoO2面内对准。在退火过程中不同的Na蒸气压导致不同的Na浓度的薄膜，表现出不同的输运性质。
2005-05-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Suppression of the antiferromagnetic pseudogap in the electron-doped high-temperature superconductor by "protect annealing"
在空穴掺杂的铜氧化物中，少量的载流子抑制反铁磁性并诱导超导电性。另一方面，在电子掺杂的铜氧化物中，仅在还原退火后的高电子浓度（$\sim$掺杂的Ce含量）的窄范围内出现超导性，并且强反铁磁（AFM）相关性在超导相中持续存在。最近，通过“保护退火”方法退火的Pr $_{1.3-x}$ La $_{0.7}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$（PLCCO）块体单晶显示出对于低至$x \sim 0.05$的小Ce含量的$\sim$ 27 K的高$T_c$。通过角分辨光电子能谱（ARPES）测量PLCCO晶体，我们观察到一个尖锐的准粒子峰上的整个费米表面没有签名的AFM赝隙不同于所有以前的工作，表明AFM相关长度和/或磁矩的显着减少。超导状态被发现在很宽的电子浓度范围内延伸。目前的ARPES结果从根本上改变了长期存在的图片上的电子结构的电子掺杂制度。
2015-02-11 cond-mat.supr-con
Single Crystal Growth of the New Pressure-induced-superconductor CrAs via Chemical Vapor Transport
单砷化物CrAs，在室温压力下，在~ 265 K发生螺旋反铁磁有序转变。最近，在CrAs中的螺旋反铁磁序附近发现了压力诱导超导性[Wei Wu等人，Nature Communications 5，5508（2014）.]。然而，通过锡助熔剂法生长的晶体的尺寸在最长尺寸上小至1 mm。本文报道了用化学气相输运法生长尺寸为1 × 5 × 1 mm ~ 3的CrAs单晶及其物理性质。
2016-03-16 cond-mat.supr-con
Dependence of superconductivity in CuxBi2Se3 on quenching conditions
拓扑超导性，意味着无间隙保护的表面状态，最近被提出存在于化合物CuxBi2Se3。不幸的是，低抗磁屏蔽分数和相当大的不均匀性已在该化合物中报道。为了理解和改进有限超导体积分数，我们研究了各种生长和退火条件的影响。与熔体生长（MG）的方法，抗磁屏蔽分数高达56%的Cu0.3Bi2Se3已获得，最高值报告这种方法。我们研究了各种淬火和退火条件的有效性，发现从560 ℃以上的温度淬火是超导性所必需的，而从较低的温度淬火或根本不淬火是有害的。一种改进的浮区法（FZ）产生了大的单晶，但超导性很小。即使在退火和淬火后，FZ生长的样品比MG生长的样品更少的机会超导。从低屏蔽分数在FZ生长的样品和淬火的依赖性，我们建议，亚稳的第二相具有小的体积分数在大多数样品中可能是负责的超导性。
2015-04-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Evidence for Defect-induced Superconductivity up to 49 K in (Ca1-xRx)Fe2As2
为了探索稀土掺杂CaFe_2As_2中Tc高达49 K的非体超导电性的起源，系统地研究了具有不同x和R = La，Ce，Pr和Nd的标称（Ca_（1-x）Rx）Fe_2As_2单晶的化学组成、磁化强度、比热、电阻率和退火效应.所有的超导态都表现出与掺杂无关的超导转变温度Tc，与掺杂相关的低场超导体积分数f，以及大的磁各向异性η，表明在微观均匀超导体中存在非均匀的超导态。的波长色散光谱和比热显示存在的缺陷，这是密切相关的f，无论涉及的R。磁性进一步揭示了缺陷主要是超顺磁性团簇的R = Ce，Pr，和Nd具有较强的团簇间相互作用，这意味着缺陷是局部自组织的。在500 °C下退火，而不改变掺杂水平x，显著抑制f，但不抑制Tc。上述观察结果为（Ca_（1-x）Rx）Fe_2As_2中异常高的Tc ~ 49 K的出现提供了证据，并与最近提出的界面增强超导电性相一致。
2016-02-12 cond-mat.supr-con
In-situ Investigation of the Phase Formation and Superconductivity in V$_3$Si Thin Films at High Temperatures
本研究结合中子反射、化学模拟、XRD与TEM，原位揭示V$_3$Si薄膜在650–800 °C退火中的相演化及其对超导性能的影响，并指出优化时间与温度可避免富硅相、获得高质量薄膜。
2024-12-05 cond-mat.supr-con
Water-induced superconductivity in SrFe2As2
人们一直认为，FeAs基高转变温度（high-Tc）超导体需要通过异价离子替代或大的偏离化学计量比的电子或空穴掺杂来诱导超导电性。我们报道了未掺杂的SrFe_2As_2外延薄膜暴露于水蒸气中会引起超导转变。这些薄膜表现出较高的起始Tc（25 K）和较大的磁场各向异性比那些掺杂的钴SrFe_2As_2外延薄膜，这表明所观察到的超导转变的机制不同于异价离子掺杂的SrFe_2As_2。这一发现为在FeAs基超导体中诱导具有更高Tc的超导电性提供了一种新的途径。
2009-03-22 cond-mat.supr-con
Composition dependence of bulk superconductivity in YFe2Ge2
在层状铁基超导体YFe 2Ge 2中，索末菲比高达100 mJ/molK^2，在低温T下电阻率随温度的变化关系为T^（3/2），这表明存在很强的电子相关性，并指向一种非常规的配对状态。我们已经研究了优化高品质YFe 2Ge 2的生长的组成和退火条件的作用。我们的研究结果证实了在无序散射率小于2k_BTc/hbar的样品中观察到体超导电性。Fe缺乏的Fe网站被确定为主要来源的障碍，这可以最大限度地减少沉淀从稍微富铁的熔体，然后退火。
2018-10-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Correlation between crystal structure and superconductivity in LaO0.5F0.5BiS2
研究了BiS 2基超导体LaO 0.5F 0.5BiS2的晶体结构与超导性能之间的关系。制备了不同晶格常数的LaO_（0.5）F_（0.5）BiS_2多晶样品。结果发现，高压下对样品进行退火会产生沿c轴的单轴应变。此外，高应变的样品显示出更高的超导性能。我们的结论是，沿c轴的单轴应变是积极联系在LaO 1-xFxBiS 2系统的超导电性的增强。
2013-11-18 cond-mat.supr-con
Superconductivity and magnetism in RbxFe2-ySe2: Impact of thermal treatment on mesoscopic phase separation
本文对不同生长态和退火态的RbxFe_（2-y）Se_（2-x）单晶的超导和正常态性质进行了深入的研究。磁化实验证明，退火的RbxFe 2-ySe 2在413 K，远低于相分离的开始Tp=489 K，既不改变磁性，也不超导性能的晶体。此外，退火在563 K，远高于Tp，抑制超导转变温度Tc，并导致伴随着铁磁杂质相的产生，这是发展与退火时间的反铁磁磁化率的增加。然而，在T= 488 K =Tp下退火使Tc增加到33.3 K，使超导转变尖锐，增加了下临界场，并加强了所施加磁场的屏蔽效率。电阻率测量的生长和最佳退火样品揭示了沿两个晶体学方向的上临界场的增加，以及其各向异性。μ子自旋旋转和扫描透射电子显微镜实验表明，在Tp以下的两相共存：磁性多数相的Rb 2Fe 4Se 5和非磁性少数相的Rb 0.5Fe 2Se 2。这两种显微镜技术表明，退火的标本只是在Tp不影响的两个阶段的体积分数，虽然样品中的磁场分布的变化很大。这表明，样品的微观结构，介观相分离所造成的，是修改的退火只是在Tp，导致的超导性能的RbxFe 2-ySe 2的改善和Tc的增强。
2012-11-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Investigation on the reported superconductivity in intercalated black phosphorus
最近R. Zhang et al.（2017）.然而，报道的Tc和场效应的超导（SC）转变都承担了很大的相似之处，为纯Sn，这是通常用于BP合成下的气相传输方法。因此，我们决定确定起始高纯度BP晶体中是否存在微量Sn，以及它是否是检测到的小SC信号的罪魁祸首。能量色散X射线光谱分析结果证实了购自与R相同公司的起始高纯BP晶体中存在Sn。Zhang et al.（2017）.我们已经重现SC过渡在3.8 K的锂和钠插层BP晶体，含有微量的锡时，通过气相传输法制备，但不是在BP晶体，是免费的锡时，通过高压方法制备。因此，我们认为R. Zhang等人（2017）与Sn有关，但不是嵌入BP晶体的固有成分。
2017-12-18 cond-mat.supr-con
Phase Diagram and High Temperature Superconductivity at 65 K in Tuning Carrier Concentration of Single-Layer FeSe Films
铜氧化物超导体和铁基超导体中的超导性是通过用载流子掺杂母体化合物或通过施加高压以抑制反铁磁态来实现的。这种丰富的相图对于理解铜基和铁基高温超导体的超导机制和其他物理性质具有重要意义。在本文中，我们报告了在SrTiO 3衬底上生长的单层FeSe薄膜的相图，通过退火过程来调节载流子浓度在很宽的范围内。观察到的能带结构和费米面的戏剧性的变化，与两个不同的阶段，确定在退火过程中竞争。通过优化退火工艺，实现了在~65 K具有高转变温度（Tc）的超导电性。该系统在不同相之间的宽调谐性及其高Tc使得单层FeSe膜不仅是研究超导物理和机制的理想材料，而且也是研究新的量子现象和潜在应用的理想材料。
2012-07-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in Undoped Single Crystals of BaFe2As2: Field and Current Dependence
在未掺杂的MFe 2As 2的先前工作中，在M=Ba（Tc ~ 20 K，电阻率下降高达25%）和M=Ca（Tc ~ 10 K，电阻率下降高达45%）的一些样品中已经观察到指示超导性的痕迹的电阻率的部分下降。在M=Sr，Tc = 22 K时，观察到电阻率完全下降到0，并伴随着有限部分的迈斯纳通量排出。使用未掺杂的BaFe_2As_2单晶样品，我们发现在Tc（onset）= 22.5 K时，在大多数样品中电阻率完全下降到0。然而，与SrFe 2 As 2的结果相反，没有可测量的迈斯纳效应，也没有退火抑制电阻超导转变。在我们的BaFe 2As 2样品中超导电阻转变的电流灵敏度是相当强的，随着电流密度的增加15到~ 1.5A/cm 2的因子，不改变Tc（起始），但显著地加宽了转变，并导致电阻率在T接近0时保持有限。为了研究这种异常低的临界电流是否指示缺乏在临界磁场Hc 2中看到的表观各向异性的导电，测量了例如，在一个实施例中，在两个晶向上测量了Co掺杂的块状超导体BaFe 2As 2，Hc 2。这些BaFe 2As 2样品在ab-平面和沿c-轴显示出与BaFe 2-xCoxAs 2中所见相当的Hc 2（T）值，BaFe 2-xCoxAs 2具有相似的Tc。由于缺乏Tc抑制退火后反对应变诱导超导提出的其他未掺杂的MFe 2As 2材料，另一个可能的原因在BaFe 2As 2的超导性进行了讨…
2009-07-25 cond-mat.supr-con
Coexistence of bulk superconductivity and ferromagnetism in CeO1-xFxBiS2
我们观察到在高压下退火制备的CeO_（1-x）F_xBiS_2（x = 0 - 1.0）中体超导电性和铁磁性共存。在CeO_（1-x）F_xBiS_2系统中，F的系统取代不仅产生了超导电性，而且产生了两种铁磁性，其磁转变温度分别为4.5K和7.5K。这一事实表明，通过F取代O而产生的载流子不仅被供给到BiS 2超导层，而且被供给到CeO阻挡层。此外，当铁磁性增强时，超导转变温度最高，这表明CeO_（1-x）F_xBiS_2体系的铁磁性和超导性是相互联系的。
2013-11-18 cond-mat.supr-con
Inhomogeneous reduction-annealing effects on the electron-doped cuprate superconductor revealed by micro-focused angle-resolved photoemission spectroscopy
本研究利用微聚焦角分辨光电子能谱表征低超导体积分数的保护退火 PLCCO，揭示电子浓度与赝能隙的空间非均匀分布及其负向非单调关联。
2024-12-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Novel Electronic State and Superconductivity in the Electron-Doped High-Tc T'-Superconductors
在这篇综述文章中，我们展示了我们最近的结果有关的电子掺杂的高Tc铜氧化物与所谓的T'结构的未掺杂（无Ce）的超导电性。在引言部分，我们简要介绍了电子掺杂T ′-铜氧化物的特性，包括还原退火、常规相图和非掺杂超导电性。然后，我们的运输和磁性的结果和结果有关的超导配对对称性的未掺杂和欠掺杂的T '-铜酸盐。合作光谱和核磁共振结果也简要显示。已经发现，通过还原退火，在生长的样品中伴随着反铁磁赝能隙的载流子的强局域化状态在还原的超导样品中改变为具有短程磁序的金属和超导状态。在还原超导样品中由于极少量的过量氧而形成短程磁有序表明，母体化合物中表现出非掺杂超导性的T '-铜氧化物与空穴掺杂的高Tc铜氧化物一样，被认为是强关联电子系统。我们展示了我们提出的电子结构模型来理解未掺杂的超导电性。最后，对今后T ′-铜酸盐的研究方向进行了展望。
2017-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Tuning the superconducting state in the magnetic MoSr2YCu2O8 materials
发现MoSr 2 YCu 2 O 8材料的性质随着由烧结和退火条件确定的氧浓度而系统地改变。在16 K下对制备的样品进行了反铁磁有序化（AFM）研究。磁性特征与Mo ~（5+）亚晶格有关。在氧气氛下退火诱导超导性（SC）在Cu-O平面，和TC和屏蔽分数值得到强烈依赖于氧浓度。在1030 ℃下在环境氧气氛下退火asp材料产生18 K的TC，而在650 ℃下在92 atm下进一步退火。使TC变为32 K。AFM有序，通过有效解耦的子系统与SC状态共存，不受SC状态的存在或不存在的影响。在所研究的所有样品中，TN < TC。这种行为类似于大多数金属间磁超导体，但与TN > TC的同构RuSr 2GdCu 2 O 8系统形成鲜明对比。
2003-08-05 cond-mat.supr-con
Increase in Tc and change of crystal structure by high-pressure annealing in BiS2-based superconductor CeO0.3F0.7BiS2
近年来，人们发现了几种BiS 2基超导体，如Bi 4 O 4S 3、REO 1-xFxBiS 2（RE：稀土）和Sr 1-xLaxFBiS 2。在本研究中，我们研究了两种BiS 2基超导体CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2多晶样品（生长态和高压退火样品）的晶体结构和超导性能。我们发现，无论是生长和高压退火的CeO0.3F0.7BiS2样品显示体超导性。在高压退火样品中观察到较高的Tc。通过高压退火，CeO_（0.3）F_（0.7）BiS_2的Tc从Tczero = 2.7 K提高到Tczero = 3.7 K。a轴和c轴的晶格常数没有表现出显着的差异之间的生长和高压退火的样品。然而，（200）峰的峰对称性似乎变得更对称，而（004）峰没有显示出这种差异，这表明在CeO 0.3F 0.7BiS2中通过高压退火，ab平面内的晶体结构改变为更高对称性的相，即完全的四方晶系。
2014-08-05 cond-mat.supr-con
Superconductivity of SrTiO_{3-δ}
在超高真空中对SrTiO_3单晶样品进行退火处理，得到超导材料SrTiO_{3-δ}。对V（I）特性的分析表明，临界电流I_c很小，这可追溯到不可避免的掺杂不均匀。在I<<I_c的磁场B范围内测量R（T）曲线，从而仅探测具有最高掺杂水平的样品区域。所得曲线B_{c2}（T）在小掺杂和强掺杂下均示出向上的曲率。这些结果进行了讨论的背景下，双极化和常规的超导费米表面各向异性。我们认为SrTiO_{3-δ}特殊的超导性质可能与其费米面有关，并将这一发现与最近发现的超导体MgB_2的性质进行了比较。
2003-06-23 cond-mat.supr-con
Growth of superconducting MgB2 thin films via postannealing techniques
本文研究了退火温度在700 ~ 950 ℃范围内、退火时间在30 ~ 120 min范围内对MgB_2薄膜超导电性的影响。我们获得了质量最好的MgB 2薄膜，其转变温度为39 K，临界电流密度为~ 10^7 A/cm^2。利用扫描电子显微镜，我们还研究了薄膜的生长机制。在较高温度下退火的样品显示出较大的晶粒尺寸，沿c轴择优取向的良好排列的晶体结构，和光滑的表面形貌。然而，较长的退火时间阻止晶粒的排列，降低了超导电性，表明衬底和MgB 2膜之间的强烈的界面反应。
2002-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of annealing on the magnetic and superconducting properties of single-crystalline UCoGe
新的铁磁超导体UCoGe的单晶已经生长。生长的样品的质量可以显着提高通过热处理程序，这增加了剩余电阻比（RRR）从~5 ~30。磁化强度和电阻率测量表明，退火后的样品具有明显的铁磁转变，居里温度Tc为2.8K。0.06 μ B的有序矩沿正交c轴定向。在电阻转变温度T_s = 0.65K以下发现超导性。
2009-06-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Structure of Ce-Doped and -Undoped Nd$_2$CuO$_4$ Superconducting Thin Films Studied by Hard X-ray Photoemission and Soft X-ray Absorption Spectroscopy
为了在具有T '型结构的铜酸盐中实现超导电性，不仅需要化学取代（Ce掺杂），而且还需要生长后的还原退火。然而，在薄膜的情况下，没有Ce掺杂的精心设计的还原退火可以在T '型铜氧化物中诱导超导性。为了揭示不掺杂Ce的T '型铜氧化物超导电性的起源，我们对超导和非超导Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$（$x=$ 0，0.15，0.19）薄膜进行了体敏硬X射线光电子能谱和软X射线吸收谱研究。通过生长后的退火处理，芯能级谱发生了显著的变化，这是由于CuO $_2$晶面的芯-孔屏蔽增强以及化学势随能带填充变化而发生的移动。结果表明，Nd $_2$ CuO $_4$超导薄膜中掺杂了电子，其电子态与Ce掺杂超导体的电子态相似。
2018-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
