We report that the isovalent Rh doping of IrTe2 suppresses the structural/electronic phase transition and induces superconductivity at 2.6 K. The doping level of Rh that is necessary for suppressing the transition is three times higher than those of Pt and Pd. Ir1-xRhxTe2 might provide us with a unique opportunity to study the origin of the structural/electronic phase transition in IrTe2.
Phase diagram of the isovalent phosphorous-substituted 122-type iron pnictides
最近的实验表明，等价掺杂体系给出了与异价掺杂情况相似的相图。例如，在磷（P）掺杂的情况下，BaFe $_{2}$（As $_{1-x}$ P $_{x}$）$_{2}$化合物中的磁序首先被抑制，然后超导圆顶出现到扩展的掺杂区域，但最终在大的$x$处消失。利用BaFe $_{2}$ As $_{2}$和BaFe $_{2}$ P $_{2}$的最小双轨道模型，结合自洽晶格Bogoliubov-de Gennes（BdG）方程，计算了P含量对相图$x$的影响。我们表明，我们的数值计算结果可以定性地与实验测量。
Local transformation of the Electronic Structure and Generation of Free Carriers in Cuprates and Ferropnictides under Heterovalent and Isovalent Doping
Robust nodal superconductivity induced by isovalent doping in Ba(Fe$_{1-x}$Ru$_x$)$_2$As$_2$ and BaFe$_2$(As$_{1-x}$P$_x$)$_2$
研究了铁基超导体Ba（Fe $_{1-x}$ Ru $_x$）$_2$ As $_2$和BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$的超低温热输运性质.对于最佳掺杂的Ba（Fe $_{0.64}$ Ru $_{0.36}$）$_2$ As $_2$，观察到零场下的大的剩余线性项$κ_0/T$和$κ_0(H)/T$对$\sqrt{H}$的依赖性，这为超导能隙中存在节点提供了有力的证据.该结果表明，等价Ru掺杂也可以诱导节点超导性，如P在BaFe $_2$（As $_{0.67}$ P $_{0.33}$）$_2$中所做的那样。此外，在欠掺杂Ba（Fe $_{0.77}$ Ru $_{0.23}$）$_2$ As $_2$和重欠掺杂BaFe $_2$（As $_{0.82}$ P $_{0.18}$）$_2$中，$κ_0/T$表现出类似的节点行为，这表明节点超导性在欠掺杂区域的鲁棒性，并对理论模型施加约束。
Evolution of transport properties of BaFe2-xRuxAs2 in a wide range of isovalent Ru substitution
通过测量高质量BaFe_（2-x）Ru_xAs_2单晶的电阻率和霍耳系数，研究了在较宽掺杂范围内（0 < x < 1.4），Ru在Fe位上的等效替代效应。Ru取代削弱了反铁磁（AFM）序，对于0.4 < x < 0.9的相对高的掺杂水平诱导超导性。在AFM相边界附近，输运性质表现为非费米液体性质，电阻率随温度呈线性变化，霍尔系数随温度呈强的温度依赖性，并随温度变化而变化.然而，在更高的掺杂，他们都恢复传统的费米液体行为。强掺杂的霍尔系数的依赖性与一个小的磁阻表明，异常的传输特性可以解释在各向异性载流子散射由于带间AFM波动，而不是一个传统的多带的情况。
Electronic structure of single-crystalline Sr(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_2$As$_2$ probed by x-ray absorption spectroscopy: Evidence for isovalent substitution of Fe$^{2+}$ by Co$^{2+}$
利用Fe、Co和As的$L_{2,3}$边的近边X射线吸收精细结构研究了Sr（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$（$x =$ 0、0.05、0.11、0.17和0.38）化合物的价态和自旋态构型与取代位的关系.目前的数据提供了直接的光谱证据的有效等价取代Fe $^{2+}$由Co $^{2+}$，这是在广泛假设的Co诱导的电子掺杂效应。此外，数据显示，不仅Fe价态在整个掺杂范围内保持完全不受影响，Co和As价态也是如此。这些数据强调了一个突出的作用之间的杂化（Fe，Co）3 $d_{xy}$，$d_{xz}$，$d_{yz}$轨道和作为$4s/4p$状态的能带结构在$A$（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$作为$_2$和建议的（Fe，Co）-As键的共价性是磁性和超导性之间的相互作用的一个关键参数。
Ambipolar suppression of superconductivity by ionic gating in optimally-doped BaFe2(As,P)2 ultrathin films
铁基化合物Ba-122家族的超导电性（SC）可以通过异价或等价取代、施加的外部压力和应变来控制，有时在同一样品中研究这些因素的综合影响。大多数情况下，结果限于SC圆顶向不同掺杂值的移位。在少数情况下，最佳掺杂下的最大SC跃迁也可以增强。在这项工作中，我们研究了电荷掺杂与等价P取代和应变的组合，通过对BaFe $_2$（As $_{0.8}$ P $_{0.2}$）$_2$薄膜进行离子门控实验。我们发现，离子门的极化诱导调制的正常状态的输运性质，可以主要归因于表面电荷掺杂。我们表明，离子门控只能移动系统远离最佳条件，因为SC转变温度被电子和空穴掺杂抑制。我们还观察到一个扩大的电阻转变，这表明SC序参量调制非均匀的膜厚度，与早期的报道电荷掺杂的标准BCS超导体和铜酸盐。
Impurity effect and suppression to superconductivity in Na(Fe$_{0.97-x}$Co$_{0.03}$T$_x$)As (T=Cu, Mn)
本文报道了Na（Fe $_{0.97-x}$ Co $_{0.03}$ T $_x$）As（T=Cu，Mn）单晶的成功生长和杂质散射效应。测量了不同浓度的Cu和Mn在高磁场下的直流磁化强度与温度的关系。Curie-Weiss定律的详细分析表明，Cu的掺杂削弱了平均磁矩，而Mn的掺杂使局域磁矩大大增强，表明前者可能是非磁性或很弱的磁性杂质，而后者则产生磁性杂质。然而，在低掺杂区，Cu和Mn的掺杂均会以相同的速率提高剩余电阻率和抑制超导电性，这与S $^{\pm}$模型的预测一致.对于Cu掺杂的系统，超导性被完全抑制在剩余电阻率$ρ_0$ = 0.87 m $Ω$ cm，在该位置观察到强烈的局域化效应。然而，在Mn掺杂的情况下，对\emph{T} $_{c}$的抑制行为从快的速度变为慢的速度，并且甚至直到2.86 m $Ω$ cm的残余电阻率保持稳定。显然，磁性Mn杂质甚至不像非磁性或非常弱的磁性Cu杂质那样对高掺杂区域中的超导性有害。
Signatures of quantum criticality in hole-doped and chemically pressurized EuFe_2As_2 single crystals
通过测量热电势$S(T)$和电阻率$ρ(T)$，研究了$_x$ Eu $_{1-x}$ Fe $_2$ As $_2$和EuFe $_2$（As $_{1-y}$ P $_y$）$_2$单晶中空穴掺杂和化学压力（等价掺杂）的效应.掺杂后$S(T)$的演变表明，在临界值$x_{\mathrm{cr}}=0.3$和$y_{\mathrm{cr}}=0.21$，分别电子配置的急剧变化，自旋密度波跃迁被完全抑制和超导性（SC）出现。对于化学压力的情况下，与已发表的ARPES测量结果的比较表明，在$y_{cr}$的Lifshitz转变。温度依赖性$S(T)/T\propto \log T$和$Δρ\propto T$观察到的正常状态以上的SC过渡建议在这两个系统中的量子临界。
Suppression of superconductivity in layered Bi4O4S3 by Ag doping
本文报道了新型层状超导体Bi_（4-x）Ag_xO_（4-S）_3（0<x<0.2）多晶样品的X射线衍射、磁化强度和输运测量结果。当x>0.10时，超导转变温度（TC）逐渐降低，最后被抑制.因此，电阻率从x 0.1的金属行为改变<0.1 to a semiconductor-like behavior for x>。Seebeck系数的分析表明，有两种类型的类电子载流子占主导地位，在不同的温度范围内，表示负责的输运性质的多带效应。超导性的抑制和电阻率的增加可以归因于掺杂后费米能级向低能侧的偏移，这降低了EF处的态密度。此外，我们的结果表明，在母Bi 4 O 4S 3的超导电性是本征和掺杂剂Ag更喜欢进入BiS 2层，这可能会从根本上改变电子结构。
Suppression of superconductivity by V-doping and possible magnetic order in Sr2VO3FeAs
在Sr 2 VO 3 [Fe0.93（+/-0.01 $> V0.07（+/-0.01）]As中掺入少量的V完全抑制了Sr 2 VO 3 FeAs在33 K下的超导电性。的晶体结构和精确的化学计量确定相结合的中子和X射线粉末衍射。Sr_2VO_3FeAs对Fe/V混合非常敏感，这会干扰甚至抑制超导电性。这种不均匀性可能是内在的，并解释了分散的报告有关的Tc和减少超导相分数Sr 2 VO 3FeAs。在4K下收集的中子衍射数据表明V-亚晶格具有传播矢量q =（0，0，0.306）的无公度磁有序。这表明强烈相关的钒，这并没有显着贡献的费米面Sr 2 VO 3FeAs。
Superconductivity in LaFeAs$_{1-x}$P$_{x}$O: effect of chemical pressures and bond covalency
我们报道了在LaFeAsO中通过等价掺杂磷实现超导电性。X射线衍射表明，随着P部分取代As，Fe $_2$ As $_2$层被压缩，而La $_2$ O $_2$层沿c轴被拉伸。电阻和磁化强度的测量结果表明，出现体超导电性在$\sim$ 10 K的最佳掺杂的LaFeAs $_{1-x}$ P $_{x}$ O（$x=0.25\sim0.3$）。零温下的上临界场估计为27 T，远高于LaFePO超导体。超导电性的发生进行了讨论的化学压力和键共价。
1/8 Doping Anomalies and Oxygen Vacancies in Underdoped Superconducting Cuprates
讨论了几种铜氧化物超导体的热导率（$κ$）随温度和掺杂的变化。在YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6+x}$和Hg铜酸盐中观察到的1/8掺杂附近的正常状态$κ$和$κ$在$T_c$的斜率变化的抑制值，分别归因于局部晶格畸变和超导冷凝物的抑制。这两种现象都被认为是由局部平面孔的小区域引起的，可能是相分离的表现。结果表明，$κ$的相行为反映了条纹动力学和氧空位团簇对1/8掺杂异常条纹的钉扎。
Dependence of the structural and physical properties of Tl1-yFe2-z(Se1-xSx)2 with isovalent substitution of Se by S: decrease of TNeel with S content
用X射线衍射、电子衍射、磁化强度和输运测量等方法研究了Tl 1-yFe 2-zSe 2反铁磁体中硫或碲取代硒的效应。采用封管法合成了Tl0.8Fe1.5（Se_（1-x）X_x）_2（名义成分）固溶体。在硫的情况下，尽管在系列中达到了由Rietveld精化确定的最佳晶体学参数（即Fe-（Se，S）面间高度和（Se，S）-Fe-（Se，S）角，在这两个参数下，临界超导转变TPDMATHABMM通常在磷属元素化物中最大），但在低至4.2K的情况下没有发现超导性。准完整的Tl位点（y=0.05）与类似的A1-yFe 2-zSe 2（A = K，Rb，Cs）中的显著的碱性缺乏（y=0.2-0.3）相比，以及由此产生的铁价态、态密度和掺杂的差异，被认为可以解释这种超导性的缺乏。用碲取代的化合物，至少达到x=0.25，表现出超导转变，但可能是由于tetraphthalic Fe（Se，Te）杂质相。透射电子显微镜证实了来自$_{0.8}$ Fe $_{1.5}$（SePDMATHABMP S $_{x}$）$_{2}$系列的样品中有序铁空位网络的存在，其形式为四元$\sqrt{5}$ a $\times \sqrt{5}$ a $\times$ c超结构（\textit{I4/m}）（如果铁空位水平增加，则与正交$\sqrt{2}$ a $\times 2\sqrt{2}$ a $\times…
Selective suppression of electronic orders via interlayer coupling in superconducting bilayer nickelate thin films
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Department of Physics, The Chinese University of Hong Kong（香港中文大学物理系）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY（德国电子同步加速器）；State Key Laboratory of Quantum Information Technologies and Materials, The Chinese University of Hong Kong（香港中文大学量子信息技术与材料国家重点实验室）
Effect of doping on the magnetostructural ordered phase of iron arsenides: A comparative study of the resistivity anisotropy in the doped BaFe$_2$As$_2$ with doping into three different sites
为了揭示掺杂在铁基超导体中的作用，我们研究了BaFe $_2$ As $_2$在三个不同晶格位置中的任意一个上掺杂的面内电阻率，Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$，BaFe $_2$（As $_{1-x}$ P $_x$）$_2$和Ba $_{1-x}$ K $_x$ Fe $_2$ As $_2$，重点研究了低温反铁磁/斜方晶（AFO）相的掺杂效应。已知高温顺磁/四磁（PT）相中掺杂的主要作用是通过提供载流子或通过施加化学压力来改变费米表面。在AFO阶段，我们发现了一个明确的剩余电阻率和电阻率各向异性的大小之间的相关性。这表明电阻率各向异性源于掺杂原子的各向异性杂质散射。剩余电阻率的大小也是控制AFO有序化温度$T_s$抑制率的参数。因此，AFO相中掺杂的主要作用是向体系引入无序，这与PT相中的无序不同。
Superconductivity suppression and bilayer decoupling in Pr substituted YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$
Yale University（耶鲁大学）；University of California, San Diego（加州大学圣迭戈分校）；Michigan State University（密歇根州立大学）；Stanford Synchrotron Radiation Lightsource, Stanford Linear Accelerator Center (SLAC) National Accelerator Laboratory（斯坦福同步辐射光源，斯坦福直线加速器中心（SLAC）国家加速器实验室）；Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory（先进光子源，阿贡国家实验室）；Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY（德国电子同步加速器 DESY）
