Gate Dielectric Engineering with an Ultrathin Silicon-oxide Interfacial Dipole Layer for Low-Leakage Oxide-Semiconductor Memories
提出在AOS沟道与high-k栅介质间引入ALD超薄SiL，实现阈值电压稳定调控并显著降低漏电流与刷新能耗，提升存储器可靠性。
2025-11-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Initial stages of nickel oxide growth on Ag(001) by pulsed laser deposition
采用脉冲激光沉积法在Ag（001）衬底上制备了亚单层的氧化镍薄膜，并用扫描隧道显微镜和X射线光电子能谱学对薄膜进行了原位表征。我们观察到的薄膜的准二维生长，并清楚地确定了几种缺陷，如嵌入式金属镍簇，特别是氧原子，即使在深入到基板。这些起源于Ni和O超热射弹，以及从NiO的目标激光烧蚀过程中形成的NiO集群。这些缺陷在延长薄膜生长的成核阶段中起着成核点的作用。
2010-09-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Liquid Metal Printed Ultrathin Oxides for Monolayer WS2 Top-Gate Transistors
二维（2D）半导体是用于互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑电路的持续缩小尺寸的有前景的沟道材料。然而，它们的全部潜力仍然受到缺乏可扩展的高k晶体管的限制，这些高k晶体管可以实现原子级光滑的界面、小的等效氧化物厚度（EOT）、出色的栅极控制和低漏电流。在这里，我们报告了用于2D电子和电光器件的液态金属印刷的氧化物和可扩展的Ga 2 O3电介质。我们直接可视化的原子光滑的Ga 2 O3/WS 2接口，使液态金属印刷的保形性。我们证明了原子层沉积兼容性与高k Ga 2 O3/HfO 2顶栅电介质堆叠化学气相沉积生长单层WS 2，实现EOTs的~1 nm和亚阈值摆幅下降到84.9 mV/dec。栅极漏电流是在超规模低功耗逻辑电路的要求。我们的研究结果表明，液态金属印刷氧化物可以弥合下一代纳米电子学2D材料可扩展介电集成的关键差距。
2022-10-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Variable resistor made by repeated steps of epitaxial deposition and lithographic structuring of oxide layers by using wet chemical etchants
可变电阻器由具有钙钛矿晶体结构的外延SrRuO3（SRO）、La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）和SrTiO3层构成。每一层通过平版印刷方法单独图案化。优化的湿化学蚀刻剂和有机溶剂中的几个抛光步骤允许后续层的良好外延，与原始衬底上的外延相当。高碘酸盐作为SRO的氧化剂和碘化物与抗坏血酸作为LSMO的还原剂被用来攻击这些化学抗性氧化物。最终的器件以与先前描述的用阴影掩模限定的可变电阻器类似的方式改变其电导。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Adsorbate-Mediated Growth of Rare-Earth Oxides on Silicon
在比较研究中，用反应分子束外延法在氯、镓和银钝化的Si（111）上沉积了超薄氧化铈薄膜。这些薄膜的结晶度已被其特征在于由X射线驻波，而氧化态的稀土氧化物（REOx）薄膜和化学界面组合物已被揭示由硬X射线光电子能谱学。使用Cl作为钝化剂导致具有处于3+氧化态的RE金属的高度结晶的REOx膜的外延生长，同时有效地抑制界面处的硅酸盐和氧化硅的形成。相比之下，Ga和Ag的预吸附产量膜的质量较差，在银的情况下，甚至更低的结晶度比没有钝化。进一步的研究表明，Cl-钝化也导致在氧化镧REOx多层膜上的氧化镧薄膜的优异质量，这有利于良好有序的氧化铈的生长。
2013-03-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultrathin, sputter-deposited, amorphous alloy films of ruthenium and molybdenum
本文介绍了用标准溅射法制备的钌钼二元合金薄膜的显微镜和衍射测量结果。对于接近Ru 50 Mo 50的组合物，我们发现薄膜是非晶的。膜的非晶性伴随着相对于钌或钼的同等厚度膜的粗糙度的粗糙度的显著降低。我们将此归因于缺乏颗粒结构，这是分离元件的多晶膜的特征。
2022-08-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermal conversion of ultrathin nickel hydroxide for wide bandgap 2D nickel oxides
本研究针对大尺寸二维过渡金属氧化物稀缺的问题，以超薄氢氧化镍为前驱体热转化合成了大畴尺寸宽带隙二维氧化镍，并系统表征了转化过程的结构形貌变化及产物电子结构，拓展了二维过渡金属氧化物家族。
2024-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tuning High-Harmonic Generation by Controlled Deposition of Ultrathin Ionic Layers on Metal Surfaces
利用半导体和绝缘体产生高次谐波是一个非常活跃的研究领域，因为它具有发展小型高次谐波器件的巨大潜力。在这里，我们表明，通过生长单层（ML）的单晶金属表面上的绝缘体，可以调整谐波光谱，只是改变厚度的绝缘层，而不是激光性能。基于文献中可用的实际电势，$n$ ML NaCl/Cu（111）系统（$n=1-50$）的含时薛定谔方程的数值解表明了这一点。值得注意的是，谐波截止随着$n$线性增加，并且当从$n$ $=$ 1到30时，谐波截止增加多达一个数量级，同时保持激光强度低并且波长在近红外范围内。此外，以这种方式可以实现的控制程度比通过改变激光强度高得多。这种行为的起源是当从与少ML系统相关的基本上离散的能谱移动到扩展周期系统固有的连续能谱（带）时电子“摩擦”的减少。
2016-04-25 cond-mat.mes-hall physics.atom-ph
A Low-Temperature Atomic Layer Deposition Liftoff Method for Microelectronic and Nanoelectronic Applications
我们报告了一种新的方法，用于沉积图案化的介电层与亚微米功能使用原子层沉积（ALD）。图案化的膜在连续性、平滑度、保形性和最小特征尺寸方面优于溅射或蒸发膜。使用几种不同的前体在100- 150 ℃下沉积膜，并使用PMMA或光致抗蚀剂图案化。低沉积温度允许均匀的膜生长，而没有显著的除气或抗蚀剂层的硬烘烤。这里提出的剥离技术给出了尖锐的台阶边缘，边缘粗糙度低至~10 nm。我们还测量了在类似的低温条件下生长的高k材料氧化铝（k ~ 8-9）、氧化铪（k ~ 16-19）和氧化锆（k ~ 20-29）的介电常数（k）和击穿场。
2003-06-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Microwave Irradiation Assisted Deposition of Ga2O3 on III-nitrides for deep-UV opto-electronics
我们报道了利用微波辐射技术在III族氮化物外延层上沉积氧化镓。我们还报告的第一个演示的氧化镓器件，可见光盲深紫外探测器，与GAN基异质结作为衬底。在低于200 ℃的溶液介质中，使用金属有机前体沉积的膜是纳米晶体。XRD证实，作为沉积膜，当在高温下退火时变成多晶β镓氧化物。SEM显示沉积的膜是均匀的，具有4至5 nm的表面粗糙度，如AFM所揭示的。具有Ni、Au接触的叉指型金属半导体金属MSM器件在230 nm处具有峰值光谱响应和良好的可见光抑制比。这是第一次在III族氮化物叠层上的β-氧化镓上展示深紫外探测器，预计将开辟β-氧化镓和GAN材料家族的功能和物理集成的新可能性，通过激发能带和异质结构工程实现下一代高性能器件。
2017-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Two-dimensional atomic-scale ultrathin lateral heterostructures
本研究通过MOCVD法成功制备单层MoS2/WS2超薄横向异质结构，实现原子级平整界面和单原子厚度结宽，并揭示其涌现的光学/电子性质。
2025-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interfacial Charge Transfer and Morphology Govern Magnetism in Ultrathin VOx/MoSe2 Heterostructures
University of South Florida（南佛罗里达大学）；State University of Campinas（坎皮纳斯州立大学）；Federal University of Rio Grande do Norte（北里奥格兰德联邦大学）
本研究通过界面电荷转移增强VOx磁矩，并发现形貌决定集体磁动力学，为氧化物/过渡金属二硫化物异质结构中的磁性调控提供了互补途径。
2026-10-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Epitaxial formation of ultrathin HfO2 on graphene by sequential oxidation
该研究通过序贯氧化在石墨烯上实现超薄HfO₂的外延生长，揭示从Hf金属到非晶亚氧化物、六方亚氧化物再到单斜HfO₂的相序转变机制，为2D半导体与结晶电介质的异质集成提供新路径。
2025-04-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ab Initio Device-Driven Screening of Sub-1-nm Thickness Oxide Semiconductors for Future CMOS Technology Nodes
针对超薄氧化物半导体多为n型、难以适配CMOS技术的问题，本研究开发从头算器件驱动筛选流程，发现CaO、SrO等亚1nm氧化物可同时满足ITRS的n/p型器件高性能与低功耗标准，拓宽了未来CMOS的候选材料范围。
2024-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Image potential states of ultrathin NiO films: A time-resolved two-photon photoemission study
采用分子束外延技术在Ag（001）衬底上制备了有序的NiO薄膜。利用角分辨双光子光电子能谱（2 PPE）确定了膜厚为2- 4单层（ML）时的一系列象势态（IPS）。利用时间分辨的2 PPE方法，测定了前三种IPS的寿命及其与氧化膜厚度的关系。当（n=1）IPS的寿命都在27- 42 fs的范围内时，（n=2）IPS的值从2 ML的85 fs减小到4 ML的33 fs。这些差异进行了讨论，在耦合到层依赖的电子结构的NiO薄膜。
2015-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scaled indium oxide transistors fabricated using atomic layer deposition
为了继续改进集成电路性能和功能，需要具有短沟道长度和低厚度的缩放晶体管。但是，硅基器件的进一步缩放以及与当前制造工艺兼容的替代半导体沟道材料的开发是具有挑战性的。在这里，我们报告原子层沉积氧化铟晶体管的沟道长度下降到8纳米，沟道厚度下降到0.5纳米和等效的介质氧化物厚度下降到0.84纳米。由于缩放的器件尺寸和低接触电阻，该设备表现出高的导通状态电流为3.1 A/mm，在0.5 V的漏极电压和1.5 S/mm的漏极电压1 V的电流。我们的设备是一个有前途的替代沟道材料的缩放晶体管与后端的线处理兼容性。
2022-03-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Spin-State Engineering of Single Titanium Adsorbates on Ultrathin Magnesium Oxide
Center for Quantum Nanoscience, Institute for Basic Science (IBS)（量子纳米科学中心，基础科学研究院）；Ewha Womans University（梨花女子大学）
研究通过扫描隧道显微镜和电子自旋共振技术，揭示了单个钛原子在超薄氧化镁表面的两种自旋态，并通过理论计算解释了自旋态的位依赖性，为表面量子平台的原子级控制提供了新思路。
2025-07-31 cond-mat.mes-hall
Interference induced enhancement of magneto-optical Kerr effect in ultrathin magnetic films
本文研究了在硅衬底上淀积氧化层（SiOx）后的磁性薄膜的磁光光谱。我们发现，对于可见光几乎透明的~1 nm厚的CoFeB薄膜，其克尔旋转角和椭圆率与SiOx层的厚度有很强的依赖关系.对于给定的SiOx厚度和光波长，来自1 nm CoFeB薄膜的克尔信号可以大于约100 nm厚的CoFeB膜的克尔信号。当在SiOx层内发生光学干涉时，克尔信号的增强发生。有趣的是，在这样的共振条件下，测量的克尔信号在某些情况下大于估计，尽管测量和计算的反射振幅的良好一致性。我们推断的差异起源于界面状态，是不同于散装特性。这些结果表明，光干涉效应可以用来研究磁致伸缩薄膜的磁光特性。
2018-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Growth driven phase transitions in Zinc Oxide nanoparticles through machine-learning assisted simulations
CEMES, CNRS and Université de Toulouse（图卢兹大学）；CNRS, Sorbonne Université, Institut des NanoSciences de Paris, UMR 7588（索邦大学）；Univ. Lille, CNRS, INRA, ENSCL, UMR 8207, UMET, Unité Matériaux et Transformations（里尔大学）
研究通过原子级沉积建模探讨氧化锌纳米颗粒形成机制，发现尽管小尺寸颗粒在平衡状态下具有体心四方结构，但沉积过程诱导晶到晶相变至更稳定的纤锌矿结构，揭示了离子再分布对极性面补偿的作用。
2026-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Size effects in IR-optical properties of ultrathin Pb quantized films
在105 K下，测量了Pb沉积在Si（111）-（6 × 6）Au表面时反射率差（RD）随膜厚的变化。使用能量范围为0.25-0.60 eV的斜入射s-和p-偏振光。从实验数据中确定了平行于表面的介电函数张量分量，并观察到Pb单层生长过程中由于量子尺寸效应（QSE）引起的周期为2 ML的振荡。
2006-06-06 cond-mat.mes-hall
Atomically thin mica flakes and their application as ultrathin insulating substrates for graphene
我们表明，它是可能的沉积，通过机械剥离SiO2/Si晶片，原子级薄的云母片下降到一个单一的单层厚度。这些云母片在SiO2/Si衬底上的光学对比度取决于它们的厚度、照明波长和SiO2衬底厚度，可以通过基于菲涅耳定律的模型来定量地解释。原子级薄的绝缘晶体片的制备将使得能够制造无缺陷的绝缘衬底、电介质势垒或平面电子隧穿结。此外，我们表明，几层石墨烯片可以沉积在上面的先前转移的云母片。我们的转移方法依赖于粘弹性邮票，因为那些用于软光刻。拉曼光谱研究表明，这种全干沉积技术产生更清洁和更高质量的薄片比传统的湿转移程序的基础上光刻抗蚀剂。
2011-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Sequential pulsed laser deposition of homoepitaxial SrTiO$_3$ thin films
薄膜化学计量的控制对于实现期望的功能性是主要相关的。从二元氧化物靶上烧蚀的脉冲激光沉积（顺序沉积）可用于精确控制薄膜成分，抵消生长条件对薄膜化学计量的重要性。在这项工作中，我们证明了SrTiO $_3$薄膜的阳离子化学计量可以通过从SrO和TiO $_2$目标的顺序沉积进行微调。同质外延SrTiO $_3$薄膜沉积在不同的衬底温度和Ti/Sr脉冲比，允许建立一个生长窗口的化学计量SrTiO $_3$。的生长动力学和成核过程进行了研究，通过反射高能电子衍射和原子力显微镜，提供有关的生长模式和偏离化学计量的程度的信息。在最佳（化学计量）生长条件下，膜表现出原子级平坦表面，而非化学计量由晶体缺陷、3D岛和/或表面沉淀物调节，这取决于衬底温度和过量阳离子。该技术为精确控制氧化物薄膜的化学计量和掺杂开辟了道路。
2016-09-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Molecular dynamics simulations of sodium nanoparticle deposition on magnesium oxide
质量选择性原子团簇和纳米粒子与表面的相互作用在基础研究和技术应用方面引起了人们的极大兴趣。了解沉积过程的动力学对于控制沉积在基底上的纳米颗粒的结构和功能是重要的，但实验技术通常只能观察沉积过程的最终结果。在本文中，4 nm大小的钠纳米粒子的沉积实验相关的氧化镁基板上的研究通过经典的分子动力学模拟。一个经验力场的推导占高度极化Na原子与表面的相互作用，再现先前报道的量子力学/分子力学模拟的结果。分子动力学模拟允许探索沉积的纳米颗粒在数百皮秒量级的长时间尺度上的动力学，从而使得能够分析能量弛豫机制和纳米颗粒结构的演变直到其与衬底的热化。几个纳米粒子的特性，如内部结构，接触角，和纵横比进行了研究，在一个广泛的沉积能量范围内，从软着陆多破碎制度。
2020-11-08 cond-mat.mes-hall physics.atm-clus
Emergent magnetic and charge ordered phases in freestanding ultrathin \ce{LaVO3}
Indian Institute of Science Education and Research（印度科学教育研究所）
研究自由悬挂超薄LaVO3薄膜的内在性质，发现其随厚度变化出现磁相变序列，揭示了电荷有序和磁序的形成机制。
2026-05-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Creating and modulating electronic states on noble metal surfaces: ultrathin Ag islands on Si(111)-7$\times$7 as a prototype
采用高温一步沉积法在Si（111）7 $\times$ 7上制备了不同厚度的Ag岛。通过Ag和Si之间在Ag-Si界面处的电子杂化，在薄于9层的Ag岛的表面上可检测到中心为-0.40 $\sim$ -0.15eV（相对于E $_{Fermi}$）的电子态。扫描隧道显微镜/光谱和密度泛函理论表明，Ag岛的厚度决定了杂化的强度，导致对表面态的能量和强度的调制。
2011-02-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
High temperature antiferromagnetism in ultrathin SrRu2O6 nanosheets
本研究针对室温纳米磁体研发难题，通过第一性原理计算与Heisenberg蒙特卡罗模拟，发现超薄SrRu2O6纳米片具超430K的高温反铁磁性，揭示掺杂对其磁性的调控机制，为二维关联氧化物研究提供基础。
2024-12-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Time-resolved diffraction and photoelectron spectroscopy investigation of the reactive molecular beam epitaxy of $\mathrm{Fe_3O_4}$ ultrathin films
我们目前的时间分辨高能X射线衍射（tr-HEXRD），时间分辨硬X射线光电子能谱学（tr-HAXPES）和时间分辨掠入射小角X射线散射（tr-GISAXS）数据的反应分子束外延（RMBE）的$\mathrm{Fe_3O_4}$薄膜在各种基板上。记录$\mathrm{Fe_3O_4}$在$\mathrm{SrTiO_3(001)}$、MgO（001）和NiO/MgO（001）上沉积期间的倒易空间图，以观察对$\mathrm{Fe_3O_4}$的反尖晶石结构的八面体和四面体亚晶格敏感的布拉格反射的时间演化。岩盐的出现和尖晶石排斥反射之间的时间延迟揭示了第一，铁氧化物膜以$\mathrm{Fe_{1-δ}O}$岩盐结构生长，独占八面体晶格位置。当该膜为1.1 $\,$ nm厚时，氧化铁膜的进一步生长在反尖晶石结构中进行，八面体和四面体晶格位置都被占据。此外，$\mathrm{SrTiO_3(001)}$上的氧化铁最初生长时没有这些结构。这里，岩盐结构的形成在膜为1.5 $\,$ nm厚时开始。这由在$\mathrm{SrTiO_3(001)}$上生长氧化铁期间获得的tr-HAXPES数据证实，其证明在生长薄于3.2 $\,$ nm的膜中过量的$\mathrm{Fe^{2+}}$阳离子。该岩盐相仅在生长期间出现，并且在停止供应Fe分子束之后消失。因此，可以认为盐岩夹层的结构是一个动态生长过…
2021-06-24 cond-mat.mes-hall
Ultrathin Pyrolytic Carbon Films on a Magnetic Substrate
报道了在1000 °C甲烷气氛下，用化学气相沉积法在镍基片上生长热解碳（PyC）薄膜的研究。我们发现，超快速冷却是至关重要的PyC膜的均匀性，通过控制偏析的碳在镍上。我们用拉曼光谱表征了PyC薄膜的面内晶体尺寸。在~1354 cm-1和~1584 cm-1波数处的拉曼峰用于提取D和G带。然后在依赖于激发能的方程中使用相应的峰强度来计算面内晶体尺寸。使用拉曼面积映射，在100 μm ${\times}$ 100 μm的面积上的面内晶体尺寸的平均值约为22.9 nm，标准偏差约为2.4 nm。
2015-08-26 cond-mat.mes-hall
Universal features of the optical properties of ultrathin plasmonic films
我们从理论上研究了受控变厚度等离子体薄膜光学响应中的约束效应。虽然对于相对厚的膜是恒定的，但等离子体频率被示出为获得典型的二维材料（例如石墨烯）的空间色散，随着膜厚度的减小逐渐向红色偏移。耗散损耗随频率的增加而减小，随频率的增加而增大，并随膜厚的减小而向红移。这些特征提供了一种可控的方式，通过精确地控制等离子体膜和超颖表面的厚度、材料组成以及通过适当地选择沉积基底和涂层，来根据需要调节等离子体膜和超颖表面的空间色散和相关光学性质。
2017-08-11 cond-mat.mes-hall
Transfer of Graphene with Protective Oxide Layers
将通过化学气相沉积（CVD）生长的石墨烯转移到选择的基底上通常涉及聚合物层（通常为聚（甲基丙烯酸甲酯，PMMA或聚二甲基硅氧烷，PDMS））的沉积。这些聚合物很难在不留下一些残留物的情况下去除。在这里，我们研究了石墨烯与保护性薄氧化层的转移。在Cu箔上的生长阶段之后，立即通过原子沉积层（ALD）在石墨烯上生长薄氧化物层。人们可以通过在复合材料的顶部上沉积非常薄的聚合物层（比通常的厚度薄得多），然后通过更积极的聚合物去除方法来进一步帮助氧化物-石墨烯转移，从而使石墨烯保持完整。我们报告的成核生长过程中的氧化铝和氧化铝薄膜的石墨烯，其产生的应变和其光学传输。我们认为，在均匀性和缺陷方面，氧化铝是比氧化铝更好的涂覆石墨烯的氧化物。
2018-06-08 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Enhanced third harmonic generation from the epsilon-near-zero modes of ultrathin films
我们实验证明了有效的三次谐波产生从铟锡氧化物（ITO）纳米膜（λ/42厚）在玻璃基板上的泵浦波长为1.4 μ m。通过利用增强因子为200的ε近零（ENZ）模式的场增强特性，实现了3.3x10^-6的转换效率。这种纳米级频率转换方法适用于其他等离子体材料和剩余辐射材料的纵向光学声子频率附近。
2015-02-13 cond-mat.mes-hall physics.optics
Universal inverse-cube thickness scaling of projectile penetration energy in ultrathin films
University of Milan（米兰大学）；US Army DEVCOM Army Research Laboratory（美国陆军DEVCOM陆军研究实验室）
研究揭示超薄薄膜在高速冲击下穿透阻力增强的通用逆立方厚度关系，揭示了纳米尺度冲击阻力的共同弹性起源。
2026-04-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Sign-tunable anomalous Hall effect induced by two-dimensional symmetry-protected nodal structures in ferromagnetic perovskite oxide thin films
磁性和自旋-轨道耦合（SOC）是巡游铁磁体中新的拓扑输运现象的两个重要组成部分。当自旋极化能带支持可以被SOC提升的带简并的节点/线时，节点结构成为Berry曲率的来源;这导致大的异常霍尔效应（AHE）。与自然具有节点/线的三维系统相反，二维（2D）系统只有在存在适当的晶体对称性时才能具有稳定的节点结构。在这里，我们表明，2D自旋极化能带结构的钙钛矿氧化物通常支持的保护节点线和点，管理的符号和幅度的AHE。为了证明这一点，我们进行了角分辨光电子能谱研究SrRuO $_3$，一个代表性的金属铁磁体与SOC的SrRuO薄膜。我们表明，在膜的厚度，磁化强度和化学势的变化时，符号变化的AHE可以很好地解释理论模型。我们的研究是第一个直接表征的拓扑能带结构的二维自旋极化带和相应的AHE，这可能有助于新的开关器件的铁磁薄膜的基础上。
2021-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
