Spin pumping and interlayer exchange coupling through palladium
沉积在衬底上的铁磁薄膜的磁行为受衬底性质的强烈影响。我们研究的自旋泵抽运率，层间交换耦合和动态交换耦合之间的铁磁薄膜通过钯，非磁性基板，显示出强大的斯通纳增强。我们发现，层间交换耦合，无论是在静态和动态的版本，是定性地影响基板的斯通纳增强。例如，作为RKKY交换耦合的标志性质的振荡行为被Stoner增强强烈抑制。虽然在钯上的铁磁薄膜的自旋泵浦速率只是轻微的改变，由斯通纳增强的变化是足够大的实验检测。我们的研究结果的定性方面，钯预计将保持有效的任何非磁性基板库仑排斥是大的。
2013-05-23 cond-mat.mes-hall
Thickness-Dependent Coherent Phonon Frequency in Ultrathin FeSe/SrTiO$_{3}$ Films
在SrTiO $_{3}$衬底上生长的超薄FeSe薄膜对理解铁基材料的非常规超导性具有重要意义，是原子材料工程领域的一个新的里程碑。利用飞秒时间和角度分辨光电子能谱学研究了分子束外延生长的FeSe/SrTiO $_{3}$薄膜中的声子频率。光激发后，我们观察到的光电子光谱的周期性调制的泵浦-探测延迟的函数为1个晶胞，3个晶胞，和60个晶胞厚的FeSe膜。随着薄膜厚度的增加，相干强度振荡的频率从5.00（2）THz增加到5.25（2）THz。通过与前人工作的比较，我们将这种模式归因于Se A $_\textrm{1g}$声子. 1个晶胞厚的FeSe薄膜中声子软化的主要机制是衬底诱导的晶格应变。我们的结果表明，由于晶格失配之间的薄膜和衬底的声子重整化突变。
2015-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Adsorption and Intermolecular Interaction of Cobalt Phthalocyanine on CoO(111) Ultrathin Films: An STM and DFT Study
研究了钴酞菁（CoPc）分子在Ir（100）衬底上生长的钴氧化物薄层上的吸附。为此，我们比较了低温扫描隧道显微镜（STM）的结果与从头计算密度泛函理论（DFT）的计算，并揭示了吸附几何。我们发现，CoPc分子平躺在表面上，它们的中心钴原子形成了一个化学键的基板氧离子。然而，这种键仅对吸附能有适度的贡献，而范德华力主导着潜在的景观，并在很大程度上决定了基板和分子的几何形状以及变形。此外，它们在较高的分子覆盖率下导致有吸引力的分子-分子相互作用。DFT计算预测的分子轨道的能量位置进行比较，扫描隧道光谱（STS）测量。
2018-10-23 cond-mat.mes-hall
Dirac cone with helical spin polarization in ultrathin $α$-Sn(001) films
在InSb（001）衬底上生长的SnSn（001）薄膜中观察到了自旋分裂的二维电子态。角分辨光电子能谱学（ARPES）对这些薄膜进行揭示Dirac-cone的线性色散周围的表面布里渊区的$\barΓ$点，这表明几乎无质量的电子属于二维表面态。这些状态分散在薄膜中的块状量子阱状态之间的带隙中。此外，圆二色性的ARPES和自旋分辨的ARPES研究表明螺旋自旋极化的Dirac锥状表面状态，这表明在散装拓扑绝缘体（TI）的拓扑保护字符。这些结果表明，准三维TI相可以实现在薄膜的零间隙半导体。
2013-11-21 cond-mat.mes-hall
Evolution of Fermi Level State Density in Ultrathin Films Near the Two Dimensional Limit: Experiment and Theory
本文研究了生长在Si（111）-（7 × 7）衬底上的Ag薄膜的费米能级的电子态密度（DOS）。用扫描隧道能谱测量费米能级的态密度，发现近似（1 - γ/d）关系，其中γ为常数，d为膜厚。分析理论以及我们的密度泛函理论（DFT）计算的结果进行了解释。DFT结果还表明，在界面附近，薄膜和衬底的DOS值相互影响。
2014-12-03 cond-mat.mes-hall
Magnetotransport effects of ultrathin Ni80Fe20 films probed in-situ
研究了在Al_2O_3、MgO和SiO_2衬底上生长的厚度从单层到12 nm的坡莫合金（Ni_（80）Fe_（20））薄膜的磁电阻特性。生长和输运的测量进行了低温条件下，在超高真空。应用面内磁矢量场高达100 mT，磁输运性能确定在生长过程中。随着厚度的增加，薄膜表现出从隧穿磁电阻到各向异性磁电阻的逐渐过渡。这对应于膜结构从分离的小岛到互连晶粒的网络的演变，以及膜的超顺磁性行为到铁磁性行为的转变。使用基于岛生长的理论模型的分析，我们发现，所观察到的演变的磁阻在隧道制度起源于岛的尺寸分布在生长过程中的变化。依赖于衬底材料，显着差异的磁阻响应之间的过渡制度的隧道磁电阻和各向异性magnetoresistance.We归因于一个越来越明显的岛的生长和坡莫合金的渗滤过程较慢时，比较生长在SiO2，MgO和Al2O3衬底。不同的生长特性导致SiO2的隧穿磁电阻和各向异性磁电阻的明显提前发生。特别是对于Al2O3的生长模式的结果在包含两个不同的贡献的铁磁性，导致两个不同的矫顽场在高厚度制度的膜的结构。
2009-05-20 cond-mat.mes-hall
High Quality Ultrathin Bi2Se3 Films on CaF2 and CaF2/Si by Molecular Beam Epitaxy with a Radio Frequency Cracker Cell
本文报道了一种以射频裂解槽为硒原子源，采用分子束外延技术制备高质量Bi_2Se_3薄膜的方法。采用接近化学计量比的生长速率，在CaF 2（111）衬底和具有CaF 2缓冲层的Si（111）衬底上成功地生长了表面光滑的高质量Bi_2Se_3薄膜。输运测量结果表明，一个特征弱的反本地化magnetoresistance，与出现弱本地化的磁膜限制。量子振荡归因于拓扑表面状态已被观察到，包括在薄膜上的CaF 2/Si。
2012-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Universal features of the optical properties of ultrathin plasmonic films
我们从理论上研究了受控变厚度等离子体薄膜光学响应中的约束效应。虽然对于相对厚的膜是恒定的，但等离子体频率被示出为获得典型的二维材料（例如石墨烯）的空间色散，随着膜厚度的减小逐渐向红色偏移。耗散损耗随频率的增加而减小，随频率的增加而增大，并随膜厚的减小而向红移。这些特征提供了一种可控的方式，通过精确地控制等离子体膜和超颖表面的厚度、材料组成以及通过适当地选择沉积基底和涂层，来根据需要调节等离子体膜和超颖表面的空间色散和相关光学性质。
2017-08-11 cond-mat.mes-hall
Determining layer number of two dimensional flakes of transition-metal dichalcogenides by the Raman intensity from substrate
过渡金属二硫属化物（TMD）半导体由于其独特的电学和光学性质而得到了广泛的研究。TMD薄片的性质是其厚度或层数（N）的函数。如何测定纳米材料的N值，对于纳米材料的理论研究和实际应用都具有重要意义。来自衬底的拉曼模式强度已被用于识别高达N=100的本征和有缺陷的多层石墨烯的N。然而，由于从单层到本体TMD缺乏统一的复折射率（$\tilde{n}$），因此这种分析不适用于多层TMD薄片。在这里，我们讨论的N识别的TMD片的SiO $_2$/Si衬底上的100-nm（或89-nm）的Si峰之间的强度比从下面的TMD片的SiO $_2$ /Si衬底和裸SiO $_2$ /Si衬底。我们假设TMD薄片的$\tilde{n}$的实部为单层TMD的实部，并将$\tilde{n}$的虚部作为拟合参数来拟合实验强度比。对于典型的激光激发（2.54 eV、2.34 eV或2.09 eV），获得了从单层到多层的掺杂MoS $_{2}$、WS $_{2}$和WSe $_{2}$薄片的经验$\tilde{n}$，即$\tilde{n}_{eff}$。用拟合的MoS $_{2}$的$\tilde{n}_{eff}$确定了沉积在302-nm SiO $_2$ /Si衬底上的MoS $_{2}$薄片的N，与由它们的剪切模式和层呼吸模式确定的结果吻合得很好。通过测量来自衬底的拉曼强度的该技术可以扩展到用N依赖性$\…
2016-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the origin of in-gap states in homogeneously disordered ultrathin films. MoC case
许多无序超导薄膜呈现模糊的隧穿谱，带隙内态明显。我们表明，在BMCMoC膜的隧穿态密度是无隙的，可以描述的BCS态密度的Dynes版本与一个强大的加宽参数γ占抑制相干峰和增加的间隙状态。薄膜越薄，Tc和超导能隙δ越低，γ越大。同时沉积在硅和蓝宝石衬底上的3 nm厚度的MoC膜显示出非常相似的标量无序，证明了相同的薄层电阻，但表现出不同的超导特性的Tc，δ和γ，这表明对负责的耗散通道和抑制超导起源于膜-衬底界面。这表明蓝宝石是一个更强的对断路器。接口对断开在其他情况下也可以是可操作的。
2018-09-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Controllable Synthesis of Submillimeter Ultrathin 2D Ferromagnetic Cr5Te8 Nanosheets by GaTe-Assisted CVD
本文提出GaTe辅助CVD方法，通过优化生长温度和源-衬底距离可控合成亚毫米级超薄二维铁磁Cr5Te8纳米片，并揭示其面外铁磁性及172 K居里温度。
2024-10-21 cond-mat.mes-hall
Near-complete violation of Kirchhoff s law in thermal radiation in ultrathin magnetic Weyl semimetal films
打破基尔霍夫定律的能力在热辐射中是至关重要的。已经提出了各种非互易发射器来打破吸收和发射之间的平衡。然而，非互易材料的厚度通常大于波长的1/10。此外，以前提出的非互易发射体是复杂的，因此它们很难在实验中制备，以验证非互易材料的基尔霍夫定律。本文研究了金属衬底上磁性外尔半金属薄膜的非互易热辐射。当MWSM薄膜厚度为100 nm时，可获得9.15 μm波长的强非互易辐射。增强的非互易性归因于法布里-珀罗共振。结果表明，MWSM薄膜是一种很有前途的候选人，工程的非互易和简单的热发射器。也许最有趣的是，所提出的结构可以更容易地在实验中制造，以验证非互易材料的基尔霍夫定律。
2021-09-28 cond-mat.mes-hall
Sign Reversal of anisotropic magnetoresistance in La0.7Ca0.3MnO3/STO ultrathin films
本文报道了在STO（001）衬底（STO）上淀积的LCMO（LCMO）薄膜（厚度为4 nm）中应变引起的各向异性磁电阻（AMR）符号反转的观察结果。我们还观察到异常大的AMR LCMO/STO薄膜的厚度为6 nm以下，但接近其居里温度（TC），随着膜厚度的增加而减少。4 nm薄膜的AMR随磁场或温度的符号反转（最大值为-6）可以归因于薄膜平面中的拉伸应变的增加，这又促进了易磁化轴的旋转。
2014-09-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Controlling the plasmonic properties of ultrathin TiN films at the atomic level
通过结合第一性原理理论计算和实验光学和结构表征，如光谱椭偏仪，X射线光谱和电子显微镜，我们研究的介电常数和等离子体特性的TiN薄膜在原子水平。我们的研究结果表明，一个显着的持久的TiN薄膜的金属字符和渐进的红移的等离子体激元能量的膜的厚度减少。这一趋势的微观起源解释的系统的特征双带电子结构。表面氧化和衬底应变也进行了研究，以解释偏离理想情况下的光学性能。这为实现在可见光范围内具有可定制和可调谐等离子体激元特性的TiN薄膜在超颖表面和柔性光电子器件中的应用铺平了道路。
2017-12-17 cond-mat.mes-hall physics.optics
Ultrathin bismuth-yttrium iron garnet films with tunable magnetic anisotropy
ETH Zurich（苏黎世联邦理工学院）；Université Grenoble Alpes, CNRS, Institut Néel（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国国家科学研究中心，内耳研究所）；Kyoto University（京都大学）；University of Konstanz（康斯坦茨大学）；Instituto de Nanociencia y Materiales de Aragón, CSIC（阿拉贡纳米科学与材料研究所，西班牙国家研究委员会）；Universidad de Zaragoza（萨拉戈萨大学）
通过调节应变和沉积参数，实现超薄BiYIG薄膜的磁各向异性调控，适用于磁性器件和自旋轨道电子器件。
2026-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spectroscopy and Dynamics of a Two-Dimensional Electron Gas on top of Ultrathin Helium Films on Cu(111)
氦原子表面的像势态电子是二维电子气的一个独特的模型系统。在这里，我们调查他们的性质在极端情况下减少膜厚度：一个单层的氦物理吸附在单晶（111）取向的铜表面。为此，我们利用了一个定制的设置时间分辨双光子光电发射（2PPE）在超高真空条件下，在非常低的温度。我们表明，高度极化的金属基板的第一（n = 1）图像的潜在状态的结合能增加了两个以上的数量级相比，液氦的表面。由于氦的负电子亲和力很大，处于这种状态的电子仍然与金属表面强烈去耦，我们发现，与裸Cu（111）表面相比，即使是一个单层的氦也会将其寿命增加一个数量级。
2016-05-25 cond-mat.mes-hall
Image potential states of ultrathin NiO films: A time-resolved two-photon photoemission study
采用分子束外延技术在Ag（001）衬底上制备了有序的NiO薄膜。利用角分辨双光子光电子能谱（2 PPE）确定了膜厚为2- 4单层（ML）时的一系列象势态（IPS）。利用时间分辨的2 PPE方法，测定了前三种IPS的寿命及其与氧化膜厚度的关系。当（n=1）IPS的寿命都在27- 42 fs的范围内时，（n=2）IPS的值从2 ML的85 fs减小到4 ML的33 fs。这些差异进行了讨论，在耦合到层依赖的电子结构的NiO薄膜。
2015-06-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Size effects in superconducting thin films coupled to a substrate
表面科学的最新实验进展使人们有可能跟踪薄膜中超导性的演变，因为厚度进入纳米级区域，预计基板起着重要的作用。在这里，我们提出了一个平均场，分析易处理，模型描述的尺寸效应耦合到衬底的薄膜。我们限制我们的研究，单波段，晶体，弱耦合超导体，没有杂质。薄膜基片/真空界面由一个简单的非对称势阱和一个有限的准粒子寿命描述。选择边界条件以符合电荷中性条件。该模型提供了一个公平的描述实验结果在超导铅膜：平均而言，超导能隙随厚度减小，它总是低于体值。对于中间厚度，仍然观察到清晰的振荡，形状共振的残余。对于具有较弱的电子-声子耦合和可忽略的无序的材料，适度增强超导性似乎是可行的。电荷中性条件的放宽，原则上在复合氧化物异质结构和其他材料中是合理的，将导致尺寸效应对超导电性的更强增强。
2016-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Enhanced third harmonic generation from the epsilon-near-zero modes of ultrathin films
我们实验证明了有效的三次谐波产生从铟锡氧化物（ITO）纳米膜（λ/42厚）在玻璃基板上的泵浦波长为1.4 μ m。通过利用增强因子为200的ε近零（ENZ）模式的场增强特性，实现了3.3x10^-6的转换效率。这种纳米级频率转换方法适用于其他等离子体材料和剩余辐射材料的纵向光学声子频率附近。
2015-02-13 cond-mat.mes-hall physics.optics
Tunneling interferometry and measurement of thickness of ultrathin metallic Pb(111) films
本文用低温扫描隧道显微镜和低温扫描隧道光谱研究了生长在Si（111）7 × 7单晶上的9 ~ 50单层厚铅膜的微分隧道电导谱。隧道电导率的局部最大值的存在对于这样的系统是典型的。微分电导率的最大值的能量由金属层中的电子的量子限制态的光谱确定，并且因此由该层的局部厚度确定。它已被证明，衬底的微观结构的功能，如单原子高度，结构缺陷，和其他材料的夹杂物覆盖的铅层的步骤，可以通过偏压调制扫描隧道光谱可视化。
2019-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain driven monoclinic distortion of ultrathin CoO films in CoO/Pt(001) and exchange-coupled CoO/PtFe/Pt(001) systems
用原位和实时表面X射线衍射方法测定了生长在Pt（001）衬底和Pt（001）上的铁磁PtFe赝晶层上的CoCoO薄膜的结构和应变。薄膜在两个表面上外延生长，具有产生伪立方CoO（111）表面的面内六边形图案。一个精致的X射线衍射分析揭示了轻微的单斜变形在RT引起的各向异性应力在界面处。四元化合物对畸变的贡献导致比率c/a > 1，与低温本体CoO相中发现的比率相反。这种扭曲导致在膜的平面内稳定的Co 2+自旋配置。
2014-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Centimeter-scale synthesis of ultrathin layered MoO3 by van der Waals epitaxy
我们报告的大规模合成的高度取向的MoO 3层，使用一个简单的和低成本的大气压范德瓦尔斯外延生长白云母云母基板上。通过这种方法，我们能够合成高质量的厘米级MoO 3晶体，厚度范围从1.4 nm（两层）到几纳米。晶体可以很容易地转移到一个任意的基板（如二氧化硅）的确定性转移方法和广泛的特点，以证明所得晶体的高品质。我们还通过密度泛函理论计算研究了材料的电子能带结构。有趣的是，计算表明，大块MoO 3具有相当弱的电子层间相互作用，因此它呈现出单层状能带结构。最后，我们证明了这种合成方法的光电应用的潜力，通过制造大面积的场效应器件（10微米110微米的横向尺寸），发现响应率为30 mA/W的激光功率密度为13 mW/cm 2的光谱的UV区域，也作为电子受体的二硫化钼为基础的场效应晶体管。
2016-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Interference induced enhancement of magneto-optical Kerr effect in ultrathin magnetic films
本文研究了在硅衬底上淀积氧化层（SiOx）后的磁性薄膜的磁光光谱。我们发现，对于可见光几乎透明的~1 nm厚的CoFeB薄膜，其克尔旋转角和椭圆率与SiOx层的厚度有很强的依赖关系.对于给定的SiOx厚度和光波长，来自1 nm CoFeB薄膜的克尔信号可以大于约100 nm厚的CoFeB膜的克尔信号。当在SiOx层内发生光学干涉时，克尔信号的增强发生。有趣的是，在这样的共振条件下，测量的克尔信号在某些情况下大于估计，尽管测量和计算的反射振幅的良好一致性。我们推断的差异起源于界面状态，是不同于散装特性。这些结果表明，光干涉效应可以用来研究磁致伸缩薄膜的磁光特性。
2018-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Calculation of divergent photon absorption in ultrathin films of a topological insulator
我们计算了衬底上拓扑绝缘体超薄膜的线性和非线性光子吸收。由于耦合拓扑表面态的独特能带结构，在合适的光子频率下，观察到了新的特征，包括单光子吸收过程中的发散边奇异性和双光子吸收过程中的显著增强.通过调节上下表面态的能量差和耦合可以控制共振频率。这种独特的线性和非线性光学性质使得拓扑绝缘体的超薄膜成为可调谐高效纳米光子器件的有前途的材料构建块。
2013-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Large-Area and Transferred High-Quality Three-Dimensional Topological Insulator Bi2-xSbxTe3-ySey Ultrathin Film by Catalyst-Free Physical Vapor Deposition
大面积均匀合成块体绝缘薄膜是三维拓扑绝缘体（3D-TI）表面在各种电子器件中应用的重要课题。在这里，我们报告了体绝缘三维拓扑绝缘体（3D-TI）Bi 2-xSbxTe 3-ySey（BSTS）薄膜，从几个五层到几百层，在大面积（1 cm 2）的云母通过无催化剂的物理气相沉积外延生长。这些薄膜可以使用去离子水非破坏性地剥离，并根据需要转移到各种基材上。转移的BSTS薄膜表现出良好的双极特性，以及明确定义的量子振荡所产生的拓扑表面状态。载流子迁移率为2500-5100 cm 2（Vs）-1，与高质量块体BSTS单晶相当。随着薄膜厚度的减小，电子态从无质量到有质量的狄拉克费米子都可以调谐。BSTS薄膜的大面积合成和可靠的薄膜转移工艺为3D-TI的应用开辟了一条新的途径。
2017-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ultrathin Films of Superconducting Metals as a Platform for Topological Superconductivity
实现拓扑超导性（TSC）通常需要的成分是库珀配对，破缺反转对称性和破缺时间反转对称性。我们提出了一个理论探索的可能性，使用超薄膜的超导金属作为平台的TSC。因为它们在衬底上制备时必然破坏反转对称性并且具有固有的库珀配对，所以当时间反转对称性被外部磁场破坏时，它们可以是TSC。使用微观密度泛函理论计算，我们表明，对于Pb-Sn和$β$ -Sn超导体的费米能级的位置可以调整到准2D带极值能量使用应变，和这些布洛赫态的$g$ -因素可以非常大，提高外部磁场的影响。
2018-07-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Mechanically stacked 1 nm thick carbon nanosheets: Ultrathin layered materials with tunable optical, chemical and electrical properties
碳纳米片是机械稳定的独立的二维材料，厚度约为1 nm，具有明确的物理和化学性质。它们是由辐射诱导交联的芳香族自组装单分子膜。在这里，我们提出了一个路线，可调的电，光和化学性质的绝缘基板上的多层纳米片的可扩展的制造。研究了在氧化硅上堆叠多达5个尺寸约为1平方厘米的纳米片。通过目视检查、光学显微镜、UV/Vis反射光谱和模型计算研究了它们的光学特性。用X射线光电子能谱学研究了它们的化学组成。然后在超高真空中在高达1100 K的各种温度下对多层样品进行退火。随后的拉曼光谱，X射线光电子和紫外/可见反射光谱以及通过电四点探针测量的研究表明，层状纳米片转化为纳米晶石墨烯。这种结构和化学转变伴随着光学性质和电导率的变化，为制备双功能导电涂层开辟了新的途径。
2011-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Abrupt Enhancement of Spin-Orbit Scattering Time in Ultrathin Semimetallic SrIrO$_3$ Close to the Metal-Insulator Transition
我们报道了在SrTiO $_3$衬底上相干应变的1.4-21.2 nm外延SrIrO $_3$薄膜的自旋弛豫的磁输运研究。在厚度大于1.6 nm的SrIrO $_3$薄膜中观察到了完全电荷补偿的半金属输运，在10 K下随着薄膜厚度的减小，电荷迁移率从45 cm $^2$ /Vs增加到150 cm $^2$ /Vs.在二维制度中，从弱的本地化/反本地化效应提取的电荷退相和自旋轨道散射长度显示幂律依赖于温度，指向电子-电子相互作用的重要作用。自旋-轨道散射时间$τ_\text{so}$与动量弛豫时间$τ_\text{p}$呈准线性关系.接近金属-绝缘体转变临界厚度的超薄膜显示出$τ_\text{so}$的突然增强，相应的$τ_\text{so}/τ_\text{p}$约为较厚薄膜值的7.6倍。这种不寻常的增强的一个可能的起源是强电子相关的开始，这导致电荷间隙的形成和抑制自旋散射。
2020-04-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Giant Rashba spin splitting in strained KTaO3 ultrathin films for circular photogalvanic currents
本文通过第一性原理计算发现，对KTaO3超薄膜施加双轴压应变（接近-5%）可实现高达140 meV的巨Rashba自旋劈裂，并在覆盖层或衬底存在时保持，可用于产生自旋极化环光电流，推动自旋电子学与光电子学应用。
2020-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Probing of the interfacial Heisenberg and Dzyaloshinskii--Moriya exchange interaction by magnon spectroscopy
这篇专题评论概述了最近的实验结果的定量测定的磁交换参数的磁性薄膜和多层膜，生长在不同的基板上。详细讨论了探测双磁性薄膜和界面上对称海森堡和反对称Dzyaloshinskiii-Moriya交换相互作用的实验方法。它解释了如何磁激发的实验频谱可以用来量化这些相互作用的强度。
2017-01-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
